Praktikum Ke 1 Karakteristik Tr Basis Ditanahkan
of 20
Embed Size (px)
description
ghgjh
Transcript of Praktikum Ke 1 Karakteristik Tr Basis Ditanahkan
LAPORAN SEMENTARA
PAGE 16
LAPORAN SEMENTARA
PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II
Praktikum Ke 1
KARAKTERISTIK TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
(BASIS BERSAMA/COMMON BASE)
Pelaksanaan Praktikum : Kamis, 10 Maret 2005, Jam Ke 7-8.
A.TUJUAN
1. Mempelajari karakteristik masukan transistor basis ditanahkan.
2. Mempelajari karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan.
B.DASAR TEORI
Gambar 1. Penguat basis ditanahkan jenis pnp dan npn.
Dalam praktikum ini yang dipergunakan adalah jenis npn. Arus basis IB dibuat kecil dengan membuat lapisan basis yang kecil. Arus basis ini terjadi oleh karena rekombinasi antara lubang dan elektron bebas yang ada di basis. Rekombinasi ini akan menyebabkan banyak atom donor yang kehilangan elektron, sehingga bermuatan positif. Akibatnya elektron dari tanah akan mengalir ke basis untuk membuatnya netral. Aliran elektron ini tak lain adalah arus basis itu.
Tampak bahwa arus kolektor : IC = IE - IB. Arus basis ini sebanding dengan arus emitor, yaitu IC = (IE. Parameter ( disebut penguat arus untuk basis ditanahkan, oleh karena pada rangkaian di atas basis dihubungkan dengan tanah. Parameter ( mempunyai nilai hampir sama dengan satu, yaitu :
( = 0,990 - 0,998
1.Ciri Masukan Common Basis
Lengkung ciri masukan transistor dengan hubungan basis ditanahkan sama dengan lengkungan ciri Statik dioda dalam keadaan panjar maju oleh karena sambungan emitor-basis diberi panjar maju, gambar berikut:
Gambar 2. Lengkung ciri statik masukan transistor basis ditanahka.
Pada ciri statik masukan transistor perlu diperhatikan hal berikut :
a.Bentuk ciri statik masukan serupa dengan ciri statik dioda dalam keadaan panjar maju. Ini tak mengherankan oleh karena sambungan emitor basis merupakan suatu dioda dengan panjar maju.
b.Ciri statik masukan hampir berimpit untuk berbagai nilai VCB. Hal ini berarti tegangan keluaran (VCB) tak banyak berpengaruh pada masukan. Suatu penguat memang seharusnya demikian. Apa yang terjadi pada keluaran tak terasa pada masukan.
Kedua sifat di atas membuat transistor dapat digunakan untuk memperkuat isyarat. Suatu perubahan kecil pada VCB oleh suatu isyarat masukan yang kecil akan menyebabkan perubahan arus emitor iE yang besar. Perubahan ini diteruskan menjadi arus isyarat iC, yang diubah menjadi isyarat tegangan oleh RC, yaitu vo = iCRC, yang lebih besar daripada tegangan isyarat masukan.
2.Ciri Keluaran Common Basis
Ciri keluaran statik menyatakan bagaimana arus kolektor iC berubah dengan VCB untuk berbagai nilai arus statik dari emitor IE. Lengkung ciri statik transistor dengan hubungan basis ditanahkan ditunjukkan pada gambar di bawah ini untuk transistor jenis npn.
Gambar 3. Lengkung ciri statik keluaran transistor basis ditanahka.
Pada ciri keluaran transistor dengan hubungan basis ditanahkan perlu diperhatikan hal berikut :
a.iCiE, karena iC = (iEA dan (1. Hal ini juga berarti arus keluaran iC berbanding lurus dengan arus masukan iE. Dikatakan transistor dwikutub adalah suatu piranti yang dikendalikan oleh arus.
b.Ciri statik keluaran mempunyai kemiringan amat kecil (sangat horizontal). Ini berarti hambatan keluaran transistor yang merupakan kebalikan kemiringan ic(vCB) mempunyai nilai amat besar yaitu sama dengan hambatan isyarat kecil dioda yang ada dalam keadaan tegangan mundur, yaitu dioda sambungan kolektor basis.
