Prajitno, Slamet Santosa
Transcript of Prajitno, Slamet Santosa
Volume 13, Januari 2012 ISSN 1411-1349
PEMBUATAN PENGUAT PENDORONG GENERATOR RF SIKLOTRON PROTON DECY-13 MENGGUNAKAN LDMOS BLF578 Prajitno, dkk
37
PEMBUATAN PENGUAT PENDORONG GENERATOR RF SIKLOTRON PROTON DECY-13 MENGGUNAKAN LDMOS BLF578
Prajitno, Slamet Santosa Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan, BATAN Jl.Babarsari Kotak Pos 6101 Ykbb, Yogyakarta 55281 e-mail: [email protected], [email protected]
ABSTRAK PEMBUATAN PENGUAT PENDORONG GENERATOR RF SIKLOTRON PROTON DECY-13 MENGGUNAKAN LDMOS BLF578. Telah dilakukan pembuatan penguat pendorong generator RF untuk siklotron proton 13MeV. Generator RF akan digunakan sebagai sumber tegangan pemercepat bolak-balik siklotron DECY-13 rancangan PTAPB-BATAN. Berdasarkan dokumen rancangan dasar siklotron Decy-13 yang telah dibuat, sumber tegangan bolak-balik bekerja pada frekuensi 77,667 MHz dengan daya RF ±10 kW. Pada penelitian sebelumnya telah selesai dibuat RF exciter menggunakan teknik Direct Digital Synthesizer (DDS). Agar exciter dapat mendorong penguat daya RF diperlukan penguat pendorong yang keluarannya mampu untuk mengendalikan keluaran daya RF yang diharapkan. Penguat pendorong RF yang saat ini banyak digunakan untuk aplikasi akselerator adalah teknologi transistor LDMOS. Setelah membandingkan beberapa tipe transistor LDMOS prototip yang telah selesai dibuat dipilih menggunakan transistor LDMOS tipe BLF578. Hasil pengujian penguat pendorong dengan tegangan kerja 42 Vdc dan keluaran daya RF 400 W, diperlukan arus 15,3 A dan daya pendorong 1,4 W. Setelah dilakukan perhitungan data hasil pengujian, diperoleh nilai koefisien korelasi linier antara masukan dan keluaran R2=0,992, power gain 23,98 – 24,88, power-added efficiency 62 % dan disipasi panas tertinggi 270 W. Dari hasil pengujian dapat disimpulkan bahwa prototip sudah berfungsi dan hasilnya sesuai yang diharapkan, namun pendingin transistor BLF578 masih perlu disempurnakan agar saat dioperasikan, panas yang ditimbulkan masih dalam batas aman.
Kata kunci: LDMOS, Penguat pendorong RF, generator RF, Siklotron
ABSTRACT DRIVER STAGE RF AMPLIFIER MANUFACTURE FOR DECY-13 PROTON CYCLOTRON USING LDMOS BLF578. Driver stage of the RF generator for 13MeV proton cyclotron has been manufactured. RF generator will be used as a source of alternating voltage accelerating of DECY-13 cyclotron which is has been designing by PTAPB-BATAN. Based on the basic design documents that has been made, the Decy-13 accelerating frequency will work at 77.667 MHz with RF power of ±10 kW. At the previous research it was manufactured an RF exciter using Direct Digital Synthesizer (DDS). In order exciter can drive RF power amplifier, a driver stage amplifier is required, which is output should be able to control the RF power output that is expected. RF driver amplifier that currently widely used for accelerator applications is LDMOS transistor technology. After comparing several types of LDMOS transistor prototypes that have been manufactured, it is selected using type of LDMOS transistors BLF578. Test results with a working voltage of the driving amplifier 42 Vdc and output RF power 400 W, it is required DC current of 15.3 A and driving power 1.4 W. After calculating the data of test results, it is obtained a linear correlation coefficient value between input and output with R2 = 0.992, power gain of 23.98 to 24.88, power-added efficiency 62% and the highest heat dissipation of 270 W. From the test results it can be concluded that the prototype of driver stage RF amplifier is already functioning and the results are as expected, but the cooling of transistors BLF578 still need to be refined in order the generated heat during it operation still within limits. Keywords: LDMOS, RF driver amplifier, RF generation, Cyclotron
