Миру – IR - ПЛАТАН

официальный дистрибьютор фирма платан

представляет обновленнУю линейкУ продУкции компании InternAtIonAl reCtIfIer

• Управление освещением

• автоэлектроника

• аУдио Усилители класса D

Миру – IR

каталоГ продУкции 2009

www.irf.ru 1

Содержание

Компоненты для AC/DC и DC/DC преобразователей

Контроллеры SmartRectifier ..............................................................................................................3

Компоненты активных OR’ing контуров .....................................................................................4

Микросхемы управления первичной цепи ..............................................................................6

AC-DC резонансные контроллеры для ИИП..............................................................................7

Микросхемы ККМ ...................................................................................................................................8

Микросхемы драйверов для ККМ ..................................................................................................8

MOSFET транзисторы для синхронных выпрямителей .......................................................9

WARP Speed IGBT - транзисторы для импульсных ИП ....................................................... 10

WARP2 IGBT транзисторы .................................................................................................................11

DirectFET транзисторы .......................................................................................................................13

PQFN транзисторы ...............................................................................................................................16

Транзисторы для “горячей замены” ............................................................................................16

Транзисторы StrongIRFET .................................................................................................................17

Мини-блоки для однофазных DC-DC конвертеров ............................................................ 18

Мини-блоки для многофазных сильноточных конвертеров ........................................ 18

Транзисторы управляющих и синхронных ключей понижающих DC-DC конвертеров .............................................................................................................................19

Дискретные решения для POL преобразователей .............................................................19

SupIRBuck DC-DC регуляторы напряжения ............................................................................ 23

IpowIR для POL-конвертеров ......................................................................................................... 25

PowIRStage .............................................................................................................................................. 25

DC-DC преобразователи промежуточной шины питания ..............................................26

XPhase многофазная архитектура ...............................................................................................28

Микросхемы контроля питания .................................................................................................. 30

ШИМ-контроллеры для DC-DC конверторов с неизолированной структурой ....31

Источники питания на солнечных батареях ...........................................................................32

Транзисторы для маломощных применений .........................................................................33

Компоненты управления элеКтроприводом

Контроллеры управления ................................................................................................................35

Интеллектуальные модули IRAM ................................................................................................. 36

Высоковольтные микросхемы драйверов (HVICs) ...............................................................37

Мостовые драйверы для схем управления 3-фазным мостовым инвертором ... 38

Микросхемы ток-сенсоров..............................................................................................................41

Trench IGBT транзисторы ................................................................................................................. 42

NPT IGBT транзисторы ........................................................................................................................43

IGBT 1200 В Gen8 ...................................................................................................................................44

µIPM управление приводом ............................................................................................................45

Силовые MOSFET транзисторы для промышленного применения .............................................................................................................................................47

миКроэлеКтронные реле

Микроэлектронные реле ................................................................................................................ 48

Оптоизоляторы .....................................................................................................................................50

аудио усилители D Класса

Аудио драйверы ....................................................................................................................................52

DirectFET аудио транзисторы .........................................................................................................53

MOSFET аудио транзисторы ............................................................................................................53

Модули PowerIRaudio ........................................................................................................................ 54

управление освещением

Микросхемы балластов люминесцентных ламп ................................................................. 56

Балласты галогенных ламп ..............................................................................................................57

Микросхемы драйверов для балластов HID ламп ...............................................................58

Микросхемы балластов светодиодных ламп .........................................................................59

Балласты люминесцентных ламп с холодным катодом ................................................... 60

IGBT/MOSFET транзисторы для источников питания плазменных дисплеев ...................................................................................................................................................61

Компоненты для автоэлеКтрониКи

Интеллектуальные ключи ............................................................................................................... 63

CoolIRIGBT транзисторы ................................................................................................................... 65

IGBT транзисторы для электронного зажигания ................................................................ 65

Транзисторы DirectFET ...................................................................................................................... 65

Интеллектуальные ключи с программируемой отсечкой по току............................. 66

MOSFET транзисторы и драйверы затвора для рулевого управления ..............................................................................................................................................67

Драйверы впрыска топлива ........................................................................................................... 68

Силовые компоненты для ксеноновых фар ............................................................................69

КаталоГ продуКЦии

IGBT транзисторы .................................................................................................................................70

Микросхемы драйверов ...................................................................................................................71

MOSFET транзисторы ..........................................................................................................................73

Автомобильные MOSFET транзисторы ......................................................................................85

Автомобильные IGBT транзисторы ............................................................................................ 88

www.irf.ru2

AC-DC и DC-DC преобразователи

Экспоненциальный рост требований к повышению нагрузочной способности по току при небольших рабочих напряжениях является непростой задачей для разработчиков DC-DC систем управления. Научно-исследовательские лаборатории IR работают над созданием высокоэффективных и недорогих решений DC-DC преобразования. Широкий модельный ряд дискретных и интегрированных микросхем делает компанию IR единственным производителем полупроводниковых приборов, выпускающим компоненты для всех стадий управления питанием.

Микросхемы контроллеры ККМ (3)

Микросхемы драйверов (5)Микросхемы управления (6)

Контроллеры SmartRectifier (1)Транзисторы для синхронных выпрямителей (4)

Ключи OR’ing вых. узлов (2)

AC-DC преобразователи

DC-DC преобразователи с изолированной структурой

OR’ing контроллеры (2)Ключи OR’ing входных узлов (2)

Микросхемы (6)MOSFET (16)

MOSFET (16)DC-DC преобр-ли промежуточной шины (14)

SupIRBuck регуляторы (12)Транзисторы управляющих и синхронных ключей (13)Конвертеры iPOWIR (8)Транзисторы DirectFET (9)

DC-DC преобразователи с неизолированной структуройРегуляторы напряжения обеспечивают питающее

стабилизированное напряжение для различных типов нагрузок: микропроцессоров, микросхем памяти, низковольтных логических схем и драйверов. При этом они осуществляют важную функцию защиты от выбросов переходных процессов и фильтрацию шумов.

Управляющие микросхемы XPhase (11)Многофазные ИС управления XPhase (11)iPOWIR компоненты (8)ШИМ контроллеры (15)DC-DC преобразователи промежуточной шины питания (14) Полевые транзисторы

семейство ШиМ контроллеров

Одноканальные (15)Многоканальные (15)Многофазные (15)iPOWIR компоненты (8)XPhase сборки (11)Полевые транзисторы

www.irf.ru 3


Напр-е, В Сопр-е канала, мОм Medium-Can (6.3 x 4.9 мм) PQFN 5x6 D2-Pak D2-Pak 7pin SO8 TO-220 TO-262

30

1.4 IRFH50001.8 IRF6627M2.4 IRF2903ZS IRF2903Z3.2 IRF7862

40

1.25 IRFS3004-7P1.75 IRFS3004 IRFB3004 IRFSL30042.6 IRFH50043.6 IRF6613 IRF2204S IRF2204 IRF2204L5 IRF6616 IRF7842

552.6 IRF3805S-7P3.3 IRF3805S IRF3805 IRF3805L

60

2.1 IRFS3006-7P2.5 IRFS3006 IRFB3006 IRFSL30064.2 IRFH5006 IRFS3306 IRFB3306 IRFSL33067 IRF6648

9.4 IRF7855

75

2.6 IRFS3107-7P IRFSL31073 IRFS3107 IRFB3077

3.3 IRFB3307z5.8 IRFH5007 IRFS3307z IRFSL3307z

8010 IRF6646

13.4 IRF7854

100

4 IRFS4010-7P4.7 IRFS4010 IRFB4110 IRFSL40109 IRFH5010 IRFS4410z IRFB4410Z IRFSL4410Z

14 IRF6644 IRFS4610 IRFB4610 IRFSL461018 IRF3710ZS IRF7853 IRF3710Z IRF3710ZL

15012 IRFS4115 IRFS4115-7P IRFB4115 IRFSL411531 IRFH5015

34.5 IRF6643200 22 IRFS4127 IRFB4127 IRFSL4127

контроллеры SmartRectifier (1)Замена диода Шоттки на синхронно управляемый транзистор в выходном выпрямителе позволяет значительно снизить потери

на выпрямителе и увеличить эффективность источника питания с выходным напряжением 12-18 В.IR1166/67/68 – это SmartRectifier контроллеры управления транзистором (или несколько параллельно подключенными

транзисторами) в синхронном выпрямителе. Контроллеры измеряют дифференциальное напряжение между стоком и истоком транзистора и обрабатывают полученные данные с помощью компараторов с учетом гистерезиса и двух схем задержки. Работая независимо от первичной цепи, они используют технологию измерения напряжения для минимизации вторичных реактивных токов, что позволяет максимально увеличить эффективность работы вторичной цепи.

IR1169 имеет функцию SYNC, которая выключает транзистор для предотвращения прохождения обратного тока в режиме непрерывной проводимости.

Наим-е Топология* Напр-е питания, В Макс. вых. напр-е, В Вых. ток драйвера (нар./спад), А Частота перекл-я, кГц Напр-е защелкивания затвора, В Ждущий режим Тип корпуса

IR1166SPBF 1 11.4-18 200 +1/-4 500 10.7 есть SOIC-8 узкийIR1167ASPBF 1/2 12-18 200 +2/-7 500 10.7 есть SOIC-8 узкийIR1167BSPBF 1/2 12-18 200 +2/-7 500 14.5 есть SOIC-8 узкийIR1168PBF 2 8.6-18 200 +1/-4 500 10.7 нет SOIC-8 узкийIR1169S 1/2 11-20 200 +1/-4 500 10.7 SOIC-8 узкий

*1 – обратноходовый, 2 – резонансный полумостовой

транзисторы для синхронных выпрямителейТакже, компания IR рекомендует линейку

мощных HEXFET MOSFET транзисторов, управляемых контроллерами IR1166/67/68, для построения цепей синхронных выпрямителей.

сравнение применения трансформатора тока и SmartRectifier микросхемАдаптер ноутбука 120 Вт (Вых.напр-е 19.5 В, вых.ток 6.15 А, полная нагрузка, сеть 110 В, темп.воздуха 45°С)

преимущества IR– простое и эффективное решение для вторичных цепей синхронного выпрямления– позволяют достичь более высокой эффективности, плотности мощности и сократить срок выхода конечного устройства на рынок– соответствие требованиям CEC 80plus, потребление в ждущем режиме не превышает 1 Вт– прямое подключение и управление любыми полевыми транзисторами 30-200 В– быстрота работы, высокая нагрузка (7 А), высокая точность и эффективность при работе на частотах до 500 кГц– развязка от первичной цепи– работа в любых режимах, на фиксированных или переменных частотах– нет необходимости в применении радиатора во вторичной цепи

топология обратноходового преобразователя

www.irf.ru4


применение традиционного способа с токовым трансформатором – 87% кпД1 радиатор+ 2 транзистора ТО-220+ 1 трансформатор тока+ 1 доп. обмотка+ 6 болтов/гаек/шайб18 компонентов обвязки: резисторы, транзисторы, конденсаторы

применение нового дизайна Smart Rectifier – 88% кпДБез радиатора1 ИС IR1167+ 2 транзистора SO-8 (18 мОм, 100 В)+ 3 резистора и конденсатораНе требует ручного монтажаСокращение площади платыВозможность увеличения плотности энергии

результат использования контроллера Smart Rectifier:- увеличение эффективности на 1%- понижение температуры на 10°C- сокращение комплектующих вторичной цепи на 75%- сокращение стоимости вторичной цепи на 20%

компоненты активных OR’ing контуров (2)Активное подключение по схеме ИЛИ используется при объединении выходов нескольких источников питания с целью

образования резервной системы электроснабжения по схеме n+1. При выходе из строя одного из источников питания мощность нагрузки делится между оставшимися ИБП для предотвращения падения напряжения шины и возникновения пиковых обратных токов.

Микросхема-контроллер IR5001S со встроенным драйвером затвора транзистора предназначена для работы с внешним MOSFET транзистором для создания активного OR’ing контура с защитой от обратной полярности. Контроллеры предназначены для замены диодов Шоттки в OR’ing схемах, которые имеют большие потери мощности, громоздкие габаритные размеры и лимитированные возможности защиты. Нагрев диодов в процессе работы вынуждает разработчиков использовать компоненты для монтажа в отверстие с соответствующими радиаторами. Использование же микросхем IR5001S с внешними транзисторами позволяет на 85% сократить потери мощности, в 2 раза уменьшить площадь платы, а также получить данные диагностики.

традиционная схема OR'ing узла OR'ing контроллер IR5001S

www.irf.ru 5


OR’ing контроллер

Наим-е Входное напр-е, ВВыходное напр-е, В

Задержка выключения

транзистора, нс

Время выключения транзистора, нс

Блокировка при пониженном

питании, В

Диагностика транзистора

Ток затвора выключения, А

Тип корпуса

IR5001S 5 – 100 15 макс. 130 20 8.3 - 10.9 есть 3 SO-8

OR’ing DirectFET транзисторы для DC-DC

НаименованиеНапряжение пробоя сток-

исток, B

Сопр-е сток-исток в откр.сост-и

(при 10 В), мОм

Макс. напр-е затвор-исток, В

Ток стока (25°С), АРекомендуемый уровень

мощности для –48 В систем, Вт


IRF6644 100 13 ±20 60 180 - 370 DirectFET M-CanIRF6662 100 22 ±20 47 100 - 200 DirectFET M-CanIRF6645 100 35 ±20 25 70 - 140 DirectFET S-CanIRF6655 100 62 ±20 19 40 - 80 DirectFET S-CanIRF6643 150 34.5 ±20 6.2 DirectFET M-Can

OR’ing транзисторы для AC-DC

Напряжение

питанияНапр-е транзистора

Сопр-е сток-исток в откр.сост-и

(при 10 В), мОм

TO-220

D2Pak

DirectFET

+12 В20 В 2 - - IRF660930 В 1.8 - - IRF6635

+24 В40 В

1.6 - IRF2804S-7P3.4 IRF66138.3 - - IRF6614

55 В 2.6 - IRF3805S-7P -

±48 В75 В

3.8 - IRF2907ZS-7P -4.5 IRFB3207 IRFS3207 -10 - - IRF6646 (80В)

100 В7 IRFB4310 IRFS4310 -

13 IRFB4610 IRFS4610 IRF6644

активные OR’ing транзисторы

Напр-е, ВСопр-е канала,

мОмMedium-Can

(6.3 x 4.9mm)PQFN 5x6 D2-Pak D2-Pak 7pin SO8 TO-220 TO-262

20 1.2 IRFH6200TR25 1.15 IRFH5250TR

30

1.4IRFH5000

IRFH5300TR1.8 IRF6627M IRFH5301TR2.1 IRFH5302TR2.4 IRF2903ZS IRF2903Z3.2 IRFS4010-7P IRF7862

100

44.7 IRFS4010 IRFB4110 IRFSL40109 IRFH5010 IRFS4410Z IRFB4410Z IRFSL4410Z


плата разработчика IRDC5001-LS370W для контроллера IR5001S

вход А+

вход В+

вход А-

вход В-

транзистор IRF6644 контроллер IR5001S кнопка проверки транзистора

конденсаторы

светодиоды контроля транзисторов

www.irf.ru6


применение

1 Выходной OR'ing узел для выпрямителей резервирующих AC-DC систем 2 Низковольтные выходные активные OR'ing схемы для многоканальных DC-DC и AC-DC источников питания3 Входной OR'ing узел для оборудования связи класса carrier-class с входным напряжением -48 В/-24 В4 Выходной OR'ing узел многоканальных регуляторов напряжения для резервного питания процессора

преимущества IR– контроллер и драйвер транзистора в одном корпуса SO-8– для входных и выходных OR’ing узлов DC-DC и AC-DC преобразователей n+1– время задержки на выключение 130 нс, время выключения транзистора 20 нс– пиковый ток затвора при выключении 3 А– ассиметричное напряжение сдвига предотвращает возможность колебаний выхода при небольшой нагрузке– стойкость к постоянному КЗ на затворе– защелка напряжения на входах двух компараторов для непрерывной работы под напряжением до 100 В– питание от 36-75 В универсальной шины или от внешней цепи смещения с резистором– встроенные выводы диагностики для определения статуса активной OR’ing схемы и резервирования в энергосистеме.

1. Выходной OR'ing узел для выпрямителей резервирующих AC-DC систем

2. Низковольтные выходные активные OR’ing схемы для многоканальных DC-DC и AC-DC источников питания

3. Входной OR'ing узел для оборудования связи класса carrier-class с входным напряжением -48 В/-24 В

4. Выходной OR'ing узел многоканальных регуляторов напряжения для резервного питания процессора

Микросхемы управления первичной цепи (6)

простое решение для недорогих электронных ламп балластов, ас-адаптеров и зарядных устройствIRS21531 – высоковольтный контроллер HVIC G5 (5-е поколение) с улучшенными рабочими характеристики по сравнению с

предыдущими версиями IR2155 (1-е поколение). Полумостовой драйвер 600 В верхнего и нижнего плеча с входным генератором на базе таймера 555 предназначен для управления двумя полевыми или IGBT транзисторами.

Микросхемы питаются от силовой цепи через балластный резистор, а частота работы устанавливается внешними задающими резистором и конденсатором. Улучшенная структура предоставляет дополнительную защиту от выбросов. Также, микросхемы имеют высокие выходные втекающий и вытекающий токи. Микросхемы IRS2153 предназначены для рабочих частот 20-40 кГц, IRS21531 – для высокочастотных переключений 100-200 кГц.

преимущества IR– микромощность при старте (150 мкА), для подключения к шине питания

необходим только резистор 0,125 Вт– мягкий режим переключения практически не создает потерь при

индуктивной или резонансной нагрузке, точное и термонезависимое управление временем паузы обеспечивает мягкое переключение при любых рабочих условиях

– новый режим отключения выключает оба выходных ключа для защиты от состояния отказа

- буферный каскад уменьшенной скоростью изменения тока драйверов (di/dt) снижает шумы и ЭМП при сохранении низкой емкости затвора в низком состоянии во избежание ошибочного срабатывания

– повышенная защита от защелкивания, выбросов, электростатическая защита на всех выводах

– задержка 0,6 мкс, улучшенный гистерезис UVLO

Наим-еНапр-е

сдвига, ВВытекающий ток, мА Втекающий ток, мА

Диапазон напряжения питания, В

Выходное напр-е драйверов, В

Время задержки, мкс


IR2155 600 250 500

IRS2153(D)** 600 180 260 1,2 DIP-8

IRS2153S(D) 600 180 260 1.2 SOIC-8

IRS21531(D) 600 250 400 10-20 с UVLO* 10-20 0,6 DIP-8

IRS21531S(D) 600 250 400 10-20 с UVLO 10-20 0,6 SOIC-8

*UVLO – блокировка при снижении напряжения питания**Буква D в маркировке указывает на интегрированный бутстрепный диод

схема применения

www.irf.ru 7


транзисторы 500 в

Транзисторы предназначены для импульсных источников питания с «мягким» переключением (нуль-вольтовым), для бесперебойных источников питания и систем управления электроприводом.

преимущества - быстродействующий диод уменьшает число внешних компонентов обвязки - низкий заряд затвора упрощает управление - высокий порог напряжения затвора улучшает стойкость прибора к шумам

Наим-е Напр-е, ВМакс. сопр-е канала

Rds(on), 10В, мОмТок стока (25°С), А Ток стока (100°C), А Заряд затвора, нКл

Рассеив. мощность, Вт

Корпус

IRFB812PBF 500 2200 3.6 2.3 13.3 78 TO-220AB

IRFR812PBF 500 2200 3.6 2.3 13.3 78 D-Pak

IRFR825PBF 500 1300 6.0 3.9 22.7 119 D-Pak

AC-DC резонансные контроллеры для иипIRS27951(2)S – контроллеры со встроенным 600-вольтовым полумостовым

драйвером в корпусе SOIC-8 для энергоэффективных импульсных источников питания широкого применения. Контроллеры IRS27951(2)S в корпусе SO-8 характеризуются высоким уровнем программирования и защиты: программируемая частота до 500 кГц с 50% фиксированным рабочим циклом, программируемая частота и время мягкого запуска, программируемое мертвое время для оптимизации переключения через ноль при различных нагрузках. Это позволяет достичь высокой эффективности и малых шумов при переключении.

Контроллеры имеют систему защиту по току, которая использует в качестве сенсора малое сопротивление открытого канала (Rds(ON)) транзистора нижнего ключа полумоста, что позволяет избавиться от необходимости использования дополнительного сенсорного резистора.

Максимальной эффективности можно достичь при использовании IRS27951(2)S с контроллером синхронных выпрямителей IR11682 SmartRectifier.

преимущества– задаваемая частота переключения до 500 кГц с фиксированным коэффициентом заполнения 50%– задаваемые частота и время мягкого запуска– задаваемое время задержки (deadtime) для оптимизации коммутации при нулевом напряжении (ZVS) при любой нагрузке для достижения

высокого КПД и уменьшения шумов– «плавающий» канал-драйвер верхнего уровня до 600В постоянного тока– Микропотребление при запуске и в «спящем» режиме, ультранизкий ток покоя

резонансные контроллеры

Наим-е Корпус Нап-е смещения, В Вых.ток +/-, мА Програм. частота, кГц Програм. мертвое время, нс Защита по напр-ю, В

IRS27951S SO-8 600 300/900 25-500 200-2000 2

IRS27952S SO-8 600 300/900 25-500 200-2000 3

IRS279524S SO-14 600 300/900 25-500 200-2000 3

www.irf.ru8


Микросхемы ккМ (3) Универсальное решение для AC-DC конверторов любой мощности (75 Вт – 4 кВт+)В семействе микросхем ККМ для AC-DC преобразователей μPFC IR1150 применен

запатентованный метод управления скважностью ШИМ внутри одного тактового цикла (OCC – One Cycle Control), который объединяет преимущества сразу двух методик ККМ:

– высокая эффективность корректоров в режиме непрерывного тока (РНТ) и– простота топологии и малое число внешних компонентов в режиме пульсирующего

тока (РПТ).

Теперь системы любой мощности, от 75 Вт до 4 кВт, можно разрабатывать на основе одной микросхемы. ОСС технология не имеет традиционного аналогового умножителя, измерителя входного напряжения или генератора фиксированной частоты пилообразного сигнала. Здесь используется интегратор с цепью сброса. Выходной сигнал усилителя ошибки поступает на интегратор по каждому тактовому циклу для генерации пилообразного сигнала с переменной крутизной. Этот переменный сигнал сравнивается с напряжением рассогласования, за вычетом токового сигнала, для управления ШИМ преобразователем.

ККМ на основе микросхемы IR1150 имеют 2 главных преимущества:– разработчики могут создавать общий дизайн AC-DC преобразователей 110/220 В для продажи изделий в любой точке

земного шара,– ККМ позволяет устранить гармоники сетевого напряжения, снизить действующий ток и обеспечить эффективную работу

двигателей без использования автоматов защиты.

НаименованиеДиапазон

напряжения питания, В

Вых. пиковый ток, АЧастота перекл-я,

кГцРабочая

температура, °СТип корпуса

IR1150I 13 - 22 +/- 1.5 50 - 200 -25…85 DIP-8IR1150 13 - 22 +/- 1.5 50 - 200 0…70 DIP-8IR1150S 13 - 22 +/- 1.5 50 - 200 0…70 SOIC-8IR1150IS 13 - 22 +/- 1.5 50 - 200 -25…85 SOIC-8IR1152S 14 - 17 +/- 0.75 66 -40…150 SOIC-8IR1153S 14 - 17 +/- 0.75 22.2 -40…150 SOIC-8IR1155S 12 - 20 +/- 1.5 48 - 200 -40…150 SOIC-8

преимущества IR– малогабаритное, простое и универсальное решение– высокая плотность мощности– минимизация времени на разработку конечного изделия– не требуется измерений входного напряжения– программируемая и фиксированная частота переключения, 50 – 200 кГц– драйвер 1.5 А для управления затвором мощных MOSFET

или IGBT транзисторов– управление режимом пикового тока, поцикловая защита по пиковому току– защита от высокого напряжения с мягким запуском, защита от низкого выходного

напряжения и от провалов напряжения питания

Мощные системы (более 200 вт)Системы с мощностью более 200 Вт используют режим непрерывного тока для увеличения эффективности и уменьшения

габаритных размеров. Однако традиционные корректоры на умножителях имеют сложную топологию, большое число компонентов и, следовательно, высокую стоимость.

В стандартных импульсных источниках питания 1 кВт новая ОСС микросхема IR1150 позволяет на 40% сократить число внешних пассивных компонентов, отказаться от трансформатора тока и уменьшить площадь платы, отведенную под корректор мощности, в 2 раза. Также, IR1150 имеет защиту от перенапряжения для обеспечения повышенной надежности мощных систем.

Маломощные системы (менее 250 вт)Традиционно, маломощные системы используют режим пульсирующего тока для упрощения схемотехники и снижения

себестоимости изделия. Однако при повышении мощности до 100 Вт и выше (сетевые адаптеры, ноутбуки) габаритные размеры изделий значительно увеличиваются по причине возникновения высоких пиковых токов и добавления фильтра ЭМП. Микросхема IR1150, работающая в режиме непрерывных токов, имеет более низкие пиковые токи и на 43% сокращает требования к фильтрам. В результате достигается экономия платы до 16% при увеличении плотности мощности на 10% в типичном адаптере ноутбука 120 Вт.

стандартыIR1150 имеет функции Enable, маломощный запуск и sleep mode (режим пониженного энергопотребления), поэтому она

полностью удовлетворяет требованиям стандартов по экономичному энергопотреблению 1W Standby, Blue Angel и Energy Star. Также, микросхема соответствует европейским требованиям стандарта IEC 1000-3-2, японскому стандарту JIS C 61000-3-2 и китайскому CCC стандарту для источников питания мощностью более 75 Вт.

применение– AC-DC импульсные источники питания мощностью более 75 Вт– серверные источники питания и выпрямители телекоммуникационного оборудования– управление электроприводом мощностью более 75 Вт– стиральные и посудомоечные машины– кондиционеры– насосы для бассейнов и спа, колодезные насосы

Для мощных систем (более 200 вт):– уменьшение числа резисторов и конденсаторов

на 40%– отказ от трансформатора тока– уменьшение в 2 раза площади платы

Для маломощных систем (менее 250 вт):– уменьшение пиковых токов– уменьшение стоимости фильтра ЭМП на 40%– уменьшение площади платы более чем на 16%– повышение плотности мощности более чем на 10%

www.irf.ru 9


Наим-е ТопологияВыходной импульсный ток

КЗ, AВыходное

напряж-е, ВВыходы


IR4426Сдвоенный драйвер

нижнего плеча

+2.3 / -3.3

6 - 20

Выходы в противофазе со входами PDIP-8, SO-8

IR4427 +2.3 / -3.3 Выходы в фазе с входами PDIP-8, SO-8

IR4428 +2.3 / -3.3 1ый канал в противофазе, 2ой канал в фазе PDIP-8, SO-8

Микросхемы драйверов для ккМ (5)IR4426/27/28 – это низковольтные драйверы двух ключей быстродействующих

MOSFET и IGBT транзисторов, стойкие к защелкиванию. Логические входы совместимы со стандартной CMOS или LSTTL логикой и имеют КМОП-триггеры Шмита. Выходной каскад микросхем имеет буфер импульсных токов для минимизации поперечной проводимости драйвера. Задержки на прохождение сигнала между двумя каналами согласованы.

типичная схема применения

MOSFET транзисторы для синхронных выпрямителей (4)Требования к AC-DC импульсных источникам питания сильно изменились за последние годы, что привело и к обновлению

линейки комплектующих их изделий. Раньше для выходных выпрямителей источников питания средней и высокой мощности использовались диоды Шоттки. Однако, заменив их на полевые «синхронные» транзисторы, можно добиться значительного повышения эффективности работы и высокой плотности мощности.

Линейка HEXFET MOSFET транзисторов IR на 75 и 100 В предназначена для работы во вторичных цепях синхронных выпрямителей AC-DC обратноходовых, полумостовых, мостовых и прямоходовых ИИП, используемых в блоках питания серверов, настольных компьютеров и ноутбуков. Для таких приложений от транзистора требуется не только сверхмалое сопротивление открытого канала и низкий заряд затвора, но и отличные параметры встроенного диода (время и заряд восстановления).

преимущества IR– полная линейка MOSFET транзисторов для синхронных

выпрямителей для любых ИИП с выходным напряжением 12-24 В

– IRFB4310 и IRFB3207 имеют минимальное среди конкурентов сопротивление открытого канала, что снижает потери и увеличивает эффективность AC-DC преобразователя

– стандартные корпуса TO-220, D2Pak и TO-262

применение– выпрямители вторичной цепи AC-DC преобразователей для

серверов, компьютеров и внешних адаптеров– OR’ing узлы 48 В в телекоммуникационном и серверном

оборудовании– автомобильная электроника– DC-DC конвертеры с входным напряжением 24 В– низковольтный электропривод

Эффективность обратноходового выпрямителя, 240 в, т=40°с

Наим-еМакс. сопр-е сток-исток в

откр.сост-и (25°С), мОмМак. ток стока, А Заряд затвора, нКл

Макс. термосопр-е переход-корпус, кВт

Время восст-я диода (25°C), нс

Макс. заряд восст-я диода (25°C), мкКл

Макс. напр-е исток-сток диода (25°C), В

2 x транзистора конкурента

122 8 106 0.5 124 90 1.25

1 x IRFB4410 96 10 109 0.61 38 61 1.30

Напр-еСопр-е сток-исток в

откр.сост-и, мОм

Макс. сопр-е сток-исток в откр.сост-и,

мОм

Макс. ток стока (25°С), А

Заряд затвора, нКлМак. заряд затвора,

нКл

TO-220

D2Pak

TO-262

75 В3.6 4.5 180 176 26 IRFB3207 IRFS3207 IRFSL32075 6.3 130 112 168 IRFB3307 IRFS3307 IRFSL3307

7.1 8.8 97 79 118 IRFB3507 IRFS3507 IRFSL3507

100 В5.6 7 140 172 257 IRFB4310 IRFS4310 IRFSL43108 10 96 109 164 IRFB4410 IRFS4410 IRFSL4410

11 14 73 77 116 IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610

www.irf.ru10


WARP Speed IGBT - транзисторы для импульсных ип (7)IGBT транзисторы получили широкое распространение в схемах управления

электроприводом и промышленных инверторах, где скорость переключения не так высока. Однако именно этот параметр не позволял использовать их в импульсных AC-DC источниках питания, работающих на частотах 80-150 кГц. Поэтому IGBT транзисторы семейства WARP были специально оптимизированы для ИИП.

WARP IGBT транзисторы отличаются более высокой плотностью тока, чем эквивалентные им высоковольтные силовые полевые транзисторы. Также, по скорости работы, гибкости управления и выходным характеристикам они превышают показатели силовых биполярных транзисторов.

Новые технологии полупроводниковой промышленности позволили значительно снизить ток «хвоста» IGBT транзистора, уменьшить потери на переключение и повысить их эффективность в высоком частотном диапазоне. плотность тока WARP IGBT в 2 раза превышает аналогичный показатель MOSFET транзистора, что позволяет использовать кристалл меньшего размера при сохранении уровня тока. IGBT – это транзисторы с неосновными носителями заряда и имеют лучшие характеристики проводимости, по сравнению с полевыми транзисторами. Т.о., IGBT имеют более низкие потери на проводимость при высоких токах.

Раньше в полумостовых схемах для IGBT было необходимо отрицательное управляющее напряжение для корректного выключения при быстром нарастании напряжения dV/dt. Это значительно осложняло использование стандартных драйверов затвора транзисторов. WARP Speed IGBT работают только от положительного управляющего напряжения, поэтому не требуют дополнительных источников питания.

сравнение транзисторов в источнике питания 48 в, 2 квт, 80 кГц

Тип компонента Эффективность Потери мощности Температура корпуса

PT IGBT 95.7% 89.4 Вт 69.8°C

NPT IGBT 96.4% 75.7 Вт 61.0°C

Hex 7.3 600 В MOS 95.8% 88.9 Вт 72.4°C

преимущества IGBT над MOSFET– увеличение плотности тока в 2..2.5 раза – снижение потерь на проводимость – уменьшение токового «хвоста» на высоких рабочих

частотах– положительное управляющее напряжение затвора– уменьшение стоимости до 50%– уменьшение площади кристалла и корпуса– надежная работа на частотах до 100 кГц– удобство управления затвором

IGBT в корпусе то-247 имеет одинаковую эффективность при полной нагрузке с MOSFET транзистором в более дорогом корпусе Super то-247

WARP IGBT дискретные (без встроенного диода)

Наим-е Напр-е к-э, ВНапр-е насыщения к-э

макс. (25°С), ВТок коллектора

(25°/100°С), АМощность рассеяния

(25°С), ВтРабочая частота, кГц Тип корпуса

IRG4BC20W-S

600

2.6 13/6.5 60

60-150

D2-Pak

IRG4IBC20W 2.6 11.8/6.2 34 TO-220 FullPak

IRG4BC20W 2.6 13/6.5 60 TO-220AB

IRG4PC30W 2.7 23/12 100 TO-247AC

IRG4BC30W 2.7 23/12 100 TO-220AB

IRG4BC30W-S 2.1 23/12 100 D2-Pak

IRG4IBC30W 2.7 17/8.4 45 TO-220 FullPak

IRG4PC40W 2.5 40/20 160 TO-247AC

IRG4BC40W 2.5 40/20 160 TO-220AB

IRG4BC40W-S 2.5 40/20 160 D2-Pak

IRG4BC40W-L 2.5 40/20 160 TO-262

IRG4PC50W 2.3 55/27 200 TO-247AC

IRG4PF50W900

2.7 51/28 20020-100

TO-247AC

IRG4PF50WD* 2.7 51/28 200 TO-247AC

*с интегрированным кристаллом антипараллельного быстродействующего диода

www.irf.ru 11


сравнение эффективности для источника питания 2000 вт (80 кГц, 180 в, 25°с)

зависимость падения напряжения от тока сток/коллектор (100°с)

WARP2 IGBT с интегрированным диодом

Наим-еНапр-е к-э,

ВТок коллектора (25°С), А Напр-е насыщения к-э, В Интегрированный диод, А Заряд затвора, нК Тип корпуса

IRGP50B60PD1 600 50 2.0 (33 A) 15 205 TO-247

IRGP35B60PD 600 35 1.85 (22 А) 15 160 TO-247

IRGP20B60PD 600 20 2.05 (13 А) 8 68 TO-247

IRGB20B60PD1 600 20 2.05 (13 А) 4 68 TO-220

WARP2 IGBT транзисторыСерия NPT IGBT транзисторов 600 В WARP2 с толщиной пластины 85 мкм была

специально разработана для высокочастотных импульсных источников питания. Транзисторы IR имеют минимальный среди конкурентов токовый «хвост», а также низкую мощность выключения, что дает возможность использовать их на частотах до 150 кГц, там, где раньше применялись только силовые MOSFET транзисторы.

Все транзисторы WARP2 выпускаются с интегрированным кристаллом HEXFRED диода с отличными характеристиками обратного восстановления, которые не используются в MOSFET.

Также, транзисторы имеют улучшенные характеристики на переключение, положительный температурный коэффициент и пониженный заряд затвора при включении. Помимо работы на высоких частотах, транзисторы имеют отличное распределение тока при параллельном включении. При этом потери на проводимость не увеличиваются, в отличие от силовых MOSFET транзисторов.

Отличное сочетание стоимости и эффективности делает WARP2 IGBT транзисторы лучшим решением для силовых ключей, импульсных блоков питания средней и большой мощности, используемых в телекоммуникационном и вычислительном оборудовании.

особенности– NPT технология, положительный

температурный коэффициент– низкое напряжение насыщения– низкая паразитная емкость– минимальный хвостовой ток– быстродействующий HEXFRED диод с

мягким восстановлением– малый разброс параметров– повышенная надежность

преимущества IR– параллельная работа для увеличения

нагрузки по току– пониженные потери на проводимость

и переключение– повышенная частота переключения

до 150 кГц

область применения– импульсные источники питания для

телекоммуникационного и серверного оборудования

– схемы ККМ и ZVS– источники питания бытовой техники

www.irf.ru12

Управление электроприводом

компненты для DC-DC преобразователей

питание Дискретные решения Эффективные аналоговые микросхемы

DirectFET Многофазные контроллеры регуляторы напряжения SupIRBuck

интегрированные ис PowIRStage

питание процессора √ √ √

питание памяти √ √ √ √

POL (Point-of-Load) √ √ √

питание чипсетов √ √ √ √

Экспоненциальный рост требований к повышению нагрузочной способности по току при небольших рабочих напряжениях является непростой задачей для разработчиков DC-DC систем управления. Научно-исследовательские лаборатории IR непрерывно работают над созданием высокоэффективных и недорогих решений DC-DC преобразования. Широкий модельный ряд дискретных и интегрированных микросхем делает компанию IR единственный полупроводниковым производителем, выпускающим компоненты для всех стадий управления питанием. Поэтому компоненты IR широко используются на рынке телекоммуникаций, системах передачи данных, информационных сетях и периферийном оборудовании.

www.irf.ru 13


DirectFET транзисторы (9)

Элементная база для конвертеров нового поколенияУровень рассеиваемой серверами мощности возрастает непрерывно с каждым

годом. Это увеличивает расходы компаний на аренду и кондиционирование. Поэтому актуальной задачей разработчиков серверного оборудования является создание низкопрофильных серверов с низкой теплоотдачей.

скорость роста рассеиваемой VRM модулями мощности с 1996 по 2005 год

описание– безвыводные корпуса, равные по

площади корпусу SO-8– термосопротивление кристалл-

корпус 1.4°С/Вт, кристалл-плата менее 1°С/Вт

– высота корпуса 0.7 мм (у SO-8 1.75 мм)– корпуса пригодны для

автоматизированного монтажа– возможность демонтажа– 2 DirectFET транзистора заменяют 4

компонента в корпусах SO-8: IRF6644 + IRF6613 заменяют 2xIRF7495 + 2xIRF7842

– в многофазных конверторах один DirectFET транзистор способен заменить до 3 параллельно работающих транзисторов в корпусе SO-8

преимущества IR– эффективный двухсторонний отвод

тепла позволит увеличить нагрузку по току в 2 раза

– металлический корпус экранирует излучение

– практически прямой монтаж кристалла на плату уменьшает паразитные индуктивности

– топология выводов облегчает параллельное соединение

– минимальные доработки платы для перехода с корпусов SO–8

– отношение площади кристалла к корпусу составляет 90%

– увеличение рассеиваемой мощности до 5 Вт (на 75% выше SO–8)

– уменьшение площади платы в 2 раза– снижение рабочей температуры на

50°С увеличивает надежность работы системы

– рекордно низкое электрическое сопротивление корпуса – 0.2 мОм

область применений– IRM модули для серверов (синхронные

понижающие конвертеры)– рабочие станции (синхронное

выпрямление, OR’ing схемы)– высокоэффективные ноутбуки

(синхронные понижающие конвертеры)

– телекоммуникационное оборудование, системы сбора и обработки данных (конвертеры шины)

– радиоуправляемые игрушки (управление приводом)

– аккумуляторные электроинструменты (управление приводом)

– аудио оборудование класса D (усилители)

технология корпусирования DirectFETВозможности кристаллов транзисторов значительно снижаются после их корпусирования,

поскольку корпус вносит такие «коррективы», как термосопротивление, сопротивление выводов и корпуса и другие паразитные факторы. Отсюда – популяризация компонентов в корпусах SO-8 и корпусов с шариковыми выводами. Однако компания IR пошла другим путем и предложила абсолютно новый корпус для силовых компонентов - DirectFET.

DirectFET – это новая технология корпусирования компонентов для поверхностного монтажа. Корпус DirectFET специально разрабатывался для оптимизации теплоотвода силовых транзисторов при минимизации паразитных сопротивлений и индуктивностей. Поэтому транзисторы в корпусах DirectFET работают на более высоких частотах и имеют высокую нагрузочную способность по току.

Выводы транзистора в таком корпусе имеют двухсторонне расположение: на нижней стороне расположены два контакта истока и затвора, а на верхней – сток, соединенный с корпусом. На плату корпус крепится пайкой в 5 точках. С помощью минимальных доработок платы (установка 4х перемычек) можно легко перейти с корпуса SO-8 на DirectFET.

Взаимное расположение контактов позволяет монтировать корпуса на плату в виде четырех параллельных шин, что значительно облегчает параллельное соединение транзисторов.

DIRECTFET - лучШие транзисторы с МиниМальныМи потеряМи на переключение

www.irf.ru14


Тип корпуса Сопротивление корпуса, мОм Индуктивность истока, нГн Термосопр-е кристалл-плата, °С/Вт Термосопр-е кристалл-корпус, °С/Вт

SO-8 1.6 1.5 11 18

CopperStrap 1 0.8 10 15

PowerPak 0.8 0.8 3 10

DirectFET 0.15 <0.1 1 1.4

Таким образом, корпус DirectFET устраняет все 4 фактора, ограничивающих эффективность транзисторов в SO-8 корпусах: сопротивление корпуса, индуктивность корпуса, термосопротивление кристалл-корпус и кристалл-плата.

