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8

.1. ParaPreparaç~o do "Wafer"

1.1. Para Crescimento Epitaxial

o crescimento epitaxial é urna reaçao de tetraclo-

reto de silício com hidrogênio nas imediações da superfície

da lâmina de silício monocristalino aquecida a alta tempera-

tura, de forma que o silício se deposite sobre a superfície,

continuando a estrutura cristalina da lâmina inicial; esta...

técnica permite dopar a camada em crescimento, desde que se

misture ao gás reagente um composto do dopante que se decom-

ponha na temperatura da reação. Para isso, utiliza-se um rea-

.. , .,. . . .-tor ePltaxlal, que e constltuldo de um slstema de allmentaçao

de gases puros de fluxo controlado em ligação a urna câmara de

reação de quartzo.

/

. - . , .1.2. Para a OXldaçaodo Sl11CIO

. - . , . .Para a oXldaçao do slllC1O, (exposição da lâmina

de silício a urna atmosfera oxidante para a criação de urna ca-

.mada de silício cuja espessura depende da temperatura e do

tempo de reação), utilizam-se reatores constituídos por um

forno tubular com temperatura controlada e um sistema de ali-

mentação de gases reagentes filtrados e com fluxo bem contro-

lado. O reator tem válvulas que permitem a seleção do proces-

l a

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SISTEMAS LITOGRÁFICOS

1:1 . -'lmpressaopor. ul tra-'

1: 1 a 10.:1J! S te p p e r"

6tico Oiret

informação digital impres~ãop'or felxeiJe eletrons

- FONTE:Relatório ICE-Status 1981, p. 81.

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15

CAOGerador H "Step and f=t1 Cópia da

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Alinhamento'" 'de Padrões Repeat" - Máscara da máscara

1:1 ,..----impressão

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deelétros . 1:1

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jo°

u 18

.Classificação dos MGEsegundo a Natureza da Aplicação

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1. Direta

1.1. semicondutores ("wafers")

1.2. metálicos (microterminais)

1.3. cerâmicos

2. Indireta

2.1. gases (atmosfera dos fornos de reação)

2.2. iíquidos (reagentes para limpeza e prepa-

ração)

2.3! pOlímeros (encapsulamento de dispositi-

vos)

2.4. metálicos (filamentos e partes construti-

vas dos equipamentos necessários à produ-I

çao do dispositivo)

2.5. cerâmicos (reatores tubulares)

//

.--