INFORMACION GENERAL

DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), significa transmisióndoble de datos cuarta generación: se trata de el estándardesarrollado por la firma Samsung® para el uso con futurastecnologías. Al igual que sus antecesoras, se basa en el usode tecnología tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base decapacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en amboslados de la tarjeta, y según las imágenes liberadas por elsitio Web, 240 terminales, las cuáles están especializadaspara las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) denueva generación. También se les denomina DIMM tipo DDR4,debido a que cuentan con conectores físicamenteindependientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

DDR4 entrega mayor rendimiento, capacidades DIMM máselevadas, una mejora en la integridad de los datos y ofreceun menor consumo de energía.

Llegando a más de 2 Gbps por pin y con menor consumo deenergía que DDR3L, (DDR3 de Bajo Voltaje), DDR4 proporcionaaumento en el rendimiento y un ancho de banda de hasta 50%,mientras disminuye el consumo de energía de su entorno deinformática en general. Esto representa una mejorasignificativa sobre las tecnologías de memoria anteriores yun ahorro de energía de hasta 40%.

Además de un rendimiento optimizado y más ecológico,computación de bajo costo, DDR4 también proporciona controlesde redundancia cíclica (CRC) para mejorar la confiabilidad delos datos, detección de la paridad en el chip para laverificación de la integridad de transferencias de ‘comando ydirección sobre un enlace, una mayor integridad de la señal yotras robustas características RAS.

PARTES DE UNA MEMORIA DDR4

1.-  Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son módulos de memoria volátil.

3.- Conector de 240 terminales: base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR4.

4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR4.

CARACTERISTICAS

Cuentan con 288 terminales para la conexión a laMotherboard.

Cuentan con una muesca en un lugar estratégico delconector, para que al insertarlas, no haya riesgo decolocarlas de manera incorrecta ó para evitar que seinserten en ranuras inadecuadas.

Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todassus ranuras para memoria.

Utiliza la tecnología de 30 nanómetros para sufabricación.

Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288pines DIMM. La velocidad de datos por pin, va de unmínimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo máximo inicial de3,2 GT/s.

Las memorias DDR4 SDRAM tienen un mayor rendimiento ymenor consumo que las memorias DDR predecesoras. Tienenun gran ancho de banda en comparación con sus versionesanteriores.

VOLTAJE DE ALIMENTACIÓN DE UNA MEMORIA DDR4 Tiene un voltaje de alimentación de 1.2 Volts, menor a

las anteriores por lo que según la firma, es másecológica.

FUNCIONAMIENTO DE LA MEMORIA DDR4

1. La celda de memoria se carga de una corriente eléctricaalta cuándo indica el valor 1.

2. La celda de memoria se carga de una corriente eléctricabaja cuándo indica el valor 0.

3. Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y porello toda la información se pierde.

4. Este tipo de celdas tienen un fenómeno de recargaconstante ya que tienden a descargarse,independientemente si la celda almacena un 0 ó un 1,esto se le llama "refrescar la memoria", solo sucede enmemorias RAM y ello las vuelve relativamente pocoeficaces.

CAPACIDAD DE UNA MEMORIA DDR4

DDR4 con 240 terminales en un solo módulo su capacidad puede ser de las siguientes: 2 GB, 4 GB, 8 GB y 16 GB

Tambien hay kids de 2 y 4 módulos y su capacidad seria de 32GB Y 64GB respectivamente.

PRECIOS

Como es evidente, es el proceso que seguirán las memoriasDDR4, en cuanto a la evolución de su precio en el mercado. Noobstante, teniendo en cuenta que actualmente superan en un50% de media el precio de las DDR3, no sería complicado que afinales del próximo año 2015, finalmente, se alcance ladiferencia esperada inicialmente de “tan solo” el 30% desobrecoste con respecto a la tecnología más generalizada deahora, una generación de memorias anterior que, también debeseñalarse, continuará bajando de precio a un ritmo similar.