применение DirectFET транзисторов малой мощности– неизолированные понижающие синхронные конвертеры с

питанием от 28 В– DC-DC конвертеры вторичных цепей– изолированные DC-DC конвертеры с широким диапазоном

входных напряжений

применение DirectFET транзисторов средней мощности– схемы синхронного выпрямления в AC-DC источниках

питания– конвертеры с полумостовыми входными каскадами– изолированные DC-DC конвертеры 48 В с полумостовым

входным каскадом

DirectFET выпускаются двух габаритных размеров: М – 6,25х4,8х0,6 мм и S – 4,8х3,8х0,6 мм.

Вторая буква в модификации корпуса указывает на тип расположения контактных площадок.

Новые DirectFET корпуса эффективно охлаждаются с двух сторон. Верхняя часть корпуса может охлаждаться воздушным потоком, радиатором или теплопроводящим материалом. Помимо теплоотвода, новые транзисторы имеют в 2 раза увеличенную плотность тока (А/дюйм) при снижении стоимости.

www.irf.ru 15


транзисторы DirectFET2 L–Can 7x9Сравнение большого корпуса DirectFET (Large Can) с пластиковым D2PAK:– на 30% увеличена площадь кристалла– на 60% меньше площадь на плате– сверхнизкое сопротивление Rds(on)– низкопрофильный корпус– возможность охлаждения верхней стороны

преимущества результатМалое термосопротивление (менее <0.5 ˚C/Вт) Повышение плотности мощности

Охлаждение верхней стороны корпуса Повышение плотности мощности

Сверхнизкое сопротивление канала Rdson Уменьшение потерь на проводимость

Отличный коэффициент кристалл-корпус Уменьшение площади платы

Макс. размер кристалла 5.6 х 6.6 = 37 кв.мм Макс. размер кристалла 4.2 х 6.2 = 26 кв.мм

Наим-е Напр-е сток-исток, В Сопр-е Rds(on)/10 В, мОм Ток стока, А Заряд затвора, нКл

IRF6718L2TRPBF 25 0.7 61 64IRF7739L2TRPBF 40 1.0 270 220IRF7738L2TRPBF 40 1.6 147 -IRF7737L2TRPBF 40 2.2 105 89IRF7739L1TRPBF 40 1.0 270 220IRF7749L1TRPBF 60 1.5 200 200IRF7748L1TRPBF 60 2.2 138 148IRF7749L2TRPBF 60 1.5 203 200IRF7759L2TRPBF 75 2.3 156 200IRF7769L2TRPBF 100 3.5 124 200IRF7779L2TRPBF 150 11 113 97IRF7799L2TRPBF 250 38 46 110

сравнение транзисторов 60 в в корпусах D2PAK и DirectFET L-Can

Наим-е Напр-е Макс. сопр-е канала (10 В), мОм Заряд затвора (10 В), нКл Ток стока Корпус

IRFS3006PBF 60 В 2.5 200 195A D2PAKIRF7749L1TRPBF 60 В 1.5 100 190A+ DirectFET L-Can

www.irf.ru16


Наим-е Напряжение, В Ток, А Сопр-е Rds(on), мОм Заряд затвора, нКл Напр-е управления затвором

IRFH5004TRPBF 40 28 2.6 73

стандартное

IRFH5006TRPBF 60 100 4.1 67IRFH5106TRPBF 60 100 5.6 50IRFH5206TRPBF 60 98 6.7 40IRFH5406TRPB 60 40 14.4 23IRFH5007TRPBF 75 100 5.9 65IRFH5207TRPBF 75 71 9.6 39IRFH5010TRPBF 100 100 9.0 65IRFH5110TRPBF 100 63 12.4 48IRFH5210TRPBF 100 55 14.9 39IRFH5015TRPBF 150 56 31 33IRFH5020TRPBF 200 41 59 36IRFH5025TRPBF 250 32 100 37IRLH5034TRPBF 40 100 2.4 43

с логическим уровнемIRLH5036TRPBF 60 100 4.4 44IRLH5030TRPBF 100 100 9.0 44

PQFN 5x6 Copper Clip транзисторы 40-250 в

особенности => преимущества– максимальный ток стока до 100 А– все преимущества корпуса DirectFET, но без верхнего охлаждения– малое сопротивление канала Rds(on) => уменьшенные потери на проводимость– низкое сопротивление корпуса (менее 0.5 мОм)– малое термосопротивление корпуса, прямой контакт с платой => лучшая теплоотдача– стандартное посадочное место на плате => совместимость с компонентами других ТМ– низкий профиль корпуса (менее 0.9 мм) => повышенная плотность мощности– промышленный стандарт MSL1 => повышенная надежность

PQFN c проволочными соединениями PQFN Copper Clip

Вид изнутри (красный цвет – токопроводящие дорожки)

Внутренняя структура

Преимущества/ недостатки

– более дешевый корпус (мало меди и при сборке использовны стандартные инструменты)

– низкое сопротивление корпуса (1 мОм)– возможность пропускать высокие токи (до 100 А)– малое термосопротивление корпуса (0.5ºС/Вт)

применениеAC-DC импульсные источники питанияDC-DC преобразователи для сетевого и телекоммуникационного оборудования

транзисторы для “горячей замены” (Hot Swap)

Наименование Напряжениее, В Корпус Сопротивление канала в откр.состоянии (10 В), мОм

IRF1607 75 TO-220AB 7.5

IRFP2907 75 TO-247AC 4.5

IRF8010 100 TO-220AB 15

IRFB52N15D 150 TO-220AB 32

– низкое сопротивление канала Rds(on)– линейный режим для зарядки шины

www.irf.ru 17


транзисторы StrongIRFET 75 вRds(on) макс. мОм 1.7 2.7 3.6 4.5 7.1 8.0 10.5

TO-247 IRFP7718D2-7Pin IRFS7730-7P IRFS7734-7PD2-Pak IRFS7730 IRFS7734 IRFS7762 IRFS7787TO-220 IRFB7730 IRFB7734 IRFS7740 IRFB7787 IRFB77465x6 PQFN IRFH4454TRD-Pak IRFR7740 IRFR77416DirectFET Medium IRF7780MTR IRF7783MTR

транзисторы StrongIRFET 40 в

Наименование Напр-е пробоя, В Ток коллектора (25°C), АСопр-е канала Rds(on) макс.

(10В), мОмЗаряд затвора (10В), нКл Корпус

IRFR7440TRPbF 40 90 2.5 89 D-PakIRFS7437TRL7PP 40 195 1.5 150 D2-7pinIRFS7437TRLPbF 40 195 1.8 150 D2-PakIRFS7440TRLPbF 40 120 2.8 90 D2-PakIRFH7004TRPbF 40 100 1.4 134 PQFN56IRFH7440TRPbF 40 85 2.4 92 PQFN56IRFH7446TRPbF 40 85 3.3 65 PQFN56IRF7946TRPbF 40 90 1.4 141 DirectFET Medium CanIRFB7430PbF 40 195 1.3 300 TO-220ABIRFB7434PbF 40 195 1.6 216 TO-220ABIRFB7437PbF 40 195 2 150 TO-220ABIRFB7440PbF 40 120 2.5 90 TO-220ABIRFB7446PbF 40 118 3.3 62 TO-220ABIRFP7430PbF 40 195 1.3 300 TO-247

StrongIRFET транзисторыStrongIRFET – это промышленные N-канальные транзисторы со сверхнизким

сопротивлением канала в открытом состоянии (RDS(on)) и высоким рабочим током до 195 А/25°С (ток ограничен корпусированием). Поэтому основная сфера их применения – это промышленные системы с напряжением шины 12/24 В DC с высокими требованиями к надежности и эффективности, такие как аккумуляторы, инверторы, бесперебойные источники питания, электроинструмент, скутеры, ORing приложения и сервера с «горячей» заменой.

Выгодным преимуществом внедрения StrongIRFET транзисторов даже в старые разработки является возможность прямой замены планарных MOSFET на новые StrongIRFET приборы. Немаловажным является и тот факт, что стоимость новых транзисторов может конкурировать с планарными MOSFET.

В семействе StrongIRFET запланированы транзисторы на 40, 60 и 75 В в семи различных промышленных стандартных корпусах. Линейка транзисторов на 40 В имеет самые низкие параметры сопротивления канала на рынке в своем сегменте и доступна для заказа уже сегодня. Диапазон Rds(on) составляет 0.9 – 4.0 мОм для номинала 40 В. Пороговое напряжение затвора составляет 3 В обеспечивает помехоустойчивость. Встроенный диод с мягким восстановлением повышает эффективность работы транзистора на малых частотах срабатывания.

iPOWIR DC-DC конвертеры (8)Современные микропроцессорные системы, работающие на высоких тактовых частотах, имеют низкое напряжение питания

при рабочем токе до 60 А. Для обеспечения таких требований по питанию используют распределенную архитектуру, состоящую из AC-DC преобразователя и набора DC-DC конвертеров.

Мини-модули Multi-Chip Modules IP200x/IP120x – это многокристальные компоненты, интегрирующие в одном корпусе все необходимые элементы для реализации функционально законченных однофазных и многофазных конвертеров с низким выходным напряжением (от 0.9 В).

Технология многокристального корпусирования iPOWIR позволяет объединять на кристалле силовые полупроводниковые приборы, ШИМ-контроллеры, драйверы и пассивные элементы. Благодаря этому одна микросхема объединяет все компоненты DC-DC преобразователя, кроме индуктивностей и конденсаторов. По сути, это готовый блок для построения однофазных и многофазных конвертеров. Для корпусирования микросхем используются компактные BGA корпуса.

преимущества IR– снижение числа внешних компонентов до 90%– сверхмалый форм-фактор, на 60% ниже, чем у дискретных

компонентов– конфигурации с однофазным, двухканальным и многофазным

выходом– минимизация чувствительности– сокращение времени разработки изделия

область применения– по соотношению интеграция-цена они занимают среднюю нишу

между дискретными и высокоинтегрированными решениями– любые применения, где последствия выхода из

строя оборудования дороже стоимости самого оборудования: сервера, системы передачи данных, телекоммуникационное оборудование, устройства хранения данных и др.

Мини-блоки для любых конфигураций конвертеров– мини-блоки для построения завершенных однофазных DC-DC преобразователей– мини-блоки для построения многофазных понижающих конвертеров– все силовые полупроводники, аналоговые компоненты и микросхемы управления

интегрированы в одном корпусе

www.irf.ru18


Мини-блоки для однофазных DC-DC конвертеровДля завершения разработки DC-DC преобразователя со сверхнизким выходным напряжением на основе IP120x необходимы

только конденсаторы и выходной дроссель. Таким образом, из схемы можно исключить до 20 дискретных компонентов, а площадь однофазного DC-DC преобразователя будет составлять всего 45х65 мм.

Для тестирования и освоения новой технологии разработчики IR предлагают демонстрационные платы на базе блока IP2001.

полный силовой каскад для однофазных конвертеров

Наим-е Тип и размер корпуса, мм Топология Вых. ток, АЧастота

перекл-я, кГцДиапазон

входного напр-я, ВДиапазон выходного

напряжения, ВДополнительные функции

IP1001 BGA 14x14x3 Один выход 20 200 - 300 2.5 - 12 0.9 - 3.3 OVP + OCP + 5 бит ЦАП IP1201 BGA 15.5x9.25x2.6 2-фазный или 2-кан. выход 30 200 - 400 3.14 - 5.5 0.9 - 3.3 OVP + OCP + OTP +мягкий запуск IP1202 BGA 15.5x9.25x2.6 2-фазный или 2-кан. выход 30 200 - 400 5.5 - 13.2 0.8 - 5.0 OVP + OCP + OTP +мягкий запус IP1203 LGA 9x9x2.6 Один выход 15 200 - 400 5.5 - 13.2 0.8 - 8.0 OVP + OCP + OTP +мягкий запус

IP1206 LGA 15.5x9.25x1.97 2-фазный или 2-кан. выход 30 200 - 600 7.5 - 14.5 0.8 - 5.5OVP + OCP + OTP + запуск со

смещением

Мини-блоки для многофазных сильноточных конвертеровСерия iP200x – это функционально завершенные «блоки» для многофазных

понижающих конвертеров, которые используются для питания процессоров класса ГГц в вычислительных и коммуникационных системах. Каждый мини-блок в корпусе BGA или LGA содержит все необходимые элементы (силовые полупроводники, драйвер, пассивные элементы) для построения одной фазы многофазных конвертеров.

Высокая степень интеграции позволяет сократить паразитные потери и достичь высокой эффективности при полной нагрузке, а компактные BGA или LGA корпуса уменьшают габаритные размеры разработки. Для окончательной реализации конвертера iP200x требуют только многофазный ШИМ контроллер, входные и выходные конденсаторы и дроссель. А параллельное соединение блоков в асинхронных многофазных преобразователях позволит в несколько раз повысить выходной ток и частоту конвертера.

преимущества реализации конвертеров на базе iP200x– сверхнизкое выходное напряжение– выходной ток до 40 А, возможность параллельного подключения– частота 300 – 1500 кГц– эффективность до 92%, широкая область безопасной работы– не требуют теплоотвода, работают при температуре корпуса 98°С/250 кГц, 90°С/500 кГц, 78°С/1 МГц

Наим-е Вых. ток, АДиапазон выходного

напр-я, ВЧастота переключения

Диапазон входного напряжения, В

Тип и размер корпуса, мм

IP2001 20 0.9 - 3.3 250 кГц…1 МГц 5 - 12 BGA 11x11x3

IP2002 30 0.9 - 3.3 250 кГц…1 МГц 2.5 - 12 BGA 11x11x2.6

IP2003 40 0.8 - 3.3 300 кГц…1 МГц 3 - 13.2 LGA 11x11x 2.2

IP2003A 40 0.8 - 3.3 300 кГц…1 МГц 3 - 13.2 LGA 11x9x2.2

IP2005A 40 0.8 - 5.5 250 кГц…1.5 МГц 6.5 - 13.2 LGA 7.7x7.7x1.7

область применений– сильноточные многофазные синхронные понижающие конвертеры для питания

центральных процессоров в серверах и рабочих станциях– сетевое оборудование хранения и обработки данных, маршрутизаторы и коммутаторы

интегрированное решение

– драйвер затворов– управляющий и

выпрямительный МОП-транзисторы синхронного выпрямителя

– шунтирующий выпрямительный транзистор

– диод Шоттки– пассивные элементы

OCP – защита по току; OVP – защита от перенапряжения, OTP – защита от перегрева

Готовое решение для неизолированных POL конвертеров– вентильная программируемая матрица и специализированные микросхемы с двойственной логикой (ядро и входы/выходы)– близко расположенная шина периферии (15 А)– один POL (средняя мощность менее 30 А)– конвертеры с распределенной архитектурой или DC конвертеры вторичной цепи POL конвертеров

полная функциональность – защита от токовой перегрузки или защелкивания– внешний вывод синхронизации– независимые выводы мягкого запуска– защита от перенапряжения– защита от перегрева

интегрированное решение– драйвер затворов– комбинированный ШИМ-контроллер/драйвер– шунтирующий выпрямительный транзистор– диод Шоттки– пассивные элементы

www.irf.ru 19


транзисторы управляющих и синхронных ключей понижающих DC-DC конвертеров (13)

Использование в выходном каскаде понижающих преобразователей управляющих и синхронных транзисторов обеспечивает высокоэффективное скоростное срабатывание в схемах управления питанием микропроцессоров, контроллеров и FPGA (т.н. POL). Для преобразователей 12 В -> 3.3 или 1.2 В обычно используются транзисторы на 25-30 В.

International Rectifier предлагает различные низковольные решения, как дискретные, так и интегрированные. Все они разработаны по самой современной технологии производства транзисторов gen12.5.

полностью интегрированные решения

встроенный силовой транзисторPowerBlock

дискретные решения

Дискретные решения для POL преобразователейОдно- и двухканальные транзисторы имеют преимущество в тех случаях, когда разработчик использует в схемах транзисторы разных производителей или определенные драйверы, (в т.ч. многоканальные). Такая топология дает большую свободу разработки, но требует и более профессиональный подход от разработчика.

ШиМ микросхемы управления

Наим-е Корпус Диапазон входного напряжения, В Напр-е питания, В Диапазон выходного напряжения, В Частота, кГц

IR3640M 20L 3x4 MLPQ 1.5 - 24 4.5 - 5.5 0.7 - 0.9*VIN 250 - 1500IR3629AM 12L 3x4 MLPQ (VOUT + 5) до 28 4.5 - 14 0.6 - 0.8*VIN 300IR3629M 12L 3x4 MLPQ (VOUT + 5) до 28 4.5 - 14 0.6 - 0.7*VIN 600IR3710M 16L 3x3 MLPQ 3 - 28 3.3 и 5 0.5 - 12 100 - 1000IR3651M SOIC-14 12 - 100 4.5 - 13.2 1.25 - 0.7*VIN 100 - 400

MOSFET транзисторы в традиционных корпусах

Линейка специализированных MOSFET транзисторов с улучшенным слоем оксида кремния на затворе повышают эффективность понижающих DC-DC синхронных преобразователей с входным напряжение 12 В и выходным уровнем 1-3 В. Низкое сопротивление открытого канала и малый заряд затвора оптимизируют транзисторы для применения в POL преобразователях. Низкие потери на проводимость повышают эффективность и термические характеристики, в то время как низкие потери на переключение позволяют достигать высокой эффективности даже при малых нагрузках. Транзисторы могут использоваться не только для новых разработок, но и в качестве замены компонентов предыдущих поколений без увеличения стоимости изделия.

Наим-е ФункцияНапр-е пробоя сток-

исток, ВНапр-е затвор-

исток, ВТок стока (25°С), А

Макс. сопр-е сток-исток в откр.сост-и (4.5/10 В), мОм

Пороговое напр-е затвора, В

Заряд затвора, нК


IRF8707PBF ключ нагрузки

30

±20 11 17.5/11.9 >1.35 6.2 SO-8IRF8714PBF управ.ключ ±20 14 13.0/8.7 >1.35 8.1 SO-8IRF8721PBF управ.ключ ±20 14 12.5/8.5 >1.35 8.3 SO-8IRLR8721PBF управ.ключ ±20 65 11.8/8.4 >1.35 8.5 D-PakIRF8736PBF синхр.ключ ±20 18 6.8/4.8 >1.35 17 SO-8IRF7862PBF синхр.ключ ±20 21 4.5/3.7 >1.35 30 SO-8IRLR8743PBF синхр.ключ ±20 160 3.9/3.1 >1.35 39 D-Pak

www.irf.ru20


наборы управляющих и синхронных транзисторов

Понижающие каскады с синхронным выпрямлением широко используются в архитектуре POL конвертеров, питающих низковольтные (менее 1 В), но высокоточные процессоры. Один из способов увеличить плотность мощности и эффективность POL конвертера – минимизировать потери на MOSFET транзисторах как основных источниках потерь мощности. Компания IR выпускает специальную линейку транзисторов, оптимизированных для понижающих регуляторов с

синхронным выпрямлением. Поскольку время проводимости транзистора управления Q1 небольшое, потери

на проводимость у него незначительные. Однако такой транзистор работает в более жестких условиях переключения, и, значит, критическим параметром для его выбора являются потери на переключение и заряд затвора. И наоборот, транзистор синхронного выпрямления Q2 большую часть цикла находится в состоянии проводимости, и потери на проводимость особенно важны для этого компонента (мягкое переключение при переходе через ноль делают потери на переключение минимальными).

Поэтому транзистор Q2 должен иметь минимальное сопротивление в открытом состоянии Rds(on) и стойкость к нарастанию емкости Cdv/dt.

IR предлагает разработчикам оптимизированные пары транзисторов, например, IRF6617 для управляющего ключа и IRF6611 для ключа синхронного выпрямления (30 В). Для построения конвертеров в выходным током 20 А на фазу достаточно использования одного транзистора управления и одного транзистора выпрямления.

Дискретные решения для POL преобразователей на 25 вВ данное семейство входят 6 синхронных транзисторов и два управляющих транзистора.

Корпус Наим-е Ток стока (25°С), АСопр-е канала, мОм

Заряд затвора, нКл10 В 4.5 В

PQFN5x6

IRFH4201

100

0.70 / 0.95 1.00 / 1.25 48

IRFH4210 0.95 / 1.25 1.35 / 1.75 36

IRFH4210D 0.95 / 1.25 1.35 / 1.75 36

IRFH4213 1.2 / 1.6 1.8 / 2.4 26

IRFH4213D 1.2 / 1.6 1.8 / 2.4 26

IRFH4234 3.8 / 5.0 5.9 / 7.7 7.7

PQFN3.3x3.3

IRFHM42zz40

1.8 / 2.4 2.9 / 3.7 15

IRFHM4234 3.7 / 4.8 5.8 / 7.5 7.7

* D в конце маркировки указывает на интегрированный в корпус транзистора диод Шоттки.

пары управляющих + синхронных транзисторов для понижающих конвертеров

Наим-е Корпус Функция Напр-е пробоя, ВСопр-е канала Rds(on),

10 В, мОмЗаряд затвора (4.5 В), нКл

IRF6721S DirectFET SQ управл.

30

7.3 11

IRF6725M DirectFET MX синхр. 2.2 28

IRFH5306 PQFN 5 x 6 управл. 8.1 7.8

IRFH5302 PQFN 5 x 6 синхр. 2.1 29

IRFH7921 PQFN 5 x 6 управл. 8.5 9.3

IRFH7934 PQFN 5 x 6 синхр. 3.5 20

IRLR8729 D-Pak управл. 8.9 10

IRLR8726 D-Pak синхр. 5.8 15

IRF8721 SO-8 управл. 8.5 8.3

IRF8734 SO-8 синхр. 3.5 20

IRF8513 Полумостовой асимметричный SO-8управл. 15.5 5.7

синхр. 12.7 7.6

www.irf.ru 21


MOSFET транзисторы для POL в стандартных корпусах

одноканальные транзисторы

Наим-е Напр-е, В КорпусСопр-е канала Rds(on) макс., мОм

Ток стока (Tc 25°), A Ток стока (Tа 25°), А Заряд затвора, нКл10 В 4.5 В

IRL(R,U)8256(TR)PBF25

D-Pak/I-PAK 5.7 8.5 81 – 10IRL(R,U)8259(TR)PBF D-Pak/I-PAK 8.7 12.9 57 – 6.8IRF8252(TR)PBF SO-8 2.7 3.7 – 25 35

IRL(R,U)8743(TR)PBF

30

D-Pak/I-PAK

3.1 3.9 160 – 39

IRL(R,U)8726(TR)PBF 5.8 8.0 86 – 15

IRL(R,U)8721(TR)PBF 8.4 11.8 65 – 8.5

IRL(R,U)8729(TR)PBF 8.9 11.9 58 – 10

IRF8788(TR)PBF

SO-8

2.8 3.8 – 24 44

IRF7862(TR)PBF 3.7 4.5 – 21 30

IRF8734(TR)PBF 3.5 5.1 – 21 20

IRF8736(TR)PBF 4.8 6.8 – 18 17

IRF8721(TR)PBF 8.5 12.5 – 14 8.3

IRF8714(TR)PBF 8.7 13 – 14 8.1

IRF8707(TR)PBF 11.9 17.5 – 11 6.2

Двухканальные транзисторы

Наим-е Корпус Конфигурация Напр-е, ВСопр-е канала Rds(on)

4.5 В, мОмНапр-е затвор-сток, В Заряд затвора, нКл

IRF8313PBF SO-8 Независ. симметр. 30 15.5 ± 20 6.0

IRF8513PBF SO-8 Полумостовой асимметр. 3012.7

± 207.6

15.5 5.7IRF8852TRPBF TSSOP8 Независ. симметр. 25 11.3 ± 20 9.5

MOSFET транзисторы для POL в PQFN корпусахНовые PQFN корпуса дают разработчикам возможность уменьшить форм-фактор и увеличивать эффективность и надежность изделия. По сравнению с SO-8 корпусами их термосопротивление улучшено на 30%, а токовая нагрузка повышена на 15%. Широкий вывод истока обеспечивает качество паяного соединения с платой. PQFN корпуса занимают промежуточную шину между SO-8 и DirectFET корпусами.

Наим-е ФункцияНапр-е пробоя сток-

исток, ВТок стока (25°С), А

Макс. сопр-е сток-исток в откр.сост-и (4.5/10 В), мОм

Заряд затвора, нКл Тип корпуса

IRFH7914 управ.ключ 30 15 13/8.7 8.3 PQFN 5х6

IRFH7921 управ.ключ 30 15 12.5/8.5 9.3 PQFN 5х6

IRFH7932 синхр.ключ 30 25 3.9/3.3 34 PQFN 5х6

IRFH7934 управ.ключ 30 24 5.1/3.5 20 PQFN 5х6

IRFH7936 синхр.ключ 30 20 6.8/4.8 17 PQFN 5х6

IRFH3702 синхр.ключ 30 16 11.8/7.1 9.6 PQFN 3х3

IRFH3707 синхр.ключ 30 12 17.9/12.4 5.4 PQFN 3х3

IRFHM831 управ.ключ 30 47 12.6/7.8 7.3 PQFN 3.3х3.3

IRFHM830D синхр.ключ 30 40 7.1/4.3 13 PQFN 3.3х3.3

IRFHM830 синхр.ключ 30 40 6.0/3.8 31 PQFN 3.3х3.3

IRFH5303 управ.ключ для ВЧ пониж.конв. 30 82 5.7/3.6 15 PQFN 5х6


IRFH5306 управ.ключ для ВЧ пониж.конв. 30 45 11/6.9 7.8 PQFN 5х6


IRFH5250D управ.ключ 25 40 1.7/1.0 39 PQFN 5х6

IRLHM620 синхр.ключ 20 40 2.5/- 52 PQFN 3.3х3.3

IRLHM630 синхр.ключ 30 40 3.5/- 41 PQFN 3.3х3.3

преимущества PQFN корпусов– компактные корпуса 5х6 мм– низкое термосопротивление– широкий вывод истока для высокого качества пайки– совместимость выводов в SO–8– оптимизированы для автоматизированного монтажа

www.irf.ru22


N-канальные DirectFET транзисторы

Наим-е Диод ШотткиНапряжение пробоя

сток-исток, В

Макс. сопр-е сток-исток в откр.сост-и

(4.5/10 В), мОмТок стока (25°С), А

Заряд затвор-сток, нКл

Термосопр-е кристалл-корпус

Мощность рассеяния (25°С), Вт

Корпус

IRF6691 + 20 2.5/1.8 32.0 47.0 1.4 2.00 MT

IRF6795M + 25 3.2/1.8 32.0 35.0 1.66 2.80 MX

IRF6712S – 25 8.7/4.9 17.0 13.0 3.5 2.20 SQ

IRF6892S – 25 2.6/1.7 28.0 17.0 3.0 2.10 S3C

IRF6893M + 25 2.1/1.6 29.0 25.0 1.8 1.30 MX

IRF6894M + 25 1.8/1.3 32.0 26.0 2.3 2.10 MX

IRF6713S – 25 4.6/3.0 22.0 21.0 3.0 2.20 SQ

IRF6797M + 25 2.4/1.4 36.0 45.0 1.4 2.80 MX

IRF6716M – 25 2.6/1.6 39.0 39.0 1.6 3.60 MX

IRF6711S – 25 6.5/3.8 19.0 13.0 3.0 2.20 SQ

IRF6714M – 25 3.4/2.1 29.0 29.0 1.4 2.80 MX

IRF6717M – 25 2.1/1.25 38.0 46.0 1.3 2.80 MX

IRF6715M – 25 2.7/1.6 34.0 40.0 1.6 2.80 MX

IRF6798M + 25 2.1/1.3 37.0 50.0 1.6 2.80 MX

IRF6810S – 25 7.3/5.2 16.0 7.4 6.3 2.10 S1

IRF6710S2 – 25 11.9/5.9 12.0 8.8 9.8 1.80 S1

IRF6811S – 25 5.4/3.7 19.0 11.0 3.9 2.10 SQ

IRF6718L2 – 25 1.4/0.70 61.0 64.0 1.8 4.30 L6

IRF6898M + 25 1.6/1.1 35.0 35.0 1.6 2.10 MX

IRF6709S2 – 25 13.5/7.8 12.0 8.1 7.2 1.80 S1

IRF6726M – 30 2.4/1.7 32.0 51.0 1.4 2.80 MT

IRF8308M – 30 3.5/2.5 27.0 28.0 1.4 2.80 MX

IRF6722M – 30 10.8/7.7 13.0 11.0 3.0 2.30 MP

IRF6722S – 30 10.3/7.7 13.0 11.0 3.0 2.20 ST

IRF8304M – 30 3.2/2.2 28.0 28.0 1.2 2.80 MX

IRF6727M + 30 2.4/1.7 32.0 49.0 1.4 2.80 MX

IRF8306M + 30 3.6/2.5 23.0 25.0 1.66 2.10 MX

IRF8302M + 30 2.7/1.8 31.0 35.0 1.2 2.80 MX

IRF8327S – 30 10.9/7.3 14.0 9.2 3.0 2.20 SQ

IRF7739L1 – 40 –/1.0 46.0 220.0 40 3.80 L8

IRF7739 – 40 –/1.0 46.0 220.0 1.2 3.80 L8

IRF6613 – 40 4.1/3.4 23.0 42.0 1.4 2.80 MT

IRF7738 – 40 –/1.6 35.0 129.0 1.6 3.30 L6

IRF7946 – 40 –/1.4 198 141.0 1.3 – MX

IRF6616 – 40 6.2/5.0 19.0 29.0 1.4 2.80 MX

IRF6614 – 40 9.9/8.3 12.7 19.0 3.0 2.10 ST

IRF7737 – 40 –/1.9 31.0 89.0 1.8 3.30 L6

блоки PowerBlock

Высокоэффективные силовые модули Power Block интегрируют в одном корпусе PQFN синхронный и управляющий транзисторы. Их использование позволит повысить плотность мощности, КПД разработки и упростить схемотехническое решение.

Корпус НаименованиеНоминальный ток (проектируемый)

PQFN 5x6

IRFH4251D 45 А

IRFH4253D 35 А

IRFH4255D 25 А

PQFN 4x5IRFH42ххD 30 А

IRFH42ххD 20 А

www.irf.ru 23


SupIRBuck DC-DC регуляторы напряжения (12)Архитектуры распределенного электропитания отличаются высокой

надежностью и эффективностью, поэтому широко используются в телекоммуникационном, серверном и другом оборудовании, где требуется разделить питание на множество низковольтных, но сильноточных нагрузок. POL преобразователи используются в оконечных каскадах таких систем для преобразования промежуточного напряжения в стабилизированное в непосредственной близости с нагрузкой.

SupIRBuck IR38xx – это понижающие импульсные программируемые DC-DC регуляторы напряжения, работающие в широком диапазоне входных напряжений. Это интегрированное решение, заменяющее понижающий ШИМ контроллер с синхронным выпрямлением, где управление стабилизацией осуществляется по обратной связи по напряжению.

Высокая степень интеграции позволяет сэкономить до 70% пространства платы по сравнению с дискретными решениями, а также увеличить нагрузочную способность на 10%.

описание– частота переключения 300/600 кГц– выходной ток 4…14 А– программируемый мягкий запуск – программируемый порог срабатывания токовой

защиты– опорное напряжение 0.6 В с точностью 1.5 %– диапазон входных напряжений 2.5…21 В– диапазон выходных напряжений 0.6…12 В– компактный QFN корпус 5х6 мм– следящее управление напряжением для источников

питания DDR памяти– программируемый уровень контроля выходного

напряжения

преимущества IR– легкость применения– гибкость архитектуры– высокая эффективность – высокая плотность монтажа– минимальное число внешних компонентов

Наим-е ТопологияДиапазон входного

напр-я, В

Диапазон выходного напр-я, В

Вых. ток, АЧастота

переключения, кГцДополн. функции Применение Тип корпуса

IR3802M один выход

2.5 - 21 0.6 - 12

4 600

OCP, OTP, Pre-Bias, Soft Start

Бытовая электроника

QFN

IR3802AM один выход 6 300 QFN

IR3801M один выход 7 600 QFN




IR3821M один выход 7 600

OCP, OTP, PGood, Pre-Bias, Soft

StartСбор данных

QFN






IR3812M один выход 4 600OCP, OTP,

Tracking, Pre-Bias, Soft Start

Сбор данных

QFN



OCP – защита по токуOTP – защита от перегреваSoft Start – мягкий запускPre-Bias – запуск со смещением Tracking – внешнее управление выходом

сравнение кпД IR3821 с двумя полевыми транзисторами с горизонтальной структурой

www.irf.ru24


Регуляторы SupIRBuck Gen 2.114 А IR383712 А IR3840W10 А IR38389 А IR38598 А IR3841W IR3831W6 А IR3839 IR38564 А IR3842W IR3832W IR38532 А IR3843WСмещение 5 В 12 В однофаз. 5 ВОтслеживание DDR нет есть есть нетВходное напр-е 1.5 – 16 В

Наименование Корпус, ммДиапазон входного напряжения,

ВДиапазон выходного

напряжения, ВВых. ток, А Частота срабатывания, кГц

IR3895MTRPbF PQFN 5x6 1 - 21 0.5 – 86% вход. 16 300 -1,500IR3894MTRPbF PQFN 5x6 1 - 21 0.5 – 86% вход. 12 300 -1,500IR3899MTRPbF PQFN 4x5 1 - 21 0.5 – 86% вход. 9 300 -1,500IR3898MTRPbF PQFN 4x5 1 - 21 0.5 – 86% вход. 6 300 -1,500IR3897MTRPbF PQFN 4x5 1 - 21 0.5 – 86% вход. 4 300 -1,500

средства разработки

Плата Регулятор Входное напряжение, В Выходное напряжение, В Вых. ток, А Частота срабатывания, кГц

IRDC3895 IR3895M 12 1.2 16 600IRDC3894 IR3894M 12 1.2 12 600IRDC3899 IR3899M 12 1.2 9 600IRDC3898 IR3898M 12 1.2 6 600IRDC3897 IR3897M 12 1.2 4 600

SupIRBuck Gen3Одноканальные регуляторы 3-го поколения имеют запатентованную схему модулятора с малой шириной импульсов без

джиттера. Возможность генерировать импульсы малой длительности в сочетании управлением по току делает такие регуляторы привлекательными для питания DDR памяти напрямую от источника 12 В.

3-е поколение SupIRBuck регуляторов решает проблемы работы регуляторов на высоких частотах при малом рабочем цикле. Благодаря значительному сокращению джиттера импульсов шириной 50 нс, регуляторы IR дают возможность разработчикам повысить ширину полосы пропускания при замкнутой цепи обратной связи, что приведет к уменьшению выходной емкости. Кроме того, интеграция небольшого LDO регулятора увеличивает эффективность новых SupIRBuck регуляторов при сохранении габаритных размеров предыдущих моделей.

В добавлении к стандартным функциям стабилизаторов SupIRBuck новое поколение регуляторов имеет ряд дополнительных опций, которые нацелены на удовлетворение потребностей рынка серверного и телекоммуникационного оборудования, такие, как точность опорного напряжения 0.5%, расширенная регулировка нагрузки и термокомпенсация для ограничения по току.

сравнение со 2-м поколением SupIRBuck

Параметр Gen 2 Gen 3

Точность опорного напряжения 1.0% 0.5%

Запатентованный модулятор для повышения ширины полосы пропускания при замкнутой цепи обратной связи

– +

Smart LDO регулятор – +

Регулировка линии/нагрузки

Термокомпенсация для токовых пределов – +

ФАПЧ для лучшей синхронизации с внешней частотой – +

Мин.входное напряжение 1.5 В 1.0 В

Мягкий запуск/остановка запуск остановка/запуск

SupIRBuck Gen2.1

преимущества– максимальная частота 1.5 МГц– точность опорного напряжения +/– 1%– вывод Enable– программируемая частота срабатывания– контроль выходного напряжения– защита от перегрева– программируемое ограничение по току– программируемая защита по току

www.irf.ru 25


ipowIR для POL-конвертеровСемейство iPowIR – это продолжение линейки SupIRBuck

на более высокие токи. Регуляторы выпускаются в корпусах PQFN 7.7x7.7 и предназначены для серверов VR12, 12/5 и других сетевых приложений.

особенности– совместимость разводки корпуса версий на 25 и 35 А– защита выхода по току и напряжению с термокомпенсацией– контроль качества выходного сигнала (Pgood)– программируемая частота до 1.5 МГц– высокая степерь интеграции: силовые транзисторы,

бутстрепный диод, бутстрепный конденсатор, схема защиты по току

Наименование Корпус Вых.ток макс, А Напряжение питания, В Макс. КПД при 1. 2 В Частота, кГц Вых. напряжение, В

IR3551 PQFN 5 x 6 x 0.9 50 4.5-15 94.5% 1000 0.25-3.3IR3553 PQFN 6 x 4 x 0.9 40 4.5-15 93.2% 1000 0.25-3.3IR3558 PQFN 5 x 6 x 0.9 45 4.5-15 94.0% 1000 0.25-3.3IR3550 PQFN 6 x 6 x 0.9 60 4.5-15 95.0% 1000 0.25-3.3

PowIRStageСемейство PowIRstage – это микросхемы регуляторов для многофазных

схем коммуникационного и потребительского оборудования. Микросхемы интегрирует в корпусе синхронизированный понижающий драйвер затвора, синхронизированные полевые транзисторы (с низким сопротивлением канала и зарядом затвора) и диод Шоттки. Микросхемы PowIRstage показывают самые низкие суммарные потери, высокое КПД и отличную теплоотдачу для приборов в классе 60 А. Их задача – упростить разработку высокоточных многофазных понижающих регуляторов по сравнению с дискретными решениями. Регуляторы совместимы с большинством выпускаемых сегодня аналоговых и цифровых контроллеров.

PQFN корпус микросхемы занимает на плате 6х4 мм при высоте 0.9 мм. Микросхема призвана облегчить и упростить разработку высокоточных и высокоэффективных многофазовых понижающих регуляторов.

особенности– выходной ток до 60 А– максимальное КПД до 95% при 1.2 В выходном напряжении– диапазон входного напряжения 4.5 – 15 В– диапазон выходного напряжения от 0.25 до 3.3 В– работа на частотах до 1 МГц– интегрированный токоизмерительный усилитель– эффективное двустороннее охлаждения корпуса

набор DirectFET транзисторов для DC-DC преобразователейКомпания International Rectifier предлагает набор транзисторов 30 В IRF6708S2

и IRF6728M в корпусах DirectFET для разработки недорогих понижающих преобразователей 19В, которые используются в ноутбуках.

Транзисторы IRF6708S2 в корпусе Small Can и IRF6728M в корпусе Medium Can позволяют на 30% сократить количество используемых компонентов, что, в свою очередь, поможет снизить стоимость разработки. Новые транзисторы имеют низкий заряд и сопротивление канала в открытом состоянии RDS(on) для минимизации потерь на проводимость и переключение. Приборы IRF6728M содержат интегрированный диод Шоттки для уменьшения потерь при обратном восстановлении и потерь, вызванных проводимостью корпуса диода.

Помимо перечисленных преимуществ, новые приборы отличаются низкой паразитной индуктивностью и отличными характеристиками теплоотдачи.

Наим-е Напр-е пробоя, В Сопр-е RDS(on) 10В, мОм Сопр-е RDS(on) 4.5В, мОм Напр-е затвор-исток, ВЗаряд затвора при 4.5

В, нКлЗаряд затвор-сток при

4.5 В, нКл

IRF6728M 30 1.8 2.8 +/-20 28 8.7IRF6708S2 30 7.5 12.0 +/-20 6.6 2.2

Наим-е Размер, мм Корпус Топология Диапазон вход. напр-я, В Диапазон выход. напр-я, В Вых. ток, А Частота, кГц

iP1837 7.7 x 7.7 LGA один выход 1.5 - 16 0.6 - 75% Vin 35 250 – 1,500iP1827 7.7 x 7.7 LGA один выход 1.5 - 16 0.6 - 75% Vin 25 250 – 1,500

www.irf.ru26


контроллеры первичной сети

Наим-е Топология Тип корпусаТок

управл-я, АРегулир.