C.ALAT-ALAT
1. Circuit Trainer (PH-62)
2. Voltmeter DC (PH-103)
3. Ampermeter DC (PH-104)
4. Power Supply (PH-47)
5. Regulator DC Power Supply (PH-107)
D.BAGAN/RANGKAIAN SET-UP ALAT
1. Mempelajari Karakteristik Masukan Transistor Basis Ditanahkan
Gambar 4. Rangkaian untuk Mempelajari Karakteristik Masukan Transistor Basis Ditanahkan
2. Mempelajari Karakteristik Keluaran Transistor Basis Ditanahkan
Gambar 5. Rangkaian untuk Mempelajari Karakteristik Keluaran Transistor Basis Ditanahkan
E.PENYAJIAN DATA
1. Karakteristik Statis Masukan
VCB1 = 0 VoltVCB2 = 2 VoltVCB3 = 4 VoltVCB4 = 6 Volt
No.VBE (Volt)IE (mA)
12341234
1.00000000
2.0.10.10.10.10000
3.0.20.20.20.20000
4.0.30.30.30.30000
5.0.40.40.40.40000
6.0.50.50.50.50000
7.0.60.60.60.60000
8.0.70.70.70.711.524.5
9.0.80.80.80.866.57.510
10.0.90.90.90.911.513.51415
2. Karakteristik Statis Keluaran
IE1 = 1 mAIE2 = 2 mAIE3 = 3 mAIE4 = 4 mA
No.VCB (Volt)IC (mA)
12341234
1.-0.6-0.6-0.6-0.61111
2.00001.5234
3.11111.5234
4.22221.5234
5.33331.5234
6.44441.5234
7.55551.5234
8.66661.5234
F.ANALISA DATA
1. Membuat grafik karakteristik masukan transistor basis ditanahkan, dimana kuat arus emitor (IE) sebagai sumbu Y dan tegangan basis-emitor (VEB) sebagai sumbu X, untuk masing-masing harga tegangan kolektor-basis (VCB) dalam satu sumbu.
Gambar 6
2. Membuat grafik karakteristik keluaran transistor emitor ditanahkan, dimana kuat arus kolektor (IC) sebagai sumbu Y dan tegangan kolektor-basis (VCB) sebagai sumbu X, untuk masing-masing harga arus emitor (IE) dalam satu sumbu.
Gambar 7
3. Membandingkan grafik no.1 dengan kurva grafik dioda dicatu maju, dan menafsirkan sudut kemiringan bila tegangan kolektor-basis (VCB) berubah, dalam hubungannya dengan hambatan masukan penguat transistor basis ditanahkan.
Gambar 8. (a). Lengkung Ciri Dioda.
(b). Karakteristik Masukan Transistor Common Basis
Kita dari kedua grafik di atas untuk karakteristik basis ditanahkan mempunyai bentuk kurva yang sama dengan dioda dicatu maju. Penafsiran sudut kemiringan karakteristik masukan Transistor Common Basis bila VCB berubah sudut kemiringannya semakin besar. Dalam hubungannya dengan hambatan masukan, Common Base hambatan masukan adalah kali lebih besar daripada common emitor, karena dengan kemiringan lengkung adalah kali lebih besar, yang berarti hambatan masukan kali lebih besar daripada common emitor.
4. Dari grafik no. 2, menentukan daerah mati, daerah aktif dan daerah jenuh transistor basis ditanahkan.
Gambar 9. Karakteristik Keluaran TR common basis
5. Dari grafik no.2 menafsirkan sudut kemiringan untuk arus emitor (IE) berbeda, dalam hubungannya dengan hambatan keluaran penguat transistor basis ditanahkan.
Penafsiran sudut kemiringan untuk arus emitor (IE) berbeda adalah mempunyai sudut kemiringan yang sangat kecil (horizontal), hal ini sesuai dengan teori yang telah dibahas di dasar teori. Dalam hubungannya penafsiran sudut kemiringan dan hambatan keluaran, ini berarti hambatan keluaran transistor yang merupakan kebalikan kemiringan ic(vCB) mempunyai nilai amat besar yaitu sama dengan hambatan isyarat kecil dioda yang ada dalam keadaan tegangan mundur, yaitu dioda sambungan kolektor basis.