PENDAHULUAN ECY-13 adalah siklotron proton dengan energi 13 MeV yang akan dibangun di Pusat
Teknologi Akselerator dan Proses Bahan. Salah satu bagian penting yang akan dibuat adalah sumber tegangan bolak-balik yang dibangkitkan oleh sistem Radio Frequency (RF). Pada penelitian yang
dilakukan sebelumnya telah berhasil dibuat prototip pembangkit sinyal RF menggunakan teknik Direct Digital Synthesizer (DDS). Prototip pembangkit sinyal RF keluaran dayanya dapat diatur dari 0 sampai maksimum 10 watt dan mempunyai jangkauan frekuensi yang dibatasi oleh band pass filter 76,325 - 78,821 MHz.[1]
D
ISSN 1411-1
38
Sumuntuk memAgar siklosistem RmengeluarkDDS RF edaya, seper
Pentabung elesesuai denEIMAC [3] memerlukaantara DDdiperlukanmenguatkamampu mediperoleh d
Padpenguat Rpopuler unLaterally (LDMOS) pilihan daldaya yang liniaritas, LDMOS akseleratorpenting sep
Olehdibahas pendorongmenggunakBLF578 ybroadcast Teknologi
Strupada GamLDMOSFEyaitu gatedari silikodaerah dendengan Msource (N+secara late
R1
1349
mber teganganmpercepat iotron dapat me
RF yang akkan daya ±10 exciter, pengurti ditampilkan
nguat daya RFektron jenis trngan data she
agar dapat man masukan d
DS RF excitern penguat pendan sinyal keluendorong pengdaya keluaran da saat ini tRF berkemban
ntuk aplikasi Diffused Madalah mer
lam aplikasi isangat baguskeandalan dajuga devais
r dikarenakanperti ruggedneh karena itupembuatan generator kan teknologyang banyak dan industri.
i LDMOS
uktur dasar mbar 2. SepET merupakan, drain, dan
on tipe-n. Drngan doping OSFET biasa+) berada paeral. Doping
DDS RF exciter
10 Watt
Gambar 1. B
n bolak-balikon negatip seengeluarkan ekan dibuat kW[2]. Sistemuat pendoronn pada Gamba
F direncanakanriode tipe 3CXeet yang dike
menghasilkan ddaya RF ±300r dengan pendorong yang buaran DDS Rguat daya RF RF sesuai yan
teknologi solng sangat cep
akselerator. Metal–Oxide–rupakan stanindustri karen
s, penguatan (gan harga mus pilihan d
n persyaratan ess dan resistau pada mak
dan penguRF siklotr
gi transistor digunakan
LDMOSFETperti FET pan devais dengsource. Subs
rain dan souN+. Akan
a, pada LDMada daerah P
P ini dima
PenpendLDM300 W
Blok diagram
k ini digunakecara periodienergi 13 MeV
harus dapm RF terdiri dang dan penguar 1. n menggunakaX15000A7 deluarkan pabrdaya RF 10 kW0 watt, sehinggnguat daya Rberfungsi untu
RF exciter agsehingga dap
ng diharapkanlid state untuat dan menjaTransistor R
–Semiconductndar teknolona: kemampua(gain), efisienurah. Transistdalam aplikatambahan yan
ansi termal[4].kalah ini akujian penguron DECY-
LDMOS tipuntuk aplika
T diilustrasikaada umumnyan tiga terminstratnya terburce merupaktetapi, berbed
MOSFET daeryang didopin
aksudkan untu
nguat orong MOS Watt
P
sistem RF unt
an ik. V,
pat ari uat
an an rik W ga
RF uk
gar pat n. uk adi RF tor ogi an si, tor asi ng
an uat 13 pe asi
an ya, nal uat an da ah ng uk
menipada
GambLDMsourcsourcsambmemmengdiberdibenterhudraindraindimo
dari dbertindengtegandimaoff. Pkonstpada
Prosiding Perte
tuk siklotron D
ingkatkan gaintegangan dra
Gambar 2.
