Nama: AHMAD NAUVALKelas: LT-2ANIM: 3.31.13.0.02

MENGENAL UJT (UNI JUNCTION TRANSISTOR) Substansi :- Pengertian UJT- Fungsi UJT- Cara kerja UJT

UJT mempunyai 2 daerah doping dengan 3 elektroda yaitu suatu emitor dan 2 base, resistansi antara base 1 dan base 2 relatif tinggi, resistansi ini disebut reisistansi antar base (inter base resistance) RBB dan nilainya ditentukan dengan rumusRBB = R1 + R2Dinamakan Uni Junction karena komponen tersebut hanya terdiri dari PN Junction tunggal.

PEMBIASAN UJTDiantara base 1 dan base 2 adalah sumber tegangan (VBB), sedangkan terminal input adalah E dan B1 bila IE = 0 / terminal input terbuka, maka besarnya resistansi antara B1 dan B2 = RBB (resistansi antar base) yang sering disebut resistansi ohmis yang kisarannya antara 5 kOhm s/d 10 kOhm.Dari rangkaian diatas R1 = resistansi antar A dan B1, R2 = resistansi antara A dan B2, sehingga besarnya resistansi ohmis RBB = R1 + R2 pada saat IE = 0, IB1=IB2 = VBB/RBB, sedangkan besarnya tegangan pada titik A adalahVA = (R1/(R1+R2) VBB) = R1/RBB . VBB

Tegangan tersebut dinamakan tegangan "Intrisio Stand Off Ratio" besarnya berkisar antara 0.4 s/d 0.8 volt. Tegangan tersebut memberikan reverse bias pada dioda emitor, sehingga dioda dalam keadaan off (tidak menghantar). Bila diinginkan dioda tersebut on, maka harus diberi forward bias yaitu dengan memberikan tegangan sebesar VE > VA + VK, sementara itu VK = 'knee voltage dioda' atau tegangan konduk pada dioda dan tergantung pada bahannya.

FUNGSI UJTadalah sebagai pembanding / penyesuaian getaran listrik seperti yang terdapat pada osilator (rangkaian dalam pemancar sebagai pembangkit signal pembawa gelombang).

CARA KERJA UJT

IE belum mengalir, sebelum VE > VA + VK, setelah VEB diatur naik mencapai VE > VA + VK, maka IE mengalir karena dioda pada UJT tersebut dibias forward dan bekerja konduk, pada kondisi ini resistansi R1 akan turun hingga mencapai harga minimum, sehingga dapat dikatakan antara E dan B1 hubung singkat (short), hal tersebut menunjukan bahwa dioda pada UJT berfungsi sebagai saklar, saklar ini tetap tertutup selama IE > dari nilai tertentu, hal ini sering disebut dengan "Valley" (IV) misalnya dari UJT diketahui IV = 6 mAh, maka untuk menutup UJT tersebut IE harus dibuat > 6 mAh, jika tidak maka emitor dioda tetap dalam keadaan open.

UJT mempunyai 2 daerah doping dengan 3 elektroda yaitu suatu emitor dan 2 base, resistansi antara base 1 dan base 2 relatif tinggi, resistansi ini disebut reisistansi antar base (inter base resistance) RBB dan nilainya ditentukan dengan rumusRBB = R1 + R2Dinamakan Uni Junction karena komponen tersebut hanya terdiri dari PN Junction tunggal.

PEMBIASAN UJTDiantara base 1 dan base 2 adalah sumber tegangan (VBB), sedangkan terminal input adalah E dan B1 bila IE = 0 / terminal input terbuka, maka besarnya resistansi antara B1 dan B2 = RBB (resistansi antar base) yang sering disebut resistansi ohmis yang kisarannya antara 5 kOhm s/d 10 kOhm.Dari rangkaian diatas R1 = resistansi antar A dan B1, R2 = resistansi antara A dan B2, sehingga besarnya resistansi ohmis RBB = R1 + R2 pada saat IE = 0, IB1=IB2 = VBB/RBB, sedangkan besarnya tegangan pada titik A adalahVA = (R1/(R1+R2) VBB) = R1/RBB . VBB

Tegangan tersebut dinamakan tegangan "Intrisio Stand Off Ratio" besarnya berkisar antara 0.4 s/d 0.8 volt. Tegangan tersebut memberikan reverse bias pada dioda emitor, sehingga dioda dalam keadaan off (tidak menghantar). Bila diinginkan dioda tersebut on, maka harus diberi forward bias yaitu dengan memberikan tegangan sebesar VE > VA + VK, sementara itu VK = 'knee voltage dioda' atau tegangan konduk pada dioda dan tergantung pada bahannya.

FUNGSI UJTadalah sebagai pembanding / penyesuaian getaran listrik seperti yang terdapat pada osilator (rangkaian dalam pemancar sebagai pembangkit signal pembawa gelombang).

CARA KERJA UJT

IE belum mengalir, sebelum VE > VA + VK, setelah VEB diatur naik mencapai VE > VA + VK, maka IE mengalir karena dioda pada UJT tersebut dibias forward dan bekerja konduk, pada kondisi ini resistansi R1 akan turun hingga mencapai harga minimum, sehingga dapat dikatakan antara E dan B1 hubung singkat (short), hal tersebut menunjukan bahwa dioda pada UJT berfungsi sebagai saklar, saklar ini tetap tertutup selama IE > dari nilai tertentu, hal ini sering disebut dengan "Valley" (IV) misalnya dari UJT diketahui IV = 6 mAh, maka untuk menutup UJT tersebut IE harus dibuat > 6 mAh, jika tidak maka emitor dioda tetap dalam keadaan open.