Dioda schottky

simbol diode Schottky

Dioda Schottky (diambil dari nama seorang ahli fisika Jerman Walter H. Schottky; juga dikenal sebagai diode pembawa panas) adalah diode semikonduktor dengan tegangan rendah.

Konstruksi

Dioda Schottky adalah tipe khusus dari diode dengan tegangan yang rendah. Ketika arus mengalir melalui diode akan ditahan oleh hambatan internal, yang menyebabkan tegangannya menjadi kecil di terminal diode. Dioda normal antara 0.7-1.7 volt, sementara diode Schottky tegangan kira-kira antara 0.15-0.45 volt.

Dioda Schottky menggunakan simpangan logam-semikonduktor sebagai sawar Schottky (dari sebuah simpangan semikonduktor-semikonduktor seperti dalam diode konvensional). Sawar Schottky ini dihasilkan dengan waktu kontak yang sangat cepat dan tegangan yang rendah.

Perbedaan yang paling penting antara p-n dan diode Schottky adalah dari membalikkannya waktu pemulihan, ketika beralih dari keadaan tidak menghantarkan ke keadaan menghantarkan dan sebaliknya. Dimana dalam diode p-n waktu pemulihan balik dapat dalam orde ratusan nano-detik dan kurang dari 100 nano-detik untuk diode cepat.

Aplikasi

Aplikasi termasuk perlindungan muatan pada sel surya yang dihubungkan dengan batere timbal-asam dan dalam mode saklar-sumber listrik; dalam kedua kasus rendahnya tegangan akan meningkatkan efisiensi. Dioda silicon standar tegangan kira-kira sekitar 0.7 volt dan diode germanium 0.3 volt.

8 mei 2013 jam 6.28

http://id.wikipedia.org/wiki/Dioda_schottky

Sawar SchottkyPenghalang Schottky, dinamai dari penemunya Walter H. Schottky, adalah sebuah penghalang potensial yang terbentuk pada pertemuan logam-semikonduktor yang mempunyai karakteristik penyearahan, cocok untuk penggunaan sebagai diode. Perbedaan paling nyata antara penghalang Schottky dengan sambungan p-n adalah tegangan pertemuannya yang biasanya lebih rendah dan pengurangan lebar pemiskinan pada logam. Tidak semua pertemuan logam-semikonduktor membentuk penghalang Schottky. Semua pertemuan logam-semikonduktor yang tidak menyearahkan arus dinamakan sambungan ohmik. Karakteristik penyearahan bergantung pada fungsi kerja logam, renggang jalur pada semikonduktor intrinsik, jenis dan konsentrasi pengotor pada semikonduktor dan faktor-faktor lainnya. Desain dari peranti semikonduktor membutuhkan keakraban dengan efek Schottky untuk meyakinkan bahwa penghalang Schottky tidak terbentuk dengan tak disengaja ketika diinginkan sambungan ohmik.

Kelebihan

Penghalang Schottky dengan tegangan pertemuannya yang lebih rendah sering digunakan saat diinginkan peranti yang membutuhkan diode ideal. Ini juga digunakan pada diode dan transistor biasa, dimana tegangan pertemuannya yang lebih rendah digunakan untuk perlindungan sirkuit. Karena salah satu bahan dari diode Schottky adalah logam, peranti dengan resistansi yang lebih rendah dapat diproduksi. Sebagai tambahan, kenyataan bahwa hanya satu tipe pengotoran sangat mempermudah pembuatan. Dan karena lebar pemiskina yang rendah, diode Schottky dapat mencapai kecepatan pensakelaran yang jauh lebih tinggi daripada diode sambungan p-n, membuatnya lebih diutamakan untuk menyearahkan isyarat frekuensi tinggi. Walaupun demikian, pada kenyataannya peranti Schottky hanya sedikit digunakan dibandingkan teknologi semikonduktor lainnya.