задержкаФиксиров. раб. цикл

Блокир-ка пониж. вых. напр-я

Hiccup защита по току

Мягкий запуск

Программир-я частота

IR2085SКонтроллер полумоста

SO-8 ±1 50-200 нс 50% + - + до 500 кГц

IR2086SКонтроллер

моста SO-16 ±1.2 50-200 нс 50% + + + до 500 кГц

Температура перехода: -40…125°С

ключи первичного каскада

Напр-е, В Сопр-е канала, мОм DirectFET Medium-Can (6.3 x 4.9mm) PQFN 5x6 D2-Pak D2-Pak 7pin SO8 TO-220 TO-262

552.6 IRF3805S-7P3.3 IRF3805S IRF3805 IRF3805L

60

2.1 IRFS3006-7P IRF2903Z2.5 IRFS3006 IRFB3006 IRFSL30064.2 IRFH5006 IRFS3306 IRFB3306 IRFSL33067 IRF6648

9.4 IRF7855

75

2.6 IRFS3107-7P3 IRFS3107 IRFSL3107

3.3 IRFB30775.8 IRFH5007 IRFS3307Z IRFB3307Z IRFSL3307Z

8010 IRF6646

13.4 IRF7854

100

4 IRFS4010-7P4.7 IRFS4010 IRFB4110 IRFSL40109 IRFH5010 IRFS4410Z IRFB4410Z IRFSL4410Z


преимущества IR– оптимизированное решение для двухкаскадной 48 В распределенной архитектуры

электропитания– значительная экономия пространства планы при увеличении эффективности

преобразования– уменьшение числа компонентов, упрощение дизайна– изолированный 48 В преобразователь шины с нерегулируемым выходным

напряжением 6–12 В– напряжение шины может быть оптимизировано в соответствии с мощностью,

диапазоном входного напряжения и потерями на переключение POL конвертеров:а) высокое напряжение шины для уменьшения потерь на распределениеб) низкое напряжение шины для уменьшения потерь на переключение в POL

конвертерах

ключи первичного каскада– DirectFET

Наим-е Напряжение пробоя сток-исток, ВТип. сопр-е сток-исток в откр.

сост-и (10 В), мОмМакс. сопр-е сток-исток в

откр.сост-и (10 В), мОмЗаряд затвора, нК Заряд затвор-сток, нК Модиф-я корпуса

IRF6644

100

10.3 13 35 11.5 MNIRF6662 17.5 22 22 6.8 MZIRF6645 28 35 14 4.8 SJIRF6655 53 62 8.7 2.8 SHIRF6646

807.6 9.5 36 12 MN

IRF6668 12 15 22 7.8 MZIRF6648 60 5.5 7.0 36 14 MN

DC-DC преобразователи промежуточной шины питания (14)Компания IR выпускает набор оптимизированных компонентов для

построения 48 В преобразователей входного каскада двухступенчатых систем распределенного питания (DPA) с промежуточной шиной 8 В, питающей неизолированные POL конвертеры. Двухкаскадная архитектура не требует регулируемого напряжения промежуточной шины, поскольку POL конвертеры имеют широкий диапазон входных напряжений и сами обеспечивают необходимую для нагрузки регулировку напряжения. Использование параллельных преобразователей на входном каскаде позволит увеличить мощность системы.

Линейка компонентов IR состоит из мостового или полумостового контроллера первичной цепи и оптимизированных MOSFET транзисторов первичной и вторичной цепей. Число компонентов таких преобразователей уменьшится до 60% по сравнению со стандартными изолированными DC-DC преобразователями.

www.irf.ru 27


Набор компонентов для полумостовой архитектуры позволяет разработчикам увеличить эффективность преобразования до 95,7% при выходной нагрузке 27.5A/8В/220Вт. Плотность мощности составляет 126 Вт/кв.дюйм, а площадь платы уменьшится на 48% по сравнению со стандартными преобразователями типа ¼ Brick (1/4 «кирпича»).

IR2085Sконтроллер первичной цепи

IRF7380сдвоенный 80 в FET (на другой стороне платы)

2xIRF6644100 в транзистор DirectFET

2xIRF661830 в ключ синхронного выпрямления

IRF995630 в сдвоенный защелкивающий SO-8 транзистор

Набор компонентов для мостовой архитектуры позволяет разработчикам увеличить эффективность преобразования до 97% при выходной нагрузке 35A/9.6В/330Вт. Плотность мощности составляет 142 Вт/кв.дюйм, а площадь платы уменьшится на 29% по сравнению со стандартными преобразователями ¼ Brick.

IR2086S

контроллер управления первичной цепи

4хIRF6646

80 в DirectFET

IRF7380

сдвоенный 80 в FET

лицевая сторона платы

IRF6617

30 в управляющий DirectFET

4хIRF6611

30 в ключ синхронного выпрямления

IRF6617

30 в управляющий DirectFET

обратная сторона платы

ключи вторичного каскада – DirectFET

Наим-еНапряжение пробоя сток-

исток, ВТип. сопр-е сток-исток в откр.сост-и (10 В), мОм

Макс. сопр-е сток-исток в откр.сост-и (10 В), мОм

Заряд затвора, нК Заряд затвор-сток, нК Модиф-я корпуса

IRF6613

40

2.6 3.4 42 12.6 M-can

IRF6616 3.7 5.0 29 9.4 M-can

IRF6614 5.9 8.3 19 6.0 S-can

IRF6635

30

1.3 1.8 47 17 M-can

IRF6678 1.7 2.2 43 15 M-can

IRF6618 1.7 2.2 43 15 M-can

IRF6611 2.0 2.6 37 12.5 M-can

IRF6612 2.5 3.3 30 10 M-can

www.irf.ru28


XPhase многофазная архитектура (11)XPhase архитектура – это гибкая и конфигурируемая пользователем архитектура

для создания многофазных понижающих DC-DC преобразователей с одной или несколькими фазами. В отличие от других решений, ограничивающих число фаз, наращиваемая архитектура XPhase обеспечивает работу от 1 до n фаз без изменения топологии конвертера, что позволяет быстро адаптироваться к непрерывным изменениям требований по питанию ядра процессоров новых поколений.

Ядро XPhase компонента включает микросхему управления со всеми необходимыми элементами для управления конверторами, которая связана с фазовой микросхемой через простую 5-проводную шину. Шина обеспечивает связь между ИС управления и фазовыми микросхемами и передает информацию об опорном напряжении, напряжении идентификации (VID), тактировании фаз, средней величине тока и информацию с выхода усилителя ошибки. Соответствие требованиям спецификаций VRM10.0 или VRD/EVRD 10.0 для питания новейших микропроцессоров, используемых в серверах и high-end десктопах.

Наименование Описание Тип корпуса

ис управленияIR3081AM ИС управления для управления VR10 MLPQ-28 4x4 ммIR3082 Контроллер для AMD Opteron™ серверов MLPQ-20 5x5 ммIR3082A Контроллер для 9.6В AMD Opteron™ серверов MLPQ-20 5x5 мм IR3510M ИС управления для отказоустойчивых серверов с «горячей заменой» архитектуры N+1 MLPQ-32 5x5 мм IR3084A ИС управления для VR10, VR11 MLPQ-28 4x4 ммIR3084U ИС управления для VR10, VR11 для AMD Opteron™ серверов MLPQ-28 4x4 мм IR3514M ИС управления AMD процессоров с параллельным или последовательным VID интерфейсом для программирования напряжения MLPQ-40 6x6 ммIR3502M ИС управления для INTEL® VR11.0, VR11.1 MLPQ-32 5X5 мм IR3500VM ИС управления для источников питания серверов VR11.1 CPU VTT MLPQ-32 5X5 ммIR3500AM ИС управления для источников питания серверов Intel VR11.0 или AMD PVID, 250 кГц – 9 МГц MLPQ-32 5X5 ммIR3500M ИС управления для источников питания серверов Intel VR11.0 или AMD PVID MLPQ-32 5X5 ммIR3080MTR ИС управления для источников питания VRD10 с детектированием перегрева и VccVid MLPQ-32 5X5 ммIR3513M ИС управления со встроенным драйвером затвора, схемой измерения тока и ШИМ контроллером MLPQ-32 5x5 ммIR3523M ИС управления двухканальных DDR и CPU VTT многофазных источников питания материнских плат VR11.1 MLPQ-40 6х6 мм

Фазовые микросхемы

IR3086Фазовая ИС со встроенным определением ошибки фазы VR-HOT, для промышленных вычислительных систем, рабочих станций и серверов

MLPQ-20 4x4 мм

IR3087 Фазовая ИС с интегрированной VR-HOT и Optiphase™ технологией для применений с возможностью выключения фаз MLPQ-20 4x4 мм

IR3088A Фазовая ИС с интегрированной VR-HOT технологией и определением межфазного КЗ для применений с выходным напряжением до 5 В

MLPQ-20 4x4 мм

IR3507MPBF Фазовая ИС для AMD процессоров с параллельным или последовательным VID интерфейсом для программирования напряжения MLPQ-20 4x4 ммIR3519S/M 2A драйвер затвора MLPD-8, SON-8IR3508M Фазовая ИС XPhase3 для новейших процессоров и ASIC, индикатор нагрузки MLPQ-20IR3505M Фазовая ИС для Intel® или AMD® процессоров с 6-битным программированием напряжения MLPQ-16

преимущества IR– уникальная гибкость для поддержки от 1 до n фаз– уникальная технология «body braking control» позволила

в 2 раза увеличить скорость нарастания выходного напряжения на дросселе, значительно улучшить временные параметры переходных процессов и повысить КПД. Такая система управления выключает силовой транзистор при уменьшении тока нагрузки.

– новая технология управления и измерения тока дросселя для разделения тока по фазам вплоть до скважности в 100%

Микросхемы управления– поддержка VR11 и 8–битного VID и расширенного VR10 7–битного

кода– совместимость с 5–битным AMD Opteron VID кодом– программируемая скорость нарастания VID напряжения,

сохранение заряда выходного конденсатора в процессе снижения динамического VID

– программируемая частота переключения от 150 кГц до 1 МГц– программируемый мягкий старт – программируемый уровень защиты по току с задержкой для

предотвращения ложного срабатывания– контроль выходного напряжения и стабильности работы– питание от одиночного источника 12 В (IR3082A от 9.5 В)– регулятор опорного напряжения 6.8 В/5 мА– разрешающий входной сигнал

Фазовые микросхемы– средний управляющий ток затвором 2.5 А– измерение тока дросселя без потерь– термокомпенсация активного сопротивления встроенного

дросселя– программируемая задержка фазы– программируемый режим положительной обратной связи

по току– программируемая частота генератора до 1 МГц– токовый усилитель управляет распределительной токовой

шиной– компаратор защиты от повышенного напряжения

со временем отклика 100 нс (кроме IR3088A)– определение ошибки фазы– программируемая защита фазы от перегрева

www.irf.ru 29


ШиМ контроллеры CHiL для многофазных приложений

International Rectifier представила новую цифровую силовую платформу CHiL, которая значительно улучшает энергоэффективность преобразователей питания в различных приложениях, включая высокоэффективные серверы, настольные компьютеры и другие вычислительные применения. Контроллеры поддерживают конфигурацию от 1 до 8 фаз.

ШИМ контроллеры имеют напряжение питания 12 В, 5 В и 3.3 В без последовательного подключения. Для полной телеметрии и программирования предлагаются интерфейсы I2C, SMBus и PMBus.

При разработке устройств на DirectFET силовых транзисторах и интегрированных приборах PowIRstage контроллеры CHiL могут стать альтернативным решением с компактным дизайном и высокой плотностью монтажа. Контроллеры выпускаются в корпусах QFN с шагом выводов 0.4 мм.

Наим-е КонтроллерРазгон (повышение такт.

частоты)Кол-во выходов по

напр-юКол-во фаз Тип. конф-я I2C SMBus PMBus Корпус

IR3570A CPU / GPU + 2 5 4 + 1 + + + QFN 5 x 5

IR3567A CPU / GPU + 2 8 6 + 2 + + + QFN 7 x 7

IR3566A CPU / GPU + 2 7 6 + 1 + + + QFN 6 x 6

IR3565A CPU / GPU + 2 6 4 + 2 + + + QFN 6 x 6

IR3564A CPU / GPU + 2 5 3 + 2 + + + QFN 5 x 5

IR3563A CPU / GPU + 1 8 8 + + + QFN 6 x 6

IR3541A CPU + 2 5 4 + 1 + + + QFN 6 x 6

IR3541 CPU + 2 5 4 + 1 + + + QFN 6 x 6

IR3538A CPU + 2 8 7 + 1 + + + QFN 8 x 8

IR3538 CPU + 2 8 7 + 1 + + + QFN 8 x 8

IR3536A CPU + 2 6 5 + 1 + + + QFN 7 x 7

IR3536 CPU + 2 6 5 + 1 + + + QFN 7 x 7

IR3531A CPU - 2 5 4 + 1 – – – MLPQ-48

IR3531 CPU - 2 5 4 + 1 – – – MLPQ-48

CHL8328 CPU + 2 8 7 + 1 + + + QFN 8 x 8

CHL8326 CPU + 2 6 5 + 1 + + + QFN 7 x 7

CHL8325B CPU + 2 5 4 + 1 + + + QFN 6 x 6

CHL8325A CPU + 2 5 4 + 1 + + + QFN 6 x 6

CHL8318-20 CPU + 1 8 8 – + – QFN 8 x 8

CHL8318 CPU + 1 8 8 – + – QFN 8 x 8

CHL8316 CPU + 1 6 6 – + – QFN 7 x 7

CHL8314 CPU + 1 4 4 – + – QFN 7 x 7

CHL8266 GPU + 1 6 6 – + – QFN 7 x 7

CHL8228G GPU + 2 8 6 + 2 + + + QFN 8 x 8

CHL8225G GPU + 2 5 4 + 1 + + + QFN 6 x 6

CHL8225 GPU + 2 5 4 + 1 + + + QFN 6 x 6

CHL8214 GPU + 2 5 4 + 1 + – – QFN 6 x 6 ASE

CHL8213 GPU + 2 4 3 + 1 + – – QFN 6 x 6 ASE

CHL8212 GPU + 2 3 2 + 1 + – – QFN 5 x 5

CHL8203 GPU + 1 3 3 + – – QFN 5 x 5

CHL8113 CPU + 1 3 3 + – – QFN 5 x 5

CHL8112B CPU + 2 5 4 + 1 + + + QFN 6 x 6

CHL8112A CPU + 2 5 4 + 1 + + + QFN 6 x 6

CHL8104 CPU + 2 5 4 + 1 + – – QFN 6 x 6 ASE

CHL8103 CPU + 2 4 3 + 1 + – – QFN 6 x 6 ASE

CHL8102 CPU + 2 3 2 + 1 + – – QFN 5 x 5

ASP1212 CPU / GPU + 1 8 8 – + – QFN 8 x 8

www.irf.ru30


Микросхемы контроля питания (16)Микросхемы мониторинга выходной мощности или тока IR3721/IR3720 предназначены для низковольтных DC-DC преобразователей,

используемых для питания ноутбуков, компьютеров и серверов. Микросхема использует запатентованную технологию TruePower для сбора динамичной информации о выходной мощности с точностью до 2,5% (при работе до 65°C).

IR3721 измеряет мощность в динамическом режиме на стороне нагрузки стабилизатора напряжения. Технология TruePower позволяет устранить динамическую погрешность измерения, которая может достигать 30% в аналогичных решениях на базе раздельного мониторинга тока и напряжения и независимого аналого-цифрового преобразования. IR3721 имеет аналоговый выход, а IR3721 - цифровой, совместимый с SMBus и I2C интерфейсами.

принцип работыIR3721 контролирует ток дросселя выходного фильтра в понижающих или многофазовых конвертерах от 0.5 до 1.8 В при помощи

измерения тока шунта или сопротивления обмотки. Выходной сигнал микросхемы – модулированный сигнал с рабочим циклом, пропорциональным току дросселя. Аналоговое напряжение, пропорциональное мощности, можно получить, подключив VK к VO и соединив RC фильтр с DI.

преимущества IR– точность измерений динамической и статической мощности– повышение эффективности работы системы– экстраполяция тепловых режимов– минимизация мощности рассеяния

описание– мониторинг мощности по технологии TruePower: 2.5% точности, минимизация

динамических ошибок– разнообразие применения:

а) мониторинг мощности или тока на выходе DC–DC конвертера б) одно– и многофазные низковольтные понижающие конвертеры (0.5–1.8 В) в) измерение тока дросселя или шунта

– легкость интеграции в готовый конвертер– DFN–10 корпус 3х3 мм

Наим-еТочность статической

мощностиДиапазон вых. напр-я Напр-е на выводе Vcs Напряжение смещения Рабочая температура Тип корпуса

IR3721M 2.5% при 65°C 0.5 - 1.8 В5-150 мВ

+3.3 В, ±5% 0…125°C DFN-10

IR3720 3.3% 0.5 - 1.8 В +3.3 В, ±5% -10…150°C DFN-10

www.irf.ru 31


ШиМ-контроллеры для DC-DC конверторов с неизолированной структурой (15)Ядром любого источника питания являются специализированные микросхемы

управления силовыми транзисторами. В источниках питания средней и большой мощности используется широтно-импульсный режим управления транзисторами с помощью ШИМ контроллеров.

ШИМ контроллеры поддерживают требуемый уровень выходного напряжения, контролируют входное напряжение и состояние ключевых транзисторов, имеют мягкий старт, защищают от пробоя трансформатор и выходной выпрямитель, выдают сигнал ошибки и др.

Наим-еВходное напряжение

Vcc мин./макс., ВВыходное напряжение мин., В Выходное напряжение макс., В Выходной ток, А

Частота переключения ШИМ

Встроенные функции


IR3638S 4 / 25Программируемое

от 0.6 ВПрограммируемое

от 0.6 В–

фиксированная 400 кГц

- программируемый мягкий старт

- блокировка низкого напряжения питания

- защита выхода при КЗ транзистора

- усилитель неучтенной ошибки

- выходные драйверы транзисторов

SOIC-14 узкий

IR3629 4 / 30 программируемое программируемое –фиксированная

300 кГц- запуск со смещением

- защита по току - выключение при перегреве

MLPD-12

IR3629A 4 / 30 программируемое программируемое –фиксированная

600 кГцMLPD-12

IR3651S 4.5 / 13.2 программируемое программируемое 25 регулируемая

до 400 кГцSOIC-14 узкий

IR3628M 4 / 14 0.6 Vcc х 0.71 –фиксированная

600 кГцMLPD-12

IR3624M 4 / 14 0.6 Vcc х 0.71 10 фиксированная

600 кГцMLPD-10

IR3637S 4 / 25 0.8 Vcc х 0.85 15 фиксированная

400 кГцSOIC-8 узкий

IR3637AS 4 / 25 0.8 Vcc х 0.85 15 фиксированная

600 кГц SOIC-8 узкий

IRU3037CF 4 / 25 1.25 Vcc х 0.96 16 200 кГц




TSSOP-8

IRU3037CS 4 / 25 1.25 Vcc х 0.96 16 200 кГц SOIC-8 узкий

IRU3037ACF 4 / 25 0.8 Vcc х 0.95 15 400 кГц




TSSOP-8

IRU3037ACS 4 / 25 0.8 Vcc х 0.95 15 400 кГцSOIC-8 узкий

Многоканальные ШиМ контроллеры

Наим-е СхемаМин. входное

напряжение, ВМакс. входное напряжение, В

Мин. выходное напряжение, В

Макс. выходное напряжение, В

Частота переключения ШИМ


IR3623M2-канальный или 2-фазный синхронный

ШИМ контроллер8.5 14.5 200 кГц… 1.2 МГц MLPQ-32

IR3622AM2-канальный или 2-фазный синхронный

ШИМ контроллер6.7 16 0.8 Vcc х 0.84

регулируемая до 600 кГц

MLPQ-32

IR3622M2-канальный или 2-фазный синхронный

ШИМ контроллер6.7 16 0.8 Vcc х 0.84


MLPQ-32

IR3094M 3-фазный ШИМ контроллер 100…540 кГц MLPQ-48

IR3621FСдвоенный синхронный ШИМ контроллер

или 2-фазный одиночный выход4.7 16 0.8 Vcc х 0.90


TSSOP-28

IR3621MСдвоенный синхронный ШИМ контроллер

или 2-фазный одиночный выход4.7 16 0.8 Vcc х 0.90


MLPQ-32

одноканальные ШиМ контроллеры для синхронных импульсных стабилизаторов напряженияСинхронные понижающие конвертеры – это преобразователи, где вместо пары ключей транзистор-диод используются два

транзистора (в качестве второго – MOSFET с низким сопротивлением в открытом состоянии).

www.irf.ru32


источники питания на солнечных батареяхТрадиционно считалось, что IGBT транзисторы имеют высокие потери на переключение для использования в бесперебойных ИП

и солнечных инверторах. Новое семейство IGBT транзисторов International Rectifier меняет эту точку зрения. Сравнение четырех типов IGBT:

Наим-е Тип Скорость Напр-е насыщения кол.-эмит., ВВремя падения импульса,

нсСуммарные потери, мДж Заряд затвора, кНл

IRG4PC40SPBF планарный стандартная 1.2 700 8.0 100IRG4PC40FDPBF планарный высокая 1.5 270 4.0 100IRG4PC40UDPBF планарный сверхвысокая 1.7 130 1.8 100IRGP4063DPBF Trench сверхвысокая 1.6 40 1.2 95

Специализированные Trench IGBT транзисторы 600 В для UPS и инвертеров на солнечных батареях до 3 кВт уменьшают мощность рассеивания на 30%. Такие транзисторы имеют малые потери на проводимость и переключение и оптимизированы для работы на частотах 20 кГц без защиты от КЗ, что позволяет достичь высокого КПД.

Интегрированные со сверхбыстрым диодом, Trench IGBT транзисторы имеют низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(ON)) и малые суммарные потери на переключение (ETS), чем punch-through (PT) и non-punch-through (NPT) транзисторы. Кроме того, встроенные диод с мягким восстановлением повышает эффективность и уменьшает ЭМП.

преимущества– низкие потери на проводимость и переключение– максимальная температура перехода 175˚C– квадратная область безопасной работы– 100% тестирование от защелкивания при

индуктивной нагрузке– повышенная плотность тока для аналогичного

корпуса

Наим-е Корпус Напр-е, В Номинальный ток, А Напр-е насыщения кол-эмиттер, В Суммарные потери при номин.токе

IRGB4059D TO-220 600 4.0 2.20 210IRGB4045D TO-220 600 6.0 2.14 329IRGB4060D TO-220 600 8.0 1.95 405IRGB4064D TO-220 600 10.0 2.00 415IRGP4063D TO-247 600 48.0 2.10 3210

International Rectifier предлагает плату IRSOLWIB для разработки DC-AC инвертеров для солнечных батарей, UPS и частотных инвертеров.

500 Вт плата DC-AC инвертера на IGBT для солнечных элементов питанияПреобразует постоянное напряжение в чистый синусоидальный сигнал на выходеПолномостовая топологияРазработана на мощность до 500 Вт без использования принудительного обдуваСодержит:IRGB4062DPBF (600 В/24 A Trench IGBT) IGBTs высокого плечаIRG4BC20SD-PBF (600 В/10A S-тип планарный IGBT) IGBTs нижнего плечаIRS2106S (600 В микросхема полумостового драйвера)

www.irf.ru 33


транзисторы для маломощных применений

корпус TSOP-6 Маломощные TSOP-6 транзисторы предназначены для маломощных применений, включающих коммутацию нагрузки, ключи в

блоках зарядки и разрядки для защиты аккумуляторов, а также ключи инвертеров. Транзисторы имеют низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) для уменьшения потерь на проводимость и выпускаются на номинальное напряжение 20 и 30 В в N и P конфигурации с максимальным напряжением затвора 12-20 В.

Благодаря низкому сопротивлению канала транзисторы могут использоваться для замены MOSFET в более габаритных корпусах для экономии пространства планы и уменьшения себестоимости разработки.

Наим-е Напр-е пробоя, В Макс. напр-е затвора, В Макс. ток стока, А Тип./макс. RDS(on), мОм

10В 4.5В 2.5В

IRFTS9342 -30 20 5.9 31/39 53/66 - IRLTS2242 -20 12 6.9 - 26/32 45/55 IRLTS6342 30 12 7.8 - 12/20 15/24 IRFTS8342 30 20 8.2 15/19 22/29 -

корпус PQFN2x2 Транзисторы имеют высокую плотность мощности и хорошую эффективность при применении в маломощных устройствах,

таких, как мобильные телефоны, таблеточные компьютеры, видеокамеры, цифровые статические камеры, ноутбуки, сервера и сетевое оборудование. В семейство приборов PQFN2x2 входят Р-канальные транзисторы, оптимизированные для использования в качестве верхнего ключа.

С площадью монтажа всего 4 кв.мм, транзисторы в корпусах PQFN2x2 доступны на напряжения 20, 25 и 30 В в модификациях со стандартным и логическим управлением затвором. Приборы разработаны на основе инновационной низковольтной N/P-канальной кремниевой технологии, позволяющей сократить сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) и повысить плотность мощности. Данные параметры не уступают транзисторам в корпусах PQFN3.3x3.3 или PQFN5x6 мм.

Наим-е Напр-е пробоя, В Макс. напр-е затвор-исток, В Тип. / Макс. сопр-е RDS(on), 10 В, мОм

Тип. / Макс. сопр-е RDS(on), 4.5 В, мОм

Тип. / Макс. сопр-е RDS(on), 2.5 В, мОм

IRFHS9301 -30 -20 30 / 37 48 / 60 -IRLHS2242 -20 -12 – 25 / 31 43 / 53IRLHS6242 20 12 – 9.4 / 11.7 12.4 / 15.5IRLHS6342 30 12 – 12 / 16 15 / 20IRFHS8242 25 20 10 / 13 17 / 21 –IRFHS8342 30 20 13 / 16 20 / 25 –

Двухканальные PQFNИмея два силовых транзистора в одной корпусе, новые сдвоенные приборы имеют преимущества как в полумостовой

топологии, так и в схемах с общим стоком. Транзисторы отличаются сверхнизкими потерями, IRLHS6276, например, интегрирует два транзистора, каждый из которых имеет сопротивление канала в открытом состоянии RDS(on) 33 мОм на площади 4 кв.мм.

Наим-е Корпус Напр-е пробоя, В Макс. напр-е затвор-сток, В Тип. / Макс. сопр-е

RDS(on) при 10 В, мОм Тип. / Макс. сопр-е

RDS(on) при 4.5 В, мОм Тип. / Макс. сопр-е

RDS(on) при 2.5 В, мОм

IRFHS9351 PQFN 2x2 -30 +/- 20 135 / 170 235 / 290 –IRLHS6276 PQFN 2x2 +20 +/- 12 – 33 / 45 46 / 62IRLHS6376 PQFN 2x2 +30 +/- 12 – 48 / 63 61 / 82IRFHM8363 PQFN 3.3x3.3 +30 +/- 20 12 / 15 16 / 21 –

корпус SOT-23Транзисторы SOT-23 отличаются улучшенными параметрами токовой нагрузки, что удалось достичь благодаря уменьшению

сопротивления канала RDS(on) на 90%. Линейка полевых транзисторов SOT-23 охватывает широкий диапазон рабочего напряжения от – 30 до 100 В с различными уровнями сопротивления RDS(on) и заряда затвора (Qg), что позволит разработчикам выбрать оптимальный прибор для решения конкретных задач без дополнительных материальных затрат.

Наим-е Напр-е пробоя, В Макс.ток стока, 25°CСопр-е RDS(on) (10 В), мОм, тип./

макс.Сопр-е RDS(on) (4.5 В), мОм,

тип./макс.Заряд затвора, тип.

IRLML9301TRPBF -30 3.6 A 51 / 64 82 / 103 4.8 нКлIRLML9303TRPBF -30 2.3 A 135 / 165 220 / 270 2.0 нКлIRLML0030TRPBF 30 5.2 A 22 / 27 33 / 40 2.6 нКлIRLML2030TRPBF 30 2.7 A 80 / 100 123 / 154 1.0 нКлIRLML0040TRPBF 40 3.6 A 44 / 56 62 / 78 2.6 нКлIRLML0060TRPBF 60 2.7 A 78 / 92 98 / 116 2.5 нКлIRLML2060TRPBF 60 1.2 A 356 / 460 475 / 620 0.4 нКлIRLML0100TRPBF 100 1.6 A 178 / 220 190 / 235 2.5 нКл

картинка: http://www.irf.com/graphics/news12/pr120419.jpghttp://www.irf.com/graphics/news11/pr110714.jpg

www.irf.ru34


интеГрированная платФорМа разработки привоДа IMOTION:

циФровое управление – аналоГовые коМпоненты – силовая часть

Микросхемы коррекции коэффициента мощности (3)Цифровые микросхемы управления (27)IGBT транзисторыTrench IGBT транзисторы (10)Силовые MOSFET транзисторы (17)Микросхемы ток-сенсоров (9)Высоковольтные драйверы затворов (26)Интеллектуальные силовые модули (11)

iMOTION – это интегрированная платформа для проектирования бездатчиковой системы векторного управления электроприводом на базе синхронных двигателей с постоянными магнитами. Применение согласованного комплекта микросхем, транзисторов и контроллеров позволяет максимально оптимизировать работу схемы и сократить время разработки и тестирования изделия.

Как известно, асинхронные двигатели с постоянной скоростью вращения не отвечают современным требованиям, предъявляемым к данному классу устройств. Разработка системы регулирования скорости вращения асинхронных двигателей является постоянной «головной болью» разработчиков. С одной стороны, синхронные двигатели с постоянными магнитами (вентильные) составляет экономичную альтернативу асинхронным двигателям, позволяя на 90% увеличить КПД. Но с другой стороны, необходимость использования датчика положения ротора значительно увеличивала стоимость изделия и требовала использования сложных программных средств.

Компания IR разработала бездатчиковый алгоритм управления синхронными вентильными двигателями.Платформа iMOTION компании IR предоставляет все необходимые компоненты для разработки завершенной системы

управления двигателями с регулируемой скоростью вращения - от входного каскада подачи питания до подключения к двигателю с поддержкой средств разработки, отладки и проектирования.

Используя платформу iMOTION, вы сможете:– сократить срок разработки системы управления электроприводов до нескольких дней,– повысить эффективность без увеличения стоимости разработки,– разработать недорогой и высококачественный электропривод.

www.irf.ru 35


контроллеры управления (27)Контроллер с регулятором частоты является самым дорогостоящим звеном системы управления электроприводом.

Производители стремятся сократить его стоимость путем упрощения структуры и уменьшения встроенных функциональных возможностей. Однако такие компоненты требуют программной доработки и программирования.

Новое решение IR – встроенный алгоритм управления iMOTION, где программирования сводится к простому вводу рабочих параметров в интерфейсе меню. Теперь разработка электропривода станет доступной и для инженеров, не имеющих большой опыт в проектировании и программировании.

Ядром платформы iMOTION являются контроллеры IRMCF3xx и IRMCK3xx. Они интегрируют в одном корпусе:1) Блок управления двигателем (Motion Control Engine™, MCE) содержит векторный алгоритм управления двигателями с ПМ без

датчика ротора, освобождая разработчика от написания сложного программного кода управления.2) Блок аналоговой обработки (Analog Signal Engine™, ASE) интегрирует все схемы усиления и преобразования сигнала для

бездатчикового контроля с помощью одного безиндуктивного шунта. Блок MCE реализует алгоритм контроля момента за 11 мкс, что позволяет одновременно управлять как двигателем, так и схемой коррекции мощности.

3) Микроконтроллер прикладного уровня 8051 управляет работой всей системы независимо от блока MCE. Простое программное обеспечение позволяет разработчику оценить работу контроллера и изменить ее под необходимый алгоритм, в зависимости от специфики применения. Таким образом, заботой разработчика теперь становится не управление приводом, а решение задач оптимизации системы под конечный продукт.

IRMCF3xx – единственные приборы своего класса, которые осуществляют управление сразу тремя системами электропривода.

преимущества IR– упрощение дизайна– сокращение сроков разработки– не требуют внешнего

микроконтроллера

область применения– кондиционеры и сплит–системы– стиральные машины– вентиляторы и насосы

особенности– ККМ и управление двумя двигателями с ПМ

без датчиков ротора– не требуют программирования– пользовательское программирование через

встроенный микроконтроллер 60 MIPs

Наим-еПредназначены для

управленияУправление двигателем Аналоговая часть Память

Входы/

выходыИнтерфейс Тип корпуса

IRMCF312Кондиционерами

воздуха

2 двигателя1 ККМ

Доп. входы/выходы для системных функций

12 бит АЦП11 каналов

POR*UVLO**

Аналоговый сторож. таймер

48 кБ RAM памяти программ8 кБ RAM памяти данных

36 цифр. вх./вых.

1 таймер захвата

4 таймера

2 х RS-232 I2C/SPI

QFP-100

IRMCK31256 кБ OTP памяти программ

8 кБ RAM памяти данных

IRMCF311

Кондиционерами воздуха

2 двигателя1 ККМ

Миним.число выводов для управления

приводом


PORUVLO





4 таймера

2 х RS-232 I2C/SPI

QFP-64



IRMCF343

Компрессорами

1 двигатель1 ККМ

Доп. входы/выходы для системных функций


POR UVLO





4 таймера

RS-232 I2C/SPI

QFP-64



IRMCF341 Приводом стиральных

машин

1 двигатель Доп. входы/выходы для

системных функций


PORUVLO





4 таймера

RS-232 I2C/SPI

QFP-64



IRMCF371Насосами и

вентиляторами до 300 Вт

1 двигатель Доп. входы/выходы для

системных функций

12 бит АЦП4 канала

PORUVLO


48 кБ RAM памяти программ8 кБ RAM памяти данных 6 цифр. вх./вых.


4 таймера

RS-232 I2C/SPI

QFP-48



*POR (power-on-reset) – функция сброса по питанию; **UVLO – блокировка при понижении напряжения

www.irf.ru36


интеллектуальные силовые модули IRAM (11)Интеллектуальные силовые модули (IPM) – это интегрированные устройства, в

компактном корпусе которых установлены микросхема трехфазного драйвера и NPT IGBT транзистор. IPM модули входят в семейство iMOTION, и с небольшим количеством внешних компонентов образуют завершенную систему управления маломощным приводом. Удобство и легкость схемотехники выгодно отличает такую систему от многодискретных решений.

Если модули других производителей основаны на trench транзисторах, то NPT технология IR обладает большими Преимуществами:

– работа на частотах ШИМ до 20 кГц– прямоугольная зона безопасной работы– малые потери при выключении– отсутствие акустических шумов при работе на высоких частотах– увеличение диапазона регулировки скорости.IPM модули IR отличаются от конкурентных приборов технологией корпусирования, они выполнены в SIP корпусах, которые

благодаря различной формовке выводов допускают различное расположение платы относительно теплоотвода модуля. IPM модули IR имеют полный комплекс защитных функций: защиту от КЗ, перегрева, перегрузки по току, понижения напряжения

управления, измерение температуры двигателя. Высокий уровень защиты модулей обеспечивает бесперебойную работу силовой части оборудования. Другие интегрированные функции – бутстрепный диоды для управления высоким плечом транзисторов, однополярный источник питания – позволяют упростить топологию схемы электропривода.

Для построения законченной схемы управления 3–хфазным двигателем на основе интеллектуальных модулей IR требуется минимальное число внешних компонентов: цифровой контроллер IR, три бутстрепных конденсатора, сетевой фильтр, токовые шунты и интерфейс для передачи сигнала FAULT на микроконтроллер.

особенности– встроенный драйвер управления ключами– изолированная металлическая подложка для уменьшения ЭМП– оптимизированы для приводов мощностью до 2.2 кВт– эмулятор работы www.irf.com/design–center/ipm– заменяют более 20 дискретных компонентов силовой части– уменьшение площади платы– сокращение времени разработки и наладки– уменьшение стоимости и времени сборки– повышение надежности по сравнению

с дискретными решениями– не требуют дополнительной изоляции– отладочная плата

конфигурации модулей2 конфигурации для реализации токовой обратной

связи:– конфигурация «А» с открытым эмиттером

нижних ключей инвертора: гибкость дизайна для подключения токоизмерительных резисторов, интегрированная схема измерения температуры с запуском сигнала ошибки

– конфигурация «В» с интегрированным токовым шунтом: шунт установлен на нулевой шине инвертора, интегрированная схема измерения температуры с запуском сигнала ошибки

IPM модули в корпусе SIP 600 в

IPM модуль Встроенный драйвер Тип. нагрузка, ВтНоминальный ток

(25°С), АНоминальный ток

(100°С), АЧастота ШИМ,

кГц

Уровень срабатывания

защиты по току

Мощность привода (85-253 В), кВт


IRAMS06UP60A(-2) IR21365 400 6 3

20

программ. 0.1-0.5

SIP1 IRAMS06UP60B(-2) IR21363 400 6 3 9.8A SIP1 IRAMS10UP60A(-2) IR21365 750 10 5 программ.

0,4-0,75SIP1

IRAMS10UP60B(-2) IR21363 750 10 5 14.8A SIP1 IRAMX16UP60A(-2) IR21365 1500 16 8 программ.

0,75-2,2SIP2

IRAMX16UP60B IR21363 1500 16 8 27.1A SIP2 IRAMX20UP60A IR21365 2500 20 10 программ.

0,75/1,5SIP2

IRAMY20UP60B IR21363 2500 20 11.5 28.8A SIP3 IRAM136-3063B IR21363 3000 30 15 выкл. 3.3 SIP3IRAM136-3023B IR21365 750 30 15 выкл. 4.0 (48-100 VDC) SIP3

–40….150°С

IPM модули в корпусе MiniSIP 500 в

IPM модуль Топология Номинальный ток (25°С), А Номинальный ток (100°С), А Мощность привода, Вт Частота переключения, кГц Тип корпуса

IR3101 Полумостовой FredFET* транзистор

с драйвером

2 1.3 250 20 SIP-9

IR3103 0.7 180 30 SIP-9

* HEXFET транзистор с быстродействующим диодом с малым временем восстановления

область применения– стиральные машины– комнатные и настенные кондиционеры– управление компрессорами– вентиляторы– маломощный промышленный привод

www.irf.ru 37


высоковольтные микросхемы драйверов (HVICs) (26)– HVIC – это микросхемы драйверов, которые преобразовывают слаботочный сигнал управляющей микросхемы с его

последующим усилением в сигналы управления одним или более ключами (MOSFET или IGBT транзисторами)– многие устройства управления электроэнергией (освещением, электроприводом и др.) требуют одного или нескольких

ключей между землей и питанием. Потенциал затвора верхнего ключа намного превышает потенциалы сигналов управляющей микросхемы, поэтому необходима технология обеспечения высоковольтного сдвига уровня (плавающий выходной потенциал).

– компания IR разработала уникальную технологию реализации системы управления транзисторными ключами (СУТК) с плавающим потенциалом, высокая степень интеграции таких микросхемы сочетается с компактность, надежностью и доступностью изделий.

Микросхемы драйверов HVIC – это простое, малогабаритное и недорогое решение для управления MOSFET и IGBT транзисторами до 1200 В в приложениях мощностью до 12 кВт. Построение схемы на драйверах IR позволит на 30% снизить число комплектующих и в 2 раза сократить объем платы по сравнению с дискретными решениями на оптопарах и трансформаторах. С помощью всего нескольких внешних компонентов обвязки микросхемы драйверов обеспечивают полный цикл управления при сверхвысоких рабочих частотах, высокой стойкости к пробою и малой мощности потребления.

Микросхемы драйверов генерируют необходимые для включения и выключения транзисторов ток и напряжение, поступаемые с логического выхода процессора, микроконтроллера или другого логического устройства (2.5/3.3 В). Все драйверы IR совместимы с выходными сигналами CMOS, а большинство из них – с TTL логикой. Уровень выходных токов достигает 2 А.

преимущества IR– время задержки менее 500 нс гарантирует работу на частотах до 100 кГц– увеличение контроля над скоростью и крутящим моментом двигателя– малая мощность рассеяния– в сравнении с оптопарами и трансформаторами уменьшение на 30% числа

комплектующих и на 50% площади платы– не требуют дополнительных источников питания– в 10 раз превосходят по согласованию задержки (±50 нс)– отсутствует деградация параметров в процессе эксплуатации– быстрая защита при токовой перегрузке

(1.5 мкс вместо 6 мкс)

– уменьшение ЭМП и выбросов напряжения

особенности HVIC– драйверы MOSFET и IGBT 600 В и 1200 В в монолитном корпусе

микросхемы– управление от логических сигналов любого уровня (от 2.5 В)– унификация драйверов по назначению и расположению выводов– различные конфигурации микросхем драйверов– выходной ток до +2/–2 А обеспечивает быстрое переключение– встроенные функции защиты и схемы обратной связи– управление временем задержки– стойкость к отрицательному напряжению переходных процессов– стойкость к защелкиванию и скорости нарастания напряжения

до 50 В/нс (dV/dt) – мягкий старт– недорогое бутстрепное питание (диод и конденсатор)– совместимость по входу с CMOS и LSTTL выходами1. упрощение дизайна схемы

Управление MOSFET или IGBT верхнего плеча в полумостовых или трехфазных инверторных схемах часто сопряжено с определенными проблемами, поскольку напряжение затвора соединено с источником, а не с землей. Напряжение истока и затвора находится в плавающем состоянии относительно земли вплоть до максимального уровня напряжения питания. Компания IR использует запатентованную технологию сдвига для работы в высоковольтных приложениях и является единственным производителем драйверов для 1200 В транзисторов.

Благодаря высокой функциональности такие микросхемы позволяют значительно упростить дизайн схемы. Благодаря сверхмалому собственному току потребления питание драйвера может осуществляться с помощью недорогого бутстрепного каскада, в то время как схемы на оптопарах требуют дополнительних источников питания.