Prinsip kerbar 2. Sepe
MOS didasarkace oleh tegance, VGS, nolbungan p-n
mbelakangi. Hgalir dari drrikan, lapisanntuk pada daeubung oleh kan-source, VDSn ke sourceodulasikan den
Jika VDS kedrain ke sourndak sebagai an VDS. Ini
ngan drain mana lebar kanaPada titik pintan. Arus draGambar 3.
Penguat Daya RF 10 kW
V
muan dan PresAkse
Vol. 13,
DECY-13.
n RF dan menain-source, VD
Struktur dasar
rja transistor erti FET padan pada pengngan gate. Pl, source dan yang Hanya arus rain ke sourcn inversi pererah p sehinganal n kondudiberikan, aru
e. Konduktanngan mengubaecil diberikanrce melalui karesistor dan merupakan
meningkat, akaal menjadi nonch- off, arusain sebagai fu
Volume 13, Janu
sentasi Ilmiah Telerator dan Ap Januari 2012
ncegah punch-DS, tinggi.
r LDMOSFET
dapat dipahada umumnyagaturan arus dPada tegangaan drain me
terhubung bocor yang
ce. Jika VGSrmukaan atau
gga source dauksi. Ketika teus akan mengnsi kanal inah-ubah VGS.
n, arus akan manal konduksiarus drain sedaerah linie
an dicapai sul, disebut titik
s drain-sourceungsi VDS ditu
RF Out
uari 2012
Teknologi likasinya : 37 - 44
-through
T.
ami dari a, kerja drain ke an gate-rupakan
saling g dapat S positif u kanal an drain egangan
galir dari i dapat
mengalir i. Kanal banding er. Jika atu titik k pinch-e relatif
unjukkan
Volume
PEMBUSIKLOTPrajitno
Gamba
Transi
Bpaling untuk adengantegangaoperasiuntuk odiatur efisiensdibatassangat yang batransfermaksimdigunak340 sersuhu tra
Bseperti keteran
Gamba
TATABahan
Bpenelitiadalah
13, Januari 20
UATAN PENGUTRON PROTON, dkk
ar 3. Kurvaumum
istor BLF578
BLF578 adamodern jenis
aplikasi industn mode pulsaan 50 V. Karei kontinyu, moperasi pada duntuk opera
si tinggi dan di pada 800 wmendukung saik. Ukuran hr dari badan t
mal dan untukkan compounrta penggunaansistor terjagBentuk fisik
ditampilkanngan sebagai b
ar 4. BentukLDMO
A KERJA dan Alat Pen
Bahan dan ian pembuatasebagai beriku
012
UAT PENDORON DECY-13 ME
a karakteristikm.
alah transistorLDMOS yan
tri. Transistor a sampai 12
ena aplikasi unmaka penguat h
daya lebih renasi 43 volt direkomendaswatt saja, ke
seperti suhu ruheatsink harus transistor ke sk membantu d yang baik s
aan fan blowega. k transitor Ln pada Gaberikut[5]:
Ke1. 2. 3. 4. 5.
k fisik dan simOS BLF578.
