BAB III

PEMBAHASAN

3.1 Data Pengamatan

B(mT) GaN doping Mg GaN tanpa doping

RBD,AC RAC,BD RBD,AC RAC,BD

88,8 -19,03206951 -10,534394223 -11,524663715 -76,327449866

268 -15,036961141 -73,696703979 -21,386963902 -24,252878081

Tebal film = 700 nm

3.2 Pengolahan Data

3.2.a Tipe Muatan Pembawa

Dengan Doping Mg

Gambar 3.1 Hubungan resistansi (RBD,AC) dan medan magnet film GaN dengan doping Mg

DENGAN DOPING Mg12/11/2014 15:19

Linear Regression for Data1_B:Y = A + B * X

Parameter Value Error------------------------------------------------------------A -21.01179 --B 0.02229 --------------------------------------------------------------

R SD N P------------------------------------------------------------1 0 2 <0.0001------------------------------------------------------------

Gambar 3.2 Hubungan resistansi (RAC,BD) dan medan magnet film GaN dengan doping

Mg

12/11/2014 15:24

Linear Regression for Data1_B:Y = A + B * X

Parameter Value Error------------------------------------------------------------A 20.76479 --B -0.35247 --------------------------------------------------------------

R SD N P-------------------------------------------------------------1 0 2 <0.0001------------------------------------------------------------

Tanpa Doping

Gambar 3.3 Hubungan resistansi (RBD,AC) dan medan magnet film GaN tanpa doping

12/11/2014 15:27

Linear Regression for Data1_B:Y = A + B * X

Parameter Value Error------------------------------------------------------------A -6.63754 --B -0.05504 --------------------------------------------------------------

R SD N P-------------------------------------------------------------1 0 2 <0.0001------------------------------------------------------------

Gambar 3.4 Hubungan resistansi (R AC,BD) dan medan magnet film GaN tanpa doping

12/11/2014 15:31

Linear Regression for Data1_B:Y = A + B * X

Parameter Value Error------------------------------------------------------------A -103.55242 --B 0.30659 --------------------------------------------------------------

R SD N P------------------------------------------------------------1 0 2 <0.0001------------------------------------------------------------

3.2.b Konsentrasi Muatan Pembawa

Konsentrasi film GaN dopping Mg

V H=I x . BZd . e .n

RBD, AC RAC , BD

RBD , AC=BZd . e .n

n=BZ

d . e . RBD, AC

n1=88,8

(7. 10−7 ) (1,6. 10−19 )(−19,03206951)=−4,17.1025

n2=268

(7.10−7 ) (1,6.10−19 )(−15,03696114)=−1,59. 1026

na=n1+n2

2=−1,00.1026

RAC , BD=BZd . e . n

n=BZ

d . e . RAB , CD

n3=88,8

(7. 10−7 ) (1,6. 10−19 )(−10,534394422)=−7,53. 1025

n4=268

(7.10−7 ) (1,6.10−19 )(−73,69670398)=−3,25.1025

nb=n3+n4

2=−5,39.1025

n=(1,00+0,539) .1026

2=0,769. 1026 m-3

Untuk konsentrasi muatan GaN tanpa doping (RBD, AC)

RBD, AC RAC , BD

n1=88,8

(7. 10−7 ) (1,6. 10−19 )(−11,524663715 )=−6,88.1025

n2=268

(7.10−7 ) (1,6.10−19 )(−21,386963902)=−1,12. 1026

n=n1+n2

2=−9,03. 1025

n3=88,8

(7. 10−7 ) (1,6. 10−19 )(−76,327449866)=−1,04.1025

n4=268

(7.10−7 ) (1,6.10−19 )(−24,252878081)=−9,87. 1025

n=n3+n4

2=−5,45. 1025

n=(9.03+5.45) .1025

2=7.24 .1025 m-3

3.2.c Resistivitas

ρ= π .dln (2)

.(RBD, AC+RAC , BD )

2. f ( RBD , ACRAC , BD )

GaN dengan doping Mg :

ρ=2.2×106

ln (2 ).

(RBD, AC+RAC , BD )2

. f (RBD, ACR AC ,BD ) Untuk B = 88,8 mT

ρ1=2.2×106

ln (2 ).

( (−19,03206951 )+(−10,53439422))2

× (0,970453323 )=4,511×10−5Ω

Untuk B = 268 mT

ρ2=2.2×106

ln (2 ).

( (−15,036961141 )+(−73,696703979))2

× (0,815098262 )=1 ,14×10−5Ω

Sehingga,

ρ=ρ1+ρ2

2=8,0125 10−5Ω

Tanpa doping :

ρ=2.2×106

ln (2 ).

(RBD, AC+RAC , BD )2

. f (RBD, ACR AC ,BD ) Untuk B = 88,8 mT

ρ=2.2×106

ln (2 ).

( (−11,524663715 )+(−76,327449866))2

× (0,754273847 )

¿11×10−5Ω

Untuk B=268 mT

ρ=2.2×106

ln (2 ).

( (−21,386963902 )+(−24,252878081))2

× (0,998632243 )

¿7,2×10−5Ω

Sehingga,

ρ=ρ1+ρ2

2=9.10×10−5Ω

3.2.d Mobilitas

1/ ρ=e .n . μn

μn=1

e .n . ρ

GaN dengan doping Mg (RBD, AC ¿

μp=1

e . p . ρ

μp=1

(1,6. 10−19 ) .(−1,00. 1026) .−7,80×10−5=¿

GaN dengan doping Mg (RAC , BD ¿

μp=1

(1,6. 10−19 ) .(−5,39. 1025) .−7,80×10−5=¿

μ=μp(RBD, AC )+μp(RAC , BD)

2=¿

GaN tanpa doping (RBD, AC ¿

μn=1

e .n . ρ

μn=1

(1,6. 10−19 ) .(−9,03. 1025).9.10×10−5=¿

GaN tanpa doping (RBD, AC ¿

μn=1

(1,6. 10−19 ) .(−5,45. 1025) .9.10×10−5=¿

μ=μn(RBD, AC )+μn(RAC , BD)

2=¿

3.3 Analisis

Berdasarkan pengolahan data di atas dapat kita analisis sebagai berikut:

Untuk tipe muatan pembawa dari GaN doping Mg dari grafik B

terhadap R tipe muatan pembawanya adalah tipe-p. sedangkan

untuk GaN tanpa doping tipe muatan pembawanya adalah tipe-n.

Untuk konsentrasi muatan pembawa dari GaN doping Mg dengan

tipe-p konsentrasi muatan pembawanya adalah 7,69.1025 m-3. Dan

untuk GaN tanpa doping konsentrasi muatan pembawanya adalah

7,24 .1025 m-3.

Untuk resistivitas GaN doping Mg resistivitasnya adalah ρ =

7,80×10−5Ω. Dan untuk resistivitas GaN tanpa doping

resistivitasnya adalah ρ = 9.10×10−5Ω.

Untuk mobilitas GaN doping Mg mobilitasnya adalah ….. Dan

untuk mobilitas GaN tanpa doping mobilitasnya adalah