Некоторые драйверы IR имеют дополнительную возможность одноканального или двухканального программирования времени задержки (драйверы верхнего и нижнего плеча, а также 3-хфазные драйверы), что предоставляет определенную свободу разработчику, а также минимизирует встречную проводимость.

2. высокая надежностьДрайверы затвора были специально разработаны для систем управления электроприводом. Режим мягкого выключения

ограничивает выбросы напряжения и тока, а также уменьшает уровень помех. Также, микросхемы отличаются стойкостью к нарастанию напряжения (dV/dt) до 50 В/нс и нечувствительностью к выбросам отрицательного напряжения переходных процессов. Все драйверы имеют блокировку при понижении управляющего напряжения, предотвращая аварийные ситуации в процессе включения и выключения питания. Выходной каскад драйверов имеет буфер импульсных токов, который минимизирует перекрестную проводимость.

Защита от шумов является важным моментом защиты высокого плеча транзистора с плавающим потенциалом, используемых для управления приводом. Помехозащищенность исключает возможность случайного открывания MOSFET или IGBT транзистора благодаря использованию входных триггеров Шмитта. Дополнительную защиту от помех гарантирует разделение выводов логики и земли (в 14-выводных 600 В драйверах).

3. высокая скорость переключенияПо сравнению с решениями на оптопарах драйверы IR имеют в 10 раз лучшее согласование времени задержки между включением

транзисторов верхнего и нижнего плеча (±50 нс). Это позволит разработчикам увеличить скорость работы и управление крутящим моментом двигателя. Быстрое переключение, в свою очередь, сокращает потери мощности и позволяет использовать все Преимущества быстродействующих IGBT транзисторов.

область применения

– электропривод– электронные балласты ламп– импульсные источники питания– автомобильная электроника– плазменные панели

www.irf.ru38


Мостовые драйверы для схем управления 3-фазным мостовым инверторомДрайверы управления трехфазным мостовым инвертором отличаются высокой степенью интеграции, что позволяет на 30%

уменьшить число компонентов схемы и в 2 раза сократить площадь платы. Они содержат три каскада управления верхнего плеча и три каскада управления нижнего плеча транзисторов, а также набор функций защиты. Некоторые модели содержат дополнительный канал управления тормозным транзистором (чоппером).

Микросхемы мостовых драйверов позволяет разработчикам увеличить эффективность схемы по сравнению с традиционными оптопарами и трансформаторами. Благодаря задержке между переключениями верхнего и нижнего транзисторов (менее 500 нс) схема может работать на частотах до 100 кГц. Микросхемы драйверы предназначены для работы во входных инверторах 110-360 В маломощного электропривода до 2 кВт. Микросхемы выпускаются в корпусах PDIP-28, PLCC-44, MQFP-64, SOIC-28 и др.

Наим-еСовм-сть

с логикой, В

Управляющее напр-е на затворах, В

Вых. ток КЗ верх./нижнего плеча, мА

Встроенный бутстрепный диод

Выход токового усилителя

Инвертир-ные входы логики

Дополн. функции

Драйверы 600 В

IR2130 2.5 10–20 250 / 500 – есть все UVLO, FAULT, OCP, SG IR2132 2.5 10–20 250 / 500 – есть все UVLO, FAULT, OCP, SGIR2133 2.5 10–20, 12–20 250 / 500 – есть все UVLO, FAULT, OCP, SG, SDIR2135 2.5 10–20, 12–20 250 / 500 – есть все UVLO, FAULT, OCP, SG, SDIR2136 3.3 10–20 200 / 350 – – все UVLO, FAULT, OCP, SG, SDIR21362 3.3 11.5–20 200 / 350 – – низкие UVLO, FAULT, OCP, SG, SDIR21363 3.3 12–20 200 / 350 – – все UVLO, FAULT, OCP, SG, SDIR21364 3.3 11.5–20 200 / 350 – – все UVLO, FAULT, OCP, SG, SDIR21365 3.3 12–20 200 / 350 – – все UVLO, FAULT, OCP, SG, SDIR21366 3.3 12–20 200 / 350 – – все UVLO, FAULT, OCP, SG, SDIR21367 3.3 12–20 200 / 350 – – все UVLO, FAULT, OCP, SG, SDIR21368 3.3 10–20 200 / 350 – – все UVLO, FAULT, OCP, SG, SDIRS2330D 3.3 10–20 200 / 420 есть есть все UVLO, FAULT, OCP, SD, OTPIRS2332D 3.3 10–20 200 / 420 есть есть все UVLO, FAULT, OCP, SD, OTPIRS23364D 3.3 12–20 180 / 330 есть – – UVLO, FAULT, OCP, SG, SDIRS2334 3.3/5 10-20 200 / 350 есть - все UVLO, IF, STPIRS2336 3.3 10–20 180 / 330 есть – все UVLO, FAULT, OCP, SG, SDIRS26302DJ 3.3 10–20 200 / 350 есть – все UVLO, FAULT, OCP, SG, SD, BRAKEIRS26310DJ 3.3 12–20 200 / 350 есть – – UVLO, FAULT, OCP, SG, SD

Драйверы 1200 В

IR2233 2.5 10–20, 12–20 250 / 500 – есть все UVLO, FAULT, OCP, SG, SDIR2235 2.5 10–20, 12–20 250 / 500 – есть все UVLO, FAULT, OCP, SG, SD

ОСР – защита от перегрузки по току UVLO – защита от падения напряжения основного питания и питания верхних каскадов (выводы Vcc и Vbs) SD – вход выключения выходных сигналов BRAKE – каскад управления тормозным транзистором FAULT – сигнал ошибки для внешнего управления SG – разделение земли питания и управленияOTP – защита от перегреваSTP – защита от одновременного открытия двух каналовIF – входной фильтр для улучшения симметрии сигналов входа/выхода

Драйверы с расширенными защитными функциямиСиловые части с использованием IGBT и MOSFET транзисторов должны быть защищены от аварийных ситуаций (короткое

замыкание, токовая перегрузка или потеря шины нулевого потенциала). Особую опасность для мостовых схем представляет пробой выхода усилителя на заземленный корпус, когда ток перегрузки течет мимо измерительного резистора и встроенные схемы защиты не срабатывают. Раньше функция защиты от потери земли была доступна только в дорогостоящих high-end системах. Однако новые микросхемы драйверов IR позволят инженерам применить эти возможности и для промышленных электроприводов выпускаемых массовыми серийми.

Встроенная схема контроля напряжения насыщения коллектор-эмиттер определяет выход затвора из режима насыщения и обеспечивает все виды защиты от перегрузки по току, включая защиту от потери земли. В этом случае драйвер выключает в мягком режиме все 6 выходов. Разделение каналов включения и выключения затвора позволяет оптимизировать потери переключения.


смещения, В

Совмест-ть с логикой,

В

Управл. напряж-е на затворах,

В


Мягкое выкл-е

Программ. время задержки,

нс

Опред-е выхода из

насыщения

Драйвер тормозного транзистора

Обратная связь по

напряж-ю

Инверт. входы логики

Трехфазные драйверы

IR2238Q 1200 2.5 12.5–20 350 / 540 есть 100–5000 есть есть есть высокие

Полумостовые драйверы

IR2114 600 2.5 10.4–20 2000 / 3000 есть 330 есть – – –IR21141 600 2.5 10.4–20 2000 / 3000 есть 330 есть – – –IR2214 1200 2.5 10.4–20 2000 / 3000 есть 330 есть – – –IR22141 1200 2.5 10.4–20 2000 / 3000 есть 330 есть – – –

www.irf.ru 39


полумостовые драйверыДрайверы высоковольтных быстродействующих транзисторов с зависимыми выходными каналами нижнего и верхнего плеча

для полумостовых приложений.

HVIC G5 HVIC Напр-е смещения, В Кол-во входовВых. ток КЗ верх./

нижнего плеча, мА

Управляющее напряжение на

затворах, В

Совмест-ть с логикой,

В

Программ. время задержки

Допол. функцииИнверт. выход

IRS2003 – 200 2 290 / 600 10–20 3.3, 5, 15 UVLO низкий

IRS2004 – 200 1 290 / 600 10–20 3.3, 5, 15 SD, UVLO SD

IRS2103 IR2103 600 2 290 / 600 10–20 3.3, 5, 15 UVLO низкий

IRS2104 IR2104 600 1 290 / 600 10–20 3.3, 5, 15 SD, SG, UVLO

IRS2108 IR2108 600 2 290 / 600 10–20 3.3, 5, 15 UVLO высокий

IRS21084 IR21084 600 2 290 / 600 10–20 3.3, 5, 15 SG, OCP, UVLO высокий

IRS2109 IR2109 600 1 290 / 600 10–20 3.3, 5, 15 SD, UVLO

IRS21091 IR21091 600 1 290 / 600 10–20 3.3, 5, 15 есть SD, UVLO

IRS21094 IR21094 600 1 290 / 600 10–20 3.3, 5, 15 есть SD, SG, UVLO

IRS2111 IR2111 600 1 290 / 600 10–20 10–20 UVLO

IRS2183 IR2183 600 2 1900 / 2300 10–20 3.3, 5 UVLO низкий

IRS21834 IR21834 600 2 1900 / 2300 10–20 3.3, 5 есть SG, UVLO низкий

IRS2184 IR2184 600 1 1900 / 2300 10–20 3.3, 5 SG, UVLO

IRS21844 IR21844 600 1 1900 / 2300 10–20 3.3, 5 есть SG, UVLO

IRS2304 IR2304 600 2 290 / 600 10–20 3.3, 5, 15 UVLO

– IR2302 600 1 200 / 350 5–20 3.3, 5, 15 SD, UVLO

IRS2308 IR2308 600 2 290 / 600 10–20 3.3, 5, 15 UVLO

IRS2608DS – 600 2 200 / 350 10–20 3.3, 5, 15 BRAKE, UVLO низкий

IRS2609DS – 600 2 200 / 350 10–20 3.3, 5, 15 SD, BRAKE, UVLO

ОСР – защита от перегрузки по току UVLO – защита от низкого напряжения основного питания и питания верхних каскадов (выводы Vcc и Vbs) SD – вход выключения выходных сигналов BRAKE – каскад управления тормозным транзистором SG – разделение земли питания и управления

одноканальные драйверы верхнего/нижнего плечаДрайверы предназначены для управления затвором MOSFET или IGBT транзистора с коммутацией по верхнему или нижнему

уровню.

HVIC G5 HVICНапр-е смеще-

ния, ВВых. ток КЗ верх./нижнего

плеча, мА

Управляющее напряжение на затворах,

В

Совместимость с логикой, В

Допол. функции Инвертированный выход

IR20153 – 150 400 / 1500 5–20 3.3 SD, UVLO, BRAKE есть

IR2117 IRS2117 600 290 / 600 10–20 15 UVLO –

IR2118 IRS2118 600 290 / 600 10–20 15 UVLO есть

– IRS21171S 600 290 / 600 10–20 15 UVLO –

Драйверы со встроенными ток–сенсорами

IR2125 – 500 1000 / 2000 12–18 2.5, 5, 15 SD, UVLO, FAULT, OCP –

IR2127 IRS2127 600 290 / 600 12–20 2.5, 5, 15 UVLO, FAULT, OCP –

IR21271 IRS21271* 600 250 / 500 9–20 3.3, 5, 15 UVLO, FAULT, OCP –

IR2128 IRS2128 600 250 / 500 12–20 2.5, 5, 15 UVLO, FAULT, OCP есть

– IRS21281* 600 250 / 500 9–20 3.3, 5, 15 UVLO, FAULT, OCP есть

*для автомобильной электроники

ОСР — защита от перегрузки по току UVLO — защита от падения напряжения основного питания и питания верхних каскадов (выводы Vcc и Vbs) SD — вход выключения выходных сигналов BRAKE — каскад управления тормозным транзистором SG — разделение земли питания и управления

PD - согласованная задержка прохождения сигнала

www.irf.ru40


независимые драйверы Полумостовые драйверы могут иметь независимые входы верхнего и нижнего плеча или запрещать одновременное включение

обоих транзисторов полумоста. Как правило, такие микросхемы формируют время задержки переключения (tdt

), необходимое для исключения сквозных токов. Время t

dt может быть фиксированным или задаваться с помощью внешних элементов. Время

задержки включения/выключения для каналов драйвера должно быть согласовано, уровень согласования указывается в технических характеристиках.

независимые драйверы верхнего и нижнего плеча

HVIC G5 HVIC Напр-е смещения, ВВых. ток КЗ верх./нижнего

плеча, мАУправляющее напряже-

ние на затворах, ВСовместимость с

логикой, ВДоп. функции

Инвертиро-

ванный выход

IR2010 200 3000 / 3000 10-20 3.3 SD, SG, UVLO

все

IR2011 IRS2011 200 1000 / 1000 10-20 3.3, 5 UVLO

IR2101 IRS2101 600 210 / 600 10-20 3.3, 5, 15 UVLO

IR2102 600 210 / 600 10-20 3.3, 5, 15 UVLO

IR2106 IRS2106 600 290 / 600 10-20 3.3, 5, 15 UVLO

IR21064 IRS21064 600 290 / 600 10-20 3.3, 5, 15 UVLO, SG

IR2110 IRS2110 500 2500 / 2500 10-20 3.3 SD, UVLO, SG

IR2112 IRS2112 600 290 / 600 10-20 3.3 SD, UVLO, SG

IR2113 IRS2113 600 2500 / 2500 10-20 3.3 SD, UVLO, SG

IR2181 IRS2181 600 1900 / 2300 10-20 3.3, 5 UVLO

IR21814 IRS21814 600 1900 / 2300 10-20 3.3, 5 UVLO, SG

IR2213 1200 2000 / 2500 12-20 3.3 SD, UVLO, SG

IR2301 600 200 / 350 5-20 3.3, 5, 15 UVLO

IRS2001 200 290 / 600 10-20 3.3, 5, 15 UVLO

IRS2186 600 4000 / 4000 10-20 3.3, 5 UVLO

IRS21864 600 4000 / 4000 10-20 3.3, 5 UVLO, SG

IRS21952* 600 500 / 500 10-20 5 UVLO, SG

IRS21953* 600 500 / 500 10-20 5 UVLO, SG

IRS2607DS 600 200 / 350 10-20 3.3, 5, 15 UVLO, BRAKE

IRS2113M 600 2500 / 2500 10-20 3.3 UVLO, PD

–IRS21814M 600 1900 / 2300 10-20 3.3, 5 UVLO, PD

IRS21844M 600 1900 / 2300 10-20 3.3, 5 UVLO, PD

IRS2001M 200 290 / 600 10-20 3.3, 5, 15 UVLO, PD

*Драйверы с двумя выходами нижнего уровня, соединенные общей землей

независимые трехфазные драйверы

Наим-е Напр-е смеще-ния, ВВых. ток КЗ верх./нижнего

плеча, мА

Управляющее напряжение

на затворах, В


Допол. функции Инвертированный выходТип

корпуса

IR2131IR2131JIR2131S

600 250 / 500 10-20 2.5SD, SG, OCP, UVLO, FAULT

всеDIP-28

SOIC-28PLCC-44

Драйверы верхнего ключа

Наим-е Число каналов Напр-е смеще-ния, ВВых. ток КЗ верх./нижнего

плеча, мА

Управляющее напряже-ние

на затворах, В


Допол. функции Инвертированный выход

IRS21850 1 600 4000 / 4000 10–20 3.3, 5 UVLO –

IRS21853 2 600 2000 / 2000 10–20 3.3 UVLO –

Драйверы нижнего ключа

Наим-еНапр-е смеще-

ния, ВКол-во входов/выходов


Управляющее напряже-ние на затворах, В


Инвертированный выход Допол. функции

IR4426 – 2/2 2300 / 3300 6–20 3.3 все –

IR4427 – 2/2 2300 / 3300 6–20 3.3 – –

IR4428 – 2/2 2300 / 3300 6–20 3.3 один –

IR2121 5 1/1 1000 / 2000 12–18 2, 5, 15 всеSD, OCP,

FAULT

www.irf.ru 41


Микросхемы ток-сенсоров (9)Ответственным звеном любой силовой схемы является

измеритель тока. Его данные наравне с другими используются системой управления для контроля момента вращения двигателя и предотвращения аварийных ситуаций.

Традиционно для этого используют бесконтактные датчики Холла или усилители с опторазвязкой. Однако они имеют определенные недостатки: большие габариты, сложность управления и регулировки, дороговизна комплектующих, необходимость изолированных источников питания и др. Компания International Rectifier предлагает новое инновационное решение – микросхемы ток сенсоров.

IR217x/IR227x – это семейство монолитных микросхем для измерения тока в промышленном электроприводе и передаче данных из высоковольтной части в низковольтную схему управления. Микросхемы измеряют падение напряжения на внешнем шунте, преобразуют аналоговый сигнал в цифровой ШИМ и передают данные в низковольтную часть схемы посредством схемы смещения уровня. Технология IR позволила реализовать обратную связь по току в широкой полосе пропускания (до 130 кГц) при минимальном времени измерения (2 мкс). Микросхемы IR2277/IR22771 имеют возможность внешней синхронизации ШИМ сигнала.

Микросхемы имеют несколько выходных сигналов: – сигнальный выход токовой перегрузки ОС (для защиты IGBT от короткого замыкания и организации токовой защиты СУТК),– цифровой выход РО с открытым стоком для подключения к любому устройству управления с питанием от 3.3 до 15 В (ШИМ

сигнала переменной скважности для схем без АЦП), – аналоговый выход по напряжению, пропорциональный измеряемому току, с подключением к внешнему источнику опорного

напряжения для удобства обработки сигнала с АЦП с любым диапазоном входного напряжения от 3 до 12.5 В (для IR2177/IR2277).

Цифровой ШИМ сигнал можно использовать двумя способами для получения токового значения:– с помощью фильтра низких частот отфильтровать несущую частоту– напрямую соединить ШИМ сигнал с низковольтной частью цифрового микроконтроллера или процессора для обработки

сигнала специальным алгоритмом.

С помощью одной микросхемы разработчик теперь может решить сразу несколько задач: измерение тока, аналого–цифровое преобразование, фильтрация шумов и передача данных на микроконтроллер. Таким образом, ток–сенсоры обеспечивают прямую связь сигнала токового шунта высоковольтной линии с микроконтроллером.

общие характеристики– управление транзисторными ключами с плавающим потенциалом до 1200 В– недорогой бутстрепный источник питания (диод и конденсатор)– обратная связь по току через шунтирующий резистор– линейность измерений тока не выше 0.5%– цифровой ШИМ выход для удобства схемотехники– аналоговый выход (для IR2177 и IR2277)– независимый сигнал перегрузки по току– высокая стойкость к синфазным шумам– входная защита IGBT от короткого замыкания– выходы с открытым стоком

Наим-е Напр-е смещения, ВНесущая частота,

кГцНапряжение питания,

ВАналоговый выход Цифровой выход

Выход токовой перегрузки

Диапазон вход. напр-я, мВ


IR2175IR2175S

600 130 9.5-20 нет есть есть ±260PDIP-8SOIC-8

IR2177S 600 20 8-20 есть есть есть ±250 SOIC-16

IR21771S 600 20 8-20 нет есть есть ±250 SOIC-16

IR2277S 1200 20 8-20 есть есть есть ±250 SOIC-16

IR22771S 1200 20 8-20 нет есть есть ±250 SOIC-16

www.irf.ru42


Trench IGBT транзисторы (10)Компания IR предлагает высокоэффективные Trench IGBT транзисторы 6-го поколения различной конфигурации, включая

дискретные компоненты и интегрированные модули. Отличие транзисторов 6-го поколения заключается в структуре кристалла, которая имеет вертикальный затвор и блокирующий носители слой. За счет этого была значительно снижена площадь ячейки и появилась возможность увеличить ток транзистора на 60%. Поэтому транзисторы выпускаются в компактных и недорогих корпусах.

Важным критерием выбора силового транзистора являются различные потери, связанные с проводимостью, переключением, управлением, помехами и т.д. 6-ое поколение Trench IGBT компании IR отличается от своих конкурентов комплексной эффективностью – самыми низкими на рынке суммарными потерями. Если разработчики других фирм создают компоненты, оптимизированные по одному из источников потерь, то IR предлагает комплексный подход к снижению потерь. Благодаря полученным Преимуществам trench IGBT можно использовать в различных частотных диапазонах.

Вертикальное расположение затвора максимально снижает потери на проводимость, поскольку ток течет по кратчайшему пути. Другой источник возникновения потерь – потери при переключении.

Такие IGBT транзисторы имеют предельно низкое падение напряжения в открытом состоянии, малые суммарные потери на переключение, низкую полную энергию потерь по сравнению с PT и NPT технологиями.

преимущества IR– низкое напряжение насыщения и малые суммарные потери

на переключение– стойкость к нарастанию напряжения dV/dt 6–10 кВ/мкс– стойкость к нарастанию тока di/dt 650 А/мкс– минимальная длительность импульса отпирания менее 1

мкс– выдерживают режим КЗ до 5 мкс (4–кратный номин.ток)– прямоугольная зона безопасной работы– антипараллельный встроенный диод нормирован на токи

транзистора– работа на частотах до 30 кГц– эффективная замена PT и NPT транзисторов в любом

частотном диапазоне

Trench IGBT со встроенным диодом (6-е поколение)

Наим-еНапр-е к-э,

ВНапр-е насыщения к-э макс. (25°С), В

Ток коллектора (25/100°С), А

Мощность рассеяния (25°С), Вт Потери на вкл./выкл., мкДжТип

корпуса

IRGB4059D 600 2.15 8/4 56 35/75 TO-220AB

IRGB4045D 600 2.00 12/6 77 56/122 TO-220AB

IRGB4060D 600 1.85 16/8 99 70/145 TO-220AB

IRGB4064D 600 1.91 20/10 101 29/200 TO-220AB

IRGI4062D 600 1.58 22/12 48 52/231 TO-220 FullPak

IRGB4056D 600 1.85 24/12 140 75/225 TO-220AB

IRGB4061D 600 1.95 36/18 206 95/350 TO-220AB

IRGI4061D 600 1.59 20/11 43 52/231 TO-220 FullPak

IRGB4062D 600 1.95 48/24 250 115/600 TO-220AB

IRGP4062D 600 1.95 48/24 250 115/600 TO-247AC

IRGS4062D 600 1.95 48/24 250 115/600 D2PAK

IRGSL4062D 600 1.95 48/24 250 115/600 TO-262

IRGP4072D 300 1.70 70/40 180 409/838 TO-247AC

IRGP4063D 600 2.14 96/48 330 625/1275 TO-247

IRGP4068D* 600 2.14 96/48 330 -/1275 TO-247AC

IRGP4068D-E* 600 2.14 96/48 330 -/1275 TO-247AD

*оптимизированы для применения в резонансных ИП устройств ин дукционного нагрева и для мягких переключений

возможные замены PT IGBT, NPT IGBT на Trench IGBT

Поколение 6 Поколение 5 Поколение 4

Trench IGBT Ток кол-ра (100°С), А

NPT IGBT PT IGBT

IRGB4059DPBF 4 IRGB4B60KD1

IRG4BC10SDIRG4BC10KD

IRGB6B60KD IRG4BC15MDIRG4BC15UD

IRGB4060DPBF 8 IRGB8B60K

IRG4BC20SDIRG4BC20FDIRG4BC20MDIRG4BC20UDIRG4BC20KD

Поколение 6 Поколение 5 Поколение 4

Trench IGBT Ток кол-ра (100°С), А

NPT IGBT PT IGBT

IRGB4056DPBF 12 IRGB10B60KD

IRG4B30SDIRG4B30FDIRG4B30MD

IRGB15B60KD IRG4BC30UDIRG4BC30KD

IRGB4061DPBF 18 IRGB15B60KD IRG4B40SD

IRGB4062DPBF 24 IRGP20B60KD IRG4B40FD

IRG4BC40UDIRG4BC40KD

IRGB4063DPBF 48 IRGP30B60KD-E IRG4PC50FD

www.irf.ru 43


NPT IGBT для электропривода NPT IGBT транзисторы 600 В имеют интегрированный на кристалле быстродействующий диод с мягкими характеристиками

восстановления для работы в силовых узлах управления электроприводом с регулируемой скоростью вращения (стильные машины, кондиционеры, маломощные промышленные двигатели). Новая технология IR позволила улучшить электрические и термические характеристики транзисторов, а также снизить потери на проводимость без увеличения потерь на переключение. Транзисторы оптимизированы для работы с компонентами семейства iMOTION.

Транзисторы имеют прямоугольную область безопасной работы (RBSOA) и выдерживают режим КЗ в течение 10 мкс, что повышает надежность их работы при запуске и стойкость к выбросам напряжения. Также, NPT IGBT транзисторы работают при температуре перехода до 175°C, что на 20% превышает показатели конкурентных приборов. Частота модуляции до 20 кГц дает повышенную степень управления крутящим моментом на низких скоростях, снижая одновременно акустический шум.

NPT IGBT транзисторы с интегрированным диодом

Наим-еНапр-е к-э, В

Напр-е насыщения к-э макс. (25°/100°С), В

Потери на переключение (125°С), мДж Ток коллектора (100°С), АМощность,

кВтТип корпуса

IRGR3B60KD2 600 1.9/2.4 0.100 4,2 ~ 1 D-Pak

IRGB4B60KD1

600 2.1/2.5 0.120 7,6 ~ 1

TO-220AB

IRGS4B60KD1 D2-Pak

IRGSL4B60KD1 TO-262

IRGS6B60KD

600 1.8/2.2 0.338 7 ~ 1

D2Pak

IRGB6B60KD TO-220AB

IRGSL6B60KD TO-262

IRGIB6B60KD TO-220 Full-Pak

IRGS10B60KD

600 1.8/2.2 0.390 12 ~ 2-2.5

D2Pak

IRGB10B60KD TO-220

IRGSL10B60KD TO-262

IRGS15B60KD

600 1.8/2.1 0.840 20 ~ 4-4.5

D2Pak

IRGB15B60KD TO-220AB

IRGSL15B60KD TO-262

IRGIB7B60KD

600

1.8/2.2 0.320 8 ~ 1 TO-220 FullPak

IRGIB10B60KD1 1.7/2.1 0.320 10 ~ 1-2 TO-220 FullPak

IRGIB15B60KD1 1.8/2.2 0.460 15 ~ 2-2.5 TO-220 FullPak

NPT IGBT без интегрированного диода

Наим-еНапр-е к-э, В

Напр-е насыщения к-э макс., В Ток коллектора (25°/100°С), А Мощность рассеяния (25°С), Вт Тип корпуса

IRGS4B60K600 2,5 12/6,8 63

D2-Pak

IRGB4B60K TO-220AB

IRGB6B60K600 1,8 13/7 90

TO-220AB

IRGS6B60K D2-Pak

IRGB8B60K600 2,2 17/9 140

TO-220AB

IRGS8B60K D2-Pak

IRGS30B60K

600 2,35 78/50 370

D2-Pak

IRGSL30B60K TO-262

IRGB30B60K TO-220AB

NPT IGBT транзисторы IR не требуют отрицательного управляющего напряжения для выключения, что упрощает схему их управления с помощью микросхемы драйвера (например, IR2106, IR2108 или IR2136).

преимущества IR– рабочие частоты 10–30 кГц– выдерживают режим короткого замыкания в течение 10 мкс– квадратная область безопасной работы– температура перехода до 175°– положительное напряжение управления– упрощение дизайна схемы при использовании драйверов

www.irf.ru44


IGBT транзисторы 7-го поколения

IGBT транзисторы 7-го поколения IRG7xx производятся по технологии Epi-Trench, которая позволила уменьшить напряжение насыщения коллектор-эмиттер до 1.2 В при длительности спада импульса 100 нс при номинальном токе. Также, положительный температурный коэффициент Vceon позволяет использовать транзисторы в параллельном подключении.

Толщина пластины не превышает диаметр человеческого волоса, благодаря чему значительно снижено термосопротивление транзисторов, а также улучшена термопередача.

В зависимости от частотных характеристик линейка IGBT транзисторов Gen7 подразделяется на следующие группы: «S» - стандартные, менее 1 кГц, «F» - быстрые 1-8 кГц, «U» - ультрабыстрые 8-30 кГц. Отдельную подгруппу представляют приборы «К» (К3, К6, К10), которые способны сохранять работоспособность в условиях короткого замыкания (цифры 3, 6 и 10 указывает на время КЗ в мкс).

При выборе транзистора следует учитывать требования к работе прибора в условиях короткого замыкания. При одинаковом номинальном токе транзисторы типа «U» (без защиты от КЗ) имеют на 300 мВ ниже напряжение насыщения, чем транзисторы в модификации «К10». Поэтому транзисторы IRG7..U.. предназначены для бесперебойных источников питания, сварочных аппаратов и возобновляемых источников энергии. В системах управления приводом при наличии индуктивностей возможно замыкание на корпус или землю, поэтому здесь требуются транзисторы, способные выдержать выброс напряжения в течение ограниченного периода времени, за который контроллер сможет дать команду на выключение системы. Для таких приложений предназначены транзисторы IRG7..К10.

IGBT транзисторы нового поколения выпускаются в стандартных промышленных корпусах ТО-247 или Super ТО-247 со встроенными диодами или в дискретном исполнении. Дискретные IGBT дают возможность разработчикам применять собственные диоды для повышения эффективности или уменьшения стоимости. Корректоры коэффициента мощности или повышающие преобразователи являются типичным примером приложений, где транзисторы с диодами не требуются.

Номинальный ток новых приборов составляет от 8,5 А до 130 А. Транзисторы IRG7PSH73K10 в корпусе ТО-274АА имеют ток коллектора 130 А – это самый высокий показатель в отрасли для дискретных транзисторов. Применение таких транзисторов позволит отказаться от параллельного подключения приборов.

Компания International Rectifier анонсировала новую технологию производства IGBT транзисторов, по которой будут производиться транзисторы 8-го поколения (Gen8) на напряжение 1200 В. Она использует новейшую IR технологию trench field stop, которая позволяет достигнуть лучшей производительности в промышленных и энергосберегающих приложениях.

Приборы Gen8 имеют лучшие показатели напряжения насыщения Vce(on) для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности мощности, отличаются более мягкими характеристиками выключения, которые необходимы для электроприводов, минимальным коэффициентом dv/dt для уменьшения ЭМП и защитой от перенапряжения, что обеспечивает надежность привода и его стойкость к тяжелых рабочим условиям. Малое распределение параметров позволяет достичь отличного перераспределения тока при параллельном подключении нескольких IGBT транзисторов в высокоточных силовых модулях. Также, тонкопленочная технология изготовления кристаллов уменьшает термосопротивление и повышает температуру перехода до 175°.

По сравнению с предыдущим поколением, новые IGBT имеют на 20% уменьшенные потери на проводимость, прежние потери на переключение, встроенный диод и на 30% улучшенные параметры работы в условиях КЗ.

IGBT 600 в быстрые 1-10 кГц (холодильные установки, компрессоры, вакуумные очистители, нч инверторы)

Наименование Корпус Напр-е, В Ток коллектора (100°C), А Напр-е насыщения к-э, В Стойкость к КЗ, мкс

IRG7RC10FD D-Pak 600 9 1.6 3IRG7IC30FD TO-220FP 600 12 1.6 3IRG7SC12F D2-Pak 600 13 1.6 3

IGBT 1200 в сверхбыстрые 8-30 кГц (UPS, индукционные нагреватели, сварка)

Наименование КорпусНоминальный

ток, АНапр-е насыщения

кол.-эмит., ВТермосопротивление,

°С/ВтIRG7PH35U TO247

20 1.9 0.70 IRG7PH35UD TO247 - CopackIRG7PH42U TO247



50 1.7 0.27 IRG7PSH50UD Sup.TO247 - Copack

НаименованиеНапр-е насыщения коллектор-эмиттер,

ВТок коллектора (ном.) Напр-е насыщения кол.-эмит.(тип.) Корпус

IRG8CH15K10F

1200

10A

1.7 Кристалл на пленке

IRG8CH20K10F 15AIRG8CH29K10F 25AIRG8CH38K10F 35AIRG8CH42K10F 40AIRG8CH50K10F 50AIRG8CH76K10F 75AIRG8CH97K10F 100AIRG8CH137K10F 150AIRG8CH182K10F 200A

IGBT 1200 в Gen8

www.irf.ru 45


µIPM силовые модулиμIPM модуль – это готовое решение в корпусе 12х12 мм для управления

маломощными 3-фазными двигателями. Это высокоинтегрированные и сверхкомпактные модули для электропривода малой мощности: блоков управления компрессорами для хладоустановок, насосов отопления и циркуляции воды, кондиционеров, посудомоечных машин и системы автоматизации. Внедрение µIPM модулей дает 60% экономии площади платы по сравнению с аналогичными решениями.

В модуле интегрированы транзистор Trench FREDFET с низким сопротивлением канала Rds(on) и микросхема 3-фазного драйвера. Размер корпуса 12х12х0.9 мм является самым миниатюрным решением на рынке. Бустрепное управление устраняет необходимость во внешних высоковольтных диодах, в то время как защита по току, диагностика ошибок и блокировка по пониженному напряжению предоставляют высокий уровень защиты и надежности.

Новые модули μIPM являются дополнением к семейству iMOTION™ . При использовании нескольких внешних компонентов и контроллеров IRMCK они образуют завершенную систему управления приводом.

Наим-е Корпус Напр-е, ВВых. ток, DC, А

Ток привода, мАМощность привода, Вт

вых.напр-е 150/75 В RMSТопология

без радиатора с радиатором

IRSM836-024MA PQFN 12x12 250 2A 470 550 60/72 3 открытых истокаIRSM836-044MA PQFN 12x12 250 4A 750 850 95/110 3 открытых истокаIRSM836-025MA PQFN 12x12 500 2A 360 440 93/114 3 открытых истокаIRSM836-035MB PQFN 12x12 500 3A 420 510 108/135 общий истокIRSM836-035MA PQFN 12x12 500 3A 420 510 100/130 3 открытых истокаIRSM836-045MA PQFN 12x12 500 4A 550 750 145/195 3 открытых истока

µIPM управление приводом без радиатораμIPM интеллектуальные модули – это первые модули, которые используют печатную плату в качестве радиатора. Кристалл соединен с рамкой, которая паяется на печатную плату.

топологияМодули представлены в трех топологиях: открытый исток, общий исток и полумост.

преиМущества– минимальный форм–фактор: 12 x 12 x 0.9 мм– 3–фазные драйверы и бустрепное управление– транзисторы с низким RDS(on)– разработаны для использования без радиатора– функции защиты: вывод отключения, блокировка при пониженном

напряжении питания, защита от превышения по току– открытый исток для измерения тока– оптимизированный коэффициент dV/dt для балланса потерь и ЭМП– разработаны для привода до 250 Вт без использования радиатора– заменяют 27 дискретных компонентов

www.irf.ru46


силовые транзисторы 300 в

Новое семейство полевых транзисторов 300 В International Rectifier отличаются низким сопротивлением канала в открытом состоянии (Rds(on)) и высоким КПД для работы в широком диапазоне промышленных приложений, таких как кондиционеры 110-120 В АС, источники питания 110-120 В АС и DC-AC инверторы, включая инверторы на солнечных батареях и бесперебойные источники питания. Новое семейство силовых транзисторов обеспечивает сверхнизкое сопротивление открытого канала для повышения эффективности устройства и дает возможность разработчикам сократить число внешних компонентов в тех случаях, когда полевые транзисторы используются параллельно.

применение- синхронный выпрямительный каскад в импульсных источниках питания- бесперебойные источники питания- высокоскоростное переключение- схемы с жестким переключением и высокой частотой

Наименование Напр-е, В Сопр-е Rdson макс. (10 В), мОм Заряд затвора тип., нКл Ток стока, А Корпус

IRFP4242PBF

300

59 165 46 TO-247

IRFB4137PBF 69 83 40 TO-220

IRFP4137PBF 69 83 40 TO-247

IRFP4868PBF 32 180 70 TO-247

HVIC

VCC

HIN1

HIN2

HIN3

LIN1

LIN2

LIN3FAULT

ITRIP

EN

RCIN

POWERSUPPLY

PWMWH

PWMVHPWMUH

PWMVL

PWMWL

GATEKILL

AIN1

IFB+

IFB-

IFBOVSS

VDD

VDDCAP

XTAL0

XTAL1

AIN2SPD-REF

VSS COM

VBUS

CONTROLLER

PWMUL

4.87k

2M

2M

1nF

6.04k

6.04k

7.68k

AC

1 2 3 4 5

3P INVERTER

RE

CTI

FIE

R

MOTOR

1. АС вход (обычно 110 или 220 В, 50/60 Гц)2. Входной сигнал проходит через выпрямительный мост и фильтруется конденсатором шины.3. Питание берется с напряжения шины, которое обеспечивает питание контроллера и высоковольтной микросхемы.4. Режим переключения инвертера определяется контроллером.5. Сигналы управления и DC источника питания подаются на DC-AC инвертер, который генерирует АС сигналы для

управления трехфазным приводом.

Микросхема 3-хфазного драйвера обеспечивает следующие функции:• Понижение до земли ШИМ, входы enable и с защитой от превышения по току• Цифровой вход enable/disable • Защита от перегрузки по току (вход)• Выход дигностики• Автоматический сброс при блокировки низкого напряжения• Предотвращение перекрестной проводимости• Согласованная задержка для всех каналов• Фильтры для ШИМ и enable входных сигналов • Регулировка питания бутстрепного верхнего плеча• Оптимизация коэффициента переключения dV/dt

система обозначенийIRSM 836 03 5 MA1 2 3 4 5

1. Семейство IPM модулей: S - smart2. Код прибора, трехзначный3. Номинальный DC ток, например 02=2А4. Напряжение: 4 - 250 В, 5 - 500 В5. Корпус: M - PQFN6. Топология: А - открытый исток, В - общий исток

www.irf.ru 47


силовые MOSFET транзисторы для промышленного применения (17)

Развитие рынка промышленного оборудования требует разработки новых надежных силовых ключей. Оборудование, работающее от мощных аккумуляторов (вилочные подъемники, UPS, электроинструменты, электровелосипеды и др.), требуют расширения предельных параметров ключей для увеличения срока автономной работы.

IR предлагает силовые MOSFET транзисторы с лучшими рабочими параметрами в надежных корпусах. Например, транзисторы в новых корпусах D2-Pak-7 имеют минимальное сопротивление в открытом состоянии RDS(on) при повышенной токовой нагрузке.

Стандартные D2-Pak корпуса имеют ограничение по току до 100 А, а 7-выводные корпуса имеют увеличенное сечение проволочных соединений с кристаллом, что уменьшает сопротивление корпуса.

Транзисторы IRF2804S-7PPBF (40 В, 1.6 мОм) и IRF3805S-7PPBF (55 В, 2.6 мОм) нормированы на то 160 А, в то время как аналоги в D2-Pak корпусах не превышают 75 А. Увеличение нагрузки по току позволяет увеличить плотность мощность и сократить число комплектующих схемы, где используются параллельные транзисторы. Таким образом, D2-Pak-7 транзисторы подходят за замены нескольких D2-Pak компонентов, а также транзисторов для монтажа в отверстия.

описание– низкое сопротивление в открытом состоянии– оптимизированы на высокую скорость переключений и

малый заряд затвора– стойкость к нарастанию напряжения dv/dt и пробою

преимущества IR– лучший коэффициент соотношения площадь–кристалл– самое низкое сопротивление в открытом состоянии– широкий выбор корпусов для транзисторов до 250 В– высокое качество

IRF2804SPBF, 40 В IRF2804S-7PPBF, 40 В

Ток стока, А RDS(on), мОм Ток стока, А RDS(on), мОм

270 2.0 320 1.6

Наим-е Напряжение сток-исток, В Макс. сопр-е сток-исток в откр.сост-и (10 В), мОм Ток стока, А Заряд затвора, нК Тип корпуса

IRF2804S-7PPBF

40

1.6 320 170 D2-Pak-7IRFP4004PBF 1.7 195 220 TO-247IRF2804SPBF 2.0 270 160 D2-PakIRF2804PBF 2.3 270 160 T0-220IRF3805S-7PPBF 55 2.6 240 130 D2-Pak-7IRFB3206PBF

60

3.0 210 120 T0-220IRFS3206PBF 3.0 210 120 D2-PakIRFP3206PBF 3.0 210 120 T0-247IRF1018EPBF 8.4 79 69 TO-220IRF1018ESPBF 8.4 79 69 D2-PakIRFR1018EPBF 8.4 79 69 D-PAKIRFB3806PBF 15.8 43 30 TO-220IRFS3806PBF 15.8 43 30 D2-PakIRFR3806PBF 15.8 43 30 D-PAKIRFP4368PBF

75

1.85 195 380 TO-247IRFB3077PBF 3.3 210 160 T0-220IRFP3077PBF 3.3 210 160 T0-247IRF2907ZS-7PPBF 3.8 180 170 D2-Pak-7IRFS3207ZPBF 4.1 170 120 D2-PakIRFB3607PBF 9.0 80 84 TO-220IRFS3607PBF 9.0 80 84 D2-PakIRFR3607PBF 9.0 80 84 D-PAKIRFP4468PBF

100

2.6 195 360 TO-247IRFB4110PBF 4.5 180 150 T0-220IRFP4110PBF 4.6 168 152 T0-247IRFS4310ZPBF 6.0 127 120 D2-PakIRFP4310ZPBF 6.0 127 120 T0-247IRFP4568PBF

1505.9 171 151 T0-247

IRFB4321PBF 15 83 71 T0-220IRFS4321PBF 15 83 71 D2-PakIRFP4668PBF

200

9.7 130 161 T0-247IRFB4127PBF 20 76 100 TO-220IRFB4227PBF 24 65 70 T0-220IRFS4227PBF 26 62 70 D2-PakIRFB4332PBF 33 60 99 T0-220IRFS4229PBF 48 45 72 D2-Pak

7–выводной корпус D2–PAK: уникальность выбора7–выводной корпус D2–PAK имеет ряд преимуществ над

стандартным корпусом D2–PAK:– низкое сопротивление в открытом состоянии, до 0.4 мОм– вдвое увеличенная нагрузочная способность по току– отличные характеристики теплоотводаобласть применений– управление DC приводом– бесперебойные источники питания (UPS)– DC–DC преобразователи– электроинструмент– электровелосипеды

www.irf.ru48

микроэлектронные реле

МикроЭлектронные реле

Оптоэлектронные твердотельные PVR реле IR – это управляемые током микроэлектронные реле, коммутирующие нагрузку при превышении определенного уровня входного тока. Светодиод на входе включает оптогенератор (сборка фотогальванических элементов), который управляет выходным каскадом на HEXFET или IGBT транзисторе.