nelitian
alat yang an penguat Rut:
ONG GENERATENGGUNAKAN
k I-V FET s
r RF dayang dapat digundapat diopera
200 W padantuk industri aharus dioptim
ndah. Rangkaiyang membe
sikan keluaranecuali kondisuangan dan Vsesuai supaya
sirip pendinginperambatan
seperti dowcoer air flow su
LDMOS BLmbar 4, d
eterangan :
Drain 1 Drain 2 Gate 1 Gate 2 Source
mbol transistor
digunakan dRF pendoron
TOR RF N LDMOS BLF5
secara
tinggi nakan asikan a catu adalah
malkan ian ini erikan n daya i lain
VSWR a heat n bisa panas
orning upaya
LF578 engan
r
dalam ng ini
B
A
S
dbLbdSinkJaimdomdSdimd
SS
RsematmLted
578
Bahan 1. Trans
penduinduk
2. Modu3. Modu4. Trafo 5. Trafo 6. Magn
Alat penelitian1. DDS 2. Oscill3. Bird
Mode4. Dumm5. Digita6. Solder7. SMD
Skema Pengua
Skema itampilkan paagian yaitu : i
LDMOS, outpuerfungsi sebagibagi keluar ebelum pend
nput matchingeluaran baluaringan outpmpedansi keluikonvrsi ke utput balun
masukan/keluaaya akan berebuah jalur man chip dapmpedansi yanan nilai kapas
Susunan PengSiklotron DEC
PembuaRF untuk sikloeperti terlihat
modul pengutenuasi RF
mikrokontrolerLCD, catu degangan catu iatur dari 22 –
istor LDMOukungnya yaitktor ul catu daya swul mikrokontro
dan modul cadan modul ca
netic contactor
n exciter 10 watloscope RF Direction
el 43 my Load Resisal Multimeter ring Iron rework station
at RF Pendor
penguat Rada Gambar input balun, iut matching dgai pembagi ddari fase un
dorong daya Rg mengubah
un ke impeput-matching uaran dari trkeluaran tu
n. Pada aran dari transrada di kisar
microstrip cukpat memban
ng tepat pada sitor selama op
guat RF PenCY-13
atan penguat Rotron DECY-1t pada Gambat RF LDM
F, directionr Atmega16 aya switchin
daya transit– 45 Vdc.
ISSN
OS BLF57tu kapasitor, r
witching 45Vdoller Atmega1atu daya 12Vdatu daya 24Vdr
tt
nal Thruline
stor 50 Ω Sanwa PC-10
n
rong
RF pendoron5 dibagi me
nput matchingan output baldaya dan mem
ntuk pasanganRF masuk ke
impedansi 2edansi input
kemudian ransistor ke 2unggal berakh
umumnya sistor pada suran yang rendkup panjang antu untuk m
posisi penalaptimasi daya.
ndorong Gen
RF pendoron13 dibuat dengbar 6 yang tMOS BLF57nal coupler
lengkap denng 48Vdc dantor BLF578
N 1411-1349
39
8 beserta resistor dan
dc 16 dc dc
Wattmeter
00
ng seperti enjadi lima g, transistor lun[6]. Balun mbuat sinyal n transistor. e transistor, 25 Ω pada
transistor. mengubah
25 Ω untuk hir dengan
impedansi uatu tingkat dah 1-3 Ω.
antara balun mewujudkan aan (tuning)
nerator RF
g generator gan susunan terdiri dari: 78, resistor r, modul ngan panel n pengatur yang dapat
ISSN 1411-1
40
PengujianSiklotron
Pendengan meDDS excitedari 0 – 10Penguat RmenggunakWattmeter digantikan dengan kdummy res
SwitchinSup
Eaton48
1349
n Penguat RFDECY-13
ngujian penguemberi masuker yang daya
0 watt, seperti RF pendorongkan Bird
Model 43 ddengan resisteluaran peng
sistor 50 Ω.