G.PEMBAHASAN DAN DISKUSI
1.Dari tabel data dan hasil grafik karakteristik masukan transistor common basis, kita lihat kenaikan/mulai ada arus basis IE saat tegangan basis-emitor VBE = 0,7Volt. Dapat kita ketahui bahan penyusun jenis semikonduktor yang digunakan, nilai tersebut mendekati rentang tegangan basis-emitor VBE untuk bahan silikon antara 0,5 sampai 0,7 Volt. Sedangkan bila dibanding bahan germanium, VBE = 0,7 Volt hasil praktikum berada jauh di atas bahan germanium yaitu 0,1 sampai 0,2 Volt. Sehingga dapat diketahui bahan semikonduktor transistor yang digunakan dipraktikum ini adalah silikon yang mempunyai keadaan aktif VBE = 0,7 Volt.
2.Dari tabel data dan hasil grafik karakteristik masukan transistor common basis, dapat kita peroleh besarnya hib (impedansi masukan dengan keluaran terhubung singkat vo=0) dan hrb (nisbah tegangan balik dengan masukan terbuka ii=0).
yaitu perubahan VEB jika VCB berubah sebesar (VCB pada nilai arus IE(q). dan adalah kemiringan lengkung ciri statik masukan pada nilai VCB(q) dan IE(q).
Gambar 10
Dari gambar di atas =0,8-0,775=0,025V dan =6V, maka:
Untuk adalah kemiringan lengkung ciri statik masukan pada nilai VCB(q) dan IE(q), kalau kita lihat dari grafik ciri statik masukan pada nilai VCB(q) dan IE(q) adalah ciri masukan pada VCB=4 Volt. Kira kira mempunyai kemiringan:
3.Dari tabel data dan hasil grafik karakteristik keluaran transistor common basis, dapat kita peroleh besarnya hfb (nisbah arus maju dengan keluaran terhubung singkat vo=0) dan hob (admitansi keluaran dengan masukan terbuka ii=0).
yaitu beda arus kolektor dibagi dengan arus emitor pada titik q. Parameter adalah kemiringan IC(VCB) pada titik q yaitu kemiringan lengkung ciri statik pada titik q pada IE(q) dan VCB(q).
Gambar 11
4.Pada hasil perbandingan grafik karakteristik dioda dicatu maju dengan karakteristik masukan transistor common basis, mempunyai bentuk yang sama. Kenapa hal ini bias terjadi? Kita lihat struktur sambungan semikonduktor dari transistor yang digunakan dalam praktikum adalah jenis NPN, kaki kolektor jenis N, kaki basis jenis P dan kaki emitor jenis N yang dapat memberikan karakteristik sama dengan dioda yang dicatu maju. Hal ini disebabkan karena pada arus basis IB dibuat kecil dengan membuat lapisan basis yang kecil. Arus basis ini terjadi oleh karena rekombinasi antara lubang dan elektron bebas yang ada di basis. Rekombinasi ini akan menyebabkan banyak atom donor yang kehilangan elektron, sehingga bermuatan positif. Akibatnya elektron dari tanah akan mengalir ke basis untuk membuatnya netral. Aliran elektron ini tak lain adalah arus basis itu.
H.KESIMPULAN
1.Karakteristik masukan transistor basis ditanahkan mempunyai bentuk kurva yang sama dengan karakteristik dioda dicatu maju, dengan kemiringan kali lebih besar dari common emitor, dengan nilai VCB yang berbeda-beda sudut kemiringannya semakin besar.
2.Dari grafik karakteristik masukan transistor basis ditanahkan dengan VCB yang berbeda-beda dapat diperoleh nilai hib (impedansi masukan dengan keluaran terhubung singkat vo=0) dan hrb (nisbah tegangan balik dengan masukan terbuka ii=0).
3.Dari grafik karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan dengan IE yang berbeda-beda dapat diperoleh nilai hfb (nisbah arus maju dengan keluaran terhubung singkat vo=0) dan hob (admitansi keluaran dengan masukan terbuka ii=0). Dengan sudut kemiringan yang sangat kecil (sangat horizontal), dengan IC berbanding lurus dengan IE, dikatakan transistor dwikutub suatu piranti yang dikendalikan oleh arus.
4.Dari grafik karakteristik keluaran transistor emitor ditanahkan kita dapat menentukan daerah mati, daerah aktif dan daerah jenuh transistor ditanahkan dengan tujuan mengetahui daerah bekerjanya komponen transistor basis ditanahkan.
