ELECTRONICS LISTRIK

Nama : Yazid Khoirul Anwar

Nim : 111910201102

Tugas : Elektronika Daya – Bab.1

PENDAHULUAN

Power Electronics adalah seni mengubah energi listrik dari

satu bentuk ke bentuk lainnya dalam efisien, bersih, kompak,

dan kuat cara untuk pemanfaatan nyaman.

Gambar . 1.1 Diagram blok khas converter Power Elektronik

BAGAIMANA POWER ELEKTRONIKYANG BERBEDA DARI

ELEKTRONIK LINEAR ?

Dalam Power Electronics semua perangkat dioperasikan dalam

modus beralih - baik ' FULLY - ON ' atau ' FULLY - OFF '. Penguat

linear berkonsentrasi dalam amplifikasi sinyal, membutuhkan

transistor untuk beroperasi secara ketat di zona linear ( aktif ).

Gambar. 1.2 Khas Bipolar transistor berbasis (a) linear (emitor

umum) (tegangan) tahap penguat dan (b) switching (power) amplifier

ZONA PENGOPERASIAN UNTUK OPERASI BIPOLAR JUNCTION

TRANSISTOR SEBAGAI LINEAR DAN SWITCHING AMPLIFIER

SEJARAH - DAYA PERANGKAT SEMICONDUCTOR

POWER DIODA

Silicon Power dioda adalah penerus dari rectifier Selenium telah meningkat

secara signifikan meneruskan karakteristik dan peringkat tegangan. Dapat

diklasifikasikan terutama untuk turn- off karakteristik ( dinamis).

Gambar . 1.6. sebuah pembawa minoritas dalam dioda memerlukan waktu

yang terbatas (reverse waktu pemulihan ) untuk bergabung kembali dengan

opposite charges dan menetralisir.

SILICON CONTROLLED RECTIFIER ( SCR )

Rectifier Silicon Controlled adalah yang paling populer dari

jenis thyristor dari empat lapisan perangkat regeneratif .

Converter grade atau Tahap Pengendalian thyristor Perangkat

ini adalah sistem kerja Power Electronics .

Kelas Inverter Thyristor, ukuran dan berat dari jaringan ini

secara langsung berkaitan dengan waktu turn-off , tqof SCR .

Asimetris , cahaya - diaktifkan , reverse melakukan Beberapa

varietas SCR dari dasar SCR telah diusulkan untuk aplikasi

tertentu .

MOSFET

Untuk aplikasi frekuensi rendah, di mana arus yang ditarik oleh

kapasitansi setara di terminal kecil, juga dapat digerakkan langsung

oleh sirkuit terpadu . Kapasitansi ini adalah hambatan utama untuk

operasi MOSFET dengan kecepatan beberapa MHz .

Karakteristik resistif terminal utama memungkinkan paralelisasi

mudah eksternal juga.

Pada aplikasi arus tinggi tegangan rendah MOSFET menawarkan

spesifikasi terbaik tegangan konduksi sebagai RDS ( ON ) spesifikasi

adalah nilai sekarang tergantung . Namun, fitur inferior dioda

antiparalel melekat dan kerugian konduksi yang lebih tinggi pada

frekuensi daya dan level tegangan membatasi aplikasi yang lebih luas.

IGBT

IGBT Ini adalah tegangan dikendalikan empat lapisan

perangkat dengan keunggulan driver MOSFET dan terminal

Bipolar Utama.

IGBTs dapat diklasifikasikan sebagai punch - through ( PT )

dan non punchthrough ( NPT ) struktur. Dalam punch -

through IGBT , trade- off yang lebih baik antara drop

tegangan maju dan turn- off time dapat dicapai.

Memiliki keuntungan : tidak memerlukan sirkuit pelindung,

dapat terhubung secara paralel tanpa kesulitan, dan

sambungan seri adalah mungkin tanpa dv / dt snubbers.

GTO

GTO adalah perangkat daya switching yang dapat

diaktifkan oleh pulsa pendek dari gerbang saat ini dan

dimatikan oleh pulsa gerbang terbalik. Ini gerbang arus

balik amplitudo isdependent pada anoda saat ini untuk

dimatikan. Oleh karena itu ada kebutuhan untuk

sirkuit pergantian eksternal untuk mematikannya.

SIRKUIT DASAR / GERBANG DRIVE

Semua perangkat diskrit dikendalikan , regeneratif atau memiliki tiga

terminal. Dua di antaranya adalah terminal utama. Salah satu terminal

utama dan bentuk ketiga Terminal Control.

Gambar . 1.7 menggambarkan pada drive sirkuit khas untuk IGBT

dan SCR.

TERIMA KASIH . . .