RF input
ng Power pply
n apr48 Vdc
G
Gambar
F Pendorong
uat RF pendokan sinyal RF
RF keluarannditampilkan p
g daya keluaRF Directio
dan sebagai btor yang impeguat RF pe
PengaturDay
22 - 45
AtenuRF
ambar 5. Ske
r 6. Blok diagr
Generator R
orong dilakukaberasal dari R
nya dapat diatpada Gambar arannya diukonal Thrulinbeban keluardansinya sesu
endorong yai
Drv. pw
Teganga
Aru
r Catu a Vdc
uasi F
P
ema penguat R
ram penguat p
RF
an RF tur 7.
kur ne an
uai itu
HAS
untukdengpada
lain y1. M
L2. R3. B4. C
wr
an
us
PenguaKlas A
Transistor LBLF5
AtmePenamSistem
LCD LMB1
Prosiding Perte
RF kelas AB.
pendorong 300
SIL DAN P Prototip
k siklotron an tata letak mGambar 8.
Modul-myang telah diinModul penguLDMOS BLFResistor atenuBlower pendinCatu daya swi
Suhu
at RF AB LDMOS-578
ega16 mpil & m Trip
Panel 162AD
V
muan dan PresAkse
Vol. 13,
0 watt.
PEMBAHApenguat pendDECY-13 t
modul elektro
modul elektronstal adalah : uat RF men
F578 uasi ngin itching 48 Vdc
Trip/Alarm
Reflect
Forward
DireCo
Volume 13, Janu
sentasi Ilmiah Telerator dan Ap Januari 2012
ASAN dorong generatelah selesai onik sebagai te
onik dan ko
nggunakan tr
c
m
ectional oupler
uari 2012
Teknologi likasinya : 37 - 44
ator RF dibuat
ertampil
mponen
ransistor
RF out
Volume 13, Januari 2012 ISSN 1411-1349
PEMBUATAN PENGUAT PENDORONG GENERATOR RF SIKLOTRON PROTON DECY-13 MENGGUNAKAN LDMOS BLF578 Prajitno, dkk
41
5. Modul pengatur tegangan catu daya transitor BLF578
6. Trafo catu daya blower 7. Catu daya 12 Vdc 8. Modul mikrokontroler Atmega16 9. Panel LCD LMB162AD 10. Kipas penghisap udara
Panel depan prototip penguat pendorong generator RF seperti terlihat pada Gambar 9, terdapat tombol, knop, konektor, tampilan LCD dan LED dengan penjelasan fungsi sebagai berikut: 1. Switch ON/OFF
2. Tombol reset trip 3. Tombol untuk pemilihan menu operasi 4. Liquid Crystal Display (LCD) untuk
menampilkan frekuensi 5. Indikator trip:
- CURR (arus penguat RF) - VDD (tegangan penguat RF) - REFL (Refected power) - TEMP (suhu pendingin penguat RF) dan - Tombol reset.
6. Konektor DB-9 untuk komunikasi data serial komputer.
Gambar 7. Blok diagram pengujian penguat RF pendorong.
Gambar 8. Tata letak penguat pendorong.
Gambar 9. Tampilan panel depan prototip penguat RF pendorong.
Penguat RF Pendorong
LDMOS-BLF578
Bird RF Directional Thruline Wattmeter
Model 43
50 Ω Dummy Resistor
RF DDS Exciter
ISSN 1411-1349 Volume 13, Januari 2012
42 Prosiding Pertemuan dan Presentasi Ilmiah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya
Vol. 13, Januari 2012 : 37 - 44
Pengujian Masukan dan Keluaran Daya RF
Pada Gambar 10 ditampilkan keluaran daya RF pada frekuensi 77,667 MHz sebagai fungsi masukan daya RF (watt). Meskipun penguat pendorong yang telah dibuat secara teoritis mampu mengeluarkan daya RF sampai dengan 800 watt, tetapi untuk keamanan pada pengujian ini dibatasi pada daya keluaran RF 400 watt. Dari data grafik Gambar 5 telah dilakukan perhitungan dan diperoleh persaman regresi linier y = 310,6x - 22,73 dengan R2 = 0,992 sehingga dapat disimpulkankan bahwa antara masukan dan keluaran daya RF mempunyai korelasi yang sangat kuat.
Gambar 10. Masukan vs keluaran daya RF.
