I. GIỚI THIỆU

Mạch khuếch đai (KĐ) công suất thườngđược sử dụng để nâng công suất tín hiệu lên cao trướckhi đưa ra tải,thườg sử dụng cho tải có điện trơthấp.Thông số để đánh giá mạch KĐ công suất chính làhiệu suất.

ᶯ =Pr (ac )Pv (dc )

.100%

Hiệu suất được định nghĩa là tỉ số công suất tínhiệu ngõ ra trên tải với công suất nguồn cung cấp chomạch.

Một mạch KĐ công suất là lí tưởng khi hiệu suấtbằng 100%, có nghĩa là toàn bộ năng lượng nguồn cungcấp cho mạch được chuyển đổi thành năng lượng tìnhiệu ra cho tải.

Trên thực tế,do năng lượng một phần bị tiêu tántrên các linh kiện hoạt động trong mạch nên hiệu suấtcủa mạch luôn luôn nhỏ hơn 100%.

Phân loại mạch khuếch đại công suất

Về cơ bản có 5 dạng mạch KĐ công suất:A,B,AB,CvàD

Mạch KĐ công suất chế độ A là mạch KĐ màtransistor có điểm làm việc Q nằm trong vùng KĐ và nódẫn trong toàn chu kì của tín hiẹu ngõ vào.

1

Mach KĐ công suất chế độ B la mạch KĐ màtransistor có điểm làm việc Q nằm trong vùng tắt dođó transistor chỉ dẫn trong một bán kì của tín hiệungõ vào.

Mach KĐ công suất chế độ AB là mạch KĐ màtransistor có điểm lam việc Q nằm trong vùng KĐ gầnvùng tắt do đó transistor dẫn hơn một một bán kì vàít hơn một chu kì của tín hiệu ngõ vào.

Mạch KĐ công suất chế độ C là mạch KĐ màtransistor có điểm làm việc Q nằm sâu trong vùng tắtdo đó transistor dẫn ít hơn một bán kì của tín hiệungõ vào.

Mạch KĐ công suất chế độ D là mạch có hiệu suấtrất cao transistor hoạt động chủ yếu ở chế độ xung.

Các mạch KĐ công suất khác: có nhiều mạch KĐ côngsuất khác như G,H,S…Hầu hết chúng là biến thể củamạch KĐ công suất AB, tuy nhiên chúng cho hiệu suấtrất cao được sử dụng cho những thiết kế có công suấtngõ ra lớn.Nhưng dưới đây chỉ khảo sát hai loại mạchđó là mạch KĐ công suất ở chế độ Avà mạch đẩy kéo chếđộ B.

Dạng sóng ic của hai dạng mạch KĐ công suất vớitín hiệu ngõ vào dạng hình sin.

2

Hình 1.1: a. Dạng sóng dòng ic của mạchKĐ công suất chế độ A; b.Dạng sóng dòng ic của mạchKĐ công suất chế độ B.

II. MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT

1.Khuếch đại công suất chế độ A1.1 Khuếch đại chế độ A dung tải điện trở

Trong tầng khuếch đại chế độ A,điểm làm việc thay đổi đối xứngxung quanh điểm làm việc tĩnh.Xéttầng khuéch đại đơn mắc EC và mạchnày có hệ số khuếch đại lớn và méonhỏ.Chỉ xét mạch ở dạng nguồn cấpnối tiếp.Hình 1a

Hình 1a.Sơ đồ khuếch đại chế độ A dung tải điện trở

Chế độ tĩnh

Dòng phân cực 1 chiều được tính theo Ucc và Rb:

IB=Ucc−0,7vRB

Tương ứng với dòng collector :

3

Ic = β.IB

Điện áp collector – emitter:

UCE = Ucc – Ic.Rc

Từ giá trị Ucc ta vẽ được đường tải một chiều AB.

Từ đó sẽ xách định được điểm làm việc Q tương ứng vớiIbq trên dặc tuyến ra . Hạ đường chiếu từ điểm Q đếnhai trục toạ đỗe có ICQ và UCEQ.

Chế độ động (khi có tín hiệu)

Khi có một tín hiệu AC được đưa tới đầu vào của bộkhuếch đại , dòng điện và điện áp ra sẽ thay đổi theođường tải một chiều .