Параметры реле оптимизированы для слабосигнальных цепей (инструментарий, системы сбора данных) и оборудования средней мощности (промышленный контроль и автоматизация). Диапазон коммутируемой нагрузки колеблется от мВ и нА до 400 В и 6 А при постоянном сопротивлении контактов 15 мОм.

Все твердотельные PVR реле выпускаются в однополюсной и двуполярной конфигурации с нормально-разомкнутыми контактами.

преимущества IR перед ЭМр– уменьшение объема корпуса на 50%– срок службы в 1000 раз дольше ЭМР – отсутствие дребезга контактов– высокая входная чувствительность– высокая надежность– устойчивость к воздействию внешних ЭМП– высокая виброустойчилость и ударостойкость– стабильное сопротивление контактов на всем сроке службы

Линейка микроэлектронных реле представлена следующими компонентами:

– реле с выходным каскадом на HEXFET силовых транзисторах, – реле с выходным каскадом на IGBT транзисторах,– оптоизоляторы для управления MOSFET и IGBT транзисторами.

Фотогальванические реле для DC нагрузки, схема 1 Form A

Наим-еКоммут.

напряжение, ВСопр-е в откр.

сост-и, ОмТок DC нагрузки, мА

Номин. ток управ., мА

Напр-е пробоя, В Время включ-я, мксВремя выключ-я,

мксТип корпуса

PVDZ172N 60 0.25 1500 10 4000 2000 500 DIP-8 мод.

PVDZ172NS 60 0.25 1500 10 4000 2000 500 SMT-8 мод.

PVD1352N 100 1.5 550 5 4000 150 125 DIP-8 мод.

PVD1352NS 100 1.5 550 5 4000 150 125 SMT-8 мод.

PVD1354N 100 1.5 550 5 4000 150 125 DIP-8 мод.

PVD1354NS 100 1.5 550 5 4000 150 125 SMT-8 мод.

www.irf.ru 49


Фотогальванические реле для ас-DC нагрузки, схема 1 Form A

Наим-еКоммут. напр-е

(+), ВКоммут. напр-е

(-), ВСопр-е в откр.

сост-и (АС/ DC), ОмТок нагрузки (AC/

DC), мАНомин. ток управ.,

мАНапр-е пробоя, В

Время включ-я, мкс

Время выключ-я, мкс


PVN012 20 20 0.1/0.04 2500/4500 3 4000 5000 500 DIP-6

PVN012A 20 20 0.05/0.015 4000/6000 5 4000 3000 500 DIP-6

PVN012AS 20 20 0.05/0.015 4000/6000 5 4000 3000 500 SMT-6

PVN012S 20 20 0.1/0.04 2500/4500 3 4000 5000 500 SMT-6

PVN013 20 20 0.1/0.065 2500/4500 3 4000 5000 500 DIP-6

PVN013S 20 20 0.1/0.065 2500/4500 3 4000 5000 500 SMT-6

PVY116 40 40 4.4/4.4 250/250 2.0 1500 500 500 SOP-4

PVY117 40 40 0.95/0.95 470/470 2 1500 200 100 SOP-4

PVAZ172N 60 60 0.5/– 1000/1000 10 4000 2000 500 DIP-8 мод.

PVAZ172NS 60 60 0.5/– 1000/1000 10 4000 2000 500 SMT-8 мод.

PVG612 60 60 0.5/0.15 1000/2000 5 4000 2000 500 DIP-6

PVG612A 60 60 0.1/0.035 2000/4000 5 4000 3500 500 DIP-6

PVG612AS 60 60 0.1/0.035 2000/4000 5 4000 3500 500 SMT-6

PVG612S 60 60 0.5/0.15 1000/2000 5 4000 2000 500 SMT-6

PVG613 60 60 0.5/0.25 1000/2000 5 4000 2000 500 DIP-6

PVG613S 60 60 0.5/0.25 1000/2000 5 4000 2000 500 SMT-6

PVA1352N 100 100 5/– 375/375 5 4000 150 125 DIP-8 мод.

PVA1352NS 100 100 5/– 375/375 5 4000 150 125 SMT-8 мод.

PVA1354N 100 100 5/– 375/375 5 4000 150 125 DIP-8 мод.

PVA1354NS 100 100 5/– 375/375 5 4000 150 125 SMT-8 мод.

PVR1300N 100 100 5/3 360/420 2.0 1500 150 125 DIP-6

PVR1301N 100 100 5/3 360/420 2.0 1500 150 125 DIP-6

PVT212 150 150 0.75/0.25 550/825 5 4000 3000 500 DIP-6

PVT212S 150 150 0.75/0.25 550/825 5 4000 3000 500 SMT-6

PVA2352N 200 200 24/– 150/150 5 4000 100 110 DIP-8 мод.

PVA2352NS 200 200 24/– 150/150 5 4000 100 110 SMT-8 мод.

PVT312 250 250 10/3 190/320 2 4000 3000 500 DIP-6

PVT312L 250 250 15/4.25 170/300 2 4000 3000 500 DIP-6

PVT312LS 250 250 15/4.25 170/300 2 4000 3000 500 SMT-6

PVT312S 250 250 15/4.25 190/320 2 4000 3000 500 SMT-6

PVA3054N 300 300 160/– 50/50 5 4000 60 100 DIP-8 мод.

PVA3054NS 300 300 160/– 50/50 5 4000 60 100 SMT-8 мод.

PVA3055N 300 300 160/– 50/50 5 4000 60 100 DIP-8 мод.

PVA3055NS 300 300 160/– 50/50 5 4000 60 100 SMT-8 мод.

PVA3324N 300 300 24/– 150/150 2 4000 100 110 DIP-8 мод.

PVA3324NS 300 300 24/– 150/150 2 4000 100 110 SMT-8 мод.

PVA3354N 300 300 24/– 150/150 5 4000 100 110 DIP-8 мод.

PVA3354NS 300 300 24/– 150/150 5 4000 100 110 SMT-8 мод.

PVT412 400 400 27/7 140/210 3 4000 2000 500 DIP-6

PVT412A 400 400 6/2 240/360 3 4000 3000 500 DIP-6

PVT412AS 400 400 6/2 240/360 3 4000 3000 500 SMT-6

PVT412L 400 400 35/9 120/200 3 4000 2000 500 DIP-6

PVT412LS 400 400 35/9 120/200 3 4000 2000 500 SMT-6

PVT412S 400 400 27/7 140/210 3 4000 2000 500 SMT-6

PVU414 400 400 27/7 140/210 3 4000 500 200 DIP-6

PVU414S 400 400 27/7 140/210 3 4000 500 200 SMT-6

PVX6012 400 400 – 1000/1000 5 3750 7000 1000 DIP-14

Фотогальванические реле для ас-DC нагрузки, схема 2 Form A

Наим-еРабочее напр-е

(+), ВРабочее напр-е

(-), ВСопр-е в откр.

сост-и (АС/ DC), ОмТок нагрузки (AC/

DC), мАНомин. ток управ.,

мАНапр-е пробоя, В

Время включ-я, мкс

Время выключ-я, мкс


PVR2300N 200 200 24/6 310/310 5 1500 150 125 DIP-6

PVT322 250 250 10/10 170/170 2 4000 3000 500 DIP-8

PVT322A 250 250 8/8 170/170 2 4000 3000 500 DIP-8

PVT322AS 250 250 8/8 170/170 2 4000 3000 500 SMT-8

PVT322S 250 250 10/10 170/170 2 4000 3000 500 SMT-8

PVR3300N 300 300 24/6 310/310 5 1500 150 125 DIP-6

PVR3301N 300 300 24/6 310/310 5 1500 150 125 1DIP-6

PVT422 400 400 35/35 120/120 2 4000 2000 2000 DIP-8

PVT422S 400 400 35/35 120/230 2 4000 2000 2000 SMT-8

www.irf.ru50


оптоизоляторыИзоляторы генерируют электрически изолированное

напряжение постоянного тока при появлении сигнала постоянного тока на входе и предназначены для прямого управления затворами MOSFET и IGBT транзисторов без дополнительных источников питания. В упрощенном представлении это источник напряжения 5 В с питанием и управлением от светодиода. Т.о., оптоизоляторы оптимальны для включения и выключения высокоточной и высоковольтной нагрузки в схемах с оптической изоляцией от низковольтной цепи управления.

Использование изолятора с силовым транзистором позволяет разработчикам создавать специализированные твердотельное реле для коммутации любой необходимой мощности более 1000 В и 100 А.

Оптоизоляторы выпускаются в одно- и двухканальном исполнении. Двухканальные приборы могут управлять двумя независимыми транзисторами или подключаться параллельно или последовательно для увеличения управляющего тока. Раздельное управление посредством двух оптоэлектронных пар делает возможной реализацию твердотельного реле со схемой 1 Form C, например, однополюсного реле на два положения.

Изоляторы имеют схему быстрого выключения, поэтому резистор на выводах затвор-исток не требуется.

область применения– распределение нагрузки– промышленное управление– преобразователи ток–напряжение– электронные балласты– телекоммуникационное оборудование– специализированные твердотельные реле

оптоизоляторы – готовые решения для построения:– миниатюрных источников питания 5 В– источников питания с плавающим потенциалом– оптопар– изоляторов сигналов– линейных токовых трансформаторов– DC–DC трансформаторов– драйверов твердотельных реле– интерфейсов ввода–вывода

Наим-е Число выходов Вых. напр-е, В Ток КЗ, мкА Номин. ток управления, мА Напр-е изоляции, В Тип корпуса

PVI5050N

1

5 5 10 4000 DIP-8 модиф.

PVI5050NS 5 5 10 4000 SMT-8 модиф.

PVI5080N 5 8 10 4000 DIP-8 модиф.

PVI5080NS 5 8 10 4000 SMT-8 модиф.

PVI1050N

2

5 5 10 2500 DIP-8

PVI1050NS 5 5 10 2500 SMT-8

PVI5013R 5 1 10 3750 DIP-8

PVI5013RS 5 1 5 3750 SMT-8

PVI5033R 5 5 5 3750 DIP-8

PVI5033RS 5 5 5 3750 SMT-8

www.irf.ru 51

аУдио УСилители клаССа D

ауДио усилители класса DЗадача любого аудио усилителя – воспроизводить входной сигнал с

требуемой мощностью и громкостью при малых искажениях. Благодаря малому тепловыделению, пониженному энергопотреблению и небольшим размерам усилители класса D получили широкое распространение в аудио и видео системах.

Усилители класса D становятся популярным решением для домашних аудио и видео систем. Компания IR использует самые современные технологии для производства высокоэффективных MOSFET транзисторов и микросхем управления для усилителей класса D.

International Rectifier предлагает два типа решений: – интегрированные модули PowerIRaudio для аудио систем малой мощности

(до 130 Вт на канал)– и дискретное решение на полевых транзисторах и драйверах к ним (от 130 до

500 Вт на канал).Отличительной особенностью подхода IR в решении этой задачи является

отсутствие радиатора.

Аудио драйверы выпускаются на 1, 2, 3 и 4 канала:– IRS2092 – один канал– IRS2052 – два канала– IRS2053 – три канала– IRS2093 – четыре канала.

Аудио драйверы (18)DirectFET транзисторы (19)MOSFET транзисторы (20)Интегрированные усилители PowIraudio

IRAUDAMP4

2-канальный полумостовой 120 Вт аудио усилитель

IRAUDAMP5

2-канальный полумостовой 120 Вт аудио усилитель

2 канала по 120 Вт (искажения 1%, 1 кГц)Искажения 0.004% (60 Вт, 4 Ом)Шум 52 мкВ (IHF-A взвеш., фильтр AES-17)Эффективность 96% (120 Вт)Защита по току, перенапряжению, DC, от понижения напряжения и перегреваПолумостовая топология с генератором и внешней синхронизациейДрайвер IRS20955S и MOSFET транзистор IRF6645 в корпусе DirectFET

2 канала по 120 Вт (искажения 1%, 1 кГц)Искажения 0.005% (60 Вт, 4 Ом)Шум 170 мкВ (IHF-A взвеш., фильтр AES-17)Эффективность 96% (120 Вт)Защита по току, перенапряжению, DC, от понижения напряжения и перегреваПолумостовая топология с генератором и внешней синхронизациейДрайвер IRS2092S и MOSFET транзистор IRF6645 в корпусе DirectFET

www.irf.ru52


аудио драйверы (18)Напряжение затвора верхнего плеча должно соотноситься с его истоком. Напряжение

затвора должно быть на 10-15 В выше напряжения стока. Т.о., возникает необходимость независимого управления верхним и нижним плечом для обеспечения «мертвой зоны». Драйверы IR имеют все необходимые интегрированные функции для управления верхним и нижним плечом силового транзисторного каскада.

IRS20хх – это микросхемы драйвера с ШИМ модулятором для аудио усилителей класса D средней мощности до 500 Вт. Полумостовые драйверы интегрируют 4 необходимые для D усилителей функции: усилитель ошибки, ШИМ компаратор, драйвер затвора и схему защиты. В результате, микросхемы обладают высокой устойчивостью к шумам, малыми шумами в режимах запуска и остановки и гибкостью применения, что позволяет снизить себестоимость усилителя и решить сложные задачи защиты устройства от перегрузок.

В число ключевых особенностей IRS2092 входят аналоговый ШИМ модулятор с частотой до 800 кГц, программируемая двуполярная защита по току с функцией автоматического перезапуска, защита от пониженного напряжения питания и программируемое время задержки (25-105 нс).

описание– интегрированный аналоговый вход– интегрированный ШИМ модулятор с генератором– программируемая двуполярная защита от токовой перегрузки с

функцией reset– уменьшение шумовых щелчков при запуске и остановке– плавающий вход позволяет легко реализовать полумостовую схему

применения– программируемое время задержки– высокая устойчивость к шумам– ±100 В формирует выходную мощность до 500 Вт– частота ШИМ до 800 кГц– 16–выводные корпуса DIP и SOIC, MLPQ–48

Наим-е Кол-во каналов Описание

IRS20955SIRS20957S

Высоковольтный высокоскоростной драйвер силовых MOSFET с ШИМ входом с плавающим потенциалом, SOIC-16

IRS20124SВысоковольтный, высокоскоростной драйвер силовых MOSFET со встроенной токовой защитой, временной задержкой и функцией

отключения (shutdown), SOIC-14

IRS2011(S) Высоковольтный, высокоскоростной драйвер силовых MOSFET с независимыми выходными каналами верхнего и нижнего ключа

IRS2092(S) 1 Высоковольтный полумостовой драйвер усилителей D класса с ШИМ модулятором и схемами защиты, DIP-16(SOIC-16)

IRS2053M 3

Полумостовые драйверы с ШИМ модуляторами в одном корпусе для аудио систем 50-150 Вт, программируемое двуполярное измерение тока для защиты верхнего и нижнего ключа транзистора по току, вход логики, ШИМ вход с плавающим потенциалом, определение границ клипа, выход ошибки, защита от пониженного напряжения, высокая стойкость к шумам, программируемое

“мертвое время”, входы для термодатчиков и др., корпус MLPQ-48

IRS2093M 4Полумостовой драйвер аудио усилителя с ШИМ модулятором и схемами защиты, защита по току, плавающий аналоговый вход, программируемое двуполярное измерение тока, уменьшение шумов при запуске и остановке клипа, защита от пониженного

напряжения, программируемое “мертвое время”, корпус MLPQ-48

IRS2052M 22-канальная версия драйвера IRS2092(S) с дополнительными функциями: встроенные часы, защита от перегрева, определение

границ клипа, выход ошибки, плавающий аналоговый вход, двуполярное измерение тока для защиты транзистора, MLPQ-48

Выходная мощность, Вт (4 Ом)

Наим-е IRS20124SPbF IRS20957SPbF IRS2092(S)PbF IRS2052MPbF IRS2053MPbF IRS2093MPbF

Кол-во каналов 1 1 1 2 3 4Напр-е смещения, В 200 200В или +/–100В 200В или +/–100В 200В или +/–100В 200В или +/–100В 200В или +/–100ВВтек./Вытек. ток, А 1.2/1.0 1.2/1.0 1.2/1.0 0.6/0.5 0.6/0.5 0.6/0.5Диапазон напр-я питания, В 10–18 10–18 10–18 10–15 10–15 10–15Диапазон выходного напряжения 10–18 10–18 10–18 10–15 10–15 10–15

Задержка распространения, вкл./выкл., нс

60 90/105 360/335 350/325350/325 145/100

по выбору

350/325 145/100

по выборуПрограммируемое «мертвое» время, нс

15/25/35/45 15/25/35/45 24/40/65/105 45/65/85/105 – –

Двунаправленное измерение перегрузки по току с автом. перезапуском

– + + + + +

Макс. частота, кГц 1000 800 800 800 800 800Макс. мощность на канал, Вт 500 500 500 250 250 250Определение клипа – – – + + –

Корпус SOIC–14 узкий SOIC–16 узкийSOIC–16 узкий

DIP–16MLPQ–48 MLPQ–48 MLPQ–48

www.irf.ru 53


DirectFET транзисторы (19)Технология корпусирования DirectFET и новейшие разработки в

области полевых транзисторов позволили компании IR максимально увеличить эффективность транзисторов в усилителях D класса. Производитель гарантирует максимальное значение внутреннее сопротивление затвора для управления временной задержкой. Это позволяет значительно снизить уровень гармонических искажений, улучшить надежность системы и увеличить выходную мощность.

Транзисторы DirectFET для усилителей класса D имеют выходную мощность до 500 Вт при 4 Ом нагрузке без использования радиатора.

DirectFET транзисторы для усилителей класса D

Наим–еНапряжение пробоя сток–

исток, В

Макс. сопр–е сток–исток в откр.сост–и (10 В), мОм

Ток стока (25°С), А Заряд затвора, нКЗаряд затвор–

сток, нКТермосопр–е кристалл–

корпус, К/Вт

Мощность рассеяния (25°С),

Вт

Модификация корпуса

IRF6645100

28.0 25 14 5.6 – 42 SJ

IRF6665 62.0 19 8.7 2.8 3.0 42 SH

IRF6775M 150 56.0 28 25.0 6.6 1.4 89 MZ

IRF6785M 200 100.0 19 26.0 6.9 1.4 57 MZ

DirectFET для домашних кинотеатров

Выходная мощностьБез радиатора С радиатором

4 Ом 8 Ом 4 Ом 8 Ом50 – 100 Вт IRF6645 IRF6665 IRF6665 IRF6665100 – 120 Вт IRF6645 – IRF6645 IRF6775M120 – 200 Вт – – IRF6645 IRF6775M200 – 250 Вт – – IRF6775M IRF6785M

Примечания: приведены рекомендации по применению для полумостовых схем, частота переключения 400 кГц, глубина модуляции 90%, пик–фактор 10%

применение DirectFET транзисторов в автомагнитолах

Вых. мощность 4 Ом нагрузка Радиатор

50 – 100 Вт IRF6665 нужен

100 – 200 Вт IRF6645 нужен

200 – 250 Вт IRF6775M нужен

MOSFET транзисторы (20)Серия интегрированных полумостовых транзисторов

IRFI4xxxH-117P вдвое снижает число компонентов и сокращает площадь платы. Помимо низкого сопротивления в открытом состоянии, интегрированные MOSFET транзисторы имеют оптимизированный заряд затвора и встроенный диод с обратным восстановлением для улучшения ключевых параметров работы аудио усилителей: эффективности, уровня гармонических искажений и уровня ЭМП.

Семейство транзисторов IRFI4xxxH-117P охватывает весь средний диапазон напряжений от 55 до 200 В и предназначено для усилителей средней и высокой мощности.

MOSFET транзисторы

Наим-еНапряжение пробоя сток-

исток, ВМакс. сопр-е сток-исток в

откр.сост-и (10 В), мОмТок стока (25°С), А Заряд затвора, нК Заряд затвор-сток, нК Тип корпуса

IRFI4024H-117P 55 48 11A 8.9 4.3 TO-220FP

IRFI4212H-117P 100 58 11A 12 6.9 TO-220FP

IRFI4019H-117P 150 80 8.7A 13 4.1 TO-220FP

IRFI4020H-117P 200 80 9.1A 19 6.8 TO-220FP

Мощность Тип корпусаНагрузка

4 Ом 8 Ом

50 – 60 Вт5–выв. TO–220 IRFI4024H–117P IRFI4212H–117P

TO–220 IRFB4212PbF

60 – 100 Вт5– выв. TO–220 IRFI4212H–117P IRFI4212H–117P

TO–220 IRFB4212PbF IRFB4212PbF





300 – 500 Вт5– выв. TO–220


Примечания: приведены рекомендации по применению для полумостовых схем, частота переключения 400 кГц, глубина модуляции 90%, пик-фактор 10%

преимущества IR– низкое сопротивление в открытом состоянии для повышения

плотности мощности– низкий заряд затвора для повышения скорости

www.irf.ru54


Применение Тип. нагрузка, ОмОсновные канал(ы) Сабвуфер

Мин. мощность Макс. мощность Мин. мощность Макс. мощность

Дом. видео (DVD 5.1) 3-6 70 Вт 100 Вт 150 Вт 200 Вт

Дом. видео (Blu-ray 5.1) 3-6 70 Вт 170 Вт 150 Вт 200 Вт

Дом. видео AVR 5.1) 8 100 Вт 250 Вт

Дом. аудио (2 канала) 4/6/8 50 Вт 100 Вт

Настольное аудио (iPod doc) 4 30 Вт 60 Вт

Активные динамики 4/8 50 Вт 150 Вт

Автомобильное аудио 2/4 75 Вт 50 Вт 100 Вт 500 Вт

Муз. инструменты (гитара и др.) 8 50 Вт 150 Вт

оДноканальные интеГрированные усилители POWIRAUDIO

Двухканальные интеГрированные усилители

* При использовании радиатора мощность увеличится

преимущества– не требуют радиатора– лучшие на рынке показатели КПД и аудио качества– уменьшение количества внешних компонентов– уменьшение стоимости изделия– одиночный или двухполярный источник питания – защита от перегрузки по току– выключение по перегреву– вход с “плавающим” потенциалом– определение границ клипа

интегрированные усилители класса D PowIRaudio

Это компактные безрадиаторные решения для маломощных аудио приложений класса D (до 130 Вт на канал), таких как настольные аудио системы, активные микрофоны и музыкальные электроинструменты со встроенными усилителями.

Сочетание микросхемы аудио контроллера (ШИМ контроллер) с полевым транзистором, полностью оптимизированным для аудио приложений, дало возможность повысить эффективность, уменьшить гармонические искажения и электромагнитные помехи и использовать модули без радиатора в широком диапазоне питающего напряжения.

При разработке источников питания для аудио систем рекомендуется использовать контроллеры IRS2795х.

Наим-е Число каналовДиапазон

напряжения питания, В

Макс. вых. мощность

(на канал), ВтКорпус

IR4301M 1 80 или +/- 40 130 PQFN 5x6 мм

IR4311M 1 40 или +/- 20 35 PQFN 5x6 мм

IR4302M 2 80 или +/- 40 70 PQFN 7x7 мм

IR4312M 2 40 или +/- 20 35 PQFN 7x7 мм

применение- домашние кинотеатры- автомобильная акустика

www.irf.ru 55

Управление оСвеЩением

управление освещениеМ

Электронные балласты находят всё более широкое применение в современных системах управления освещением. Они обеспечивают оптимальные режимы предварительного подогрева, поджига и запуска лампы, благодаря чему увеличивается срок эксплуатации лампы и снижается электропотребление. Компания IR предлагает широкий диапазон микросхем управления для балластов флуоресцентных, газоразрядных, галогенных и светодиодных ламп.

балласты люминесцентных ламп

Микросхемы управления балластов (21)

Микросхемы ККМ (3)

балласты галогенных ламп

Микросхемы балластов галогенных ламп (23)

балласты ламп с разрядом высокой интенсивности HID

Микросхемы ккМ (3)Микросхемы драйверов (22)балласты светодиодных ламп

Микросхемы управления (24)

балласты люминесцентных ламп с холодным катодомКонтроллеры управления (25)IGBT транзисторы для плазменных панелей (28)

Line

www.irf.ru56


Микросхемы балластов люминесцентных ламп (21)Люминесцентные лампы широко используются в системах освещения как

жилых помещений, так и архитектурных сооружений. Электронный балласт позволяет увеличить ресурс ламп и снизить электропотребление. Также, Преимуществами балластов люминесцентных ламп являются:

– возможность регулировки яркости освещения– возможность использования люминесцентной лампы любого типа – легкость дизайна, минимизация числа внешних компонентов.

IR215x – это монолитные микросхемы управления MOSFET или IGBT транзисторами верхнего и нижнего плеча от логического входного сигнала относительно шины нулевого потенциала. Микросхемы имеют напряжение смещения до 600 В и четкую форму выходного сигнала.

Микросхемы балластов с постоянной мощностью

Наимен-е Описание

IRS2153D Микросхема драйвера затвора со встроенным бутстрепным диодом и блокировкой пониженного напряжения питания (2 В).

IR2520DКонтроллер ламп балластов 600 В с ZWS режмом работы (квазирезонансный режим с контролем перехода напряжения через ноль), защитой от

токовой перегрузки, с интегрированным бутстрепным диодом в корпусе DIP-8.

IR2156Высоковольтный полумостовой драйвер с программируемым генератором для балластов с программируемыми функциями и встроенными схемами

защиты.

IR21571IRS21571D

Полностью интегрированная 600 В микросхема управления балластами флуоресцентных и газоразрядных ламп с максимальными функциями защиты.

IR2166IRS2166D

Полностью интегрированная 600 В микросхема балластов флуоресцентных ламп с расширенными функциями защиты и контроллером корректора коэффициента мощности в 16-выводном корпусе.

IRS2168DПолностью интегрированная 600 В микросхема управления балластами флуоресцентных ламп с расширенными функциями защиты и контроллером

корректора коэффициента мощности в 16-выводном корпусе. Разработана для многоламповых балластов и ламп с универсальным входным напряжением.

Возможности программирования IRS2153D IR2520D IR2156 IRS21571D IRS2166D IRS2168D IRS2526DS Mini8 IRS2580DS Combo8

Время подогрева – + + + + + + +

Частота подогрева – – + + + + + +

Обратная связь по току поджига – – – – – + - -

Рабочая частота + + + + + + + +

Время задержки – – + + + – - -

ФункцииФиксированное время задержки 1.1 мкс 1.5 мкс – – – 1.6 мкс 1.8 мкс 1.7 мкс

Защита от токовой перегрузки – + + + + + + +

Защита от низкого тока – – – + – – - -

Защита от отсутствия поджига – + + + + + + +

Блокировка при открытой нити накала – + + + + + + +

Защита от снижения яркости в процессе старения лампы

–+ + + + + - -

Защита от перегрева – – – + – – - -

Вход выключения – – + + + + - -

Определение поджига – – – – – – + +

Счетчик ошибок – – – – – + - +

Защита при окончании срока службы лампы – – – – + + + +

Защита от токовой перегрузки ККМ – – – – – + - +

интегрированные компонентыБутстрепный диод + + – – + + + +

Коррекция фактора мощности – – – – + + - +

Детектор насыщения катушки – + – – – – - -

Адаптивная защита non–ZVS – + – – – – + +

www.irf.ru 57


Наименование IR21592 IRS2530D IRS2158D

Тип ламп трубчатые трубчатые любые

возможности программированияВремя прогрева есть есть есть

Частота прогрева – – есть

Обратная связь по току прогрева есть

Обратная связь по току зажигания – – есть

Частота запуска есть есть есть

Время паузы между импульсами фикс. 1.8 мкс фикс. 2.0 мкс есть

ФункцииБлокировка поджига есть при токовой

перегрузкеесть

Блокировка при обрыве нити накала есть есть

Защита от отключения питания есть non–ZVS есть

Защита от снижения яркости в процессе старения лампы

есть

Вход выключения есть – есть

Счетчик ошибок – – есть

Защита при окончании срока службы лампы

– – есть

интегрированные компонентыБутстрепный диод – есть есть

Защита от токовой перегрузки – есть –

Адаптивная защита non-ZVS – есть –

Минимальный уровень яркости от 5% от 10% менее 10%

Типы корпусовDIP–16,

SOIC–16 узк.DIP–8, SOIC–8

DIP–16, SOIC–16

преиМущества– низкий уровень яркости при стабильной дуге лампы– уменьшение или полное отсутствие вспышек лампы

при малом уровне зажигания– интегрированные функции защиты– работа с любыми типами ламп– высокая эффективность, простота проектирования– малое число внешних компонентов

Микросхемы балластов с регулировкой яркости лампыКонтроллеры балластов представляют собой интегрированное решение

схем управления рабочими режимами лампы с ИС полумостового драйвера. Контроллеры обеспечивают широкие возможности защиты и программирования рабочих параметров электронного балласта. Регулировка яркости осуществляется до 10%.

балласты галогенных ламп (23)Галогенные лампы широко используются для точечного освещения

как внутренних интерьеров, так и архитектурных фасадов зданий. Их преимущество заключается в узкой направленности светового пучка. По причине громоздкости электромагнитных балластов они стали заменяться на электронные решения. Однако электронные трансформаторы часто выходят из строя по причине токовой перегрузки и короткого замыкания. Также, существует необходимость в плавной регулировке яркостью свечения лампы.

Компания IR разработала первый в мире контроллер галогенных ламп IR2161 с расширенными функциями защиты и управления (регулировка напряжения лампы и яркости свечения) в компактном 8-выводном корпусе. Микросхема была специально разработана для электронных трансформаторов в блоках питания низковольтных галогенных ламп.

ИС управления IR2161 корректирует работу устройства при изменении напряжения питания, колебаниях частоты и работы лампы. Адаптивное управление временем задержки является одним из ключевых преимуществ микросхемы. Это повышает надежность трансформатора благодаря режиму мягкого переключения, который поддерживается вне зависимости от внешних условий работы. Другая особенность микросхемы заключается в изоляции высоковольтной и низковольтной цепей, поэтому управление верхним и нижним плечом реализовано в одном корпусе микросхемы.

описание- полумостовой драйвер- автоматический перезапуск при КЗ и перегрузке- защита от перегрева- качание частоты для устранения ЭМП- микромощный запуск (150 мкА)- регулировка яркостью свечения лампы- компенсатор сдвига выходного напряжения для

увеличения срока службы лампы- адаптивный интервал задержки

возможности программирования IRS2153D IR2161

Частота в рабочем режиме есть –Функции

Мягкий запуск – естьФиксированное время задержки 1.1 мкс –Регулируемое время задержки – естьЗащита от токовой перегрузки – естьРегулир.защита от токовой перегрузки – естьЗащита от перегрева – естьАвтоматич. перезапуск при КЗ – естьАвтоматич. перезапуск при перегрузке – естьКачание частоты для устранения ЭМП – естьКомпенсатор выходного напряжения для регулировки нагрузки

–есть

интегрированные компонентыБутстрепный диод есть –

Тип корпусаDIP–8, SOIC–8

DIP–8, SOIC–8

www.irf.ru58


IR1150 IRIRS2117/18IRS21844

IRS2101IRS2109IRS2104IRS2308IRS2453DМикросхема балласта HID ламп

IRS2573DS 600 В интегрирует в одном корпусе понижающий конвертер и мостовой драйвер. Схема конвертера работает в режиме ССМ (continuous-conduction mode) при нагреве лампы и переключается в режим critical-conduction mode при стабильном рабочем состоянии лампы. Блок полномостового драйвера объединяет драйвер верхнего и нижнего ключа, а также бутстрепные MOSFET транзисторы для питания верхнего ключа.

Прибор позволяет контролировать работу лампы в различных режимах: при поджиге, нагреве, нормальном рабочем состоянии, перегорании. Схема умножителя точно измеряет и контролирует мощность лампы. Также, IRS2573DS имеет детектор ошибок, схему таймера ошибок и детектирует короткое замыкание, разомкнутое состояние, ошибку поджига и нагрева, завершение срока службы лампы.

Наим-е Корпус Напр-е смещения, ВМакс. выходное напряжение, В

Вых. втекающий ток, мА Вых. вытекающий ток, мА «Мертвое время», мкс

IRS2573DS SO28-WB 600 15.6 180 260 1.2

одноканальные драйверы верхнего плеча


плеча, мАУправляющее напряжение

на затворах, ВСовместимость

с логикой, ВДопол. функции Инвертированный выход

IRS2117 600 290 / 600 10-20 15 UVLO –

IRS2118 600 290 / 600 10-20 15 UVLO есть

IRS21171S 600 290 / 600 10-20 15 UVLO –

UVLO – защита от понижения напряжения питания

полумостовые драйверы

Наим-е Напр-е смеще-ния, ВВых. ток КЗ верх./

нижнего плеча, мА

Управляющее напряжение на

затворах, ВРабочий цикл


Программ. время задержки, мкс

Допол. функции

IRS21844 600 1900 / 2300 10-20 50% 3.3, 5 1 SG, UVLO

Мостовой каскадМостовой каскад формирует на лампе переменное напряжение и управляет устройством поджига. Для этого используется

микросхема драйвера с автогенератором IRS2453D. Частота автоколебаний устанавливается внешней RC-цепью.

полумостовые драйверы

Наим-е Напр-е смеще-ния, В Кол-во входовВых. ток КЗ верх./

нижнего плеча, мАУправляющее напряже-

ние на затворах, ВСовместимость

с логикой, ВПрограмм. время

задержкиДопол. функции

IRS2104 600 1 290 / 600 10-20 3.3, 5, 15 – SD, SG, UVLOIRS2109 600 1 290 / 600 10-20 3.3, 5, 15 – SD, UVLOIRS2308 600 2 290 / 600 10-20 3.3, 5, 15 – UVLO

независимые драйверы верхнего и нижнего плеча


плеча, мАУправляющее напряжение

на затворах, ВСовместимость

с логикой, ВДоп. функции Инвертированный выход

IRS2101 600 290 / 600 10-20 3.3, 5, 15 UVLO –

UVLO – защита от понижения напряжения питания, SD – вход выключения выходных сигналов, SG разделение земли питания и управления

Благодаря своим преимуществам над другими источникам света (высокая интенсивность свечения, долгий срок службы, передача цветовой температуры и др.) газоразрядные лампы приобретают всё большую популярность. Компания IR выпускает микросхемы высокой степени интеграции для газоразрядных ламп яркостью от десятков до нескольких сотен ватт. Традиционная топология балластов включает корректор фактора мощности в схеме первичного преобразования, понижающий конвертер для стабилизации тока подогрева и полномостовой ключ управления. Для эффективной работы балласта IR предлагает набор компонентов для быстрой разработки схемы.

Микросхемы драйверов для балластов газоразрядных ламп высокой интенсивности (22)

www.irf.ru 59


Микросхемы драйверов для балластов газоразрядных ламп высокой интенсивности (22) Микросхемы балластов светодиодных ламп (24)Сверхяркие светодиоды отличаются чрезвычайно долгим сроком службы, минимальными требованиями

к обслуживанию, небольшими габаритами, удобством применения, безопасным уровнем рабочего напряжения, стойкостью к работе при отрицательных температурах, отсутствием ртути, отличными характеристиками яркости свечения.

Сегодня яркие светодиоды достигли мощности в 5 Вт при рабочем токе 1.5 А, поэтому традиционные методы управления (например, резистивное управление током) уже оказываются неэффективными и неточными. Требуются новые компоненты управления, которые смогли бы обеспечить более точную регулировку тока.

Компания IR выпускает специализированные ИС управления с высокой степенью интеграции для источников питания светодиодных устройств. Микросхемы IR2540/IRS2541 обеспечивают постоянный выходной ток для неизолированных источников питания светодиодных панно до 200 мА и выше.


сдвига, ВВых.вытек.

ток, мАВых.втек.

ток, мАДиапазон вых.

напр-я, ВРегул-ка тока нагрузки, %

Задержка, нс


IRS2541PBFIRS25411PBF

600 500 700 8-16.6 ±5 140 DIP-8

IRS2540PBFIRS25401PBF

200 500 700 8-16.6 ±5 140 DIP-8

IRS2540SPBFIRS25401SPBF

200 500 700 8-16.6 ±5 140 SOIC-8

IRS2541SPBFIRS25411SPBF

600 500 700 8-16.6 ±5 140 SOIC-8

IRS2540/IRS2541– микросхемы полумостового драйвера 200/600 В– микромощный запуск (менее 500 мА)– опорное напряжение 3%– задержка 140 нс– интегрированный стабилитрон 15.6 В – частота до 500 кГц– автоматический перезапуск– ШИМ регулировка яркости– IRS25401/25411 отличаются стойкостью

к защелкиванию

Наим-е Применение

IRS2548DИзолированный балласт мощных светодиодных

лампIRS25401 IRS25411 IRS2540 IRS2541

Неизолированный балласт мощных светодиодных ламп

IRS2980Высоковольтная микросхема LEDrivIR для

неизолированных светодиодных драйверовIRPLLED1A IRPLLED5 IRPLLED7 IRPLLED13

Платы разработки

Наим-е Корпус Напряжение Высоков. вход Выходной ток Макс. частота

IRS2980SPBF SO8 600 В -0.3…450 В +/- 80/260 мА 150 кГц

особенности– светодиодный драйвер с регулировкой яркости (диммер) для одного светодиода– гистерезисный регулятор тока– аналоговый/ШИМ вход диммера– встроенный высоковольтный регулятор– встроенный диод Зеннера 15,6 В– маломощный запуск (250 мкА)– стойкость к защелкиванию и защита от статического электричества– не требует внешних схем защиты– легкость использования и малый срок ввода в эксплуатацию

Драйвер LEDrivIR IRS2980IRS2980 – микросхема высоковольтного импульсного понижающего регулятора для управления питанием светодиодных ламп,

трубок и других неизолированных светодиодных драйверов. Нормированные на напряжение 600 В, микросхемы IRS2980 стали первыми гистерезисными регуляторами тока в семействе высоковольтных микросхем LEDrivIR. Понижающий драйвер имеет MOSFET транзистор нижнего ключа с высоковольтным встроенным регулятором и измерителем тока верхнего ключа. Конвертер совместим с электронным ШИМ диммером для регулировки тока в диапазоне 0-100%. Микросхема имеет гистерезистую топологию, где высокочастотный переменный ток на входе управляется посредством регулировки частоты генератора и рабочего цикла. Новые микросхемы IRS2980 LEDrivIR предлагают повышенную эффективность при небольшой стоимости изделия по сравнению с альтернативными решениями для неизолированных светодиодных драйверов.

Микросхемы выпускаются в корпусе SO-8 и отличаются высокой степенью защиты к электрическим перегрузкам. Для разработчиков выпускается плата IRPLLED7 с драйвером IRS2980DS.

www.irf.ru60


балласты люминесцентных ламп с холодным катодом (25)

Наим-е Топология Напряжение сдвига, В Вых.вытек. ток, мА Вых.втек. ток, мА Время задержки, мкс Корпус

IRS2552DSPBFПолумостовой драйвер

600 300 450 1 SOIC-16 узк.

