4. Transistor Bipolar

Dasar Elektronika

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"Prentice Hall

BJT (bipolar junction transistor)/ transistor bipolar terdiri dari tiga bagian semikonduktor yang telah di-doping (dimanipulasi struktur atomnya) yang dipisahkan sehingga membentuk 2 hubungan pn. Tiga bagian pada BJT disebut emitor, basis & kolektor.

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"-Prentice Hall

Pada gambar diatas ditunjukkan arus emiter (IE) adalah hasil penjumlahan dari arus kolektor(IC) dan arus basis (IB)

DCBeta

DC Perbandingan antara arus kolektor DC dan arus basis DC adalah beta DC, dimana ini merupakan Penguatan arus DC pada transistor.

Nilai umum dari beta DC antara 20 s/d 200. DC juga biasa disebut pada datasheet dengan hFEThomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"Prentice Hall

DC DC Perbandingan antara arus kolektor DC dan arus emiter DC adalah alpha DC.

Nilai umum dari alpha DC antara 0,95 s/d 0,99. tapi alpha dc pasti kurang dari 1.alasannya karena IC selalu kurang dari IE. Contoh : jika IE=100mA, IB= 1mA, maka IC=99mA sehingga DC = 0,99Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"-Prentice Hall

Konfigurasi yang umum pada rangkaian transistor :

Hitunglah IB, IC, IE, VBE, VCE dan VCB pada rangkaian berikut. DC pada transistor adalah 150

Contoh: Untuk mengetahui kurva kolektor yang ideal pada rangkaian transistor, jika diketahui IB=5uA s/d 25uA dengan proses penambahan 5uA. Di asumsikan DC=100. Digunakan hubungan IC=DC IB, dengan hasilnya diperlihatkan pada tabel:

Contoh Soal: Apakah transistor pada rangkaian berikut ini pada keadaan saturasi. Diasumsikan VCE(sat)=0,2V ?

Seperti pada komponen elektronik lainnya, transistor juga memiliki batasan operasi kerjanya. Biasanya direpresentasikan dalam tegangan kolektrobasis, tegangan kolektor-emitor, tegangan emiterbasis, arus kolektor, disipasi daya. Hasil dari VCE dan IC tidak lebih dari disipasi daya maksimum. Jika VCE maksimum, maka IC :

Jika IC maksimum maka VCE:

CONTOH: Suatu transistor dioperasikan dengan VCE=6V. Jika tingkat daya maksimal adalah 250mW. Apakah arus kolektor dapat mengendalikan transistor?

SOLUSI:Dari perhitungan diketahui disipasi daya VCE*IC :250,2mW sehingga melebihi batas maksimum. Untuk dapat mengendalikan transistor , VCE dikurangi sampai tidak melebihi batasan disipasi dayanya.Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"-Prentice Hall

Arus Saturasi kolektor:

Arus Saturasi Basis minimum:

4. Transistor Bipolar

Documents

prentice hall

contoh

thomas

floyd

Transcript of 4. Transistor Bipolar

Bipolar Junction Transistor (BJT)

Ganguan Bipolar

C035 TES08426P Transistor Bipolar 1

TRANSISTOR - Transistor ini disebut transistor bipolar, karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung

Teknik Kelistrikan dan Elektronika Instrumentasi Kelistrikan dan Elektronika Instrumentasi vi 1. Sifat Listrik Transistor (Bipolar) 269 2. Hubungan Dasar Transistor 275 BAB 9 SCR (SILICON

BIPOLAR I.docx

Bipolar Junction Transistor

Cover Piranti Semikonduktor - www. ... Transistor Bipolar , ... adanya pemahaman terhadap ilmu elektronika,

Gangguan Bipolar

Bipolar Junction Transistor (BJT)

Panduan Bipolar (15.0, Normal Layout) ... APAKAH GANGGUAN BIPOLAR ITU? Gangguan bipolar atau gangguan

JR Bipolar

IMPLEMENTASI ALAT AKSES KUNCI ELEKTRONIK PANEL 2019. 9. 7.¢ 2.4.1 Transistor Bipolar (BJT) ... Dalam

MODUL ELEKTRONIKA DAN MEKATRONIKA BIPOLAR .BIPL JNTIN TNSISTOR 1 BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR MODUL

tgs bipolar

Cara Menghitung Kaki Transistor Bipolar Dengan Multimeter

Case Bipolar

REFERAT bipolar

Transistor Bipolar Fisika

Refrat Bipolar