Một tín hiệu đầu vào nhỏ (hình 1b) sẽ gây ra dòngđiện cực gốc thay đổi ở bên trên và bên dưới của điểmlàm việc tĩnh ,dòng collector và điện áp collector –emitter cũng thay đổi xung quanh điểm làm việc tĩnh.

Mô hình mô phỏng chế độ A dùng tải điện trở

4

Hình 1b.Quan hệ giữa tín hiệu vào và tín hiệu ra

Khi tín hiệu đầu vào lớn hơn đầu ra sẽ biến thiên xahơn so với điểm làm việc tĩnh đã được thiết lập từ

5

thời điểm trước , cho tới khi cả dòng điện và điện ápđều đạt đến một giá trị giới hạn . Đối với dòngđiện , giá trị giới hạn này có thể là 0 ở điểm kếtthúc cao của chu kỳ hoạt động của nó .Đối với điện ápcollector – emitter , giới hạn cũng có thể là 0V haybằng giá trị nguồn cung cấp Ucc.

Công suất cung cấp từ nguồn một chiều

Pv(dc) = UCC.ICQ

Công suất ra:

+Tính theo giá trị hiệu dụng:

Pr(ac) = UCE(ms).IC(ms)

Pr(ac) = Ic2.Rc

Pr(ac) = Uc(rms).Uc (rms)

Rc

+Tính theo giá trị đỉnh :

Pr(ac) = UCE (p ).IC(p)

2

Pr(ac) = UCE (p ).UCE(p)

2Rc

+Tính theo giá trị đỉnh- đỉnh:

Pr(ac) = UCE (p−p ).Ic(p−p)

8

Pr(ac) = Ic(p−p).Ic(p−p)

8.Rc

Pr(ac) = UCE (p−p ).UCE(p−p)

8Rc

6

Hiệu suất của mạch: Hiệu suất của một mạch khuếchđậi phụ thuộc vào tổng công suất xoay chiều trên tảivà tổng công suất cung cấp từ nguồn mmột chiều,hiệusuất được tính theo công thức như sau :

ᶯ=Pr (ac)Pv (dc) .100%

Hiệu suất cực đại:

Với mạch khuếch đại công suất chế độ A,hiệu suất cựcđại có thể được xác định thong qua giá trị dòng điệncực đại và điện áp cực đại:

UCEmax(p-p) = UCC

IC(p-p) = UccRc

Công suất một chiều (dc) từ nguồn điện áp cung cấpcực đại được tính ứng với giá trị dòng thiên áp bằngmột nửa giá trị cực đại :

PVmax(dc) = UCC.ICmax =Ucc.Ucc2.Rc

Ta tính được hiệu suất cực đại :

ᶯmax = Prmax(ac)Pvmax(dc)

.100% = 25%

Công suất tiêu tán trên transistor :

PT = Pi(ac) – P0(dc)

Từ công thức trên, chúng ta thấy được đối với mạchkhuếch đại công suất chế độ A thì công suất tiêu tántrên transistor lớn nhất khi không có tín hiệu ratải và nhỏ nhất khi tín hiệu ra tải là lớn nhất

7

Hiệu suất cực đại của mạch.

Đối với mạch khuếch đại công suất chế độ A, hiệu suấtcủa mạch đạt cực đại khi điện áp và dòng điện trêntải đạt cực đại ( biến thiên cực đại) , khi đó nếuđiểm làm việc tĩnh Q của transistor nằm giữa đườngtải ac thì:

Hiệu suất cực đại của mạch khuếch đại tại chế độ Adung tải điện trở như ta thấy là 25%. Hiệu suất nàychỉ đạt được trong trường hợp đặc biệt , còn hầu hếtcác mạch khuếch đại chế độ A dùng tải điên trở đều cóhiệu suất nhỏ hơn giá trị 25%.

1.2.Khuéch đạị chế độ Aghép biến áp

Đây là một dạng của khuếch đại chế độ A với hiệu suấttối đa là 50%, sử dụng một máy biến áp để lấy tínhiệu đầu ra đến tải.

