ELETRÔNICA DE POTÊNCIA: ELETRÔNICA DE POTÊNCIA: CONCEITOS IMPORTANTES CONCEITOS IMPORTANTES
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ELETRÔNICA DE POTÊNCIA:ELETRÔNICA DE POTÊNCIA:
CONCEITOS IMPORTANTESCONCEITOS IMPORTANTES
FERNANDO LESSA FERNANDO LESSA TOFOLITOFOLI, DR. ENG., DR. ENG.
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INTRODUÇÃO GERAL DEFINIÇÕES
Eletrônica de Potência: ciência que se dedica a processar e controlar o fluxo de energia elétrica por meio do uso dos conversores estáticos de potência.
Eletrônica de Potência é
a tecnologia associada com conversão eficiente, controle e condicionamento de potência elétrica através de interruptores estáticos a partir de uma fonte disponível na entrada para uma saída desejada.
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INTRODUÇÃO GERAL
Eletrônica de Potência Máquinas Elétricas e Acionamentos
Qualidade da Energia Elétrica
Sistemas de Controle
Sistemas de Potência
Física de Semicondutores
Eletrônica Analógica e Digital
A eletrônica de potência é
uma área de atuação interdisciplinar. Para projetar com propriedade um conversor estático, deve-se possuir um conhecimento adequado de várias subáreas do conhecimento da Engenharia Elétrica.
DEFINIÇÕES
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INTRODUÇÃO GERAL IMPORTÂNCIA DA ELETRÔNICADE POTÊNCIA
“A eletrônica de potência desenvolve atualmente um impacto relevante em nossa sociedade, o qual, em minha opinião, é
tão grande quanto (senão
maior) que aquele da tecnologia da informação. Em essência, a roda da civilização industrial é
movida pela eletrônica de potência. A produtividade e
qualidade da produção das indústrias modernas dependem da eletrônica de potência, que possibilita a existência de sistemas energéticos ultraeficientes, que são tão vitais para nossas indústrias. O problema do aquecimento global que ameaça a civilização humana pode ser solucionado ou mitigado com a ajuda da eletrônica de potência. A maior parte das fontes de energias limpas e renováveis, que têm sido intensamente exploradas, dependem unicamente da eletrônica de potência para seu aproveitamento e utilização. Nossos veículos elétricos e híbridos são baseados na eletrônica de potência. A eficiência energética de aparelhos elétricos e eletrônicos, a qual tem sido enfaticamente destacada, é
altamente dependente da eletrônica de potência. À
medida em
que o custo da energia elétrica tender a aumentar sensivelmente em um futuro próximo, o impacto da eletrônica de potência se tornará
mais visível.”
(Dr. Bimal
K. Bose, IEEE Industrial Electronics Magazine, Junho de 2009).
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Interruptor Ideal (“Chave”)
Dispositivos Semicondutores
- Sinal
- Potência
Semicondutores Controlados
- Tiristores
- Transistores Bipolares
- Transistores MOS
- Transistores Híbridos
- Diodos
- Tiristores
- Interruptores totalmente controlados
SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA CLASSIFICAÇÃO
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA ESPECIFICAÇÕES TÍPICAS
Componente Tensão(V)
Corrente(A)
Freqüência(kHz)
Potência(kVA)
Tiristor 10.000 5.000 2 10.000
Transistor Bipolar 1.000 300 20 200
MOSFET 1.000 100 50 50
IGBT 3.000 1.000 20 3.000
Potência
tensão Potência
freqüência
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA DIODOS DE POTÊNCIA
Característica IV Formas de onda
t1
Polarização direta
t2
Injeção de portadores em N-
t3
Polarização reversa
t4
Camada de depleção
t5
Não há portadores majoritários
Dopagem leve
Absorve a camada de depleção
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA OUTROS DISPOSITIVOS
(+) Altos gradientes de tensão (+) Menor queda de tensão (-) Alto custo
- Altas potências - Acionamento por tensão
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA OUTROS DISPOSITIVOS
MCT (Tiristor Controlado MOS)
- Três terminais (anodo, catodo e gatilho);
- Baixa queda de tensão;
- Ótima capacidade de condução de corrente;
- Possui dimensões menores;
- Podem ser encontrados em valores de tensão até 10 kV;
- Suporta somente tensão positiva, ou somente tensão negativa.
