UNIVERSIDAD TÉCNICA DEL NORTEFICA-CIERCOM

-INTEGRANTES: Daniel Osejos, Henry Avendaño

-FECHA16/06/2014

TEMA: Transistores

OBJETIVO GENERAL

Aprender a reconocer base emisor y colector en un transistor

OBJETIVOS ESPECIFICOS

Utilizando el multímetro buscar la base emisor y colector de un transistor

Buscar si un transistores tipo PNP o NPN . Ver cómo trabajar un transistor polarizado con un divisor de

tensión

MATERIALES

Fuente de 5v Resistencias Led Transistores Fotocelda

MARCO TEORICO

TRANSISTORES PNP Y NPN es un dispositivo electrónicosemiconductor utilizado para producir una señal de salida enrespuesta a otra señal de entrada. 1 Cumple funciones deamplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Eltérmino «transistor» es la contracción en inglés de transferresistor («resistencia de transferencia»). Actualmente seencuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicosde uso diario: radios, televisores, reproductores de audio yvideo, relojes de cuarzo, computadoras, lámparasfluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, entre otros.

FUNCIONAMIENTO En una configuración normal, la unión base-emisor se polarizaen directa y la unión base-colector en inversa.1 Debido a laagitación térmica los portadores de carga del emisor puedenatravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a labase. A su vez, prácticamente todos los portadores quellegaron son impulsados por el campo eléctrico que existeentre la base y el colector.Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos conla región del ánodo compartida. En una operación típica, launión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN,

por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en launión base-emisor, el equilibrio entre los portadoresgenerados térmicamente y el campo eléctrico repelente de laregión agotada se desbalancea, permitiendo a los electronesexcitados térmicamente inyectarse en la región de la base.Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la regiónde alta concentración cercana al emisor hasta la región debaja concentración cercana al colector. Estos electrones enla base son llamados portadores minoritarios debido a que labase está dopada con material P, los cuales generan "huecos"como portadores mayoritarios en la base.La región de la base en un transistor debe serconstructivamente delgada, para que los portadores puedandifundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vidaútil del portador minoritario del semiconductor, paraminimizar el porcentaje de portadores que serecombinan antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base debe ser menoral ancho de difusión de los electrones.

FOTOCELDA Una fotocelda es una reisitencia, cuyo valor enohmios varía ante las variaciones de la luz.Estas resistencias están construidas con un material sensiblea la luz, de tal manera que cuando la luz incide sobre susuperficie, el material sufre una reacción química, alterandosu resistencia eléctrica.Una fotocelda presenta un bajo valor de su resistencia antela presencia de luz, y, un alto valor de resistencia ante laausencia de luz.La fotocelda se emplea para controlar el encendido automáticodel alumbrado público. También se utiliza ampliamente encircuitos contadores electrónicos de objetos y personas, enalarmas, etc.

LEDS es una lámpara de estado sólido que usa ledes 2 (Light-Emitting Diode, Diodos Emisores de Luz) como fuente luminosa.Debido a que la luz capaz de emitir un led no es muy intensa,para alcanzar la intensidad luminosa similar a las otraslámparas existentes como las incandescentes o lasfluorescentes compactas las lámparas LED están compuestas poragrupaciones de ledes, en mayor o menor número, según laintensidad luminosa deseada.

RESISTENCIAS es uno de los componentes imprescindibles en laconstrucción de cualquier equipo electrónico, ya que permitedistribuir adecuadamente la corriente y voltaje a todos los

puntos necesarios.