Hoạt động của máy biến áp : một máy biến áp có thểtang hay giảm giá trị điện áp và dòng điện theo tỉ lệđã được định trước. Giả sử máy biến áp được nghiêncứu là loại máy tang áp và bỏ qua sự tổn hao côngsuất.

Biến đổi điện áp:máy biến áp có thể làm tang hay giảmđiện áp phụ thuộc vào những số vòng dây ở mỗi bên.

Sự biến đổi áp theo công thức: U1U2 = N1N2

Điều này chỉ rõ rằng nếu số vòng dây cuộn thứ cấp lớnhơn cuộn sơ cấp thì điện áp ra thứ câp sẽ lớn hơnđiện áp vào sơ cấp.

8

Hình 1c. Mạch khuếch đại ghép biến áp

Sự biến đổi của dòng điện,dòng biến đổi sẽ tỷ lệ

nghịch với số vòng dây ở cuộn hai: I2I1 = N1N2

Mối quan hệ này thể hiện nếu số vòng dây ở cuộn thứcấp lớn hơn cuộn sơ sấp thì dòng điện chạy ở cuộn thứcấp sẽ nhỏ hơn dòng điện ở cuộn sơ cấp.

Tải của biến áp có biến đổi trở kháng ,khi biến ápthay đổi điện áp và dòng điện thì trở kháng ở cả haicuộn dây cũng có thể bị thay đổi.

Ta gọi R'L là điện trở nhìn vào từ cuộn dây sơ cấp máybiến áp, trên đó đã tính đến ảnh hưởng tả gép từ cuộndây thứ cấp thong qua hệ số biến áp

Xác định đường tải một chiều, điểm làm việc tĩnh vàtải xoay chiều.

Vì điện trở một chiều của cuộn dây biến áp rất nhỏ,lý tưởng coi như bằng0.Như vậy đường đặc tuyến tảimột chiều RCD lúc này sẽ thẳng đứng song song với trụctung(Ic).Điện áp tại điểm làm việc tĩnh : UCEQ =UCC.

9

Nếu chobiết dòng định thiên IB thì chỉ việc kẻ mộtđoạn thẳng song song với trục tung IC, cắt đặc tuyếnvới dòng IB sẽ tìm được điểm làm việc Q.Cần lưu ỷằngkhông được tự ý chọn dòng IB mà phải căn cứ vào đặctuyến để xác định sao cho có độ méo là thấp nhất.Điều này có quan hệ với biên độ điện áp và dòng tínhiệu ở nngõ ra, có nghĩa là biên độ của chúng khôngvượt quá đoạn cong dặc tuyến và đường cong giới hạntổn hao cho phép của transistor.

Điểm làm việc được chọn trên giao điểm của đường tảiRDC và dòng IC ứng với tham số IB = 6mA. Để đảm bảocho tín hiệu làm việc ở phần dặc tuyến thẳng thì dòngđiện vào có biên độ 4mA. Từ đó sẽ xác định được biênđộ của điện áp ra và dòng ra trên tải biến áp.

Xác định đường tải xoay chiều RAC bằng cách kẻ mộtđoạn thẳng có độ nghiêng lệch về trục IC đi qua điểmlàm việc Q.

Nếu tín hiệu bắt đầu từ điểm làm việc ở mức 0V,thìdòng Collectortừ điểm Q,ICQ sẽ biến đổi một lượng:

ΔIC = ΔUCER'L

Từ giá trị ΔIC trên trục IC, kéo đường thẳng đến điểmQ tới trục UCE sẽ có đặc tuyến tải RAC

Dạng tín hiệu ra và công suất ra

UCE(p-p) =UCEmax – UCEmin

IC(p-p) =ICmax –Icmin

Công suất xoay chiều gửi tới biến áp:10

Pr(ac) =(UCEmax−UCEmin).¿¿

Phần công suất này được gửi tới cuộn sơ cấp của biếnáp, nếu biến áp là lý tưởng thì công suất trên tảigần bằng với giá trị này.Công suất ra cũng có thểđược tính theo điện áp rơi trên tải.