5.Untuk perancangan pada penguat basis ditanahkan isyarat tegangan keluaran berlawanan fase dengan isyarat tegangan masukan yang dirumuskan .
6.Karakteristik transistor basis ditanahkan jika kita bandingkan dengan transistor emitor ditanahkan. Common basis mempunyai hambatan masukan kali lebih kecil, dan hambatan keluaran kali lebih besar.
I.PENGALAMAN BARU
1.Dari pelaksanaan praktikum karakteristik masukan dan keluaran transistor basisi ditanahkan, kami dapat lebih memahami sifat-sifat dari komponen transistor, khususnya basis ditanahkan.
2.Dalam merangkai rangkaian transistor basis ditanahkan harus benar-benar teliti dan diperhatikan jalur-jalur rangkaian.
J.DAFTAR PUSTAKA
Sutrisno. 1986. Elektronika Teori dan Penerapannya 1. Bandung : Penerbit ITB.
LAPORAN PRAKTIKUM
ELEKTRONIKA DASAR II
JUDUL PRAKTIKUM
KARAKTERISTIK TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
(BASIS BERSAMA/COMMON BASE)
PRAKTIKUM KE-1
KELOMPOK V
NAMA PRAKTIKAN:1.HAIDAR UBAIDILLAHNIM303322466384
2.IRMA APRILDA SINAGANIM303322466387
TANGGAL LAPORAN:KAMIS, 10 MARET 2005
JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI MALANG
2005
LAPORAN
PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II
Praktikum Ke 1
KARAKTERISTIK TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
(BASIS BERSAMA/COMMON BASE)
Pelaksanaan Praktikum : Kamis, 10 Maret 2005, Jam Ke 7-8.
A.TUJUAN PRAKTIKUM
3. Mempelajari karakteristik masukan transistor basis ditanahkan.
4. Mempelajari karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan.
B.ALAT YANG DIGUNAKAN
6. Circuit Trainer (PH-62)
7. Voltmeter DC (PH-103)
8. Ampermeter DC (PH-104)
9. Power Supply (PH-47)
10. Regulator DC Power Supply (PH-107)
C.RANGKAIAN SET-UP
3. Mempelajari Karakteristik Masukan Transistor Basis Ditanahkan
Gambar 1. Rangkaian untuk Mempelajari Karakteristik Masukan Transistor Basis Ditanahkan
4. Mempelajari Karakteristik Keluaran Transistor Basis Ditanahkan
Gambar 2. Rangkaian untuk Mempelajari Karakteristik Keluaran Transistor Basis Ditanahkan
D.DATA PENGAMATAN
5. Karakteristik Statis Masukan
VCB1 = 0 VoltVCB2 = . VoltVCB3 = . VoltVCB4 = . Volt
No.VBE (Volt)IE (mA)
12341234
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
6. Karakteristik Statis Keluaran
IE1 = 1 mAIE2 = . mAIE3 = . mAIE4 = . mA
No.VCB (Volt)IC (mA)
12341234
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
E.KELOMPOK
Kelompok V:1.HAIDAR UBAIDILLAHNIM : 3033224663842.IRMA APRILDA SINAGANIM : 303322466387
Malang, 10 Maret 2005
Mengetahui
Dosen Pembimbing
AHMAD TAUFIQ
+
-
V
-
+
-
+
V
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
-
V
+
EMBED Equation.3
V
V
-
+
+
-
+
EMBED Equation.3
-
+
-
V
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Excel.Chart.8 \s
EMBED Excel.Chart.8 \s
EMBED Excel.Chart.8 \s
AKTIF
JENUH
MATI
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
_1172516156.xlsChart1
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
11.524.5
66.57.510
11.513.51415
IE(q)=IC(q)=(Vcc-Vcb)/Rc
VEB(q)
VCB1=0 Volt
VCB2=2 Volt
VCB3=4 Volt
VCB4=6 Volt
Tegangan Emitor-Basis VEB (Volt)
Kuat Arus Emitor IE (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK MASUKAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet1
00000000
0.10.10.10.10000
0.20.20.20.20000
0.30.30.30.30000
0.40.40.40.40000
0.50.50.50.50000
0.60.60.60.60000
0.70.70.70.711.524.5
0.80.80.80.866.57.510
0.90.90.90.911.513.51415
Sheet1
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
VCB1=0 Volt
VCB2=2 Volt
VCB3=4 Volt
VCB4=6 Volt
Tegangan Emitor-Basis VEB (Volt)