“MOS-Controlled Thyristors -A New Class of Power Devices”, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED- 33, No. 10, Oct. 1986, Victor A. K. Temple, pp. 1609-1618.
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA MECANISMO DE PERDAS
Perdas em Diodos:
-
No diodo de potência, a região N intermediária com baixa dopagem, responsável por alargar a região de depleção e diminuir seu campo elétrico, permite que o diodo suporte maiores tensões reversas sem entrar em ruptura.
-
Por outro lado, essa região intermediária levemente dopada aumentará
a característica resistiva do diodo quando este estiver em condução, aumentando, portanto, as perdas por condução.
-
Durante t1 , a região de depleção ainda não foi anulada, portanto o diodo ainda oferece uma grande resistência à
passagem de corrente direta o que, juntamente com as indutâncias parasitas
do componente e das conexões, causa uma sobretensão. Simultaneamente, a corrente cresce até atingir o valor da corrente que deve ser suprida à
carga.
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA MECANISMO DE PERDAS
Perdas em Diodos:
-
Durante t2 , com a anulação da região de depleção, a tensão cai até
atingir o valor de operação do diodo (> 0,7 V). Estes tempos são, tipicamente, da ordem de centenas de ns
e podem ser
obtidos nos datasheets dos componentes.
-
No desligamento, continuará
a circular corrente até
que a região de depleção seja restabelecida, o que só
ocorre no pico de corrente na fronteira entre t4 e t5 . A queda de tensão que ocorre nos
intervalos t3 e t4 se deve a diminuição da queda ôhmica. Em t4 , a taxa de variação da corrente, associada às indutâncias parasitas, provoca uma sobretensão negativa.
-
O tempo de recuperação reversa trr é
um parâmetro importante e determina quão rápido um diodo passa do estado de condução para o estado de bloqueio.
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA MECANISMO DE PERDAS
Perdas em Diodos:
-
As perdas por condução podem ser obtidas por:
VF queda de tensão existente no diodo durante a condução [V];IF(méd.) corrente média no diodo [A];rd resistência intrínseca do diodo [Ω];IF(ef.)
corrente eficaz no diodo [A].
-
As perdas por comutação dividem-se em perdas no momento em que o diodo entra em condução (Pturnon ) e perdas no momento em que o mesmo bloqueia (Pturnoff ), sendo definidas por:
t1 tempo necessário para o diodo entrar em condução [s];VFP tensão máxima durante o tempo t1 [V];Qrr carga armazenada na capacitância intrínseca do diodo [C];Vr tensão reversa no diodo [V].-
As perdas totais em um diodo são:
2
. .F dcond diodo F méd F efP V I r I
112 FP F F sturnon diodoP V V I t f rr r sturnoff diodoP Q V f
comut diodo turnon diodo turnoff diodoP P P
totais diodo cond diodo comut diodoP P P
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA MECANISMO DE PERDAS
As perdas por comutação são dadas por:
2
( ) .DS oncond MOSFET D efP r I
Entrada em Condução Bloqueio
( )12turnon MOS CC D r sP V I t f
VCC tensão máxima de bloqueio do MOSFET
[V];
ID corrente no momento em que o MOSFET
está
conduzindo [A];
tr tempo necessário para o MOSFET
entrar em condução [s];
tf
tempo necessário para o MOSFET
entrar em bloqueio [s].
( )12turnoff MOS CC D f sP V I t f
Perdas em Transistores MOSFET:
-
As perdas por condução podem ser obtidas por:
rDS(on)
resistência de condução do MOSFET
[];ID(ef.) corrente de dreno eficaz no MOSFET
[A].
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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA MECANISMO DE PERDAS
Perdas em Transistores MOSFET:
-
As perdas totais em um MOSFET
podem ser obtidas por:
( ) ( )turnon MOS turnoff MOScomut MOSP P P
totais MOS cond MOS comut MOSP P P
Exemplo: Conversor Boost CC-CC
-
O rendimento do conversor é
dado por:
100 100o i totais
i i
P P PP P
totais totais diodo totais MOSP P P
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CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Resistiva
Vi –
valor eficaz da tensão de entrada ou de alimentação senoidal [V];Vo –
valor da tensão na carga.