Mạch khuếch đại công suất chế độ A ghép biến áp cóđường tải ac và dc tương ứng

Hình 1d. Đường tải ac và dc

Tính công suất một chiều và hiệu suất

Công suất của nguồn cung cấp DC:

PV(DC) = UC.ICQ

Công suất tiêu tán trên transistor ở chế độ tĩnh:

PQ =PV(DC) – Pr(AC)

Vậy trong mạch khuếch đại công suất chế đọ A sử dụngmáy biến áp thì hiệu suất cực đại có khả năng đạtđược là 50%.

11

Ta có thể tính hiệu suất cực đại theo UCC và UCE bằngcông thức kinh nghiệm cho mạch ghép RC và biến áp:

+ Đối với mạch ghép RC

ᶯ = 25 [ (UCEmax−UCEmin).(UCEmax−UCEmin)

Ucc(UCEmax+UCEmin)].%

+Đối với mạch ghép biến áp :

ᶯ = 50 [ (UCEmax−UCEmin).(UCEmax−UCEmin)

Ucc(UCEmax+UCEmin)].%

Mô hình mô phỏng chế độ A ghép biến áp.

Độ méo sóng hài của mạch khuếch đại chế độ A tươngđối nhỏ . Trong trường hợp ghép biến áp , do có dòngmột chiều chạy trong cuộn dây kha lớn làm tang dòngtừ hoá của lõi sắt biến áp dẫn đến trạng thái bãohoà . Điều này sẽ gây méo dạng tín hiệu ra. Để giảm

12

méo do bão hoà từ , người ta tăng từ trở của lõi sắtbằng vật liệu cách từ đặt ở khe hở gjữa các lá sắt .

Như vậy , khuếch đại chế độ A chỉ dùng cho tín hiệunhỏ như tầng khuếch đại micro, tiền khuếch đại và đảopha….

2.Khuếch đại công suất chế độ B

Ở chế độ B, transistor sẽ điều khiển dòng điên ở mỗinửa chu kỳ của tín hiệu . Để thu được cả chu kỳ tìnhiệu đầu ra , thì cần sử dụng 2 transistor , mỗitransistor được sử dụng ở mỗi nửa chu kỳ khác nhaucủa tín hiệu , sự vận hành kết hợp sẽ cho ra chu kỳđầy đủ của tín hiệu . Khi một bộ phận của mạch đẩytín hiệu lên cao trong suốt nửa chu kỳ còn lại mạchđiện khi đó gọi là mạch đẩy kéo . Một tín hiệu đầuvào AC được đưa vào trong mạch điện đẩy kéo với sựhoạt động ở mỗi phần trên mỗi nửa chu kỳ thay đổinhau, tải sau đó sẽ nhận được cả chu kỳ của tín hiệuđó.

13

Hình 2a. Sơ đồkhối tầng khuêch đại công suất chế độ B

Transistor công suất được sử dụng trong mạch đẩy kéocó khả năng cung cấp công suất mong muốn cho tải ,và sự vận hành chế đọ B của những transistor này cóhiệu suất lớn hơn so với việc sử dụng một transistorđơn trong chế độ A.

II.1 Mạch khuếch đại đẩy kéo công suất chế độBa. Sơ đồ mạch điệnMạch điện gồm có hai transistor T1và T2 hai biếnáp BA1 và BA2 các điện trở R1,R2, Rt và nguồn cungcấp Ucc.

Hình2b.Mạch khuếch đại đẩy kéocông suất chế độ B ghép biến áp

b.Tác dụng linh kiện

14

T1và T2: là hai loại BJT cùng loại NPN có tham sốgiống hệt nhau(β1=β2=β) là thành phần tích cực trongmạch làm nhiệm vụ khuếch đại.

Biến áp BA1: có hai nửa cuộn dây thứ cấp bằng nhau, cónhiệm vụ tạo ra hai điện áp ngược pha để kích thíchcho T1 vàT2.

Biến áp BA2: có hai nửa cuộn sơ cấp W21 vaf W22 bằngnhau để lấy trên điện áp ở cả hai nửa chu kỳ.

R1 và R2: là hai điện trở định thiên cho T1 vàT2, nếumạch làm việc ở chế độ B thì chỉ cần mắc R2.

Rt: là điện trở tải, điện áp lấy ra chính là sụt áptrên Rt.