Pengujian Penguatan Daya (power gain) Sebagai Fungsi Keluaran Daya RF
Power gain dihitung dengan persamaan[6] :
10 LOG ), [1]
Keterangan : POUT : daya keluaran RF PIN : daya masukan RF grafik power gain sebagai fungsi keluaran daya RF ditampilkan pada Gambar 11. Dari hasil pengukuran dan perhitungan diperoleh power gain penguat pendorong dengan rentang gain 23,98 – 24,88. Hasil ini sesuai dengan “Product data sheet Power
LDMOS transistor BLF578 Rev.02 4 Feb. 2010”, yang mana dinyatakan bahwa power gain BLF578 minimum 24 dan tipikal-nya adalah 25.
Gambar 11. Penguatan daya vs keluaran daya RF.
Pengujian Power Added Efficiency (PAE) Sebagai Fungsi Keluaran Daya RF
Power-added efficiency (PAE) dapat diartikan sebagai efisiensi dari jaringan untuk mengubah daya masukan DC ke sejumlah daya keluaran RF yang tersisa setelah kontribusi langsung dari masukan daya RF dihilangkan[7].
η 100 % [2] Keterangan : POUT : daya keluaran RF PIN : daya masukan RF PDC : daya masukan DC = VDC × IDC
Dari hasil pengujian diperoleh PAE lebih
besar dari 60 %, seperti ditampilkan pada Gambar 12 pada keluaran daya RF 400 watt diperoleh PAE 62 %. Hasil ini cukup memuaskan, meskipun masih harus ditingkatkan karena “Product data sheet Power LDMOS transistor BLF578” dinyatakan bahwa PAE 70 %.
Gambar 12. Power added efficiency (PAE) sebagai fungsi keluaran daya RF
y = 310.6x ‐ 22.73R² = 0.992
0
100
200
300
400
500
0 0.5 1 1.5
Keluaran
Daya RF
[W]
Masukan Daya RF [W]
23.50
24.00
24.50
25.00
0 50 100 150 200 250 300 350
Gain[dB]
Keluaran daya RF [W]
010203040506070
0 50 100 150 200 250 300 350 400
PAE[%
]
Keluaran daya RF [W]
Volume
PEMBUSIKLOTPrajitno
PengujKeluar
Dmenggu
KeteranVDC IDC PIN-RF POUT-RF
Pversus 13, diswatt adiperhadapat pending
Modul
AtmegaVMLAprotypiAssembserta delektron
digunakpenguareflectedaya RmengiroperasidibandiApabilanilai bateganga
13, Januari 20
UATAN PENGUTRON PROTON, dkk
jian Disipasiran Daya RF
Disipasi daunakan persam
ngan : : masukan t: arus yang : daya masu
F : daya keluaPlot data hasikeluaran day
sipasi tertinggadalah 270 atikan apakah
memenuhi gin BLF578 a
l Mikrokontr
Perangkat a16 dikemba
AB (Visual Ming IDE bler, Compiledapat mensimnik).
Modul kan untuk ak
at RF pendoed power, tegRF dan suh
rim data akui tersebut dingkan dengana salah satu datas aman akan DC akan m
111122223
Disipasi D
aya RF
[W]
012
UAT PENDORON DECY-13 ME
Gambar 13
i Daya Pana
aya panas maan :
tegangan transditarik oleh tr
ukan RF aran RF l pengujian da
ya RF ditampigi untuk keluwatt. Oleh pendingin yasyarat kare
adalah 4,25 cm
oler ATmega
lunak unngkan mengg
Micro Lab) adayang me
er, Debugger, mulasikan har
mikrokontrolkuisisi data orong yaitu: gangan DC, ahu pendingiuisisi secara ditampilkan n suatu nilai sdari parametekan menyebabmati (off). Con
0255075002550750025507500
0
ONG GENERATENGGUNAKAN
3. Disipasi da
as Sebagai F
(Pdiss) dih
sistor LDMOSransistor LDM
an perhitunganilkan pada Gaaran daya RFkarena itu
ang sudah terpena luasan m2.