IRS2552DPBF 600 300 450 1 DIP-16

преимущества– управление двумя IGBT/MOSFET транзисторами– встроенный автогенератор– мягкий запуск– интегрированный стабилитрон 15.6 В– микромощный старт– аналоговая регулировка входа 0–5 В– программируемая частота и время поджига– мониторинг тока лампы– программируемое время задержки– для балластов нескольких ламп– защита от короткого замыкания– интегрированный бутстрепный диод– стойкость к защелкиванию на всех выводах– защита от статики на всех выводах

контроллер ккМ светодиодных драйверов

IRS2500 - корректор коэффициента мощности для импульсных источников питания, драйверов светодиодов, люминесцентных и газоразрядных электронных балластов. Контроллер может работать в схемах повышающего или обратноходового преобразователя в режиме критической проводимости. Новое устройство содержит схему оптимизации коэффициента нелинейных искажений, предназначенную для снижения уровня гармоник тока в сети. Контроллер имеет высокую помехоустойчивость, что упрощает проектирование и снижает стоимость системы.

Наим-е Микромощный запус Опорное напр-е, В Напр-е питания, В Частота, кГц Вых. ток, мА Схемы защиты Корпус

IRS2500S менее 50 мкА 2.5 12.5 - 20 20 - 800 +/- 500

по току и напряжениюзащита от

защелкиванияESD защита

SO-8

схема подключения

www.irf.ru 61


Сравнение применения транзисторов а) неоптимизированных для плазменных панелей, б) оптимизированных для плазменных панелей

а) б)

IGBT/MOSFET транзисторы для источников питания плазменных дисплеев (28)В плазменных панелях используются различные устройства для преобразования переменного напряжения в постоянное

и поддержки плазменного разряда на панели. Компания IR выпускает специальную линейку Trench IGBT транзисторов для поддержки плазменного разряда. Такие цепи требуют от транзисторов следующих параметров: высокий пиковый ток, малое падение прямого напряжения, малое время включения.

Силовые компоненты плазменной панели по их функциональной принадлежности можно разделить на 4 основных группы:1. Цепь восстановления остаточной энергии: транзисторы Q5, Q6, Q7, Q8, D1, D2, D5, D62. Цепь поддержки плазменного разряда: транзисторы Q1, Q2, Q11 и Q123. Проходные схемы с пропусканием тока в двух направлениях: транзисторы Q3 и Q44. Схемы Set/Reset: транзисторы Q9 и Q10

Trench MOSFET транзисторы

Наим-е Напряжение пробоя сток-исток, В Пиковый ток кол-ра, АНапряжение пробоя сток-

исток, ВНапряжение затвор-

исток, ВСхема применения Тип корпуса

IRFx4227 200 185 240 ±30 1, 3 TO220FP, D2PAK, TO220

IRFB4233 230 160 276 ±30 1, 3, 2 TO220

IRFP4232 250 160 300 ±30 3, 2 TO247

IRFP4242 300 130 360 ±30 3, 2 TO247

Trench IGBT транзисторы

Наим-еНапр-е кол.-эмиттер, В

Напр-е насыщ-я кол.-эмиттер (тип./макс.), В

Ток коллектора (25/100°C), AРассеив. мощность,

ВтЭнергия на импульс

тока, мкДжСхема применения Тип корпуса

IRGP4050 250 1,64/1,90 104/56 330 - 1, 2 TO-247ACIRGI4055 300 1,25/1,45 28/14 39 975 1, 2 TO-220 FullPakIRGI4065 300 1,10/1,35 36/18 46 975 1, 2 TO-220 FullPakIRGB4065 300 1,75/2,10 70/40 178 975 1, 2 TO-220ABIRGP4065D 300 1,75/2,10 70/40 160 975 2 TO-247ACIRGP4065 300 1,75/2,10 70/40 178 975 1, 2 TO-247ACIRGS4065 300 1,75/2,10 70/40 178 965 1, 2 D2-PakIRGB4055 300 1,70/2,10 110/60 255 915 1, 2 TO-220ABIRGP4055D 300 1,70/2,10 110/60 255 915 2 TO-247ACIRGP4055 300 1,70/2,10 110/60 255 915 1, 2 TO-247AC

IRGS4055 300 1,70/2,10 110/60 255 915 1, 2 D2-Pak

www.irf.ru62

автоэлектроника

Автоэлектроника непрерывно развивается и обновляется. Надежные электроприводы заменяют механические и гидравлические устройства, а электрика автомобиля переходит на напряжение 42 В. Компания IR предлагает инновационные решения управления электропитанием для любых систем автомобиля, от систем обеспечения комфорта до трансмиссии.

коМпоненты Для автоЭлектроники

рулевое управление

MOSFET транзисторы (32)Микросхемы драйверов затвора (32)

управление двигателем внутреннего сгорания

Драйверы впрыска топлива (33)IGBT транзисторы для системы зажигания (31)

балласты ксеноновых фар

Полумостовые MOSFET и IGBT транзисторы (34)Полумостовые драйверы (34)

Интеллектуальные ключи (29)Интеллектуальные ключи с обратной связью по току (30)Контроллеры управления DC приводом (35)

системы кузовного контроля

верхнее плечо нижнее плечо

www.irf.ru 63


интеллектуальные ключи (29)Для замены электромагнитных реле в автомобильной электронике компания IR

предлагает силовые ключи на базе MOSFET транзисторов. Интеллектуальные ключи интегрируют в выходном каскаде силовой MOSFET

транзистор с низким сопротивлением в открытом состоянии со схемами защиты и управления, что делает их эффективным решением для управления автомобильной нагрузкой в тяжелых условиях эксплуатации.

Встроенные функции защиты включают защиту от перегрева, токовой перегрузки и напряжения при выключении индуктивной нагрузки, благодаря чему ключи обеспечивают безопасную работу устройств как при обычных перегрузках, так и при аварийных условиях работы (потеря земли, обратная полярность и др.). Встроенная схема накачки позволяет управлять ключами непосредственно от микроконтроллера через сигналы логического уровня.

Ключи управления нижним плечом AUIPS10xx/AUIPS20xx имеют входы логического уровня, защиту от перегрева, функцию выключения при токовой перегрузке, активную защелку и вывод диагностики. Результатом ошибки может стать одно из трех состояний: перегрев, перегрузка по току и открытая нагрузка.

Схема смещения на выходе управления верхним плечом AUIPS60xx/AUIPS70xx обеспечивает стойкость компонентов к большому смещению между землей логики и нагрузки, а также малое время переключения. Встроенная схема управления скоростью нарастания сигнала для включения и выключения, а также малошумный насос накачки затвора позволяют снизить электромагнитные помехи, при этом фоновый шум не превышает 10 мА. Соответствуют стандарту АЕС Q100.

преимущества IR– надежные, эффективные и миниатюрные ключи для тяжелых

условий работы – зарядовый насос и полная защита без дополнительных схем

обвязки– экономия пространства платы на 30% по сравнению с дискретными

решениями– увеличение срока службы в 1000 раз по сравнению с

электромагнитными реле– снижение сопротивления в открытом состоянии на 20% по

отношению к реле, что сокращает мощность рассеяния и площадь радиаторов

Функции защиты– защита от токовой перегрузки– вывод внешнего отключения– ограничение по току– защита от перегрева (165°С)– защита от электростатического заряда– активная защелка при работе на индуктивную нагрузку

применениеДля замены электромагнитных реле:

автоэлектроника– управление трансмиссией– блоки интеллектуальных предохранителей– электронные системы контроля устойчивости– AБС, противобуксовочная система– дизельные и газовые устройства впрыска– насосы, вентиляторы радиаторов– дизельные свечи– лампы

промышленная автоматика– программируемые логические контроллеры– системы управления с распределенной

архитектурой и системы с обратной связью– нагрузки постоянного тока 12 и 24 В (нагреватели,

соленоиды, клапана)– щеточные двигатели постоянного тока

верхнее плечо нижнее плечо

описание– 40 В MOSFET транзисторы со встроенными функциями защиты и зарядовым насосом в одном корпусе– технология 75 В для автоэлектрики 24 В (грузовые автомобили и промышленная электроника)– сопротивление в открытом состоянии 7 мОм для компонентов в корпусах ТО–220/D2PAK с обратной связью по току– интегрированный зарядовый насос с малыми ЭМП обеспечивает прямое управление от логических сигналов– детектор открытой нагрузки– вывод диагностики на низком плече ключа

www.irf.ru64


IPS ключи для ртс нагревателей

Наим-е Топология КорпусРабочее

напр-е, ВСопр-е канала

Rds(on), мОмВыключение по току Выкл-е по перегреву

AUIR3320Драйвер верхнего плеча с

измерением токаD2PAK-5 6-26 4 10-55 А 165ºС

РТС электронагреватели широко используются в салоне автомобиля. Поэтому основные требования, предъявляемые к разработчикам элементной базы, связаны с безопасностью и надежностью их экслуатации.

При минимальном сопротивлении открытого канала 4 мОм при 25°C ключи AUIR3320S проводят высокий ток при использовании малогабаритного радиатора. Токоизмерительный вывод позволяет осуществлять точный контроль тока нагрузки с помощью микроконтроллера. Надежность работы ключ в условиях короткого замыкания обеспечивается защитой по токовой перегрузке и перегреву. Плавное выключение и включение уменьшает электромагнитные помехи.

Наим-е Топология Кол-во входов Сопр-е RDS(on), мОмВых. напр-е защелкивания,

ВЗащита по току Корпус

AUIPS7221R

Драйвер верхнего плеча

1 35 65 выкл. при 25A D-Pak-5AUIPS7145R 1 100 65 выкл. при 20A D-Pak-5AUIPS6031S 1 60 39 огр. тока при 16A D2-Pak-5AUIR33401S 1 3.5 40 выкл. при 40A D2-Pak-7AUIPS7081R 1 70 70 огр. тока при 9A D-Pak-5AUIPS6011S 1 14 39 огр. тока при 60A D2-Pak-5AUIR3317 1 7 40 выкл. при 120A TO-220-5AUIR3317S 1 7 40 выкл. при 120A D2-Pak-5AUIR3313S 1 7 40 выкл. при 10-90A D2-Pak-5AUIPS7091S 1 120 70 огр. тока при 5A D2-Pak-5AUIPS6011 1 14 39 огр. тока при 60A TO-220-5AUIPS6041G 1 130 39 огр. тока при 7A SO-8AUIPS6021 1 30 39 огр. тока при 32A TO-220-5AUIPS6021R 1 30 39 огр. тока при 32A D-Pak-5AUIR3316S 1 7 40 выкл. при 10-90A D2-Pak-5AUIR3315S 1 20 40 выкл. при 3-30A D2-Pak-5AUIR3314 1 12 40 выкл. при 6-58A TO-220-5AUIPS7091G 1 120 70 огр. тока при 5A SO-8AUIPS6011R 1 14 39 огр. тока при 60A D-Pak-5AUIR3315 1 20 40 выкл. при 3-30A TO-220-5AUIPS6044G 4 130 39 огр. тока при 7A SO-28AUIR3316 1 7 40 выкл. при 10-90A TO-220-5AUIPS6031R 1 60 39 огр. тока при 16A D-Pak-5AUIPS72211R 1 35 65 выкл. при 20A D-Pak-5AUIPS6041S 1 130 39 огр. тока при 7A D2-Pak-5AUIPS71451G 1 100 65 выкл. при 4A SO-8AUIPS7125R 1 30 65 выкл. при 50A D-Pak-5AUIPS6041 1 130 39 огр. тока при 7A TO-220-5AUIPS6031 1 60 39 огр. тока при 16A TO-220-5AUIR3330S 1 3.5 40 выкл. при 50A D2-Pak-7AUIPS7111S 1 7.5 65 выкл. при 45A D2-Pak-5AUIPS6021S 1 30 39 огр. тока при 32A D2-Pak-5AUIR3320S 1 4 40 выкл. при 10-55A D2-Pak-5AUIR3314S 1 12 40 выкл. при 6-58A D2-Pak-5AUIPS7081 1 70 70 огр. тока при 9A TO-220-5AUIR3313 1 7 40 выкл. при 10-90A TO-220-5AUIPS7091 1 120 70 огр. тока при 5A TO-220-5AUIPS6041R 1 130 39 огр. тока при 7A D-Pak-5AUIPS7142G 2 100 65 выкл. при 20A SOIC-16AUIPS7081S 1 70 70 огр. тока при 9A D2-Pak-5AUIPS1041L

Драйвер нижнего плеча

1 100 39 выкл. при 4.5A SOT-223AUIPS2031R 1 60 68 выкл. при 10A D-PakAUIPS1051L 1 250 39 выкл. при 2.8A SOT-223AUIPS1021S 1 25 39 выкл. при 45A D2-PakAUIPS2052G 2 300 70 выкл. при 1.8A SO-8AUIPS1031 1 50 39 выкл. при 18A TO-220ABAUIPS1031R 1 50 39 выкл. при 18A D-PakAUIPS1021 1 25 39 выкл. при 45A TO-220ABAUIPS1011 1 13 39 выкл. при 85A TO-220ABAUIPS1021R 1 25 39 выкл. при 45A D-PakAUIPS1011R 1 13 39 выкл. при 85A D-PakAUIPS1052G 2 250 39 выкл. при 2.8A SO-8AUIPS1031S 1 50 39 выкл. при 18A D2-PakAUIPS2041R 1 130 68 выкл. при 5A D-PakAUIPS1011S 1 13 39 выкл. при 85A D2-PakAUIPS1042G 2 100 39 выкл. при 4.5A SO-8AUIPS2041L 1 130 68 выкл. при 5A SOT-223AUIPS1041R 1 100 39 выкл. при 4.5A D-PakAUIPS2051L 1 300 70 выкл. при 1.8A SOT-223

www.irf.ru 65


IGBT транзисторы для электронного зажигания (31)Специализированные N-канальные IGBT транзисторы предназначены для систем

зажигания с индивидуальной катушкой на каждой свече. Уникальная особенность приборов заключается в активной защелке по напряжению между затвором и эмиттером и затвором и коллектором, что обеспечивает надежную защиту от перенапряжений в схемах зажигания. Точность блокировки напряжения также обеспечивает управление энергией искры при зажигании.

описание– драйвер затвора с логическим уровнем– электростатическая защита затвора более 6 кВ– низкое напряжение насыщения– высокая индуктивная энергия защелки– сертификация Q101

преимущества IR– напряжение защелкивания может быть выбрано

заказчиком– низкие потери на проводимость– надежная работа системы зажигания– диапазон рабочих температур: –40…175°С

Наим-е Особенности Напр-е кол.-эм., ВНапр-е насыщения

к-э, ВТок коллектора (25°С), А

Ток коллектора (100°С), А

Мощность рассеяния (25°С), Вт


IRGSL14C40L низкое напряжение насыщения коллектор-

эмиттер

430 1.40 20 14 125 TO-262IRGB14C40L 430 1.40 20 14 125 TO-220ABIRGS14C40L 430 1.40 20 14 125 D2-Pak

CoolIRIGBT транзисторыInternational Rectifier аннонсировала новую высоко инновационную 600 В

платформу автомобильных IGBT транзисторов COOLiRIGBT для коммутации нагрузки в электрических и гибридных транспортных средствах (EV, HEV), таких, как DC-DC преобразователи, привода, зарядные устройства аккумуляторов.

Первое поколение COOLiRIGBT приборов работает на тех же частотах, что и MOSFET транзисторы при более высоком КПД и высоком уровне рабочего тока. Линейка транзисторов представлена широким модельным рядом: транзисторами на различные диапазоны тока, с минимальным временем короткого замыкания 5 мкс, низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер и положительным температурным коэффициентом Vce(on). Также, IGBT имеют квадратную область безопасной работы (SRBSOA) и максимальную температуру перехода 175ºС. COOLiRIGBT предоставляют разработчикам большую гибкость в выборе диода с оптимальными рабочими характеристиками.

Благодаря расширенному температурному диапазону до 175ºС, упрощенной, и в то же время высоконадежной структуре прибора, новые COOLiRIGBT транзисторы 200 кГц, по сравнению с MOSFET транзисторами, представляют собой недорогое и качественное решение для быстрого переключения нагрузки в DC-DC преобразователях или зарядниках и источниках питания, которые используются в электрических и гибридных автомобилях.

AUIRGC655A1N0 оптимизированы для инвертеров и силовых приводов, AUIRGC65A20N0 и AUIRGC65G20N0 предназначены для источников питания и коммутации нагрузки на высоких частотах. Два последних прибора имеют улучшенные характеристики по току благодаря сниженным потерям на проводимость и повышенной эффективности при использовании в схемах с ZCS топологией (коммутация при нулевом токе).

Наименование Корпус Напр-е, В Ток коллектора, А Рабочая частота, кГцНапр-е насыщения кол.-эмиттер,

В (25°)Цикл КЗ, мкс (150°C)

AUIRGC655A1N0 кристалл 600 110 <30 1.80 ≥5 AUIRGC65A20N0 кристалл 600 20 40 - 70 1.50 ≥5AUIRGC65G20N0 кристалл 600 20 70 - 200 1.80 ≥5

транзисторы DirectFET

Аудио усилители класса D

AUIRF7665S2корпус

Small Can100 В 66 мОм

Низкий заряд затвора




AUIRF7675M2корпус

Medium Can150 В 56 мОм


DC-DC преобразователи





Medium Can60 В 7 мОм


AUIRF7669L2корпус

Large Can100 В 4.6 мОм


Высокая нагрузка (привод)


Medium Can40 В 3.1 мОм

низкое Rds(on)










www.irf.ru66


интеллектуальные ключи с программируемой отсечкой по току (30)Ключи AUIR331x имеют вывод обратной связи по току с точностью ±5% в полном

диапазоне рабочих температур (близкие приборы конкурентов предлагают точность ±20%). Высокая точность и встроенная программируемая защита по току обеспечивает надежную защиту не только самих ключей, но и подключенной к ним нагрузки посредством оптимизации порога выключения.

Сигнал обратной связи по току при полосе 100 кГц и точности ±5% может быть обработан стандартными ШИМ контроллерами, микросхемами управления, микроконтроллерами и т.д. для решения различных задач, от управления током нагрузки до детектирования неисправностей. Благодаря токоизмерительной функции ключей можно отказаться от дорогостоящих датчиков Холла.

Ключи IR331x были специально разработаны для автоэлектроники с 12 В сетью, где требуется высокая степень защиты, чтобы защитить микросхемы управления от короткого замыкания или перегрузки. Дополнительными Преимуществами ключей является программируемое выключение при токовой перегрузке, защита от перегрева, электростатических зарядов, обратной полярности и блокировка напряжения.

описание– встроенный зарядовый насос и драйвер затвора для управления

транзистором верхнего уровня– обратная связь по току– программируемый порог выключения при токовой перегрузке– защита от перегрева– активная защелка по напряжению– защита от обратной полярности– защита от электростатического заряда

принцип работыГрафик показывает ток нагрузки и ток

диагностики (вертикальная шкала изменена для наложения графиков)

преиМущества IR– точность обратной связи по току ±5% – полоса пропускания 100 кГц– ключ верхнего плеча со сверхнизким сопротивлением в открытом

состоянии и защитой

– программируемый порог выключения по току– простота разработки и повышение надежности

применения– автоэлектроника 12 В– блок управления кузовными электронными системами– дополнительные PTC нагреватели– вентилятор двигателя– интеллектуальные свечи– управление вентиляцией салона

Наим-е Конфигурация Число входов Сопр-е в откр.сост-и, мОмВых. напр-е защелкивания,

ВПрограмм. выключение, А Тип корпуса

AUIR3313PBF

Драйвер верхнего плеча с измерением

тока

1 7 40 10-90 TO-220 5-выв.

AUIR3313SPBF 1 7 40 10-90 D2-Pak 5-выв.

AUIR3316PBF 1 7 40 10-90 TO-220 5-выв.

AUIR3316S 1 7 40 10-90 D2-Pak 5-выв.

AUIR3314PBF 1 12 40 6-58 TO-220 5-выв.


AUIR3315PBF 1 20 40 3-30 TO-220 5-выв.


www.irf.ru 67


MOSFET транзисторы и драйверы затвора для рулевого управления (32)Электрическая система рулевого управления постепенно вытесняет

распространенную гидравлическую систему, позволяя повысить экономичность потребления топлива, снизить стоимость оборудования и сократить массогабаритные параметры. Электрическая система также оптимальна для полноприводных транспортных средств, поскольку позволяет значительно сократить радиус поворота.

Компания IR выпускает специализированные транзисторы и микросхемы драйверов затворов для тяжелых условий эксплуатации. Планарные HEXFET силовые транзисторы имеют низкое сопротивление в открытом состоянии, высокую стойкость к пробою и защелкиванию. А Trench MOSFET транзисторы, не уступающие планарным в надежности, имеют на 40% ниже сопротивление канала.

Транзисторы IRF2804S-7P и IRF2804S открывают новое поколение транзисторов для систем рулевого управления. С сопротивлением канала всего 1,6 мОм, транзисторы выдерживают лавинный ток до 160 А.

Высоковольтные микросхемы драйверов затвора имеют высокую степень интеграции, стойкость к нарастанию dV/dt и хорошую защиту от ЭМП.

преимущества IR– надежные приборы с расширенным диапазоном рабочих температур и параметрами лавинного пробоя– эффективная работа при снижении габаритов радиаторов– повышение эффективности электронного маховика


Наим–е Напр–е затвор–сток, В RDS(on) макс., мОм Ток стока макс., А Термосопр–е, °C/Вт Стандарт качества Тип корпуса

AUIRF2804S 40 2.0 75 0.45 Q101 D2Pak

AUIRF2804S–7P 40 1.6 160 0.50 Q101 D2Pak–7

AUIRF1404ZS 40 3.7 75 0.65 Q101 D2Pak

AUIRF3805S 55 3.3 75 0.45 Q101 D2Pak

AUIRF3805S–7P 55 2.6 160 0.50 Q101 D2Pak–7

AUIRF1405ZS 55 4.9 75 0.65 Q101 D2Pak

IRF2907ZS 75 4.5 75 0.45 Q101 D2Pak

Микросхемы драйверов затворов

Наим–еТип

корпусаНапр–е

смещения, В

Вытек./ втек. ток,

мА

Диапазон напр–я питания*, В

Вых. напр–е*, В

Время задержки, нс

Описание

3–фазные драйверы

IR2133 PDIP–28

600+200/ –420

10–25 10–25 250

Все выходы работают в противофазе со входами, блокировка всех драйверов при понижении напряжения питания,

компаратор тока, защелка по сигналу ошибки, вход снятия ошибки, синхронизированный вход выключения, компаратор

обратной связи по току IR2133S SOIC–28

IR2136 PDIP–28600

+120/ –250

10–25 10–25 не менее 200Аналог IR2133 с пониженным выходным током, 5 В

инвертируемый вход логики, драйвер мягкого включения, программируемая задержка сброса ошибкиIR2136S SOIC–28

Драйверы верхнего и нижнего плеча IR2301 PDIP–8

600+120/ –250

5–20 5–20 –Неинвертируемые входы 3.3В, 5В и 15В, совместимость с

логикойIR2301S SOIC–8

полумостовые драйверы IR2302 PDIP–8

600+120/ –250

5–20 5–20 540Неинвертируемые входы

входы 3.3В, 5В и 15В, совместимость с логикойIR2302S SOIC–8 *с защитой от пониженного напряжения

MOSFET транзисторы– низкое сопротивление в открытом состоянии,

малые потери на проводимость– отличные характеристики лавинного пробоя– температурный диапазон до 175°С и 200°С– сертификат Q101 для корпусов TO–220 и D2Pak– драйвер затвора логического уровня с малой емкостью затвора

Микросхемы драйверов затвора– расширенные функции защиты– совместимость входов/выходов с микроконтроллером– высокая степень интеграции– устойчивость к нарастанию dV/dt

www.irf.ru68


Драйверы впрыска топлива (33)Электронные инжекторы стали стандартом «де факто», они позволяют снизить потребление топлива, увеличить надежность

и сэкономить площадь платы. Использование силовых HEXFET транзисторов с микросхемами драйверов затворов позволяет реализовывать эффективные и компактные схемы контроля тока для запуска плунжера.

MOSFET транзисторы– низкое сопротивление в открытом состоянии, малые потери

на проводимость– малая энергия на переключение для эффективных

повышающих конвертеров– отличные характеристики лавинного пробоя– температурный диапазон до 175°С и 200°С– сертификат Q101 для корпусов TO–220, D–Pak и D2Pak– драйвер затвора логического уровня с малой емкостью

затвора

Микросхемы драйверов затвора– расширенные функции защиты– совместимость входов/выходов с микроконтроллером– высокий уровень управляющего тока– устойчивость к нарастанию dV/dt

Преимущества IR

– надежные приборы для тяжелых условий эксплуатации– эффективная работа при снижении габаритов радиаторов

высокоэффективные HEXFET MOSFET транзисторы

Наим-е Тип корпуса Напр-е сток-исток, В RDS(on) макс., мОм

AUIRFR2405 D-Pak 55 16

AUIRFR2407 D-Pak 75 26

AUIRF1010Z TO-220 55 11

AUIRF7341Q SO-8 (175°C) 55 2х50

AUIRF7103Q SO-8 (175°C) 50 130

стандартные HEXFET MOSFET транзисторы

Наим-е Тип корпуса Напр-е сток-исток, В RDS(on) макс., мОм

AUIRFZ44N TO-220 55 22

AUIRLZ44Z TO-220 55 22

AUIRLZ44ZS D2Pak 55 22

AUIRFIZ44N Full-Pak 55 24

AUIRFIZ34N Full-Pak 55 40

IRFR3910 D-Pak 55 110

IRL540NS D2Pak 100 44

IRL530NS D2Pak 100 100

IRLI520N Full-Pak 100 180

полумостовые микросхемы драйверов затвора

Наим-е Тип корпуса Напр-е смещения, ВВытек./

втек. ток, мАДиапазон выходного

напряжения*, ВСогласование задержки,

нсОсобенности

IR2301 DIP-8, SOIC-8 600 +120/-250 5-20 50Независимый драйвер

верхнего и нижнего плеча

IR2302 DIP-8, SOIC-8 600 +120/-250 5-20 50Полумостовой драйвер, защита от перекрестной

проводимости

*с защитой от понижения напряжения

www.irf.ru 69


силовые компоненты для ксеноновых фар (34)Лампы с разрядом высокой интенсивности (HID) – отличная замена традиционных

ламп или галогенных ламп в автомобильных фарах. Они требуют 25 кВ на электродах для ионизации газа ксенона и поджига дуги. При возникновении дугового разряда лампа работает от напряжения около 90 В, которое поддерживается на электродах.

преиМущества IR– низкие потери на проводимость и переключение обеспечивают эффективную

работу, компактность размеров, минимальный размер радиатора– MOSFET транзисторы нормированы на пробой при максимальной температуре

кристалла– микросхемы драйверов затвора обеспечивают портативный и эффективный дизайн

балласта

описание– повышающие MOSFET транзисторы: низкое

сопротивление открытого канала и малая энергия переключения

– полумостовые IGBT транзисторы: низкое сопротивление открытого канала и малая энергия переключения

– полумостовые MOSFET транзисторы: низкие потери на переключение

– полумостовые драйверы: высокая степень защиты, прямое управление от микроконтроллера

– MOSFET защиты при переполюсовке аккумулятора: низкое сопротивление открытого канала

IGBT транзисторы

Наим-е Тип корпуса Напр-е кол.-эмиттер, ВНапр-е насыщения

к-э, ВТок коллектора

(25°C), АТок коллектора

(100°C), АМощшность рассения,

ВтТермосопро-е, °C/Вт

IRG4RC10SD D-Pak 600 1.1 2 14 15W 3.3


Наим-е Тип корпуса Напр-е сток-исток, В RDS(on) макс., мОм Ток стока макс., А Термосопро-е, °C/Вт Стандарт качества

IRF1310N TO-220 100 36 42 0.95 Q101

IRF1310NL TO-262 100 36 42 0.95 Индустр.

IRF1310NS D2Pak 100 36 42 0.95 Индустр.

IRL2910 TO-220 100 26 55 0.75 Q101

IRL3103 TO-220 30 12 64 1.6 Q101

полумостовые драйверы затворов

Наим-еТип

корпусаНапр-е

питания, ВВытек./

втек. ток, мАДиапазон вых.

напр-я*, ВСоглас-е задержки Описание

IR2106 PDIP-8

600

+120/ -250

10-25

50 нс макс.

Мягкое включение, неинверт. входы, совместимость с логикой 3.3, 5 и 15 ВIR2106S SOIC-8

IR21064 PDIP-14 Аналог IR2106 с высоковольтными выводами на одной стороне, разделение земли логики и нагрузкиIR21064S PDIP-14

IR2109 PDIP-8Фикс. 500 нс

Одиночный вход, вывод shutdown, мягкий запуск, совместимость с логикой 3.3, 5 и 15 ВIR2109S SOIC-8

IR21094 PDIP-8 Регул-ка вн. резистором 0.5

– 5 мкс

Аналог IR2109 с высоковольтными выводами на одной стороне, разделение земли логики и нагрузкиIR21094S SOIC-8

IR2301 DIP-8, SOIC-8

+120/-250 5-20 50 нс макс. Защита от перекрестной проводимости

IR2302 +120/-250 5-20 50 нс макс. Драйвер с независ. выходами высокого и низкого плеча

*с защитой от понижения напряжения

www.irf.ru70

каталог продУкции

каталог продукции - IGBT транзисторыIGBT с маркировкой (D) могут поставлять с диодом или без

IGBT 1200 в

Ток стока (100°C), А Напр-е кол.-эмит., В Частота, кГц Время сраб-я, мкс ТО-247 Super-247 TO-262 D2pak ТО-22090 2.3 25 10 IRG7PSH73K1060 2.75 15 10 IRGPS60B120K(D)50 2 25 IRG7PH50U IRG7PSH50U(D)50 2.7 25 IRG4PSH71U(D)42 3.9 25 10 IRG4PSH71K(D)40 2 30 IRG7PH46U(D)40 3.5 30 10 IRGPS40B120U(D)33 1.7 1 IRG4PH50S30 2 30 IRG7PH42U(D)30 2.28 15 10 IRGP30B120KD-E24 3.5 20 10 IRG4PH50K(D)24 3.7 20 IRG4PH50U(D)20 2 30 IRG7PH35U(D)20 3.05 30 10 IRGP20B120U(D)-E15 3.4 20 10 IRG4PH40K(D)15 3.5 20 IRG4PH40U(D)10 2.35 25 10 IRG7PH30K10(D)10 4.2 20 10 IRG4PH30K(D)6 2 15 10 IRGB5B120KD5 3.17 20 10 IRG4PH20K(D) IRG4BH20K-L IRG4BH20K-S

IGBT 600 вТок стока (100°C), A

Напр-е кол.-эмит., В

Частота,кГцВремя

сраб-я, мксTO-262 DPak D2Pak TO-220 TO-220FP TO-247 Super-247

120 1.9 30 IRGPS4067D75 1.9 30 IRGP4066D60 1.6 30 IRGP4660D60 1.8 12 IRG4PC60F60 2 25 IRG4PSC71U(D)60 2.3 25 10 IRG4PSC71K(D)50 1.6 30 IRGP4650D48 2.14 35 3 IRGP4063(D)48 2.14 35 3 IRGP4068D42 2.2 50 10 IRGP50B60PD141 1.36 1 IRG4PC50S(D)40 2 25 IRG4PC60U40 1.6 30 IRGP4640D39 1.6 12 IRG4PC50F(D)35 1.9 25 3 IRGP4069(D)34 2.25 50 10 IRGP35B60PD31 1.5 1 IRG4BC40S IRG4PC40S30 2.35 20 10 IRGSL30B60K IRGS30B60K IRGB30B60K30 2.2 25 10 IRG4PC50K(D)30 2.35 20 10 IRGP30B60KD-E27 1.7 12 IRG4BC40F IRG4PC40F(D)27 2 25 IRG4PC50U(D)27 2.3 35 IRG4PC50W25 2.6 25 10 IRG4BC40K IRG4PC40K(D)24 1.9 35 3 IRGSL4062D IRGS4062D IRGB4062D IRGI4062D IRGP4062D22 2.35 50 10 IRGB20B60PD1 IRGP20B60PD20 2.1 25 IRG4BC40U IRG4PC40U(D)20 2.5 35 IRG4BC40W-L IRG4BC40W-S IRG4BC40W IRG4PC40W18 1.6 1 IRG4BC30S-S IRG4BC30S IRG4IBC30S IRG4PC30S18 1.95 35 3 IRGB4061D IRGI4061D17 1.8 12 IRG4BC30FD-S IRG4BC30F(D) IRG4IBC30FD IRG4PC30F(D)16 2.7 25 10 IRG4BC30K(D)-S IRG4BC30K(D) IRG4IBC30KD IRG4PC30K(D)15 2.2 20 10 IRGSL15B60KD IRGS15B60KD IRGB15B60KD IRGIB15B60KD112 1.85 35 3 IRGS4056D IRGB4056D IRGI4056D12 1.95 25 IRG4BC30U-S IRG4BC30U(D) IRG4IBC30UD IRG4PC30U(D)12 2.1 35 IRG4BC30W-S IRG4BC30W IRG4IBC30W IRG4PC30W12 2.2 20 10 IRGSL10B60KD IRGS10B60KD IRGB10B60KD IRGIB10B60KD111 2.1 12 10 IRG4BC20MD-S IRG4BC20MD10 1.4 1 IRG4BC20SD-S IRG4BC20S(D)10 1.91 35 3 IRGB4064D IRGI4064D9 2 12 IRG4RC20F IRG4BC20F(D) IRG4IBC20FD9 2.2 20 10 IRGS8B60K IRGB8B60K9 2.3 12 10 IRG4BC15MD9 2.8 25 10 IRG4BC20K(D)-S IRG4BC20K(D) IRG4IBC20KD8 1.7 1 IRG4BC10SD-L IRG4BC10SD-S IRG4BC10S(D)8 1.85 35 3 IRGB4060D IRGI4060D8 2.2 20 10 IRGIB7B60KD

7.8 2.4 25 IRG4BC15UD- IRG4BC15UD-S IRG4BC15UD7 2 20 10 IRGSL6B60KD IRGS6B60K(D) IRGB6B60K(D) IRGIB6B60KD

6.8 2.5 20 10 IRGSL4B60KD1 IRGS4B60K(D) IRGB4B60K(D)6.5 2.1 25 IRG4BC20UD-S IRG4BC20U(D) IRG4IBC20UD IRG4PC20U6.5 2.6 35 IRG4BC20W-S IRG4BC20W IRG4IBC20W6 1.7 20 IRGR4045D IRGS4045D6 2 35 3 IRGB4045D IRGI4045D5 2.6 25 IRG4BC10UD5 2.62 25 10 IRG4BC10K(D)

4.2 2.4 20 104 2.05 35 3 IRGB4059D IRGI4059D

3.9 2.15 25 IRG4IBC10UD

www.irf.ru 71


каталог продукции – микросхемы драйверов

полномостовые драйверы (6 и 7 транзисторов) для 3-фазных приводов

Напр-е, В Особенности Наим-е DIP28 SOIC28 PLCC44 MLPQ 7X7

600

3-фазный мостовой драйвер

низкий IRS2336D X X X

высокий IRS23364D X X

IRS2336 X X

3-фазный мостовой драйвер с ОУ

с интегрированными бутстрепными диодами

IRS2330D, IRS2332D X X

IRS2330, IRS2332 X X

3-фазный мостовой драйвер с ККМ, защита разрыва земли, с бутстрепными диодами

IRS26302D X

3-фазный мостовой драйвер с ККМ, защита разрыва земли, с бутстрепным питанием, измерением шины, защитой от

перенапряженияIRS26311D X

1200 3-фазный мостовой драйверIR2233IR2235

X X X

одноканальные драйверы

Топология Напр-е, В Особенности Наим-е SOIC8 DIP8 SOIC16N SOIC16

Драйверы верхнего плеча с защитой по току

500Одноканальный драйвер с измерением тока,

выходной ток 1A/2AIR2125 X X

600

вых. ток 4Aзащита от пониженного напряжения

Vcc + VBSIRS21850 X

INпороговый вход 9.5 / 6В IRS2117 X X

пороговый вход 2.5 / 0.8В IRS21171 X

IN/N пороговый вход 9.5 / 6В IRS2118 X X

вых. ток 200 /420 мА

выход в фазе со входом IRS2127 X

инвертированный выход IRS2128 X

Сдвоенные драйверы верхнего плеча

6002-канальный драйвер верхнего плеча,

выходной ток 4A, защита от пониженного напряжения Vcc + VBS

IRS21853 X

Драйвверы нижнего плеча

5

Драйвер нижнего плеча с ограничением по току , вых. 1A/2A IR2121 X

2-канальные драйверы

нижнего плеча

инверт. выход IR4426 X X

выход в фазе со входом IR4427 X X

наполовину инвертир. выход IR4428 X X

Токоизмерительные ИС600

линейное измерение тока IR2175 X X

измерение тока фазы IR2177 X

1200 измерение тока фазы IR2277 X

www.irf.ru72


SD – выключениеSSD – мягкое выключениеOCDS – контроль за насыщение транзистораUVLO – схема контроля напряжения, предотвращающая переход выходных транзисторов в линейный режим работы HIN, LIN – управление по входам HIN и LINSD – дополнительный вход, отключающий оба плечаDT – Интервал времени, в течение которого оба плеча выключены – время паузы TDT (dead time)

Драйверы с независимыми каналами

Независ. каналы

Напр-е В

Осн. функции

Наим-е SOIC

8

DIP8

MLP

Q4X4

SOIC

14

DIP1

4

SOIC

16

SOIC

16N

SSOP

24

SOIC

-20/

QFN

Выходной токУправ-ление

Общий провод Защита

Независ. каналы

200

290 / 600 мА IRS2001 X X

1A IRS2011 X X

3A IR2010 X X

500 2.5A SD VSS/COM UVLO Vcc + VBS IRS2113 X X X

600

290 / 600 мА

COM

UVLO Vcc IRS2101 X X

UVLO Vcc + VBSIRS2301 X X

IRS2106 X X

VSS/COM UVLO Vcc + VBS IRS21064 X X

SD VSS/COM UVLO Vcc + VBS IRS2112 X X

2ACOM


VSS/COM IRS21814 X X X

2.5A SD VSS/COM UVLO Vcc + VBS IRS2113 X X X

4ACOM


VSS/COM IRS21864 X X

Драйверы нижнего и верхнего плеча со встроенный бутстрепным диодом и стойкостью к выбросам отриц.

напряжения

IRS2607D X X

IRS26072D X

UVLO Vcc + VBS IRS2334 X

1 драйвер верхнего плеча и 2 драйвера нижнего плечаIRS21952IRS21953

XX

1200 2A Выход в фазе со входом IR2213 X X

Взаимо- связанные каналы («мертвое время»)

200Полумост с фиксированным DT,

300 / 600 мА

HIN,LIN/N IRS2003 X X

IN, SD/N IRS2004 X X

600

Полумост с фиксированным DT, 300 / 600 мА

HIN, LIN/N

UVLO Vcc IRS2103 X X

вых.ток 2A UVLO Vcc + VBS IRS2183 X X

COM UVLO Vcc + VBS IRS2108 X X

IN, SD/N

UVLO Vcc + VBS IRS2104 X X

UVLO Vcc + VBS IRS2184 X X

COM UVLO Vcc + VBS IRS2109 X X

IN, без SD UVLO Vcc + VBS IRS2111 X X

HIN, LIN Соглас. DT UVLO Vcc + VBSIRS2304IRS2308

X X

Полумост с фиксированным DT, 1.5A, OCDS и SSD

DSH/L IR2114S X

DSH, HSL IR21141S X

Полумост с программируемымDT, 300 / 600 мА, земля VSS/COM

HIN, LIN/NIRS2108 X X

вых.ток 2A IRS21834 X X

IN, SD/NIRS21094 X X

вых.ток 2A IRS21844 X X X

IN, SD/N земля COM IRS21091 X X

Полумост с бутстр. диодом, стойкость выбросам отриц.

