Yafi Akhmad Farid Karakteristik transistor

13
Disusun oleh : Nama Mahasiswa : Yafi Akhmad Farid Nim/Prodi : 1410502052/Teknik Mesin UNIVERSITAS TIDAR 2015: Dosen : R. Suryoto Edi Raharjo, S.T.,M.Eng KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Transcript of Yafi Akhmad Farid Karakteristik transistor

Page 1: Yafi Akhmad Farid Karakteristik transistor

Disusun oleh :

Nama Mahasiswa : Yafi Akhmad Farid

Nim/Prodi : 1410502052/Teknik Mesin

UNIVERSITAS TIDAR2015:

Dosen : R. Suryoto Edi Raharjo, S.T.,M.Eng

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Page 2: Yafi Akhmad Farid Karakteristik transistor

Halaman Sampul ...................................... 1Daftar isi ...................................... 2Pengertian Transistor ...................................... 3Karakteristik Transistor ...................................... 4Penutup ...................................... 5

DAFTAR ISI

Page 3: Yafi Akhmad Farid Karakteristik transistor

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi

sinyal atau sebagai fungsi lainnya

Pengertian Transistor

Ada 2 type transistor :

Page 4: Yafi Akhmad Farid Karakteristik transistor

Karakteristik transistor disajikan dengan kurva karakteristik yang menggambarkan kerja transistor. Satu

cara untuk melihat sebanyak mungkin detail adalah dengan grafik yang menggambarkan hubungan arus dan

tegangan.

Karakteristik Transistor

Page 5: Yafi Akhmad Farid Karakteristik transistor

Data kurva kolektor CE diperoleh dengan cara membangun rangkaian seperti gambar 1 atau dengan menggunakan transistor curve tracer (alat yang dapat

menggambarkan kurva transistor). Ide dari kedua cara tersebut adalah dengan mengubah catu tegangan VBB dan VCC agar diperoleh tegangan dan arus

transistor yang berbeda – beda. 

Prosedurnya yaitu biasanya dengan men set harga IB dan menjaganya tetap dan VCC diubah – ubah. Dengan mengukur IC dan VCE dapat agar dapat

memperoleh data untuk membuat grafik IC vs VCE. Misalnya, anggap dalam gambar 1 IB = 10µA. Kemudian VCC diubah dan ukur IC dan VCE.

Selanjutnya kita akan dapat gambar 2. Pada kurva IB = 10µA dibuat tetap selama semua pengukuran.

Kurva Kolektor

Ganbar 1

Page 6: Yafi Akhmad Farid Karakteristik transistor

Pada gambar 2, jika VCE nol, dioda kolektor tidak terbias reverse, oleh sebab itu arus kolektor sangatlah kecil. Untuk VCE antara 0 dan 1 V, arus kolektor bertambah dengan cepat dan kemudian menjadi hampir konstan. Ini sesuai

dengan memberikan bias reverse dioda kolektor. Kira – kira diperlukan 0,7 V untuk membias reverse dioda kolektor. Setelah level ini, kolektor

mengumpulkan semua elektron yang mencapai lapisan pengosongan.

Di atas knee, harga yang eksak dari VCE tidaklah begitu penting karena dengan membuat bukit kolektor lebih curam tidaklah dapat menambah arus kolektor yang berarti. Sedikit pertambahan pada arus kolektor dengan bertambahnya VCE disebabkan oleh lapisan pengosongan kolektor menjadi lebih lebar dan

menangkap beberapa elektron basis sebelum mereka jatuh ke dalam hole.

Gambar 2

Page 7: Yafi Akhmad Farid Karakteristik transistor

Dengan mengulangi pengukuran IC dan VCE untuk IB = 20µA, sehingga diperoleh gambar 3. Kurvanya hampir

sama, kecuali di atas knee, arus kolektor kira – kira sama dengan 2 mA. Juga kenaikan VCE menghasilkan

pertambahan arus kolektor sedikit karena pelebaran lapisan pengosongan menangkap tambahan elektron basis

sedikit.

Gambar 3

Page 8: Yafi Akhmad Farid Karakteristik transistor

kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis IB dan tegangan basis-emiter VBE dengan tegangan kolektor-

emiter sebagai parameter seperti terlihat pada kurva berikut.

Kurva base

Page 9: Yafi Akhmad Farid Karakteristik transistor

Gambar Karakteristik Transistor

Kurva karakteristik kolektor merelasikan IC dan VCE dengan IB sebagai parameter. Parameter-parameter transistor tidaklah konstan, meskipun tipe sama namun parameter dapat berbeda. Kurva kolektor terbagi menjadi tiga daerah yaitu jenuh, aktif dan cut-

off.

Page 10: Yafi Akhmad Farid Karakteristik transistor

Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan

emiter dan sambungan basis berprasikap maju. Pada daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor – emiter, VCE(sat) untuk transistor silikon adalah

0,2 volt sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 volt.

Daerah Jenuh

Page 11: Yafi Akhmad Farid Karakteristik transistor

Daerah Aktif

Daerah aktif adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (break down) VBR serta di atas IBICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter

diberi prasikap maju dan sambungan kolektor diberi prasikap balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus balik. Penguatan

sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada saat aktif.

Page 12: Yafi Akhmad Farid Karakteristik transistor

Daerah cut-off (putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan emiter dan sambungan kolektor berprasikap

balik. Pada daerah ini IE = 0 ; IC = ICO = IB.

Daerah cut-off (putus)

Page 13: Yafi Akhmad Farid Karakteristik transistor

TERIMAKASIH