Vi
Vo
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Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Indutiva e Diodo de “Roda Livre”
CONVERSORES CA-CC
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Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Indutiva e Diodo de “Roda Livre”
CONVERSORES CA-CC
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Retificador Monofásico de Meia Onda a Diodo com Carga Indutiva e Diodo de “Roda Livre”
CONVERSORES CA-CC
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Uso do Transformador em Retificadores
CONVERSORES CA-CC
Funções do Transformador:
-
adaptação da tensão da fonte;- isolamento galvânico entre a rede e a carga.
Considerações de Análise:
-
a corrente de carga é
livre de harmônicas (indutância infinita);-
o transformador possui relação de transformação unitária.
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Uso do Transformador em Retificadores
CONVERSORES CA-CC
-
A componente I2CC não apresenta reflexos no primário, mas pode ocasionar a saturação do transformador.
-
A aplicação desta topologia é
restrita para pequenas potências.
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Uso do Transformador em Retificadores
CONVERSORES CA-CC
Constata-se o mau aproveitamento do transformador.
Topologia restrita à
utilização em baixas potências;
Principais vantagens: simplicidade e custo reduzido.
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Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos com Ponto Médio (Carga RL)
CONVERSORES CA-CC
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Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos com Ponto Médio (Carga RL)
CONVERSORES CA-CC
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Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos com Ponto Médio (Carga RL)
CONVERSORES CA-CC
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Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos com Ponto Médio – Estudo do Comportamento do Transformador
CONVERSORES CA-CC
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Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos com Ponto Médio – Estudo do Comportamento do Transformador
CONVERSORES CA-CC
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CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos em Ponte (Carga R)
-
Para carga RL, tem-se as mesmas etapas de funcionamento válidas para carga R. As formas de onda da corrente e da tensão de carga são idênticas àquelas válidas para o retificador com ponto médio.
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Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos em Ponte – Estudo do Transformador
CONVERSORES CA-CC
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Retificador Monofásico de Onda Completa a Diodos em Ponte – Estudo do Transformador
CONVERSORES CA-CC
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CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico a Diodos com Ponto Médio (Carga R)
1
2
3
2 sen
2 sen 120
2 sen 120
onde é o valor eficaz das tensões fase-neutro equilibradas.
a i
b i
c i
i
v t v t V t
v t v t V t
v t v t V t
V
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CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico a Diodos com Ponto Médio (Carga R)
1
2
3
2 sen
2 sen 120
2 sen 120
a i
b i
c i
v t v t V t
v t v t V t
v t v t V t
1 max 2 max 1 max
1 max 2 120 0
D
i iD
V V V
V V V
1 max 2 3 150iDV V
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CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico de Onda Completa a Diodos (Carga R) – Ponte de Graetz
1
2
3
2 sen
2 sen 120
2 sen 120
onde é o valor eficaz das tensões fase-neutro equilibradas.
a i
b i
c i
i
v t v t V t
v t v t V t
v t v t V t
V
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CONVERSORES CA-CC
Retificador Trifásico de Onda Completa a Diodos (Carga R)
vab vac vbc vba vca vcb
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CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Meia Onda a Tiristor com Carga Indutiva e Diodo de Roda Livre
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CONVERSORES CA-CC
Retificadores Monofásicos de Onda Completa a Tiristores
Estrutura Semi- Controlada Simétrica
Estrutura com Ponto Médio
Estrutura Totalmente Controlada
Estrutura Semi- Controlada Assimétrica
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CONVERSORES CA-CC
Retificadores Monofásicos de Onda Completa a Tiristores: Carga Resistiva
Para todas as estruturas anteriores:
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CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Onda Completa a Tiristores: Carga Indutiva
Para a estrutura totalmente controlada:
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CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Onda Completa a Tiristores: Carga Indutiva
válido para =crít.
(Equação Geral)
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CONVERSORES CA-CC
Retificador Monofásico de Onda Completa a Tiristores: Carga Indutiva
- No limite da condução contínua (crítica):
0, 45 cos cos
0, 45 cos cos cos sen sen
0, 45 cos cos 1 sen 0
0,9 cos
io méd
io méd
io méd
io méd
V V
V V
V V
V V
- Em condução descontínua: 0, 45 cos cos
O ângulo , por sua vez,dependerá da condição de carga.
io médV V