UCC là nguồn điện cung cấp cho mạch làm việc

c. Nguyên lý hoạt động

Khi không có tín hiệu vào , điện áp trên bazơ củ T1,T2so với emitơ của chúng đều bằng không (UBE1 và UBE2),điện áp ra tải bằng không.

Khi có tín hiệu vào , giả thiết tín hiệu và có dạnghình sin, do cách cấu tạo của biến áp BA1 nên ở haicuộn thứ cấp của nó sẽ có hai nửa điện áp có biên độbằng nhau nhưng ngược pha nhau .

Ở nửa chu kỳ dương của tín hiệu, hai cuộn thứ cấp củaBA1 sẽ có hai nửa điện áp có biên độ bằng nhau nhưngngược pha nhau dặt vào T1 vàT2 làm T1 thông T2 tắt.

T1 thực hiện KĐCS, trong mạch colectơ của T1 có dòngđiện xoay chiều lc1 chạy từ +UCC đến W21 CE của T1 đến–Ucc.

15

Do cấu tạo của biến áp BA2 nên lc1 cảm ứng sang W2 làmcho trên W2 sinh ra một suất điện động cảm ứng , trênRt có dòng điện chạy qua , đầu ra ta nhận được mộtđiện áp ở chu kỳ dương. Trên tải ta có nửa sóng điệnáp dương.

Khi tín hiệu vào ở nửa chu kỳ âm thì trên cuộn thứcấp BA1 điện áp đổi dấu dần đến T1 tắt T2 thông,T2thưc hiện KĐCS, trong mạch colectơ của T2 có dòng xoaychiều lc2 chạy từ +Ucc đến W22 đến CE của T2 đến –Ucc.

Do cấu tạo của biến áp BA2 nên lc2 cảm ứng sang W2 làmcho trên W2 sinh ra một suất đện động cảm ứng , trênRt có dòng chảy qua, đầu ra ta nhận được một điện áp ởbán chu kỳ âm.Trên tải ta có nửa sóng điện áp âm.

Như vậy quá trình KĐ được thực hiện theo hai nửa chukỳ của tín hiệu vào, nửa chu kỳ đầu T1 làm việc, nửachu kỳ sau T2 làm việc cứ như vậy hai transistor thaynhau làm việc, trên tải ta nhận được tín hiệu có đủchu kỳ và được KĐ.

Nhận xét.

Ưu điểm: ở chế độ tĩnh sẽ không tiêu thụ dòng donguồn cung cấp nếu không có tổn hao trên transitor.

Hiệu sất của mạch cao(~78,5%)

Khuyết điểm. Dải tần hẹp, mạch cồng kềnh, yêu cầutính đối xứng cao, giá thành cao.

Méo xuyên tâm lớn khi tín hiệu vào nhỏ là do tínhkhông đường thẳng ở đoạn đầu đặc tuyến vào cuat BJT

16

khi dòng bazơ còn nhỏ. Đó là hiện tượng méo xuyên tâmdo đó Ic1, Ic2 và điện áp ra cũng bi méo.

.

Hình2.c Đương tải ac và dc

Công suất nguồn cung cấp:

Pi(dc) = UCC.IDC

Trong đó: IDC = IDC1 +IDC2 =ic1(max )π +iic(max)

π =2πic(max)

Vậy Pi(dc) = UCC.2πic(max)

Công suất ngõ ra : Po(ac) = il2.RL =i²l(max)2 .RL =

i²c(max)2 .RL

Khi tầm dao động tín hiệu ra đạt cực đại khi

17

max(Po(ac)) = U²cc2Rl

max(Pi(dc)) = 2U²ccπRl

max(ᶯ%) =max(Po(ac))max(Pi(dc))

.100% =π4.100% =

78.54%

Vậy mạch khếch đại công suất kéo đẩy chế độ B có hiệusuất cực đại khá lớn đạt được 78.54%

Công suất tiêu tán trên transistor :

2.PT = Pi(dc) – Po(ac)

Vậy công suất tiêu tán trên một transistor :

PT = 12(Ucc2πic(max) -

i²c(max)2 RL)

Công suất tiêu tán cực đại trên một transistor:

max(PT) = U²ccπ²RL

18

Hình 2.d Công suất tiêu tán trên transistor của mạchkhuếch đại công suất chế độ B.