напр-я

HIN, LIN/N IRS2608D X X

IN, SD/N IRS2609D X X

1200Полумост с фиксированным

DT, 1.5ADSH/L Passive Biased

IR2214S X

IR22141S X

www.irf.ru 73


DirectFET®

Наим-е Напр-е, В Ток стока при 25C, АСопр-е RDS(on) при 10

В, мОмЗаряд затвора, нКл Встр. диод Шоттки Корпус

IRF6691 20 32.0 1.8 47.0 + MT

IRF6795M 25 32.0 1.8 35.0 + MX

IRF6712S 25 17.0 4.9 13.0 - SQ

IRF6892S 25 28.0 1.7 17.0 - S3C

IRF6893M 25 29.0 1.6 25.0 + MX

IRF6894M 25 32.0 1.3 26.0 + MX

IRF6713S 25 22.0 3.0 21.0 - SQ

IRF6797M 25 36.0 1.4 45.0 + MX

IRF6716M 25 39.0 1.6 39.0 - MX

IRF6711S 25 19.0 3.8 13.0 - SQ

IRF6714M 25 29.0 2.1 29.0 - MX

IRF6717M 25 38.0 1.25 46.0 - MX

IRF6715M 25 34.0 1.6 40.0 - MX

IRF6798M 25 37.0 1.3 50.0 + MX

IRF6810S 25 16.0 5.2 7.4 - S1

IRF6710S2 25 12.0 5.9 8.8 - S1

IRF6811S 25 19.0 3.7 11.0 - SQ

IRF6718L2 25 61.0 0.70 64.0 - L6

IRF6898M 25 35.0 1.1 35.0 + MX

IRF6709S2 25 12.0 7.8 8.1 - S1

IRF6726M 30 32.0 1.7 51.0 - MT

IRF8308M 30 27.0 2.5 28.0 - MX

IRF6722M 30 13.0 7.7 11.0 - MP

IRF6722S 30 13.0 7.7 11.0 - ST

IRF8304M 30 28.0 2.2 28.0 - MX

IRF6727M 30 32.0 1.7 49.0 + MX

IRF8306M 30 23.0 2.5 25.0 + MX

IRF8302M 30 31.0 1.8 35.0 + MX

IRF8327S 30 14.0 7.3 9.2 - SQ

IRF7739L1 40 46.0 1.0 220.0 - L8

IRF7739 40 46.0 1.0 220.0 - L8

IRF6613 40 23.0 3.4 42.0 - MT

IRF7738 40 35.0 1.6 129.0 - L6

IRF7946 40 198* 1.4 141.0 - MX

IRF6616 40 19.0 5.0 29.0 - MX

IRF6614 40 12.7 8.3 19.0 - ST

IRF7737 40 31.0 1.9 89.0 - L6

IRF7749L2 60 33.0 1.5 200.0 - L8

IRF7748L1 60 28.0 2.2 146.7 - L6

IRF6648 60 86* 7.0 36.0 - MN

IRF6674 60 13.4 11.0 24.0 - MZ

IRF7759L2 75 26.0 2.3 200.0 - L8

IRF6646 80 12.0 9.5 36.0 - MN

IRF6668 80 55* 15.0 22.0 - MZ

IRF6645 100 5.7 35.0 14.0 - SJ

IRF6662 100 8.3 22.0 22.0 - MZ

IRF6644 100 10.3 13.0 35.0 - MN

IRF7665S2 100 4.1 62.0 8.3 - SB

IRF6665 100 4.2 62.0 8.7 - SH

IRF6655 100 4.2 62.0 8.7 - SH

IRF7769L2 100 20.0 3.5 200.0 - L8

IRF6643 150 6.2 34.5 39.0 - MZ

IRF6775M 150 4.9 56.0 25.0 - MZ

IRF7779L2 150 11.0 11.0 97.0 - L8

IRF6785 200 3.4 100.0 26.0 - MZ

IRF6641 200 4.6 59.9 34.0 - MZ

IRF7799L2 250 6.6 38.0 110.0 - L8

www.irf.ru74


SMT корпуса 20 - 30 в

Наим–е Напр–е, ВТок стока при T корп.

25С, АТок стока при T среды

25С, АСопр–е RDS(on) при

10В, мОмСопр–е RDS(on) при

4.5В, мОмЗаряд затвора, нКл Корпус

IRF7402 20 – 6.8 – 35.0 14.0 SO–8IRF3704ZCS 20 67 – 7.9 11.1 8.7 D2–PakIRF7456 20 – 16.0 6.5 7.5 41.0 SO–8IRF1902 20 – 4.2 – 85.0 5.0 SO–8IRF7601 20 – 5.7 – 35.0 14.0 Micro 8IRF6201 20 – 27.0 – 2.45 130.0 SO–8IRFR3704Z 20 60 – 8.4 11.4 9.3 D–PakIRF7457 20 – 15.0 7.0 10.5 28.0 SO–8IRF7607 20 – 6.5 – 30.0 22.0 Micro 8IRF3711ZS 20 92 – 6.0 7.3 16.0 D2–PakIRF3704ZS 20 67 – 7.9 11.1 8.7 D2–PakIRF7401 20 – 8.7 – 22.0 32.0 SO–8IRFR3711Z 20 93 – 5.7 7.8 18.0 D–PakIRF1324S–7P 24 429 – 1.0 – 180.0 D2–Pak–7IRF1324S 24 340 – 1.65 – 160.0 D2–PakIRF8252 25 – 25.0 2.7 3.7 35.0 SO–8IRFML8244 25 – 5.8 24.0 41.0 5.4 Micro 3/ SOT–23IRF7805 30 – 13.0 – 11.0 22.0 SO–8IRF7805Q 30 – 13.0 11.0 – 22.0 SO–8IRF7201 30 7.0 7.0 30.0 50.0 19.0 SO–8IRF3707ZS 30 59 – 9.5 12.5 9.7 D2–PakIRF7805A 30 – 13.0 – 11.0 22.0 SO–8IRF7807VD1 30 – 8.3 – 25.0 9.5 SO–8IRF8734 30 – 21.0 3.5 5.1 20.0 SO–8IRF1503S 30 190 – 3.3 – 130.0 D2–PakIRFR3708 30 61 – 12.5 14.0 24.0 D–PakIRF8113G 30 – 16.6 6.0 7.4 24.0 SO–8IRF7807Z 30 – 11.0 13.8 18.2 7.2 SO–8IRF7353D1 30 – 6.5 32.0 46.0 22.0 SO–8IRF9410 30 – 7.0 30.0 50.0 18.0 SO–8IRF7807V 30 – 8.3 – 25.0 9.5 SO–8IRF7809AV 30 – 13.3 – 9.0 41.0 SO–8IRF7807VD2 30 – 8.3 – 25.0 9.5 SO–8IRF7811AV 30 – 14.0 – 14.0 17.0 SO–8IRF2903ZS 30 260 – 2.4 – 160.0 D2–PakIRF7805Z 30 – 16.0 6.8 8.7 18.0 SO–8IRF7455 30 – 15.0 7.5 9.0 37.0 SO–8IRF7821 30 – 13.6 9.1 12.5 9.3 SO–8IRF3709ZCS 30 87 – 6.3 7.8 17.0 D2–PakIRF7862 30 – 21.0 3.3 4.5 30.0 SO–8IRF7832 30 – 20.0 4.0 4.8 34.0 SO–8IRFR3707Z 30 56 – 9.5 12.5 9.6 D–PakIRF7831 30 – 21.0 3.6 4.4 40.0 SO–8IRF7807 30 – 8.3 – 25.0 12.0 SO–8IRF7413Z 30 – 13.0 10.0 13.0 9.5 SO–8IRF7413 30 – 13.0 11.0 18.0 44.0 SO–8IRFR3709Z 30 86 – 6.5 8.2 17.0 D–PakIRF7353D2 30 – 6.5 29.0 46.0 22.0 SO–8SI4410DY 30 – 10.0 13.5 20.0 30.0 SO–8IRF8721 30 – 14.0 8.5 12.5 8.3 SO–8IRF7807D1 30 – 8.3 – 25.0 – SO–8IRF7805ZG 30 – 16.0 6.8 8.7 18.0 SO–8IRF7828 30 – 13.6 – 12.5 9.3 SO–8IRF8714 30 – 14.0 8.7 13.0 8.1 SO–8IRFR3303 30 33 – 31.0 – 19.3 D–PakIRF3709ZS 30 87 – 6.3 7.8 17.0 D2–PakIRF3709S 30 90 – 9.0 10.5 27.0 D2–PakIRF7463 30 – 13.0 8.0 9.5 34.0 SO–8IRF8714G 30 – 14.0 8.7 13.0 8.1 SO–8IRF8788 30 – 24.0 2.8 3.8 44.0 SO–8IRF7807D2 30 – 8.3 – 25.0 – SO–8IRF8707 30 – 11.0 11.9 17.5 6.2 SO–8IRF8113 30 – 16.6 6.0 7.4 24.0 SO–8IRF7834 30 – 19.0 4.5 5.5 29.0 SO–8SI4420DY 30 – 12.5 9.0 13.0 52.0 SO–8IRF8736 30 – 18.0 4.8 6.8 17.0 SO–8IRFR3709ZC 30 86 – 6.5 8.2 17.0 D–PakIRF8707G 30 – 11.0 11.9 17.5 6.2 SO–8IRF8721G 30 – 14.0 8.5 12.5 8.3 SO–8IRFTS8342 30 – 8.2 19.0 29.0 4.8 TSOP–6 (Micro 6)IRF3708S 30 62 – 12.0 13.5 24.0 D2–PakIRF7403 30 – 8.5 22.0 35.0 38.0 SO–8IRF7458 30 – 14.0 9.0 – 39.0 SO–8IRF7413Q 30 – 13.0 11.0 18.0 52.0 SO–8IRF7421D1 30 – 5.8 35.0 60.0 18.0 SO–8IRF7807A 30 – 6.6 – 25.0 12.0 SO–8

www.irf.ru 75


PQFN корпуса 20-30 в

Наим-е Напр-е, ВТок стока при T корп.


25С, АСопр-е RDS(on) при

10В, мОмСопр-е RDS(on) при

4.5В, мОмЗаряд затвора, нКл Корпус

IRFH6200 20 100 45.0 – 0.99 155.0 PQFN 5 x 6 BIRFH5250D 25 – 40.0 1.4 2.2 39.0 PQFN 5 x 6 BIRFH4201 25 326 49.0 0.95 1.25 46.0 PQFN 5 x 6 BIRFHS8242 25 21 9.9 13.0 21.0 4.3 PQFN 2 x 2IRFH5250 25 – 45.0 1.15 1.75 52.0 PQFN 5 x 6 BIRFH7914 30 35 15.0 8.7 13.0 8.3 PQFN 5 x 6 AIRFH8334 30 44 14.0 9.0 13.5 7.1 PQFN 5 x 6 EIRFH8337 30 35 12.0 12.8 18.9 4.7 PQFN 5 x 6 EIRFH7936 30 76 20.0 4.8 6.8 17.0 PQFN 5 x 6 AIRFH7932 30 104 25.0 3.3 3.9 34.0 PQFN 5 x 6 AIRFH5304 30 – 22.0 4.5 6.8 16.0 PQFN 5 x 6 BIRFH3707 30 29 12.0 12.4 17.9 5.4 PQFN 3 x 3IRFH8311 30 169 32.0 2.1 3.2 30.0 PQFN 5 x 6 EIRFHS8342 30 19 – 16.0 25.0 4.2 PQFN 2 x 2IRFH5302 30 100 32.0 2.1 3.5 29.0 PQFN 5 x 6 BIRFH7934 30 76 24.0 3.5 5.1 20.0 PQFN 5 x 6 AIRFH5306 30 45 15.0 8.1 13.3 7.8 PQFN 5 x 6 BIRFH8321 30 83 21.0 4.9 6.8 19.4 PQFN 5 x 6 EIRFH8325 30 82 21.0 5.0 7.2 15.0 PQFN 5 x 6 EIRFH8324 30 90 23.0 4.1 6.3 14.0 PQFN 5 x 6 EIRFHM830 30 40 21.0 3.8 6.0 31.0 PQFN 3.3 x 3.3IRFH8330 30 56 17.0 6.6 9.9 9.3 PQFN 5 x 6 EIRFH5301 30 100 35.0 1.85 2.9 37.0 PQFN 5 x 6 BIRFH8318 30 120 27.0 3.1 4.6 41.0 PQFN 5 x 6 EIRFH3702 30 42 16.0 7.1 11.8 9.6 PQFN 3 x 3IRFH8316 30 120 27.0 2.95 4.3 30.0 PQFN 5 x 6 EIRFHM830D 30 40 20.0 4.3 7.1 13.0 PQFN 3.3 x 3.3IRFH5300 30 40.0 1.4 2.1 50.0 PQFN 5 x 6 BIRFHM8329 30 57 16.0 6.1 8.8 26.0 PQFN 3.3 x 3.3IRFHM831 30 47 14.0 7.8 12.6 7.3 PQFN 3.3 x 3.3IRFH5302D 30 – 29.0 2.5 3.7 26.0 PQFN 5 x 6 B

www.irf.ru76


SMT корпуса 40-250 в

Наим-е Напр-е, В Ток стока при T корп. 25С, А Ток стока при T среды 25С, А Сопр-е RDS(on) при 10В, мОм Заряд затвора, нКл Корпус

IRF7842 40 – 18.0 5.0 33.0 SO-8IRF7470 40 – 11.0 13.0 29.0 SO-8IRF2804S-7P 40 320 – 1.6 170.0 D2-Pak 7-LeadIRF1404ZS 40 190 – 3.7 100.0 D2-PakIRF4104S 40 120 – 5.5 68.0 D2-PakIRFR4104 40 119 – 5.5 59.0 D-PakIRFR7440 40 180 – 2.4 89.0 D-PakIRFS3004-7P 40 400 – 1.25 160.0 D2-Pak 7-LeadIRFS7437-7P 40 295 – 1.4 150.0 D2-Pak 7-LeadIRF1104S 40 100 – 9.0 62.0 D2-PakIRFS7437 40 250 – 1.8 150.0 D2-PakIRF7468 40 9.0 9.0 15.5 23.0 SO-8IRFR3504Z 40 77 – 9.0 30.0 D-PakIRF7469 40 9.0 9.0 17.0 15.0 SO-8IRF2204S 40 170 – 3.6 130.0 D2-PakIRF2804S 40 280 – 2.3 160.0 D2-PakIRFS7440 40 208 – 2.5 90.0 D2-PakIRF1404S 40 162 – 4.0 160.0 D2-PakIRFS3004 40 340 – 1.75 160.0 D2-PakIRF1405ZS-7P 55 150 – 4.9 150.0 D2-Pak 7-LeadIRFR4105 55 25 – 45.0 22.7 D-PakIRF1010ZS 55 94 – 7.5 63.0 D2-PakIRFZ44NS 55 49 – 17.5 42.0 D2-PakIRFL024N 55 4.0 4.0 75.0 12.2 SOT-223IRF3805S-7P 55 240 – 2.6 130.0 D2-Pak 7-LeadIRFZ46ZS 55 51 – 13.6 31.0 D2-PakIRF3205ZS 55 110 – 6.5 76.0 D2-PakIRFR4105Z 55 30 – 24.5 18.0 D-PakIRFZ48NS 55 64 – 14.0 54.0 D2-PakIRF2805S 55 135 – 4.7 150.0 D2-PakIRFR1010Z 55 91 – 7.5 63.0 D-PakIRFZ44ZS 55 51 – 13.9 29.0 D2-PakIRFR2905Z 55 59 – 14.5 29.0 D-PakIRFR2405 55 56 – 16.0 70.0 D-PakIRFL014N 55 – 1.9 160.0 7.0 SOT-223IRFR3505 55 71 – 13.0 62.0 D-PakIRFR48Z 55 62 – 11.0 40.0 D-PakIRF1010NS 55 84 – 11.0 80.0 D2-PakIRFL4105 55 – 3.7 45.0 23.0 SOT-223IRFZ24NS 55 17 – 70.0 13.3 D2-PakIRFR1205 55 37 – 27.0 43.3 D-PakIRFR024N 55 16 – 75.0 13.3 D-PakIRF1405S 55 131 – 5.3 170.0 D2-PakIRF3805S 55 220 – 3.3 190.0 D2-PakIRF3205S 55 110 – 8.0 97.3 D2-PakIRFZ48ZS 55 61 – 11.0 43.0 D2-PakIRFZ34NS 55 29 – 40.0 22.7 D2-PakIRFZ46NS 55 53 – 16.5 48.0 D2-PakIRFL024Z 55 – 5.1 57.5 9.1 SOT-223IRF1405ZS 55 150 – 4.9 120.0 D2-PakIRFS3806 60 43 – 15.8 22.0 D2-PakIRF7855 60 – 12.0 9.4 26.0 SO-8IRFZ48VS 60 72 – 12.0 73.3 D2-PakIRFR3806 60 43 – 15.8 22.0 D-PakIRF1018ES 60 79 – 8.4 46.0 D2-PakIRFS3006 60 270 – 2.5 200.0 D2-PakIRF1010EZS 60 84 – 8.5 58.0 D2-PakIRF7478Q 60 – 7.0 26.0 21.0 SO-8IRFZ44ES 60 48 – 23.0 40.0 D2-PakIRFR1018E 60 79 – 8.4 46.0 D-PakIRFS3206 60 210 – 3.0 120.0 D2-PakIRF1010ES 60 83 – 12.0 86.6 D2-PakIRF7478 60 – 7.6 26.0 21.0 SO-8IRFZ44VZS 60 57 – 12.0 43.0 D2-PakIRFS3306 60 160 – 4.2 85.0 D2-PakIRFS3006-7P 60 293 – 2.1 200.0 D2-Pak 7-LeadIRF1407S 75 100 – 7.8 160.0 D2-PakIRF2907ZS 75 170 – 4.5 180.0 D2-PakIRFS3307 75 130 – 6.3 120.0 D2-PakIRF3007S 75 62 – 12.6 89.0 D2-PakIRF3808S 75 105 – 7.0 150.0 D2-PakIRFS3107-7P 75 260 – 2.6 160.0 D2-Pak 7-LeadIRFR2407 75 42 – 26.0 74.0 D-PakIRF2907ZS-7P 75 160 – 3.8 170.0 D2-Pak 7-LeadIRF2807ZS 75 89 – 9.4 71.0 D2-PakIRFR2607Z 75 45 – 22.0 34.0 D-PakIRFR2307Z 75 53 – 16.0 50.0 D-PakIRFS3207 75 180 – 4.5 180.0 D2-PakIRFS3107 75 230 – 3.0 160.0 D2-PakIRFS3307Z 75 120 – 5.8 79.0 D2-PakIRFS3607 75 80 – 9.0 56.0 D2-PakIRFR3607 75 80 – 9.0 56.0 D-PakIRFS3207Z 75 170 – 4.1 120.0 D2-PakIRF2807S 75 82 – 13.0 106.7 D2-Pak

www.irf.ru 77


SMT корпуса 40-250 в

Наим-е Напр-е, В Ток стока при T корп. 25С, А Ток стока при T среды 25С, А Сопр-е RDS(on) при 10В, мОм Заряд затвора, нКл Корпус

IRFS3507 75 97 – 8.8 88.0 D2-PakIRF7854 80 – 10.0 13.4 27.0 SO-8IRF7488 80 – 6.3 29.0 38.0 SO-8IRFR3518 80 38 – 29.0 37.0 D-PakIRF7493 80 – 9.2 15.0 31.0 SO-8IRFS4410 100 96 – 10.0 120.0 D2-PakIRFR540Z 100 35 – 28.5 39.0 D-PakIRF7473 100 – 6.9 26.0 61.0 SO-8IRFS4410Z 100 97 – 9.0 83.0 D2-PakIRFS4510 100 61 – 13.9 58.0 D2-PakIRF7452 100 – 4.5 60.0 33.0 SO-8IRFS4610 100 73 – 14.0 90.0 D2-PakIRFS4010-7P 100 190 – 4.0 150.0 D2-Pak 7-LeadIRFS4310 100 140 – 7.0 170.0 D2-PakIRF530NS 100 17 – 90.0 24.7 D2-PakIRF540ZS 100 36 – 26.5 42.0 D2-PakIRFR4510 100 63 – 13.9 54.0 D-PakIRFL4310 100 – 1.6 200.0 17.0 SOT-223IRF7452Q 100 – 4.5 60.0 33.0 SO-8IRFR3710Z 100 56 – 18.0 69.0 D-PakIRFR3411 100 32 – 44.0 48.0 D-PakIRFS4310Z 100 127 – 6.0 120.0 D2-PakIRF7490 100 – 5.4 39.0 37.0 SO-8IRF7495 100 – 7.3 22.0 34.0 SO-8IRF7853 100 – 8.3 18.0 28.0 SO-8IRFR3410 100 31 – 39.0 37.0 D-PakIRFR3910 100 15 – 115.0 29.3 D-PakIRF520NS 100 9.5 – 200.0 16.7 D2-PakIRF3710ZS 100 59 – 18.0 82.0 D2-PakIRFR120N 100 9.1 – 210.0 16.7 D-PakIRFR120Z 100 8.7 – 190.0 6.9 D-PakIRF1310NS 100 42 – 36.0 73.3 D2-PakIRFS59N10D 100 59 – 25.0 76.0 D2-PakIRF540NS 100 33 – 44.0 47.3 D2-PakIRF3710S 100 57 – 23.0 86.7 D2-PakIRF3610S 100 103 – 11.6 100.0 D2-PakIRFS4010 100 180 – 4.7 143.0 D2-PakIRF8010S 100 80 – 15.0 81.0 D2-PakIRFS4115-7P 150 105 – 11.8 73.0 D2-Pak 7-LeadIRF7815 150 – 5.1 43.0 25.0 SO-8IRFR24N15D 150 24 – 95.0 30.0 D-PakIRF3415S 150 43 – 42.0 133.3 D2-PakIRFS4321 150 83 – 15.0 71.0 D2-PakIRFS41N15D 150 41 – 45.0 72.0 D2-PakIRFR4615 150 33 – 42.0 26.0 D-PakIRF3315S 150 21 – 82.0 63.3 D2-PakIRF7465 150 – 1.9 280.0 10.0 SO-8IRF7451 150 – 3.6 90.0 28.0 SO-8IRFL4315 150 – 2.6 185.0 12.0 SOT-223IRF5802 150 – 0.90 1200.0 4.5 TSOP-6 (Micro 6)IRFS23N15D 150 23 – 90.0 37.0 D2-PakIRFR13N15D 150 14 – 180.0 19.0 D-PakIRF3515S 150 41 – 45.0 71.3 D2-PakIRFS33N15D 150 33 – 56.0 60.0 D2-PakIRFS5615 150 33 – 42.0 26.0 D2-PakIRFS4615 150 33 – 42.0 26.0 D2-PakIRFR18N15D 150 18 – 125.0 28.0 D-PakIRFS52N15D 150 60 – 32.0 60.0 D2-PakIRFS4115 150 99 – 12.1 77.0 D2-PakIRFR4620 200 24 – 78.0 25.0 D-PakIRFS4127 200 72 – 22.0 100.0 D2-PakIRFS23N20D 200 24 – 100.0 57.0 D2-PakIRF640NS 200 18 – 150.0 44.7 D2-PakIRFS4227 200 62 – 26.0 70.0 D2-PakIRF630NS 200 9.5 – 300.0 23.3 D2-PakIRF7820 200 – 3.7 78.0 29.0 SO-8IRFS31N20D 200 31 – 82.0 70.0 D2-PakIRFS38N20D 200 44 – 54.0 60.0 D2-PakIRFR13N20D 200 14 – 235.0 25.0 D-PakIRFS4620 200 24 – 78.0 25.0 D2-PakIRFR220N 200 5 – 600.0 15.0 D-PakIRFR9N20D 200 9.4 – 380.0 18.0 D-PakIRFS5620 200 24 – 77.5 25.0 D2-PakIRFR15N20D 200 17 – 165.0 27.0 D-PakIRF7450 200 – 2.5 170.0 26.0 SO-8IRF5801 200 0.6 0.60 2200.0 3.9 TSOP-6 (Micro 6)IRFS4229 250 45 – 48 72.0 D2-Pak

www.irf.ru78


PQFN корпуса 40 – 250 в

Наим-е Напр-е, В Ток стока при T корп. 25С, А Ток стока при T среды 25С, АСопр-е RDS(on) при 10В,

мОмЗаряд затвора, нКл Корпус

IRFH5004 40 – 28.0 2.6 73.0 PQFN 5 x 6 BIRFH7004 40 259 – 1.4 129.0 PQFN 5 x 6 BIRFH5204 40 100 22.0 4.3 42.0 PQFN 5 x 6 BIRFH5104 40 100 24.0 3.5 53.0 PQFN 5 x 6 BIRFH7440 40 159 – 2.4 92.0 PQFN 5 x 6 EIRFH7446 40 117 – 3.3 65.0 PQFN 5 x 6 EIRFH5206 60 89 16.0 6.7 40.0 PQFN 5 x 6 BIRFH5406 60 40 11.0 14.4 23.0 PQFN 5 x 6 BIRFH5106 60 100 21.0 5.6 50.0 PQFN 5 x 6 BIRFH5006 60 100 21.0 4.1 67.0 PQFN 5 x 6 BIRFH5207 75 71 13.0 9.6 39.0 PQFN 5 x 6 BIRFH5007 75 100 17.0 5.9 65.0 PQFN 5 x 6 BIRFH7107 75 75 14.0 8.5 48.0 PQFN 5 x 6 EIRFH5010 100 100 13.0 9.0 65.0 PQFN 5 x 6 BIRFH7110 100 58 11.0 13.5 58.0 PQFN 5 x 6 EIRFH5210 100 55 10.0 14.9 39.0 PQFN 5 x 6 BIRFH5053 100 46 9.3 18.0 24.0 PQFN 5 x 6 AIRFH5110 100 63 11.0 12.4 48.0 PQFN 5 x 6 BIRFH5215 150 27 5.0 58.0 20.0 PQFN 5 x 6 BIRFH5015 150 56 10.0 31.0 33.0 PQFN 5 x 6 BIRFH5020 200 43 5.1 55.0 36.0 PQFN 5 x 6 BIRFH5220 200 20 3.8 99.9 20.0 PQFN 5 x 6 BIRFH5025 250 32 3.8 100.0 37.0 PQFN 5 x 6 B

корпуса для монтажа в отверстие 20 - 30 в

Наим-е Напр-е, В Ток стока при T корп. 25С, АСопр-е RDS(on) при 10В,

мОмСопр-е RDS(on) при 4.5В,

мОмЗаряд затвора, нКл Корпус

IRFU3704Z 20 60 8.4 11.4 9.3 I-PakIRFU3711Z 20 93 5.7 7.8 18.0 I-PakIRF3704Z 20 67 7.9 11.1 8.7 TO-220ABIRF3704ZL 20 67 7.9 11.1 8.7 TO-262IRF1324L 24 340 1.65 – 160.0 TO-262IRF1324 24 353 1.5 – 160.0 TO-220ABIRF2903Z 30 260 2.4 – 160.0 TO-220ABIRF2903ZL 30 260 2.4 – 160.0 TO-262IRF3708 30 62 12.0 13.5 24.0 TO-220ABIRFU3708 30 61 12.5 14.0 24.0 I-PakIRFP3703 30 210 2.8 – 209.0 TO-247ACIRFU3709Z 30 86 6.5 8.2 17.0 I-PakIRF3707ZL 30 59 9.5 12.5 9.7 TO-262IRF3709ZL 30 87 6.3 7.8 17.0 TO-262IRF3709 30 90 9.0 10.5 27.0 TO-220ABIRF1503 30 240 3.3 – 130.0 TO-220ABIRF3709Z 30 87 6.3 7.8 17.0 TO-220ABIRFU3707Z 30 56 9.5 12.5 9.6 I-PakIRF3703 30 210 2.8 – 209.0 TO-220ABIRF3707Z 30 59 9.5 12.5 9.7 TO-220ABIRFU3303 30 33 31.0 – 29.0 I-Pak


Наим-е Напр-е, В Ток стока при T корп. 25С, А Сопр-е RDS(on) при 10В, мОм Заряд затвора, нКл Корпус

IRFSL3004 40 340 1.75 160.0 TO-262IRF1104 40 100 9.0 62.0 TO-220ABIRFP7430 40 404 1.3 300.0 TO-247ACIRFP4004 40 350 1.7 220.0 TO-247ACIRFBA1404P 40 206 3.7 160.0 Super 220 (TO-273AA)IRFU4104 40 119 5.5 59.0 I-PakIRFSL7440 40 208 2.5 90.0 TO-262IRF1404Z 40 190 3.7 100.0 TO-220ABIRF2204 40 210 3.6 130.0 TO-220ABIRF4104 40 120 5.5 68.0 TO-220ABIRFB3004G 40 340 1.75 160.0 TO-220ABIRFB7430 40 409 1.3 300.0 TO-220ABIRF2804 40 280 2.3 160.0 TO-220ABIRF1404L 40 162 4.0 160.0 TO-262IRFSL7437 40 250 1.8 150.0 TO-262IRFB7437 40 250 2.0 150.0 TO-220ABIRFU7440 40 180 2.4 89.0 I-PakIRFB7434 40 317 1.6 216.0 TO-220ABIRF1404 40 162 4.0 160.0 TO-220ABIRFB7440 40 208 2.5 90.0 TO-220ABIRF1404ZL 40 190 3.7 100.0 TO-262IRFB3004 40 340 1.75 160.0 TO-220ABIRF1404ZG 40 190 3.7 100.0 TO-220ABIRFB7446 40 123 3.3 62.0 TO-220AB

www.irf.ru 79




IRFU3504Z 40 77 9.0 30.0 I-PakIRF2804L 40 280 2.3 160.0 TO-262IRF4104G 40 75 5.5 68.0 TO-220ABIRFI1010N 55 44 12.0 86.7 TO-220 FullPak (Iso)IRF3805 55 220 3.3 190.0 TO-220ABIRF3805L 55 220 3.3 190.0 TO-262IRF1010N 55 72 11.0 80.0 TO-220ABIRFIZ34N 55 19 40.0 22.7 TO-220 FullPak (Iso)IRFU2405 55 56 16.0 70.0 I-PakIRFP048N 55 62 16.0 59.3 TO-247ACIRF1405ZL 55 150 4.9 120.0 TO-262IRF1405L 55 131 5.3 170.0 TO-262IRFIZ48N 55 36 16.0 59.3 TO-220 FullPak (Iso)IRFZ48NL 55 64 14.0 54.0 TO-262IRF3205ZL 55 110 6.5 76.0 TO-262IRFZ46ZL 55 51 13.6 31.0 TO-262IRF3305 55 140 8.0 100.0 TO-220ABIRF1405 55 133 5.3 170.0 TO-220ABIRF1405ZL-7P 55 150 4.9 150.0 TO-263CA 7-PinIRFU1010Z 55 91 7.5 63.0 I-PakIRFZ44N 55 41 17.5 42.0 TO-220ABIRFU48Z 55 62 11.0 40.0 I-PakIRFIZ24N 55 13 70.0 13.3 TO-220 FullPak (Iso)IRFI3205 55 56 8.0 113.3 TO-220 FullPak (Iso)IRFZ44NL 55 49 17.5 42.0 TO-262IRFZ46NL 55 53 16.5 48.0 TO-262IRFU3505 55 71 13.0 62.0 I-PakIRFIZ44N 55 28 24.0 43.3 TO-220 FullPak (Iso)IRFIZ46N 55 31 20.0 40.7 TO-220 FullPak (Iso)IRFZ34N 55 26 40.0 22.7 TO-220ABIRFZ44Z 55 51 13.9 29.0 TO-220ABIRFU4105Z 55 30 24.5 18.0 I-PakIRF2805 55 175 4.7 150.0 TO-220ABIRF1405Z 55 150 4.9 120.0 TO-220ABIRFU024N 55 16 75.0 13.3 I-PakIRFZ44ZL 55 51 13.9 29.0 TO-262IRFP064N 55 98 8.0 113.3 TO-247ACIRF2805L 55 135 4.7 150.0 TO-262IRFBA1405P 55 174 5.0 170.0 Super 220 (TO-273AA)IRFU1205 55 37 27.0 43.3 I-PakIRFZ46Z 55 51 13.6 31.0 TO-220ABIRFP1405 55 160 5.3 120.0 TO-247ACIRF3205 55 98 8.0 97.3 TO-220ABIRFZ24N 55 17 70.0 13.3 TO-220ABIRF1010Z 55 94 7.5 63.0 TO-220ABIRF3205L 55 110 8.0 97.3 TO-262IRFP044N 55 49 20.0 40.7 TO-247ACIRF1010ZL 55 94 7.5 63.0 TO-262IRF3205Z 55 110 6.5 76.0 TO-220ABIRFU2905Z 55 59 14.5 29.0 I-PakIRFZ48N 55 64 14.0 54.0 TO-220ABIRFU4105 55 25 45.0 22.7 I-PakIRFP054N 55 72 12.0 86.7 TO-247ACIRFZ46N 55 46 16.5 48.0 TO-220ABIRFB3206 60 210 3.0 120.0 TO-220ABIRFP3206 60 200 3.0 120.0 TO-247ACIRFSL3306 60 160 4.2 85.0 TO-262IRF1010EZL 60 84 8.5 58.0 TO-262IRF1018E 60 79 8.4 46.0 TO-220ABIRFB3306 60 160 4.2 85.0 TO-220ABIRFZ44EL 60 48 23.0 40.0 TO-262IRFU3806 60 43 15.8 22.0 I-PakIRFZ44E 60 48 23.0 40.0 TO-220ABIRFB3006G 60 270 2.5 200.0 TO-220ABIRF1010EZ 60 84 8.5 58.0 TO-220ABIRFSL3206 60 210 3.0 120.0 TO-262IRFU1018E 60 79 8.4 46.0 I-PakIRFSL3006 60 270 2.5 200.0 TO-262IRFSL3806 60 43 15.8 22.0 TO-262IRFB3206G 60 210 3.0 120.0 TO-220ABIRFZ44VZ 60 57 12.0 43.0 TO-220ABIRF1018ESL 60 79 8.4 46.0 TO-262IRFB3806 60 43 15.8 22.0 TO-220ABIRF1010E 60 81 12.0 86.6 TO-220ABIRFB3306G 60 160 4.2 85.0 TO-220ABIRFB3256 60 206 3.4 130.0 TO-220ABIRFP3306 60 160 4.2 85.0 TO-247ACIRFY044 60 16 40.0 58.7 TO-257AAIRFZ48V 60 72 12.0 73.3 TO-220ABIRFZ44V 60 55 16.5 44.7 TO-220ABIRFB3006 60 270 2.5 200.0 TO-220ABIRFB3607 75 80 9.0 56.0 TO-220ABIRFU2307Z 75 53 16.0 50.0 I-PakIRF2807Z 75 89 9.4 71.0 TO-220AB

www.irf.ru80




IRFB3077G 75 210 3.3 160.0 TO-220ABIRFB3207 75 180 4.5 180.0 TO-220ABIRFB3307Z 75 120 5.8 79.0 TO-220ABIRFB3207ZG 75 170 4.1 120.0 TO-220ABIRF1407 75 130 7.8 160.0 TO-220ABIRFP2907 75 209 4.5 410.0 TO-247ACIRFB3077 75 210 3.3 160.0 TO-220ABIRFB3607G 75 80 9.0 56.0 TO-220ABIRFB3207Z 75 170 4.1 120.0 TO-220ABIRFSL3107 75 230 3.0 160.0 TO-262IRFP3077 75 200 3.3 160.0 TO-247ACIRFSL3607 75 80 9.0 56.0 TO-262IRF2807ZL 75 89 9.4 71.0 TO-262IRFU2607Z 75 45 22.0 34.0 I-PakIRF1607 75 142 7.5 210.0 TO-220ABIRF2807 75 82 13.0 106.7 TO-220ABIRFB3307 75 130 6.3 120.0 TO-220ABIRF3007 75 80 12.6 89.0 TO-220ABIRF3808 75 140 7.0 150.0 TO-220ABIRFP4368 75 350 1.8 380.0 TO-247ACIRFSL3507 75 97 8.8 88.0 TO-262IRF2907Z 75 170 4.5 180.0 TO-220ABIRFU3607 75 80 9.0 56.0 I-PakIRF2907ZL 75 170 4.5 180.0 TO-262IRFB3307ZG 75 84 5.8 79.0 TO-220ABIRFP2907Z 75 170 4.5 180.0 TO-247AC



