PERCOBAAN 2 Karakteristik BJT

Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

PERCOBAAN 2 KARAKTERISTIK BJTTUJUAN Memahami karakteristik transistor BJT Memahami teknik bias dengan rangkaian diskrit Memahami teknik bias dengan sumber arus konstan

PERSIAPANPelajari keseluruhan petunjuk praktikum untuk modul ini.

TRANSISTOR BJTTransistor merupakan salah satu komponen elektronika paling penting. Terdapat dua jenis transistor berdasarkan jenis muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar dan unipolar. Dalam hal ini akan kita pelajari transistor bipolar. Transistor bipolar terdiri atas dua jenis, bergantung susunan bahan yang digunakan, yaitu jenis NPN dan PNP. Simbol hubungan antara arus dan tegangan dalam transistor ditujukkan oleh gambar berikut ini.

Transistor BJT NPN

Transistor BJT PNP Terdapat suatu hubungan matematis antara besarnya arus kolektor (IC), arus Basis (IB), dan arus emitor (IE), yaitu beta () = penguatan arus DC untuk common emitter, alpha ()= penguatan arus untuk common basis, dengan hubungan matematis sebagai berikut.

=

IC IC dan = , IB IE

Petunjuk Praktikum EL2140 2008/2009

1

PERCOBAAN 2 Karakteristik BJT

Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

sehingga

=

= +1 1

Karakteristik sebuah transistor biasanya diperoleh dengan pengukuran arus dan tegangan pada rangkaian dengan konfigurasi common emitter (kaki emitter terhubung dengan ground), seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.

Dari Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat diukur dari rangkaian diatas, yaitu: Karakteristik IC - VBE Karakterinstik IC - VCE

KURVA KARAKTERISTIK IC - VBEArus kolektor merupakan fungsi eksponensial dari tegangan VBE, sesuaiVBE / kT dengan persamaan: I C = I ES e . Persamaan ini dapat digambarkan

sebagai kurva seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.

Dari kurva di atas juga dapat diperoleh transkonduktansi dari transistor, yang merupakan kemiringan dari kurva di atas, yaituPetunjuk Praktikum EL2140 2008/2009

2

PERCOBAAN 2 Karakteristik BJT

Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

gm =

I C V BE

KURVA KARAKTERISTIK IC VCEArus kolektor juga bergantung pada tegangan kolektor-emitor. Titik kerja (mode kerja) transistor dibedakan menjadi tiga bagian, yaitu daerah aktif, saturasi, dan cut-off. Persyaratan kondisi ketiga mode kerja ini dapat dirangkum dalam tabel berikut ini. Mode kerja Aktif Saturasi Cut-Off IC =.IB Max ~0 VCE =VBE+VCB ~ 0V =VBE+VCB VBE ~0.7V ~0.7V 0 VCB 0 -0.7V