VentajasSus principales ventajas en comparación con DDR2 y DDR3 sonuna tasa más alta de frecuencias de reloj y de transferenciasde datos (2133 a 4266 MT/s en comparación con DDR3 de 800M a2.133MT/s), la tensión es también menor a sus antecesoras(1,2 a 1,05 para DDR4 y 1,5 a 1,2 para DDR3) DDR4 tambiénapunta un cambio en la topología descartando los enfoques dedoble y triple canal, cada controlador de memoria estáconectado a un módulo único.DesventajasNo es compatible con versiones anteriores por diferencias enlos voltajes, interfaz física y otros factores.

Bibliografia1. http://media.kingston.com/pdfs/HX_Predator_DDR4_US.pdf

2. http://www.informaticamoderna.com/Memoria_DDR4.htm3. http://www.kingston.com/latam/memory/ddr44. http://computadoras.about.com/od/memorias/a/Ddr-4.htm

ANEXOS

Descripción DDR3 DDR4 Beneficio

Densidades delchip

512Mb a 8Gb 4Gb a 16Gb Mayores capacidades en módulos DIMM

Data Rates 800Mb/s – 2133Mb/s

1600Mb/s – 3200Mb/s

Migration to Higher-Speed I/O

Voltaje 1.5V 1.2V Reducción de la demanda de energía para la memoria

Norma de voltaje bajo

Sí (DDR3L a 1.35V)

Anticipado a 1.1V Reducciones de energía para la memoria

Bancos internos

8 16 Más bancos

Grupos de bancos (BG)

0 4 Accesos de ráfaga más rápidos

Entradas VREF 2 – DQs y CMD/ADDR

1 – CMD/ADDR VREFDQ Ahora interno

tCK – habilitado conDLL

300MHz a 800MHz 667MHz a 1.6GHz Mayores velocidades de transmisión de datos

tCK – deshabilitado con DLL

10MHz – 125MHz (opcional)

Indefinido para 125MHz

DLL-off es ahora totalmente compatible

Latencia en lectura

AL + CL AL + CL Valores ampliados

Latencia en escritura

AL + CWL AL + CWL Valores ampliados

Controlador DQ(ALT)

40 Ω 48 Ω Óptimo para aplicaciones PtP

Bus DQ SSTL15 POD12 Menos ruido y energía de E/S

Valores RTT (en Ω)

120, 60, 40, 30, 20

240, 120, 80, 60, 48, 40, 34

Compatible con velocidades de transmisión de datos más elevadas

No se permite RTT

Ráfagas de READ Desactiva durante ráfagas de lectura

Facilidad de uso

Modos ODT Nominal, Dinámico

Nominal, Dinámico,Estacionar

Modo de control adicional; Cambio de Valor OTF

Control ODT Se requiere señalización ODT

NO se requiere señalización ODT

Facilidad de control ODT; Permite enrutamiento qye no es ODT, Aplicaciones PtP

Registro multi-propósito

Cuatro registros - 1 Definido, 3 RFU

Cuatro registros -3 Definido, 1 RFU

Proporciona lectura especializada adicional

Tipos de DIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM

RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM

 

Contactos DIMM 240 (R, LR, U);204 (SODIMM)

288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)

 

RAS ECC CRC, Paridad, Direccionabilidad,GDM

Más características RAS; integridad de datos mejorada

ESCUELA SUPERIOR POLITÉCNICA DE CHIMBORAZO

FACULTAD: INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICAESCUELA: INGENIERIA ELECTRONICA EN CONTROL Y REDES INDUSTRIALES

CARRERA: INGENIERIA EN ELECTRONICA, CONTROL Y REDES INDUSTRIALES

CONSULTA DE INVESTIGACIÓN DE ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS.

QUINTO B

TEMA: (MEMORIA DDR4)

DATOS GENERALES:

NOMBRE: Roberto Córdova 427

FECHA DE REALIZACIÓN: FECHA DE ENTREGA:

01/07/2015 8/07/2015