SOAL MOSFET

Rizky Muhammad Reza 1206247316

Lengkapi gambar dibawah ini dengan fenomena yang terjadi sesuai yang ditunjuk oleh nomor!

1. Sidewall depletion capacitance2. Bottom depletion capacitance3. Lateral diffusion4. Oxide encroachment5. Lateral diffusion

6. Jelaskan terjadinya lateral diffusion dan apa akibatnya!

Lateral diffusion adalah peristiwa menyebarnya dopan melebihi daerah yang dinginkan. Dopan bisa berdifusi ke daerah di bawah poly gate. Akibatnya daerah yanh akan terdoping menjadi lebih luas dari yang diinginkan

7. Bagaimana cara mengatasi lateral diffusion?

Lateral diffusion dapat diatasi dengan cara memberikan dopan dengan konsntrasi yang rendah terlebih dahulu dengan membentuk struktur lightly doped drain, kemudian memberikan konstrasi dopan yang lebih banyak.

8. Apa yang dimaksud dengan oxide encroachment dan apa akibatnya?

Oxide encroachment terjadi ketika lapisan oksida menggerus lapisan aktif. Hal ini menyebabkan berkurangnya lapisan aktif karena tertutupi lapisan pasif

9. Jelaskan apa yang dimaksud dengan depletion capacitance dan jelaskan rumusnya!

Depletion capacitance adalah fenomena terjadinya medan listrik yang terjadi pada depletion layer. Medan listrik tersebut bisa direpresentasikan dengan menggunakan kapasitansi, yang kita ebut dengan depletion capacitance

• C = Capacitace

• Sw index = sidewall

• Pb = built in potential

• A s,d = area of the source or drain implant

• P s,d = perimeter of the source or drain implant

• m = grading for he component

10.Apakah yang menyebabkan terjadinya parasitic resistance pada MOSFET? Bagaimana cara mengukurnya?

Yang menyebabkan parasitic resistance pada MOSFET adalah bahan dari penyusun MOSFET itu sendiri serta ukuran MOSFETnya. Cara mengukurnya adalah dengan mengalikan tahanannya dengan skala luasnya (NRS/NRD)