Công suất tiêu tán trên transistor đối với mạchkhuếch đại công suaats chế độ B nhỏ nhất khi không cótín hiệu ở ngõ ra và lớn nhất khi tín hiệu ra có dòng

tải bằng 2UccπRl

Mô hình mô phỏng chế độ B trong mach đẩy kéo.

19

II.2 Mạch bù đối xứngDùng các transistor (khác cự tính) ,haitransistor sẽ làm việc thay phiên nhau trong hainửa chu kỳ cung cấp dòng ra trên tải . Hai nửatín hiệu ra sẽ được tổng hợp thành tín hiệu hoànchỉnh trên tải . Transistor NPN làm việc , PNPtắt mô tả ở bán kỳ âm của tín hiệu vào, khi nàyNPN tắt , còn PNP mở.Một sự bất lợi của mạch này là cần phải có hainguồn cung cấp riêng biệt . Và hạn chế nữa củamạch là méo xuyên tâm .Đây là sự gãy khúc của tínhiệu ra trên tải ở thời điểm chuyển tiếp từ nửachu kỳ dương sang âm.Để giảm méo xuyên tâm chochế độ B lúc tín hiệu đầu vào còn yếu , người tasẽ dùng chế độ AB để làm tầng kích thích cho tangcông suất cuối chế độ B.Một dạng mạch đẩy kéo dùng các transistor bù .Mạch này ở mỗi vế là một cặp transistor cùng tínhđồng thời khác tính với cặp transistor cùng tínhkia , gọi là mạch Darlington bù đối xứng. Ở mạchnày thì dòng điện đầu ra sẽ cao hơn , còn trởkháng thì thấp hơn.Mạch bù giả được cải tiến từ mạch bù đối xứng dểđơn giản bớt công nghệ chế tạo vi mạch. Mạch nàydùng hai cặp transistor ở mộy vế thì cùng tính ,còn vế kia thì khác tính .Nuyên tắc làm việc của hai mạch Darlington bù vàgiả bù giống nhau, chỉ khác ở điện áp phân cực đểtạo dòng tuyến tính ban đầu.Tầng khuếch đại đẩy kéo thường dùng nguồn lưỡngcực Ucc để tang hiệu suất tối đa .Do biên độ tín

20

hiệu trong mỗi nửa chu kỳ chạy qua tải xấp xỉ Ucc2

, chính xác hơn là Um = Up =(Ucc2 )- 2V (trong đó

2V = UCE).Trong thực tế , để đơn giản nguồn cung cấp DC, cómột số mạch chỉ dùng nguồn đơn cực UCC, khi đó

phải cân bằng Ucc2 để giảm méo do mất cân bằng

21

Hình 2.d Mạch bù đối xứng

II.3 Khuếch đại công suất đẩy kéo khôngcó biến áp Trong các sơ đồ mạch khuếch đại công suất đã xétdùng biến áp để phối hợp trở kháng tải vớitransistor để công suất ra lớn , hiệu suất cao.Nếu transistor có hỗ dẫn lớn thì có thể mắc tảitrực tiếp vào colecto của transistor (trở khángtải có thể nhỏ tới mức vài om) nghĩa là không cầnbién áp . Với cách làm việc theo sơ đồ không biếnáp ra thì sẽ giảm được kích thước , trọng lượng,

22

nâng cao các chỉ tiêu chất lượng cũng như dễ dàngtrong việc sử dụng vi mạch. Có hai phương phápmắc tải tương đương là hai phương pháp cung cấpđiện áp một chiều .

Theo phương án thứ nhất(hình a) tầng được cung cấpbằng hai EC1và EC2

Có điểm chung gọi là kiểu cấp song song , còn tảiđược mắc giữa điểm nối E vàC của các transistor vàđiểm cung cấp nguồn . Transistor T1, T2 làm việc ở

23

chế độ AB do cách chọn điện trở R1- R4 thích hợp .Điều khiển các transistor bằng hai nguồn tín hiệu vàngược pha UV1, UV2 lấy từ tầng đảo pha xuống.

