Penyelesaian TP modul 31. Field Effect Transistor (FET) adalah piranti tiga terminal seperti BJT. Istilah field effect (efek medan listrik) sendiri berasal dari prinsip kerja transistor ini yang berkenaan dengan lapisan deplesi (depletion layer). Lapisan ini terbentuk antara semikonduktor tipe-N dan tipe-P, karena bergabungnya elektron dan hole disekitar daerah perbatasan. Sama seperti medan listrik, lapisan deplesi ini bisa membesar atau mengecil tergantung dari tegangan antara Gate dan Source. Namun, perbedaan utama dari kedua transistor ini adalah BJT merupakan piranti yang dikontrol oleh arus sedangan FET merupakan piranti yang cara kerjanya berdasarakan pengendalian arus listrik oleh tegangan. Perbedaan lainnya terdapat pada prinsip kerja kedua jenis transistor tersebut. FET disebut juga transistor unipolar, yaitu transistor yang prinsip kerjanya berdasarkan salah satu pembawa muatan, elektron atau hole. Sedangkan pada BJT (Bipolar Junction Transistor) prinsip kerjanya berdasarkan dua muatan yang berbeda, yaitu pembawa muatan positif (hole) dan pembawa muatan negatif (elektron).

Aplikasinya :

2. JFET (Junction FET, FET Pertemuan) menggunakan sambungan p-n yang dipanjar terbalik untuk memisahkan gerbang dari badan.MOSFET (MetalOxideSemiconductor FET, FET SemikonduktorOksidaLogam) menggunakan isolator (biasanya SiO2) di antara gerbang dan badan.3. Ada di modul4. VGS = -1V maka ID = 0,01{1 (-1/-3,5)2} = 5,1mAVGS = -2V maka ID = 0,01{1 (-2/-3,5)2} = 1,84mAVGS = -3V maka ID = 0,01{1 (-3/-3,5)2} = 0,204mA5. VS = IDRS = (5mA)(220) = 1,1 V.VD = VDD IDRD = 10V (5mA)(1K) = 5 V.Sehingga VDS = VD VS = 5V 1,1V = 3,9 V.Dan VGS = VG VS = 0 1,1V = -1,1V.