Kuat Arus Emitor IE (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK MASUKAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet1 (2)
-0.6-0.6-0.6-0.60000
-0.6-0.6-0.6-0.61111
-0.6-0.6-0.6-0.61.31.82.83.8
00001.5234
11111.5234
22221.5234
33331.5234
44441.5234
55551.5234
66661.5234
Sheet1 (2)
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
IE1=1 mA
IE2=2 mA
IE3=3 mA
IE4=4 mA
Tegangan Kolektor-Basis VCB (Volt)
Kuat Arus Kolektor IC (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK KELUARAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet2
Sheet3
_1172516286.unknown
_1172517082.xlsChart3
0000
1111
1.31.82.83.8
1.5234
1.5234
1.5234
1.5234
1.5234
1.5234
1.5234
IE1=1 mA
IE2=2 mA
IE3=3 mA
IE4=4 mA
Tegangan Kolektor-Basis VCB (Volt)
Kuat Arus Kolektor IC (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK KELUARAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet1
00000000
0.10.10.10.10000
0.20.20.20.20000
0.30.30.30.30000
0.40.40.40.40000
0.50.50.50.50000
0.60.60.60.60000
0.70.70.70.711.524.5
0.80.80.80.866.57.510
0.90.90.90.911.513.51415
3
0.5
6
Sheet1
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
VCB1=0 Volt
VCB2=2 Volt
VCB3=4 Volt
VCB4=6 Volt
Tegangan Emitor-Basis VEB (Volt)
Kuat Arus Emitor IE (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK MASUKAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet1 (2)
-0.6-0.6-0.6-0.60000
-0.6-0.6-0.6-0.61111
-0.6-0.6-0.6-0.61.31.82.83.8
00001.5234
11111.5234
22221.5234
33331.5234
44441.5234
55551.5234
66661.5234
Sheet1 (2)
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
IE1=1 mA
IE2=2 mA
IE3=3 mA
IE4=4 mA
Tegangan Kolektor-Basis VCB (Volt)
Kuat Arus Kolektor IC (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK KELUARAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet2
Sheet3
_1172518546.xlsChart1
0000
1111
1.31.82.83.8
1.5234
1.5234
1.5234
1.5234
1.5234
1.5234
1.5234
IE1=1 mA
IE2=2 mA
IE3=3 mA
IE4=4 mA
Tegangan Kolektor-Basis VCB (Volt)
Kuat Arus Kolektor IC (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK KELUARAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet1
00000000
0.10.10.10.10000
0.20.20.20.20000
0.30.30.30.30000
0.40.40.40.40000
0.50.50.50.50000
0.60.60.60.60000
0.70.70.70.711.524.5
0.80.80.80.866.57.510
0.90.90.90.911.513.51415
Sheet1
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
VCB1=0 Volt
VCB2=2 Volt
VCB3=4 Volt
VCB4=6 Volt
Tegangan Emitor-Basis VEB (Volt)
Kuat Arus Emitor IE (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK MASUKAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet1 (2)
-0.6-0.6-0.6-0.60000
-0.6-0.6-0.6-0.61111
-0.6-0.6-0.6-0.61.31.82.83.8
00001.5234
11111.5234
22221.5234
33331.5234
44441.5234
55551.5234
66661.5234
Sheet1 (2)
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
IE1=1 mA
IE2=2 mA
IE3=3 mA
IE4=4 mA
Tegangan Kolektor-Basis VCB (Volt)
Kuat Arus Kolektor IC (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK KELUARAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet2
Sheet3
_1172521845.unknown
_1172517481.unknown
_1172517646.xlsChart1
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
11.524.5
66.57.510
11.513.51415
VCB1=0 Volt
VCB2=2 Volt
VCB3=4 Volt
VCB4=6 Volt
Tegangan Emitor-Basis VEB (Volt)
Kuat Arus Emitor IE (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK MASUKAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet1
00000000
0.10.10.10.10000
0.20.20.20.20000
0.30.30.30.30000
0.40.40.40.40000
0.50.50.50.50000
0.60.60.60.60000
0.70.70.70.711.524.5
0.80.80.80.866.57.510
0.90.90.90.911.513.51415
Sheet1
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
VCB1=0 Volt