IRFB4310G 100 130 7.0 170.0 TO-220ABIRF530NL 100 17 90.0 24.7 TO-262IRFSL4310 100 140 7.0 170.0 TO-262IRFSL4610 100 73 14.0 90.0 TO-262IRFB4212 100 18 72.5 15.0 TO-220ABIRFB4410 100 96 10.0 120.0 TO-220ABIRF3710ZL 100 59 18.0 82.0 TO-262IRFB4410Z 100 97 9.0 83.0 TO-220ABIRF3710 100 57 23.0 86.7 TO-220ABIRF3710L 100 57 23.0 86.7 TO-262IRFU120Z 100 8.7 190.0 6.9 I-PakIRF8010L 100 80 15.0 81.0 TO-262IRFP4710 100 72 14.0 110.0 TO-247ACIRF3710ZG 100 59 18.0 82.0 TO-220ABIRFSL4410Z 100 97 9.0 83.0 TO-262IRFP4110 100 180 4.5 150.0 TO-247ACIRF540Z 100 36 26.5 42.0 TO-220ABIRFB4110 100 180 4.5 150.0 TO-220ABIRFP4468 100 290 2.6 360.0 TO-247ACIRFPS3810 100 141 9.0 260.0 Super 247 (TO-274AA)IRFU3910 100 15 115.0 29.3 I-PakIRFSL4410 100 96 10.0 120.0 TO-262IRFU120N 100 9.1 210.0 16.7 I-PakIRFI1310N 100 22 36.0 80.0 TO-220 FullPak (Iso)IRF540NL 100 33 44.0 47.3 TO-262IRF540ZL 100 36 26.5 42.0 TO-262IRFI4410ZG 100 43 9.3 81.0 TO-220ABIRFP4410Z 100 97 9.0 83.0 TO-247ACIRFU3410 100 31 39.0 37.0 I-PakIRFB4510 100 62 13.5 58.0 TO-220ABIRF520N 100 9.7 200.0 16.7 TO-220ABIRFSL4510 100 61 13.9 58.0 TO-262IRFI540N 100 18 52.0 62.7 TO-220 FullPak (Iso)IRFB4710 100 75 14.0 110.0 TO-220ABIRFB4310ZG 100 127 6.0 120.0 TO-220ABIRFU4510 100 63 13.9 54.0 I-PakIRF1310NL 100 42 36.0 73.3 TO-262IRFB4610 100 73 14.0 90.0 TO-220ABIRF1310N 100 42 36.0 73.3 TO-220ABIRFSL4010 100 180 4.7 143.0 TO-262IRFP140N 100 27 52.0 62.7 TO-247ACIRFP3710 100 51 25.0 66.7 TO-247ACIRF3710Z 100 59 18.0 82.0 TO-220ABIRF530N 100 17 90.0 24.7 TO-220ABIRFI4110G 100 72 4.5 190.0 TO-220 FullPak (Iso)IRFB4510G 100 62 13.5 58.0 TO-220ABIRFP150N 100 39 36.0 73.3 TO-247ACIRFP150M 100 42 36.0 73.3 TO-247ACIRFY140 100 16 77.0 39.3 TO-257AAIRFB4410ZG 100 97 9.0 83.0 TO-220ABIRFU3710Z 100 56 18.0 69.0 I-Pak

www.irf.ru 81




IRFB4110G 100 180 4.5 150.0 TO-220ABIRFI520N 100 7.2 200.0 16.7 TO-220 FullPak (Iso)IRFSL4310Z 100 127 6.0 120.0 TO-262IRFI4510G 100 35 13.5 54.0 TO-220 FullPak (Iso)IRFI530N 100 11 110.0 29.3 TO-220 FullPak (Iso)IRFY130 100 9.1 180.0 1.7 TO-257AAIRF8010 100 80 15.0 81.0 TO-220ABIRFU3411 100 32 44.0 48.0 I-PakIRF540N 100 33 44.0 47.3 TO-220ABIRFI4410Z 100 43 9.3 81.0 TO-220 FullPak (Iso)IRFP4310Z 100 134 6.0 120.0 TO-247ACIRFB4310Z 100 127 6.0 120.0 TO-220ABIRFB59N10D 100 59 25.0 76.0 TO-220ABIRFB4310 100 140 7.0 170.0 TO-220ABIRFP150V 100 46 24.0 86.7 TO-247ACIRFIB41N15D 150 41 45.0 72.0 TO-220 FullPak (Iso)IRFB4615 150 35 39.0 26.0 TO-220ABIRFSL4321 150 83 15.0 71.0 TO-262IRFI4321 150 34 16.0 73.0 TO-220 FullPak (Iso)IRFP4321 150 78 15.5 71.0 TO-247ACIRFPS3815 150 105 15.0 260.0 Super 247 (TO-274AA)IRFSL4615 150 33 42.0 26.0 TO-262IRFB41N15D 150 41 45.0 72.0 TO-220ABIRF3315 150 21 70.0 63.3 TO-220ABIRFB4019 150 17 95.0 13.0 TO-220ABIRFU18N15D 150 18 125.0 28.0 I-PakIRFSL4115 150 99 12.1 77.0 TO-262IRFU4615 150 33 42.0 26.0 I-PakIRFB5615 150 35 39.0 26.0 TO-220ABIRFB23N15D 150 23 90.0 37.0 TO-220ABIRFB52N15D 150 60 32.0 60.0 TO-220ABIRFB61N15D 150 60 32.0 95.0 TO-220ABIRFP3415 150 43 42.0 133.3 TO-247ACIRFB4115G 150 104 11.0 77.0 TO-220ABIRFB4115 150 104 11.0 77.0 TO-220ABIRFP4568 150 171 5.9 151.0 TO-247ACIRFB4321 150 83 15.0 71.0 TO-220ABIRFSL5615 150 33 42.0 26.0 TO-262IRFB33N15D 150 33 56.0 60.0 TO-220ABIRFB4321G 150 83 15.0 71.0 TO-220ABIRF3415 150 43 42.0 133.3 TO-220ABIRF630N 200 9.5 300.0 23.3 TO-220ABIRFP250N 200 30 75.0 82.0 TO-247ACIRFSL31N20D 200 31 82.0 70.0 TO-262IRFU9N20D 200 9.4 380.0 18.0 I-PakIRFY240 200 10.2 180.0 40.0 TO-257AAIRFU220N 200 5 600.0 15.0 I-PakIRFBA90N20D 200 98 23.0 160.0 Super 220 (TO-273AA)IRFB4020 200 18 100.0 18.0 TO-220ABIRFB5620 200 25 72.5 25.0 TO-220ABIRF640NL 200 18 150.0 44.7 TO-262IRFSL5620 200 24 77.5 25.0 TO-262IRFB38N20D 200 44 54.0 60.0 TO-220ABIRFSL4127 200 72 22.0 100.0 TO-262IRFB4620 200 25 72.5 25.0 TO-220ABIRFB23N20D 200 24 100.0 57.0 TO-220ABIRFU13N20D 200 14 235.0 25.0 I-PakIRFP260M 200 50 40.0 156.0 TO-247ACIRFSL38N20D 200 44 54.0 60.0 TO-262IRFB4127 200 76 20.0 100.0 TO-220ABIRF630NL 200 9.5 300.0 23.3 TO-262IRFP4227 200 65 25.0 70.0 TO-247ACIRFB260N 200 56 40.0 150.0 TO-220ABIRFU4620 200 24 78.0 25.0 I-PakIRF640N 200 18 150.0 44.7 TO-220ABIRFI4227 200 26 22.0 73.0 TO-220 FullPak (Iso)IRFP90N20D 200 94 23.0 180.0 TO-247ACIRFSL4620 200 24 78.0 25.0 TO-262IRFP260N 200 49 40.0 156.0 TO-247ACIRFB31N20D 200 31 82.0 70.0 TO-220ABIRFP250M 200 30 75.0 82.0 TO-247ACIRFSL23N20D 200 24 100.0 57.0 TO-262IRFSL4227 200 62 26.0 70.0 TO-262IRFB42N20D 200 42.6 55.0 91.0 TO-220ABIRFP4668 200 130 9.7 161.0 TO-247ACIRFB4227 200 65 26.0 70.0 TO-220ABIRFB4332 250 60 33.0 99.0 TO-220ABIRFP4768 250 93 17.5 180.0 TO-247ACIRFP4229 250 44 46.0 72.0 TO-247ACIRFI4229 250 19 46.0 73.0 TO-220 FullPak (Iso)IRFB4229 250 46 46.0 72.0 TO-220ABIRFSL4229 250 45 48 72.0 TO-262IRFP4332 250 57 33.0 99.0 TO-247AC

www.irf.ru82


транзисторы с логическим управляющим сигналом





4.5В, мОмQg Typ (nC) Корпус

IRLR3802 12 84 – – 8.5 27.0 D-PakIRLU3802 12 84 – – 8.5 27.0 I-PakIRLML2402 20 – 1.2 – 250.0 2.6 Micro 3/ SOT-23IRLR6225 20 100 – – 4.0 48.0 D-PakIRLR3714Z 20 37 – 15.0 25.0 4.7 D-PakIRL3715ZL 20 50 – 11.0 15.5 7.0 TO-262IRLML6244 20 – 6.3 – 21.0 8.9 Micro 3/ SOT-23IRLML6246 20 – 4.1 – 46.0 3.5 Micro 3/ SOT-23IRLMS2002 20 – 6.5 – 30.0 15.0 TSOP-6 (Micro 6)IRLR3715Z 20 49 – 11.0 15.5 7.2 D-PakIRLMS1902 20 – 3.2 – 100.0 4.7 TSOP-6 (Micro 6)IRL3715ZS 20 50 – 11.0 15.5 7.0 D2-PakIRLHS6242 20 22 10.0 – 11.7 14.0 PQFN 2 x 2IRL3714ZS 20 36 – 16.0 26.0 4.8 D2-PakIRLH6224 20 105 28.0 – 3.0 86.0 PQFN 5 x 6 EIRLML2502 20 – 4.2 – 45.0 8.0 Micro 3/ SOT-23IRLHM620 20 40 26.0 – 2.5 52.0 PQFN 3.3 x 3.3IRLU8259 25 57 – 8.7 12.9 6.8 I-PakIRLR8256 25 81 – 5.7 8.5 10.0 D-PakIRLR8259 25 57 – 8.7 12.9 6.8 D-PakIRLU8256 25 81 – 5.7 8.5 10.0 I-PakIRLML0030 30 – 5.3 27.0 40.0 2.6 Micro 3/ SOT-23IRLHS6342 30 19 8.7 – 15.5 11.0 PQFN 2 x 2IRLR8113 30 94 – 6.0 7.4 22.0 D-PakIRL8113 30 105 – 6.0 7.1 23.0 TO-220ABIRLBA3803P 30 179 – 5.0 9.0 93.3 Super 220 (TO-273AA)IRLU8721 30 65 – 8.4 11.8 8.5 I-PakIRLR8726 30 86 – 5.8 8.0 15.0 D-PakIRLML2803 30 – 1.2 250.0 400.0 3.3 Micro 3/ SOT-23IRLU7843 30 161 – 3.3 4.0 34.0 I-PakIRLMS1503 30 – 3.2 100.0 200.0 6.4 TSOP-6 (Micro 6)IRLB8743 30 150 – 3.2 4.2 36.0 TO-220ABIRLU8743 30 160 – 3.1 3.9 39.0 I-PakIRL2703 30 24 – 40.0 60.0 10.0 TO-220ABIRLR7821C 30 65 – 10.0 12.5 10.0 D-PakIRLR7821 30 65 – 10.0 12.5 10.0 D-PakIRLML6344 30 – 5.0 – 29.0 6.8 Micro 3/ SOT-23IRLR8743 30 160 – 3.1 3.9 39.0 D-PakIRL3803S 30 140 – 6.0 9.0 93.3 D2-PakIRL8113S 30 105 – 6.0 7.1 23.0 D2-PakIRLB8748 30 92 – 4.8 6.8 15.0 TO-220ABIRLU2703 30 22 – 45.0 65.0 10.0 I-PakIRLTS6342 30 – 8.3 – 17.5 11.0 TSOP-6 (Micro 6)IRLL3303 30 – 4.6 31.0 45.0 34.0 SOT-223IRLR8103V 30 89 – 9.0 10.5 27.0 D-PakIRL2203NS 30 116 – 7.0 10.0 40.0 D2-PakIRLB8721 30 62 – 8.7 16.0 7.6 TO-220ABIRLB3813 30 260 – 1.95 2.6 57.0 TO-220ABIRL3803L 30 140 – 6.0 9.0 93.3 TO-262IRLR8729 30 58 – 8.9 11.9 10.0 D-PakIRL3803V 30 140 – 5.5 7.5 50.7 TO-220ABIRLR2703 30 22 – 45.0 65.0 10.0 D-PakIRLU8726 30 86 – 5.8 8.0 15.0 I-PakIRL7833S 30 150 – 3.8 4.5 32.0 D2-PakIRLML2030 30 – 2.7 100.0 154.0 1.0 Micro 3/ SOT-23IRL3713 30 200 – 3.0 4.0 75.0 TO-220ABIRL7833 30 150 – 3.8 4.5 32.0 TO-220ABIRLML6346 30 – 3.4 – 63.0 2.9 Micro 3/ SOT-23IRLL2703 30 – 5.5 45.0 70.0 9.3 SOT-223IRLR3103 30 46 – 19.0 24.0 33.3 D-PakIRLR7807Z 30 43 – 13.8 18.2 7.0 D-PakIRL6342 30 – 9.9 – 14.6 11.0 SO-8IRL3103L 30 64 – 12.0 16.0 22.0 TO-262IRLI3803 30 67 – 6.0 9.0 93.3 TO-220 FullPak (Iso)IRLU8729 30 58 – 8.9 11.9 10.0 I-PakIRLHM630 30 40 21.0 – 3.5 41.0 PQFN 3.3 x 3.3IRL3103 30 56 – 12.0 16.0 22.0 TO-220ABIRL2703S 30 24 – 40.0 60.0 10.0 D2-PakIRL3803VS 30 140 – 5.5 7.5 50.7 D2-PakIRLR7833 30 140 – 4.5 5.5 38.0 D-PakIRLR8721 30 65 – 8.4 11.8 8.5 D-PakIRL3103S 30 64 – 12.0 16.0 22.0 D2-PakIRL2203N 30 100 – 7.0 10.0 40.0 TO-220ABIRLR7843 30 161 – 3.3 4.0 34.0 D-PakIRL3713S 30 200 – 3.0 4.0 75.0 D2-PakIRL3803 30 120 – 6.0 9.0 93.3 TO-220ABIRLU3103 30 46 – 19.0 24.0 33.3 I-PakIRL1404S 40 160 – 4.0 – 93.3 D2-PakIRLML0040 40 – 3.6 56.0 78.0 2.6 Micro 3/ SOT-23IRLH5034 40 100 29.0 2.4 3.2 82.0 PQFN 5 x 6 BIRL1404 40 160 – 4.0 – 93.3 TO-220ABIRLH7134 40 134 26.0 3.3 4.9 39.0 PQFN 5 x 6 E

www.irf.ru 83








IRL1404Z 40 200 – 3.1 5.0 75.0 TO-220ABIRLB3034 40 343 – 1.7 2.0 108.0 TO-220ABIRLR3114Z 40 130 – 4.5 6.5 40.0 D-PakIRL1004 40 130 – 6.5 9.0 66.7 TO-220ABIRLS3034 40 343 – 1.7 2.0 108.0 D2-PakIRLSL3034 40 343 – 1.7 2.0 108.0 TO-262IRL1004S 40 110 – 6.5 9.0 66.7 D2-PakIRLU3114Z 40 130 – 4.9 6.5 40.0 I-PakIRL1404ZS 40 200 – 3.1 5.0 75.0 D2-PakIRL1404ZL 40 200 – 3.1 5.0 75.0 TO-262IRLS3034-7P 40 380 – 1.4 1.7 120.0 D2-Pak 7-LeadIRLP3034 40 327 – 1.7 2.0 108.0 TO-247ACIRLR024N 55 17 – 65.0 110.0 10.0 D-PakIRLZ44Z 55 51 – 13.5 22.5 24.0 TO-220ABIRLL014N 55 2.0 2.0 140.0 280.0 9.5 SOT-223IRLL024Z 55 – 5.0 60.0 100.0 7.0 SOT-223IRLZ24N 55 18 – 60.0 105.0 10.0 TO-220ABIRLU024N 55 17 – 65.0 110.0 10.0 I-PakIRLL2705 55 – 3.8 40.0 65.0 32.0 SOT-223IRLZ34N 55 27 – 35.0 60.0 16.7 TO-220ABIRLZ24NS 55 18 – 60.0 105.0 10.0 D2-PakIRLU3915 55 61 – 14.0 17.0 61.0 I-PakIRL3705ZL 55 86 – 8.0 12.0 40.0 TO-262IRLIZ44N 55 28 – 22.0 35.0 32.0 TO-220 FullPak (Iso)IRL3705Z 55 86 – 8.0 12.0 40.0 TO-220ABIRLU2905Z 55 60 – 13.5 22.5 23.0 I-PakIRLZ44ZL 55 51 – 13.5 22.5 24.0 TO-262IRL3705ZS 55 86 – 8.0 12.0 40.0 D2-PakIRLR2905Z 55 60 – 13.5 22.5 23.0 D-PakIRLU2905 55 36 – 27.0 40.0 32.0 I-PakIRL3705NS 55 89 – 10.0 – 65.3 D2-PakIRLL024N 55 – 4.4 65.0 100.0 10.4 SOT-223IRLR2905 55 36 – 27.0 40.0 32.0 D-PakIRLZ44ZS 55 51 – 13.5 22.5 24.0 D2-PakIRL2505S 55 104 – 8.0 – 86.7 D2-PakIRL3705N 55 77 – 10.0 – 65.3 TO-220ABIRL2505 55 104 – 8.0 – 86.7 TO-220ABIRLR2705 55 28 – 40.0 65.0 16.7 D-PakIRLR3915 55 61 – 14.0 17.0 61.0 D-PakIRLR3105 55 25 – 37.0 43.0 13.3 D-PakIRLIZ34N 55 20 – 35.0 60.0 16.7 TO-220 FullPak (Iso)IRLU3105 55 25 – 37.0 43.0 13.3 I-PakIRLR3705Z 55 89 – 8.0 12.0 44.0 D-PakIRLZ44N 55 41 – 22.0 35.0 32.0 TO-220ABIRLU3705Z 55 89 – 8.0 12.0 44.0 I-PakIRLI3705N 55 47 – 10.0 18.0 65.3 TO-220 FullPak (Iso)IRLZ34NL 55 30 – 35.0 60.0 16.7 TO-262IRLZ34NS 55 30 – 35.0 60.0 16.7 D2-PakIRLZ44NS 55 47 – 22.0 35.0 32.0 D2-PakIRLU2705 55 24 – 40.0 65.0 16.7 I-PakIRLH5036 60 100 20.0 4.4 5.5 44.0 PQFN 5 x 6 BIRLB3036G 60 270 – 2.4 2.8 91.0 TO-220ABIRLS3036-7P 60 300 – 1.9 2.2 110.0 D2-Pak 7-LeadIRLSL3036 60 270 – 2.4 2.8 91.0 TO-262IRLML2060 60 – 1.2 480.0 640.0 0.67 Micro 3/ SOT-23IRLU3636 60 99 – 6.8 8.3 33.0 I-PakIRLS3036 60 270 – 2.4 2.8 91.0 D2-PakIRLR3636 60 99 – 6.8 8.3 33.0 D-PakIRLML0060 60 – 2.7 92.0 116.0 2.5 Micro 3/ SOT-23IRLB3036 60 270 – 2.4 2.8 91.0 TO-220ABIRLR2908 80 39 – 28.0 30.0 22.0 D-PakIRLU2908 80 39 – 28.0 30.0 22.0 I-PakIRL530N 100 17 – 100.0 150.0 22.7 TO-220ABIRLB4030 100 180 – 4.3 4.5 87.0 TO-220ABIRL540NS 100 36 – 44.0 63.0 49.3 D2-PakIRLR3110Z 100 63 – 14.0 16.0 34.0 D-PakIRLU120N 100 11 – 185.0 265.0 13.3 I-PakIRLS4030-7P 100 190 – 3.9 4.1 93.0 D2-Pak 7-LeadIRLSL4030 100 180 – 4.3 4.5 87.0 TO-262IRLU3410 100 15 – 105.0 155.0 22.7 I-PakIRLI520N 100 7.7 – 180.0 260.0 13.3 TO-220 FullPak (Iso)IRLI530N 100 11 – 100.0 150.0 22.7 TO-220 FullPak (Iso)IRL520N 100 10 – 180.0 – 13.3 TO-220ABIRL2910S 100 55 – 26.0 – 93.3 D2-PakIRLI540N 100 20 – 44.0 63.0 49.3 TO-220 FullPak (Iso)IRL2910L 100 55 – 26.0 – 93.3 TO-262IRL520NS 100 10 – 180.0 – 13.3 D2-PakIRLS4030 100 180 – 4.3 4.5 87.0 D2-PakIRL520NL 100 10 – 180.0 – 13.3 TO-262IRL540N 100 36 – 44.0 63.0 49.3 TO-220ABIRLML0100 100 – 1.6 220.0 235.0 2.5 Micro 3/ SOT-23IRLI2910 100 27 – 26.0 40.0 93.3 TO-220 FullPak (Iso)IRLR3410 100 15 – 105.0 155.0 22.7 D-Pak

www.irf.ru84








IRL530NS 100 17 – 100.0 150.0 22.7 D2-PakIRLH5030 100 – 13.0 9.0 9.9 44.0 PQFN 5 x 6 BIRL2910 100 48 – 26.0 – 93.3 TO-220ABIRLU3110Z 100 63 – 14.0 16.0 34.0 I-PakIRLR120N 100 11 – 185.0 265.0 13.3 D-PakIRL530NL 100 17 – 100.0 150.0 22.7 TO-262

P-канальные транзисторы

Наим-е Напр-е, В Ток стока при T среды 25С, А Сопр-е RDS(on) при 4.5В, мОм Заряд затвора, нКл Корпус

IRLML2246 -20 -2.6 135.0 2.9 Micro 3/ SOT-23IRLML2244 -20 -4.3 54.0 6.9 Micro 3/ SOT-23IRLTS2242 -20 -6.9 -32.0 12.0 TSOP-6 (Micro 6)IRLHS2242 -20 -7.2 31.0 12.0 PQFN 2 x 2IRFH9310 -30 -21.0 7.1 58.0 PQFN 5 x 6 AIRF9328 -30 -12.0 19.7 18.0 SO-8IRF9317 -30 -16.0 10.2 31.0 SO-8IRF9310 -30 -20.0 6.8 58.0 SO-8IRF9383M -30 -22.0 4.8 130.0 DirectFET MXIRF9333 -30 -9.2 32.5 14.0 SO-8IRFHS9301 -30 -6.0 65.0 6.9 PQFN 2 x 2IRF9332 -30 -9.8 28.1 14.0 SO-8IRF9392 -30 -9.8 17.5 14.0 SO-8IRF9335 -30 -5.4 110.0 4.7 SO-8IRFTS9342 -30 -5.8 66.0 12.0 TSOP-6 (Micro 6)IRFHM9331 -30 -11.0 14.6 16.0 PQFN 3 x 3IRF9393 -30 -9.2 19.4 14.0 SO-8IRLML9301 -30 -3.6 103.0 4.8 Micro 3/ SOT-23IRLML9303 -30 -2.3 270.0 2.0 Micro 3/ SOT-23IRF9321 -30 -15.0 11.2 34.0 SO-8IRF9388 -30 -12.0 11.9 18.0 SO-8

2-канальные N канал

Наим-е Напр-е, В Сопр-е RDS(on) при 10В, мОм Ток стока при T корп. 25С, А Заряд затвора, нКл Корпус

IRLHS6276 20 45.0 4.5 3.1 PQFN 2 x 2IRF6802SD 25 4.2 16 8.8 DirectFET SAIRF7905 30 17.1 (Q2) 8.9 (Q2) 4.6 (Q1) SO-8IRFH7911 30 8.6 (Q1) 13.0 (Q1) 8.3 (Q1) PQFN 5 x 6 CIRF7904 30 16.2 (Q1) 7.6 (Q1) 7.5 (Q1) SO-8IRL6372 30 17.9 8.1 11.0 SO-8IRFHM8363 30 14.9 11 15.0 PQFN 3.3 x 3.3 EIRF8513 30 Q1 - 15.5 Q2 - 12.7 Q1 - 8.0 Q2 - 11.0 Q1 - 5.7 Q2 - 7.6 SO-8IRF7907 30 16.4 (Q1) 11.0 (Q2) 14.0 (Q2) SO-8IRF8313 30 15.5 9.7 6.0 SO-8IRLHS6376 30 3.6 2.8 PQFN 2 x 2IRF7351 60 17.8 8.0 24.0 SO-8IRFHM792 100 195.0 2.3 4.2 PQFN 3.3 x 3.3 EIRFI4019HG-117P 150 95.0 8.7 13.0 TO-220 Full-Pak 5-Pin

2-канальные р канал

Наим-е Напр-е, В Сопр-е RDS(on) при 10В, мОм Ток стока при T среды 25С, А Заряд затвора, нКл Корпус

IRF9358 -30 16.3 -9.2 19.0 SO-8IRF9362 -30 21.0 -8.0 13.0 SO-8IRF9395M -30 7.0 -14.0 64.0 DirectFET MCIRFHS9351 -30 170.0 -2.3 1.9 PQFN 2 x 2

www.irf.ru 85


N-канальные автомобильные транзисторы

Наим-е Напр-е, ВСопр-к канала RDS(on), 10

В, мОмТок стока при Ткорпуса

100оС, АЗаряд затвора, нКл

Мощность расс-я при Ткорпуса 25оС, Вт

Корпус

AUIRF6218S -150 150.0 -19 71.0 250 D2-PakAUIRFR6215 -150 580.0 -9 44.0 110 D-PakAUIRF6215 -150 290.0 -9 44.0 110 TO-220ABAUIRF6218L -150 150.0 -19 27.0 250 TO-262AUIRF6215S -150 290.0 -9 44.0 110 D2-PakAUIRF9540N -100 117.0 -16 64.7 140 TO-220ABAUIRF5210S -100 60.0 -24 150.0 170 D2-PakAUIRFR5410 -100 205.0 -8.2 38.7 66 D-PakAUIRF4905S -55 20.0 -44 120.0 170 D2-PakAUIRFR5305 -55 65.0 -22 42.0 110 D-PakAUIRFR5505 -55 110.0 -11 21.3 57 D-PakAUIRF4905 -55 20.0 -52 120.0 200 TO-220ABAUIRFR9024N -55 175.0 -8 12.7 38 D-PakAUIRF9Z34N -55 100.0 -14 23.3 68 TO-220ABAUIRFI4905 -55 20.0 -52 60.0 200 TO-220 FullPak (Iso)AUIRF7416Q -30 20.0 -7.1* 61.0 2.50* SO-8AUIRF7207Q -20 60.0 (4.5 В) -4.3* 15.0 SO-8AUIRLR3714 20 20.0 31 6.5 47 D-PakAUIRF1324 24 1.5 249 160.0 300 TO-220ABAUIRFP2602 24 1.6 270 260.0 380 TO-247AUIRF1324S 24 1.65 240 160.0 300 D2-PakAUIRF1324S-7P 24 1.0 303 180.0 300 D2-Pak 7-LeadAUIRF1324WL 24 1.3 270 120.0 300 TO-262 WLAUIRF7805Q 30 11.0 (4.5 В) 10* 22.0 2.50* SO-8AUIRLR2703 30 45.0 16 10.0 45 D-PakAUIRF2903Z 30 2.4 180 160.0 290 TO-220ABAUIRF2903ZL 30 2.4 166 160.0 231 TO-262AUIRF2903ZS 30 2.4 166 160.0 231 D2-PakAUIRL2203N 30 7.0 71 40.0 130 TO-220ABAUIRFU4104 40 5.5 4 59.0 140 I-PakAUIRF2804WL 40 1.8 208 150.0 300 TO-262 WLAUIRF1404ZL 40 3.7 120 100.0 200 TO-262AUIRFR3504Z 40 9.0 54 30.0 90 D-PakAUIRF2804L 40 2.0 190 160.0 300 TO-262AUIRLS3034 40 1.7 243 108.0 375 D2-PakAUIRF4104S 40 5.5 84 68.0 140 D2-PakAUIRF1404 40 4.0 143 131.0 333 TO-220ABAUIRFR3504 40 9.2 61 48.0 140 D-PakAUIRF4104 40 5.5 84 68.0 140 TO-220ABAUIRF3504 40 9.2 61 36.0 143 TO-220ABAUIRF1404S 40 4.0 115 160.0 200 D2-PakAUIRFR4104 40 5.5 84 59.0 140 D-PakAUIRFS3004-7P 40 1.25 280 160.0 380 D2-Pak 7-LeadAUIRL1404Z 40 3.1 130 75.0 200 TO-220ABAUIRL1404ZS 40 3.1 130 75.0 200 D2-PakAUIRLB3034 40 1.7 243 108.0 375 TO-220ABAUIRF3004WL 40 1.4 273 140.0 375 TO-262 WLAUIRFS3004 40 1.75 240 160.0 380 D2-PakAUIRF1404ZS 40 3.7 120 100.0 200 D2-PakAUIRFB3004 40 1.75 240 160.0 380 TO-220ABAUIRF2804S-7P 40 1.6 230 170.0 330 D2-Pak 7-LeadAUIRL1404ZL 40 3.1 130 75.0 200 TO-262AUIRF1404Z 40 3.7 120 100.0 200 TO-220ABAUIRLR3114Z 40 4.5 89 40.0 140 D-PakAUIRF2804S 40 2.0 190 160.0 300 D2-PakAUIRLS3034-7P 40 1.4 270 120.0 380 D2-Pak 7-LeadAUIRF2804 40 2.3 190 160.0 300 TO-220ABAUIRFP4004 40 1.7 250 220.0 380 TO-247ACAUIRLU3114Z 40 4.9 89 40.0 140 I-PakAUIRL1404S 40 4.0 110 93.3 200 D2-PakAUIRLS3114Z 40 4.9 86 35.0 143 D2-PakAUIRF7484Q 40 11* 69.0 2.50* SO-8AUIRFZ44Z 55 13.9 36 29.0 80 TO-220ABAUIRL3705N 55 10.0 63 65.3 170 TO-220ABAUIRFZ48Z 55 11.0 43 43.0 91 TO-220ABAUIRFP1405 55 5.3 5.6 120.0 310 TO-247ACAUIRF3205Z 55 6.5 1.6 76.0 170 TO-220ABAUIRF1010ZS 55 7.5 2.5 63.0 140 D2-PakAUIRFZ48ZS 55 11.0 11 43.0 91 D2-PakAUIRFR48Z 55 11.0 44 40.0 91 D-PakAUIRFZ44ZS 55 13.9 36 29.0 80 D2-PakAUIRL3705ZL 55 8.0 61 40.0 130 TO-262AUIRFL024N 55 75.0 2.3* 12.2 1.00* SOT-223AUIRFP064N 55 8.0 80 113.3 200 TO-247ACAUIRF1405 55 5.3 118 170.0 330 TO-220ABAUIRF1405ZL 55 4.9 110 120.0 230 TO-262AUIRFZ34N 55 40.0 20 22.7 68 TO-220ABAUIRFZ46NL 55 16.5 37 48.0 107 TO-262AUIRL3705ZS 55 8.0 61 40.0 130 D2-PakAUIRFI3205 55 8.0 45 113.3 63 TO-220 FullPak (Iso)AUIRF3805S-7P 55 2.6 170 130.0 300 D2-Pak 7-LeadAUIRF1010Z 55 7.5 66 63.0 140 TO-220ABAUIRF3205 55 8.0 80 97.3 200 TO-220AB

www.irf.ru86







Корпус

AUIRLR2905Z 55 13.5 43 23.0 110 D-PakAUIRFR024N 55 75.0 12 13.3 45 D-PakAUIRFR4105Z 55 24.5 21 18.0 48 D-PakAUIRF3805L-7P 55 2.6 170 130.0 300 TO-263CA 7-PinAUIRLR3915 55 14.0 43 61.0 120 D-PakAUIRF1405ZS 55 4.9 110 120.0 230 D2-PakAUIRFIZ44N 55 24.0 22 43.3 45 TO-220 FullPak (Iso)AUIRLR3105 55 37.0 18 13.3 57 D-PakAUIRFZ44NS 55 17.5 35 42.0 94 D2-PakAUIRLR014N 55 140.0 7.1 5.3 28 D-PakAUIRFIZ34N 55 40.0 15 22.7 37 TO-220 FullPak (Iso)AUIRFL014N 55 160.0 1.5* 7.0 SOT-223AUIRLL024Z 55 60.0 4* 7.0 2.80* SOT-223AUIRLL014N 55 140.0 1.6* 9.5 1.00* SOT-223AUIRF2805 55 4.7 120 150.0 330 TO-220ABAUIRFR1010Z 55 7.5 65 63.0 140 D-PakAUIRF3305 55 8.0 99 100.0 330 TO-220ABAUIRLR024Z 55 58.0 11 6.6 35 D-PakAUIRFZ48N 55 14.0 49 42.0 160 TO-220ABAUIRL3705NS 55 10.0 63 65.3 170 D2-PakAUIRFBA1405 55 5.0 123 170.0 330 Super 220 (TO-273AA)AUIRFZ24NS 55 70.0 12 13.3 45 D2-PakAUIRL3705Z 55 8.0 61 40.0 130 TO-220ABAUIRF3805 55 3.3 150 190.0 300 TO-220ABAUIRF3805S 55 3.3 150 190.0 300 D2-PakAUIRF3205ZS 55 6.5 78 76.0 170 D2-PakAUIRF3805L 55 3.3 150 190.0 300 TO-262AUIRLZ44Z 55 13.5 36 24.0 80 TO-220ABAUIRLR2905 55 27.0 30 32.0 110 D-PakAUIRFZ44N 55 17.5 35 42.0 45 TO-220ABAUIRF1010ZL 55 7.5 66 63.0 140 TO-262AUIRLL024N 55 65.0 2.5* 10.4 SOT-223AUIRFR2905Z 55 14.5 42 29.0 110 D-PakAUIRFR2405 55 16.0 40 70.0 110 D-PakAUIRLL2705 55 40.0 3* 32.0 1.00* SOT-223AUIRFR4105 55 45.0 19 22.7 68 D-PakAUIRLR3705Z 55 8.0 63 44.0 130 D-PakAUIRLR024N 55 65.0 12 10.0 45 D-PakAUIRLI2505 55 8.0 41 86.7 63 TO-220 FullPak (Iso)AUIRF2805S 55 4.7 96 150.0 200 D2-PakAUIRLU024Z 55 58.0 11 6.6 35 I-PakAUIRFS3206 60 3.0 150 120.0 300 D2-PakAUIRLS3036-7P 60 1.9 2.3 110.0 380 D2-Pak 7-LeadAUIRFP3306 60 4.2 -4.3 85.0 220 TO-247ACAUIRF1010EZL 60 8.5 3 58.0 140 TO-262AUIRFB3306 60 4.2 110 85.0 230 TO-220ABAUIRFZ44VZS 60 12.0 40 43.0 92 D2-PakAUIRFR1018E 60 8.4 56 46.0 110 D-PakAUIRFS3806 60 15.8 31 22.0 71 D2-PakAUIRFZ44V 60 16.5 39 44.7 115 TO-220ABAUIRF1018ES 60 8.4 56 46.0 110 D2-PakAUIRLS3036 60 2.4 190 91.0 380 D2-PakAUIRF7478Q 60 26.0 5.6* 21.0 SO-8AUIRF1010EZS 60 8.5 60 58.0 140 D2-PakAUIRFS3306 60 4.2 110 85.0 230 D2-PakAUIRF1018E 60 8.4 56 46.0 110 TO-220ABAUIRFS3006 60 2.5 191 200.0 375 D2-PakAUIRLR3636 60 6.8 70 33.0 143 D-PakAUIRFS3006-7P 60 2.1 207 200.0 375 D2-Pak 7-LeadAUIRF1010EZ 60 8.5 60 58.0 140 TO-220ABAUIRLB3036 60 2.4 190 91.0 380 TO-220ABAUIRFB3006 60 2.5 190 200.0 375 TO-220ABAUIRFR3806 60 15.8 31 22.0 71 D-PakAUIRFB3806 60 15.8 31 22.0 71 TO-220ABAUIRFSL3206 60 3.0 150 120.0 300 TO-262AUIRFS3107-7P 75 2.6 190 160.0 370 D2-Pak 7-LeadAUIRFS3607 75 9.0 56 56.0 140 D2-PakAUIRFR2407 75 26.0 29 74.0 110 D-PakAUIRFR3607 75 9.0 56 56.0 140 D-PakAUIRFB3207 75 4.5 120 180.0 300 TO-220ABAUIRFB3607 75 9.0 56 56.0 140 TO-220ABAUIRF2907Z 75 4.5 120 180.0 300 TO-220ABAUIRF2907ZS-7P 75 3.8 120 170.0 300 D2-Pak 7-LeadAUIRF3007 75 12.6 56 89.0 200 TO-220ABAUIRF3808S 75 7.0 75 150.0 200 D2-PakAUIRFR2307Z 75 16.0 38 50.0 110 D-PakAUIRFS3207Z 75 4.1 120 120.0 300 D2-PakAUIRFP2907Z 75 4.5 120 180.0 310 TO-247ACAUIRFP2907 75 4.5 148 410.0 470 TO-247ACAUIRFR2607Z 75 22.0 32 34.0 110 D-PakAUIRFS3307Z 75 5.8 84 79.0 230 D2-PakAUIRFS3107 75 3.0 160 160.0 370 D2-PakAUIRF2807 75 13.0 58 106.7 230 TO-220AB

www.irf.ru 87







Корпус

AUIRF3808 75 7.0 97 150.0 330 TO-220ABAUIRLR2908 80 28.0 28 22.0 120 D-PakAUIRFB4610 100 14.0 52 90.0 190 TO-220ABAUIRFR120Z 100 190.0 6.1 6.9 35 D-PakAUIRF3710Z 100 18.0 42 82.0 160 TO-220ABAUIRL2910S 100 26.0 39 93.3 3.8 D2-PakAUIRLS4030 100 4.3 130 87.0 370 D2-PakAUIRFS4310 100 7.0 92 170.0 300 D2-PakAUIRF540Z 100 26.5 25 42.0 92 TO-220ABAUIRFSL4310 100 7.0 92 170.0 300 TO-262AUIRF3710ZS 100 18.0 42 82.0 160 D2-PakAUIRFS4610 100 14.0 52 90.0 190 D2-PakAUIRLU3110Z 100 14.0 45 34.0 140 I-PakAUIRFR3710Z 100 18.0 39 69.0 140 D-PakAUIRFP4310Z 100 6.0 95 120.0 280 TO-247ACAUIRF540ZS 100 26.5 25 42.0 92 D2-PakAUIRLR3110Z 100 14.0 45 34.0 140 D-PakAUIRLB4030 100 4.3 130 87.0 370 TO-220ABAUIRFS4010 100 4.7 127 143.0 375 D2-PakAUIRFS4410Z 100 9.0 69 83.0 230 D2-PakAUIRLR120N 100 185.0 7 13.3 3.1 D-PakAUIRFB4410 100 10.0 68 120.0 200 TO-220ABAUIRFS4010-7P 100 4.0 130 150.0 380 D2-Pak 7-LeadAUIRFB4310Z 100 6.0 90 120.0 250 TO-220ABAUIRFU540Z 100 28.5 25 39.0 91 I-PakAUIRFS4310Z 100 6.0 90 120.0 250 D2-PakAUIRFR540Z 100 28.5 25 39.0 91 D-PakAUIRFSL4010 100 4.7 127 143.0 375 TO-262AUIRLR3410 100 105.0 12 22.7 79 D-PakAUIRLS4030-7P 100 3.9 130 93.0 370 D2-Pak 7-LeadAUIRFR4615 150 42.0 1.5 26.0 144 D-PakAUIRF3315S 150 82.0 15 63.3 94 D2-PakAUIRF3415 150 42.0 30 133.3 200 TO-220ABAUIRFR4620 200 78.0 17 25.0 144 D-PakAUIRFS4127 200 22.0 51 100.0 375 D2-PakAUIRFB4127 200 20.0 54 100.0 375 TO-220ABAUIRFR4292 250 345.0 -7.1 13.0 100 D-PakAUIRFU4292 250 345.0 6.6 13.0 100 I-PakAUIRFP4768 250 17.5 66 180.0 520 TO-247ACAUXFS4409 300 75.0 28 78.0 375 D2-PakAUIRFS6535 300 185.0 13 38.0 210 D2-PakAUIRFSL6535 300 185.0 13 38.0 210 TO-262

автомобильные транзисторы в корпусе DirectFET





Корпус

AUIRF7737L2TR 40 1.9 110 89.0 83 DirectFET L6AUIRF7738L2 40 1.6 130 129.0 94 DirectFET L6AUIRL7736M2TR 40 3.0 79 52.0 63 DirectFET M4AUIRF7739L2 40 1.0 190 220.0 125 DirectFET L8AUIRF7736M2TR 40 3.0 77 72.0 63 DirectFET M4AUIRF7734M2 40 4.9 51 48.0 46 DirectFET M2AUIRL7732S2TR 40 6.6 41 22.0 41 DirectFET SCAUIRF7732S2TR 40 7.0 39 30.0 41 DirectFET SCAUIRF7640S2 60 36.0 15 7.3 30 DirectFET S2AUIRF7648M2TR 60 7.0 48 35.0 63 DirectFET M4AUIRF7759L2 75 2.3 113 200.0 125 DirectFET L8AUIRF7647S2TR 100 31.0 17 14.0 41 DirectFET SCAUIRL7766M2 100 10.0 36 44.0 62.5 DirectFET M4AUIRF7669L2TR 100 4.4 81 81.0 100 DirectFET L8AUIRF7665S2 100 62.0 10.2 8.3 30 DirectFET SBAUIRF7675M2 150 56.0 13 21.0 45 DirectFET M2AUIRF7799L2 250 38.0 25 110.0 125 DirectFET L8

www.irf.ru88


2-канальные автомобильные транзисторы в корпусе S0-8

Наим-е Топология Напр-е, ВСопр-е канала RDS(on) 4.5В, мОм Ток стока при Т 25оС, А Заряд затвора, нКл

N P N P N P

AUIRF7342Q 2 х P -55 170.0 -3.4 26.0AUIRF7316Q 2 х P -30 98.0 -4.9 23.0AUIRF7304Q 2 х P -20 90.0 -4.3 14.7AUIRF7303Q 2 х N 30 80.0 4.9 16.7AUIRF7319Q 1 х N / 1 х P 30 46.0 98.0 6.5 -4.9 22.0 23.0AUIRF7309Q 1 х N / 1 х P 30 80.0 160.0 4.0 -3.0 16.7 16.7AUIRF7379Q 1 х N / 1 х P 30 75.0 180.0 4.8 -4.3 16.7 16.7AUIRF9952Q 1 х N / 1 х P 30 150.0 400.0 3.5 -2.3 6.9 6.1AUIRF7103Q 2 х N 50 200.0 3.0 10.0AUIRF7343Q 1 х N / 1 х P 55 65.0 170.0 4.7 -3.4 24.0 26.0AUIRF7341Q 2 х N 55 65.0 5.1 29.0

автомобильные IGBT транзисторы

Наим-еСкорость

переключенияНапр-е кол-эмит., В

Ток коллектора (25оС), А

Напр-е насыщения кол-эмит. макс., В

Рассеив. мощность, Вт

Встр. диод Режим перекл-я Корпус

AUIRG4PH50S

DC-1 кГц (стандарт)

1200 57 1.70 200 – жесткий TO-247AUIRG4BC30S-S 600 34 1.60 100 – жесткий D2-Pak

AUIRGDC0250 1200 141 1.57 – мягкийSuper TO-220 (TO-273AA)

AUIRG4BC30S-SL 600 34 1.60 100 – жесткий TO-262AUIRGP4063D

сверхбыстрый 8-30 кГц

600 96 2.14 330 + жесткий TO-247AUIRGS30B60K 600 78 2.35 370 – жесткий D2-PakAUIRGSL4062D1 600 59 1.77 246 + мягкий TO-262AUIRGU4045D 600 12 2.00 77 + жесткий I-PakAUIRGS4056D 600 42 1.85 140 + жесткий D2-PakAUIRGB4062D 600 48 1.95 250 + жесткий TO-220ABAUIRG4BC30U-S 600 23 1.95 100 – жесткий D2-PakAUIRG4BC30U-SL 600 23 1.95 100 – жесткий TO-262AUIRGP4062D 600 48 1.95 250 + жесткий TO-247AUIRGP4066D1 600 140 2.10 454 + жесткий TO-247AUIRGP4062D1 600 55 1.77 217 + мягкий TO-247AUIRGR4045D 600 12 2.00 77 + жесткий D-PakAUIRGS4062D1 600 59 1.77 246 + мягкий D2-PakAUIRGB4062D1 600 59 1.77 246 + мягкий TO-220ABAUIRGPS4067D1 600 240 2.05 750 + жесткий TO-274AAAUIRGSL30B60K 600 78 2.35 370 – жесткий TO-262AUIRGP50B60PD1

WARP 30-150 кГц600 75 2.35 390 + жесткий TO-247

AUIRGP35B60PD 600 60 2.15 308 + жесткий TO-247AUIRGP35B60PD-E 600 60 2.15 308 + жесткий TO-247AD

• Управление электроприводом

• компоненты для AC/DC и DC/DC преобразователей

• микроэлектронные реле

• Управление освещением

• автоэлектроника

• аУдио Усилители класса D

Представительство IR Интернешнл Холдинг, Инк. в России,

странах СНГ и Балтии: 107023, Москва, Семеновский пер., 15,

комната 612 Тел.,/факс (495) 964-9560.

E-mail: [email protected]

http://www.irf.com

Офисы в Москве: м. Молодежная: Москва, ул.Ивана Франко,

40, стр.2, (495) 97-000-99, [email protected]

м. Новослободская: Москва, 1-й Щемиловский пер., 16, стр. 2,

(495) 744-70-70, [email protected]

Офис в Санкт-Петербурге: ул.Зверинская, 44, (812) 232-88-36,

232-23-73, [email protected]

ООО «Элтроник» тел. (495) 660-5548, 660-5549

[email protected]

ООО «Регион-Комплект» тел. (495) 737-7325

T H E P O W E R M A N A G E M E N T L E A D E R

Миру – IR - ПЛАТАН

Documents

Transcript of Миру – IR - ПЛАТАН