Peranti-peranti

Sebuah peranti yang menggunakan pertemuan menyearahkan logam-semikonduktor itu sendiri dinamakan sebagai diode Schottky. Sebuah transistor sambungan dwikutub dengan penghalang Schottky di antara basis dan kolektor disebut dengan transistor Schottky. Karena tegangan

pertemuan penghalang Schottky sangat rendah, transistor dicegah untuk jenuh terlalu dalam, sehingga memperbaiki kecepatan transistor jika digunakan sebagai sakelar. Ini adalah dasar dari TTL Schottky. Sebuah MESFET, atau FET logam-semikonduktor, adalah peranti dengan operasi yang mirip JFET, tetapi menggunakan sebuah penghalang Schottky yang dipanjar mundur untuk membentuk daerah pemiskinan. Varian dari peranti ini adalah HEMT, atau transistor pergerakan elektron tinggi, yang juhan menggunakan pertemuan campur untuk mendapatkan konduktansi tinggi.

Penghalang Schottky sering digunakan juga dalam teknik karakterisasi listrik semikonduktor. Bahkan, dalam semikonduktor, daerah pemiskinan yang dibentuk oleh elektron logam, yang dapat "mendorong" lebih jauh elektron dari semikonduktor. Dalam penipisan daerah, dopant akan terionisasi sehingga menimbulkan sebuah "ruang muatan" yang pada gilirannya akan meningkatkan kapasitansi dari simpangan. Antarmuka antara logam-semikonduktor dan batas yang berlawanan dari daerah kosong bertindak seperti dua bidang kondensator, dengan daerah kosong bertindak sebagai dielektrik.

Penghalang Schottky dengan bahan dari karbon nanotube dengan menggunakan kontak nonideal antara permukaan logam dan carbon nanotube (CNT) untuk membentuk sebuah sawar Schottky yang dapat digunakan untuk membuat diode Schottky atau transistor, dan lain sebagainya. Karbon nanotube atau CNT dapat menjadi alternatif yang praktis untuk membuat perangkat karena ukurannya yang kecil, sifat mekanik yang unik dan kemampuan elektronik.

Pustaka

1. Streetman, B.G., “Solid State Electronic Devices”, Prentice Hall, USA, 1995.

2. Michael Shur, Introduction to Electronic Devices, John Wiley & Sons, Inc., USA, 1995.

3. Zahari Mohamed Darus, Pengenalan Elektronik Keadaan Pepejal, Longman Malaysia, 1993.

4. Tuck, B. and Christopoulos, C., "Physical Electronics", Edward Arnold, 1986.

5. Ralph J. Smith, Elektronik: Litar dan Peranti, penterjemah: Abd Rahman Ramli,

Rahman Wagiran, Shahbudin Shaari, DBP, 1995.

8 mei 2013 jam 6.39

http://id.wikipedia.org/wiki/Sawar_Schottky

Penyearah terkendali silikon

Pada gambar terlihat SCR dengan anode pada kaki yang berulir, Gerbang gate pada kaki yang pendek, sedangkan katode pada kaki yang panjang

SCR singkatan dari Silicon Control Rectifier. Adalah Dioda yang mempunyai fungsi sebagai pengendali. SCR atau Tyristor masih termasuk keluarga semikonduktor dengan karateristik yang serupa dengan tabung thiratron. Sebagai pengendalinya adalah gate (G). SCR sering disebut Therystor. SCR sebetulnya dari bahan campuran P dan N. Isi SCR terdiri dari PNPN (Positif Negatif Positif Negatif) dan biasanya disebut PNPN Trioda.

Logo pada skema elektronik untuk SCR:

Guna SCR:

Sebagai rangkaian Saklar (switch control) Sebagai rangkaian pengendali (remote

control)

Diagram dan skema SCR:

Ada tiga kelompok besar untuk semikonduktor ini yang sama-sama dapat berfungsi sebagai Saklar (Switching) pada tegangan 120 volt sampai 240 volt. Ketiga kelompok tersebut adalah SCR ini sendiri, DIAC dan TRIAC.

8 mei 2013 jam 6.50

http://id.wikipedia.org/wiki/Dioda_Schottky