VCB2=2 Volt
VCB3=4 Volt
VCB4=6 Volt
Tegangan Emitor-Basis VBE (Volt)
Kuat Arus Emitor IE (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK MASUKAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet1 (2)
-0.6-0.6-0.6-0.60000
-0.6-0.6-0.6-0.61111
-0.6-0.6-0.6-0.61.31.82.83.8
00001.5234
11111.5234
22221.5234
33331.5234
44441.5234
55551.5234
66661.5234
Sheet1 (2)
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
IE1=1 mA
IE2=2 mA
IE3=3 mA
IE4=4 mA
Tegangan Kolektor-Basis VCB (Volt)
Kuat Arus Kolektor IC (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK KELUARAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet2
Sheet3
_1172517494.unknown
_1172517455.unknown
_1172516714.unknown
_1172516883.unknown
_1172517072.unknown
_1172516763.unknown
_1172516625.unknown
_1172516235.unknown
_1172516280.unknown
_1172516196.unknown
_1172500411.unknown
_1172500562.unknown
_1172515378.unknown
_1172516100.unknown
_1172515136.unknown
_1172500421.unknown
_1171311666.unknown
_1172343203.doc
_1172499369.unknown
_1172500126.unknown
_1172345715.xlsChart1
0000
1111
1.31.82.83.8
1.5234
1.5234
1.5234
1.5234
1.5234
1.5234
1.5234
IE1=1 mA
IE2=2 mA
IE3=3 mA
IE4=4 mA
Tegangan Kolektor-Basis VCB (Volt)
Kuat Arus Kolektor IC (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK KELUARAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet1
00000000
0.10.10.10.10000
0.20.20.20.20000
0.30.30.30.30000
0.40.40.40.40000
0.50.50.50.50000
0.60.60.60.60000
0.70.70.70.711.524.5
0.80.80.80.866.57.510
0.90.90.90.911.513.51415
Sheet1
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
VCB1=0 Volt
VCB2=2 Volt
VCB3=4 Volt
VCB4=6 Volt
Tegangan Emitor-Basis VBE (Volt)
Kuat Arus Emitor IE (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK MASUKAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet1 (2)
-0.6-0.6-0.6-0.60000
-0.6-0.6-0.6-0.61111
-0.6-0.6-0.6-0.61.31.82.83.8
00001.5234
11111.5234
22221.5234
33331.5234
44441.5234
55551.5234
66661.5234
Sheet1 (2)
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
IE1=1 mA
IE2=2 mA
IE3=3 mA
IE4=4 mA
Tegangan Kolektor-Basis VCB (Volt)
Kuat Arus Kolektor IC (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK KELUARAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet2
Sheet3
_1172345858.xlsChart2
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
11.524.5
66.57.510
11.513.51415
VCB1=0 Volt
VCB2=2 Volt
VCB3=4 Volt
VCB4=6 Volt
Tegangan Emitor-Basis VBE (Volt)
Kuat Arus Emitor IE (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK MASUKAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet1
00000000
0.10.10.10.10000
0.20.20.20.20000
0.30.30.30.30000
0.40.40.40.40000
0.50.50.50.50000
0.60.60.60.60000
0.70.70.70.711.524.5
0.80.80.80.866.57.510
0.90.90.90.911.513.51415
Sheet1
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
VCB1=0 Volt
VCB2=2 Volt
VCB3=4 Volt
VCB4=6 Volt
Tegangan Emitor-Basis VBE (Volt)
Kuat Arus Emitor IE (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK MASUKAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet1 (2)
-0.6-0.6-0.6-0.60000
-0.6-0.6-0.6-0.61111
-0.6-0.6-0.6-0.61.31.82.83.8
00001.5234
11111.5234
22221.5234
33331.5234
44441.5234
55551.5234
66661.5234
Sheet1 (2)
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
IE1=1 mA
IE2=2 mA
IE3=3 mA
IE4=4 mA
Tegangan Kolektor-Basis VCB (Volt)
Kuat Arus Kolektor IC (mA)
GRAFIK KARAKTERISTIK KELUARAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
Sheet2
Sheet3
_1172343342.unknown
_1171311824.unknown
_1171923683.unknown
_1171305301.unknown
_1171305308.unknown
_1171305077.unknown
_1170705500.unknown