DIAGRAMA DE BLOQUES

Fuente Resisten Transist Resisten LED

Fuente Resisten Resisten Resisten LED

DESARROLLO

Se identificara la base el común y el emisor del transistor Se procede a armar cada uno de los circuitos planteados

teniendo ya todos los elementos electrónicos previos. Se conectara el multímetro en la escala correcta para sacar

los diferentes valores que han sido pedidos para cada uno delos circuitos

DIAGRAMA CIRCUITALES Y DE RESULTADOS

CIRCUITO CON DIODO

Fuente LDR Transist

Resisten

I(A) Vr (V) Vd (V)6mA 2,04v 2,97v

USANDO TRANSISTOR

CIRCUITOS

CIRCUITO #1

I fuente

IB(A) VR1(v)

VR2(v)

VD (v)

IC(A)

IE(A)

B

9,69 0,17uA

0,29V

1,04V

2,86V

4,87

4,68

28.6

I fuente

VR1 (V)

VR2(v)

VR3(v)

VD (v)

IB(A) IC(A) IE(A) B

2,39 4,88 4,28 0 0,6 0,17uA

2,22mA

2,38mA 13.05

CIRCUITO # 2

CIRCUITO #3

Se reduce corta la energía al momento de oscureceral circuito

CIRCUITO#4

Sensor de oscuridad da luz cuando esta ya no hay

Con Luz

Sin Luz

I fuente

VR1 V

VR2(v)

VLRD VD (v)

IB(A)

IC(A)

IE(A)

B

0 0 0,09 4,33 0,005

0 0 0 0

I fuente

VRC (V)

VR1(v) VR2(v) VD (v)

IB(A) IC(A) IE(A) B

9,15 1,3V 0,1 0,6 2,99 0,13uA

7,9mA 8,99mA

60.8

I fuente

VR1(V)

VR2(v)

VR3(v)

VD (v)

IB(A)

IC(A)

IE(A)

B

0 0 4,6 0 0,09 0 0 0 0

I fuente

VRC1(V)

VR2(v)

VR3(v)

VD (v)

IB(A)

IC(A) IE(A) B

7,3mA 1,3 4,10 0,02 0,68

25uA

7,33mA

7,69mA

0.29

CIRCUITO #5

Este circuito el led se enciendo cuando existe ausencia de luz

Con Luz

Sin Luz

CIRCUITO #6

En este circuito con la presencia de luz el led seenciende

Con Luz

Sin Luz

I fuente

VR1 (V)

VR2(v)

VLDR VD (v)

IB(A)

IC(A)

IE(A)

B

0,29 3,30 0 1,29 0,6 0 0 0 0

I fuente

VR1 (V)

VR2(v)

VLRD VD (v)

IB(A)

IC(A) IE(A) B

2,6mA 29,1 0,68 3,99 0,69 4uA 2,98mA

2,38mA

0.74

I fuente

VR1 (V)

VR2(v)

VLRD

VD (v)

IB(A)

IC(A) IE(A) B

6,99mA

1,6 0,68 0,68

2,66 1,03uA

5,44mA

6,43mA 5.28

I fuente

VR1 (V)

VR2(v)

VLRD

VD (v)

IB(A)

IC(A)

IE(A)

B

0 0 0,09 4,33

0,005

0 0 0 0

CIRCUITO #7

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

DANIEL OSEJOS

Aprendimos a identificar base, común y emisor de untransistor al mismo tiempo a ver si era PNP oNPN.

Cuando amplificamos corrientes pequeñas,obtenemos una ganancia notable en el emisor

Es necesario disponer las hojas deespecificaciones de los transistores queutilizamos para conocer sus características.

Las corrientes medidas en base, colector yemisor son muy pequeña

HENRY AVENDAÑO

La mayoría de transistores analizados eran del tipo NPN.

I fuente

VR1 (V)

VR2(v)

VLRD VD (v)

IB(A)

IC(A)

IE(A)

B

0 0 0 0 0 0 0 0 0

Si los terminales del transistor no están correctamenteidentificados y conectados no obtendremos el resultadodeseado en nuestro circuito

En uno de nuestros proyectos anteriores fue una fuente devoltaje de 5v que fue de gran utilidad para esta práctica,pues nos daba el voltaje requerido en los circuitos.

A la hora de hacer los circuitos ver correctamente como va air conectado el transistor.

BIBLIOGRAFÍA:

http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/ resistores.htm

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

ANEXOS