pendidikan agama sebagai pilar pembangunan bangsa

download pendidikan agama sebagai pilar pembangunan bangsa

of 4

Transcript of pendidikan agama sebagai pilar pembangunan bangsa

  • 7/27/2019 pendidikan agama sebagai pilar pembangunan bangsa

    1/4

    PEMANFAATAN CRYSTALLINE IMPERFECTION

    UNTUK MEMPERKUAT MATERIAL

    BAB I

    LATAR BELAKANG PEMBENTUKAN KRISTAL

    Kristal adalah suatu padatan yang atom, molekul, atau ion penyusunnya terkemas

    secara teratur dan polanya berulang melebar secara tiga dimensi. Secara umum, zat cair

    membentuk kristal ketika mengalami proses pemadatan. Pada kondisi ideal, hasilnya bisa

    berupa kristal tunggal, yang semua atom-atom dalam padatannya "terpasang" pada kisi

    atau struktur kristal yang sama, tapi secara umum kebanyakan kristal terbentuk secara

    simultan sehingga menghasilkan padatan polikristalin. Misalnya, kebanyakan logam

    yang kita temui sehari-hari merupakan polikristal. Struktur kristal mana yang akan

    terbentuk dari suatu cairan tergantung pada kimia cairannya sendiri, kondisi ketika

    terjadi pemadatan, dan tekanan ambien. Kristal terbentuk karena proses kristalisasi yaitu

    proses pembentukan kristal yang terjadi pada saat pembekuan, berubah dari fasa cair ke

    padat. Kristalisasi terjadi melalui dua tahap:

    1. Tahapan Pembentukan Inti (Nucleation)2.

    Tahapan Pertumbuhan Kristal (Crystal Growth)

    Dalam keadaaan cair, atom-atom tidak memiliki susunan yang teratur dan

    mempunyai temperature tinggi, atom-atomnya memiliki energi yang cukup banyak

    sehingga mudah bergerak dan tidak ada pengaturan letak atom relatif terhadap atom lain.

    Dengan semakin turunnya temperature maka energi atom akan semakin rendah dan sulit

    bergerak sehingga atom-atom ini mulai mencari atau mengatur kedudukan relatif

    terhadap atom lainnya (mulai membentuk lattice). Proses ini terjadi pada temperature

    yang relatif lebih dingin dimana sekelompok atom menyusun diri membentuk inti Kristal

    yang akan menjadi pusat dari proses kristalisasi selanjutnya.

    Semakin turun temperature akan semakin banyak atom-atom yang ikut bergabung

    dengan inti yang sudah ada ataupun membentuk inti baru. Setiap inti akan tumbuh

    dengan menarik atom-atom lainnya dari cairan atau inti yang tidak sempat tumbuh, untuk

    mengisi tempat kosong pada lattice yang akan dibentuk. Pertumbuhan ini berlangsung

    dari tempat yang bersuhu dingin ke panas. Pertumbuhan ini tidak bergerak lurus tetapi

    mulai membentuk cabang-cabang disebut dengan struktur dendritik. Dendrit ini akan

  • 7/27/2019 pendidikan agama sebagai pilar pembangunan bangsa

    2/4

    terus tumbuh ke segala arah sehingga cabangnya hampir bersentuhan satu dengan

    lainnya sehingga sisa cairan yang terakhir akan membeku disela-sela dendrit ini.

    Pertemuan antara satu dendrit kristal dengan lainnya dinamakan grain boundary

    (butir-butir kristal) yang menjadi pembatas antara 2 kristal. Pada grain boundary ini

    terkandung unsur ikutan (impurity) yang lebih banyak dan pada grain boundary ini juga

    terdapat ketidakteraturan susunan atom (mismatch).

    Tidak ada susunan yang sempurna pada material kristal dalam skala atom, semua

    materi padat memiliki cacat atau ketaksempurnaan. Beberapa material kristalin mungkin

    menunjukkan sifat-sifat elektrik khas, seperti efek feroelektrik atau efek piezoelektrik.

    Kebanyakan material kristalin memiliki berbagai jenis cacat kristalografis. Jenis dan

    struktur cacat-cacat tersebut dapat berefek besar pada sifat-sifat material tersebut .

    BAB II

    CACAT KRISTAL (CRYSTAL INE IM PERFECTION)

    Cacat kristal dapat terjadi karena adanya (pendinginan) ataupun akibat dari luar.

    Cacat paling sederhana adalah kehilangan atom pada posisi tertentu (vacancy) yang

    sering disebut cacat Schottky.Cacat kristal yang terjadi dalam suatu bahan padat dapatmempengaruhi sifat fisis tertentu seperti sifat mekanik atau sifat listrik. Cara

    memodelkan cacat ini adalah dengan melihat perpindahan suatu atom dari suatu titik

    dalam kristal ke permukaan. Perubahan endoterm ini diimbangi oleh penaikan entropi

    akibat peningkatan ketakteraturan kristal. Kita asumsikan energi yang diperlukan untuk

    memindahkan atom dari kisi ke permukaan adalah v dan kekosongan yang ada sangat

    jarang sehingga proses ini dianggap independen. Dengan asumsi ini, dapat dituliskan :A(n) = ETS

    = + nvkT ln

    ()

    Dengan n adalah jumlah kekosongan, dan faktor kombinatorial adalah jumlah cara

    mendistribusikan kekosongan dalam kristal. Keadaan setimbang adalah keadaan dengan

    nilai A(n) minimum, yaitu :

  • 7/27/2019 pendidikan agama sebagai pilar pembangunan bangsa

    3/4

    Dimana kita mengabaikan nilai n dibandingkan dengan N. Cacat yang lain yang

    dikenal adalah acat Frenkel, dimana kekosongan diimbangi dengan interstisi di tempat

    lain. Anggap energi yang dibutuhkan untuk memindahkan atom dari kisi ke interstisi

    adalah I , N adalah jumlah titik dalam kisi dan N0 adalah jumlah titik yang mungkin

    disisipi.

    Dengan cara yang sama (meminimalkan A), kita peroleh:

    Secara umum, entropi dapat dituliskan sebagai S = k ln (N; V;E), dengan adalah

    jumlah susunan yang mungkin dari suatu sistem.

    Angka kesetimbangan vakansi,Nv untuk material tertentu tergantung atas kenaikan

    temperatur sesuai dengan persamaan:

    dimanaN= jumlah total sisi

    Qv= energi yang diperlukan untuk membentuk vakansi

    T= 3emperature mutlak, K

    k= konstanta Boltzmqan = 1,38 x 10-23

    J/atom-K = 8,62 x 10-5

    eV/atom-K

  • 7/27/2019 pendidikan agama sebagai pilar pembangunan bangsa

    4/4

    Gambar 1.3 Cacat Kekosongan (Vacancy) dan Cacat Interstisi

    Selain cacat vacancy (kekosongan), salah satu macam cacat titik adalah cacat

    interstisi yaitu sebuah atom dari bahan kristal yang berdesakan ke dalam sisi interstisi,

    yaitu ruang kosong kecil dimana dalam kondisi normal tidak diisi atom. Pada logam,interstisi diri mengakibatkan distorsi yang relatif besar di sekitar kisi karena atom

    interstisi lebih besar dari ruang interstisi. Karena itu pembentukan cacat ini

    kemungkinannya kecil, dan juga konsentrasinya kecil, dimana konsentrasinya jauh lebih

    kecil dari cacat vakansi.