Theo phương án thứ hai (hình b) tầng được cung cấpbằng một nguồn chung (gọi là cung cấp nối tiếp ) ,còn tải mắc qua tụ có điện dung đủ lớn .Khi không cótín hiệu thì tụ C được nạp với trị số 0,5 EC . Nếu T1làm việc , T2 tắt cung cấp EC .Khi đó dòng IC2 chạyqua tụ C tích trữ năng lượng cho nó và phần nănglượng đưa vào tải trong nửa chu kỳ trước .

Trong các sơ đồ (hình c, d) người ta dùng haitransistor khác koại NPN và PNP nên không cần hai tínhiệu vào ngược pha .Ứng với ½ chu kỳ dương của tínhiệu thì T1 làm việc còn T2 khoá, còn ứng với ½ chukỳ âm của tín hiệu thì ngược lại.

Nếu so sánh với sơ đồ tang áp có biến áp ra thì thấy

rằng công suất ra là Ucm.Icm2 gần bằng trị số Ucm2n²₂.R1

.Nói khác đi , ở đây bằng cách thay hệ số biến áp ,một cách tương đối đơn giản , ta có thể nhận đượccông suất yêu cầu cho trước trên tải đã chọn .Còn cácsơ đồ khác điều đó khó thực hiện vì công suất trên

tải xác định bằng U²cm2R1 .Khả năng duy nhất để có thể

có công suất yêu cầu , với điện trở R1 cho trước ,trong trường hợp này là do Ucm quyết định , nghĩa làphải chú ý đến điện áp nguồn cung cấp .Khi R1 nhỏ thìkhông đủ tải về điện , khi R1 lớn thì không đủ tải vềdòng điện .

24

Tất cả các sơ đồ tang ra đẩy kéo yêu cầu chọntransistor có tham số giống nhau đặc biệt là hệ sốtruyền đạt β.

Với các mạch hình c,d cần chú ý đến các nhận xét sau:

Để xác lập chế độ AB cho cặp transistor T1 ,T2 cần cóhai nguồn điện áp phụ một chiều U1 và U2 phân cực chochúng . Các điện áp này được tạo ra bằng cách sử dụnghai điện áp thuận rơi trên hai diot Đ1và Đ2 loạisilic để có tổng điện áp giữa điểm B1, B2 là UB1B2 =+(1.1-1.2)V và có hệ số nhiệt độ (-1mV/0C❑ ).

Việc duy trì dòng điện tĩnh Ibo ổn định trong một dảinhiệt độ rộng đạt được nhờ tác dụng bù nhiệt của cặpĐ1Đ2 với hệ số nhiệt dương của dòng tĩnh T1,T2 và nhờsử dụng thêm các điện trở hồi tiép âm R1,R2<R1. Ngoàira do điện trở vi phân lúc mở Đ1,Đ2 đủ nhỏ nên mạchvào không làm tổn hao công suất của tín hiệu , gópphần nâng cao hiệu suất của tầng .

Khi cần có công suất ra lớn , người ta thường sử dụngtầng ra là các cặp transistor kiểu Dailington. Lúc đómỗi cặp Dailington được coi như là một transistor mới, chức năng của mạch do T1,T2 quyết định còn T'1vàT'2 có tác dụng khuếch đại dong điện.

Hệ số khuếch đại dòng điện β =β1β2

Điện trở vào rBE = 2rBE1

Điện trở ra rCE = 2/3rCE1

Các thong số β= β1β2 ; rBE = rBE2 ;rCE = 1/2 rCE2 ởđây điện trở R đưa vào có tác dụng tạo ra một sụt áp

25

UR ̴ 0,4V điều khiển T2 T'2 mở lúc dong điện ra đủ lớnvà chuyển chung từ mở sang khoá nhanh hơn .

Để bảo vệ các transistor công suất trong điều kiệntải nhỏ hay bị ngắn mạch tải , người ta thường dùngcác biện pháp tự động hạn chế dòng không quá một giớihạn cho trước Ira max (có hai cực tính ).

Bình thường các transistor T3, T4 ở chế độ khoá chocác dòng điện chư đạt tới hạn các giá trị hạn Imax.

26