a16
ntuk mendugunakan VMalah sebuah venggabungkan
dan simurdware (komp
ler ATmeparameter op
forward parus DC, man LDMOS serial. Parapada LCD
sebagai batas aer operasi mebkan trip danntoh tampilan
50 100
TOR RF N LDMOS BLF5
aya panas seba
Fungsi
hitung
[3]
S MOS
n Pdiss ambar F 400 perlu
pasang flens
ukung MLAB.
virtual n IDE, ulator ponen
ega16 perasi
power, asukan
serta ameter
dan aman.
elebihi n catu n suhu
ppdtemd
K
gmPkdkm
dm–p
pdm≥
htr
0 150Keluaran
578
agai fungsi kel
endingin padaendingin terukiperbolehkanerukur ≥55
mengeluarkanaya mati.
Gambar 14
KESIMPULTelah
enerator Rmenggunakan Penguat pendo
erja 42 volt, man diperoleh eluaran daya
menarik arus 1Data h
iperoleh: nilmasukan dan k
24,88, Poweanas tertinggi
Untuk mendingin tranetektor suhu
masukan sistem≥ 55 0C akan te
Meskipuasilnya sesuaransistor BLF
200 250Daya RF [W]
luaran daya R
a LCD sepertkur 30,8 0C d55,0 0C, ole
0C maka sinyal trip y
4. Contoh tam
LAN selesai dibu
RF untuk teknologi tran
orong RF telamasukan dayakeluaran day
a 400 watt 5,3 A. hasil pengulai koefisien keluaran R2 = er-added effici 270 W. menghindari pnsistor LDM
u LM-35 yam pengaman derjadi trip. un prototip suai yang diharF578 masih pe
0 300
ISSN
RF.
ti pada Gambaan maksimumeh karena itu
mikrokontrang mengakib
mpilan suhu pe
uat penguat siklotron
nsistor LDMOah diuji dengaa RF mulai 0a RF 25–400penguat RF
ujian setelahkorelasi lin
0,992, powerciency 62 % d
panas yang beMOS BLF578ang digunakadan telah teruj
udah berhasil rapkan, tetapierlu disempur
350
N 1411-1349
43
ar 14. Suhu m suhu yang u jika suhu roler akan batkan catu
endingin.
pendorong DECY-13
OS BLF578. an tegangan 0,1–1,3 watt watt. Pada pendorong
h dihitung nier antara r gain 23,98 dan disipasi
erlebih pada 8 dipasang an sebagai ji pada suhu
dibuat dan i pendingin rnakan agar
ISSN 1411-1349 Volume 13, Januari 2012
44 Prosiding Pertemuan dan Presentasi Ilmiah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya
Vol. 13, Januari 2012 : 37 - 44
pada saat dioperasikan secara kontinyu panas yang ditimbulkan masih dalam batas aman. UCAPAN TERIMA KASIH
Dengan selesainya pembuatan prototip penguat pendorong generator RF ini, disampaikan ucapan terima kasih yang sebesar-besarnya kepada rekan-rekan komunitas IQED khususnya Sdr. Wardhana N., Iwan dan Agus atas masukan dan ide-ide dalam merealisasikan prototip penguat pendorong. DAFTAR PUSTAKA 1. PRAJITNO, “Pembuatan dan Analisis Exciter
Generator RF Untuk Siklotron Proton DECY-13”, Jurnal Iptek Nuklir GANENDRA, Volume 14 Nomor 2 (2011) 111 – 121
2. J.S.CHAI, “New Design And Development Of 13 MeV PET Cyclotron In KOREA”, Proceedings of Particle Accelerator Conference, New York, (1999) 3137 – 3139
3. 3CX15000A7 EIMAC Data Sheet, CPI MPP Division, Eimac Operations, 607 Hansen Way, Palo Alto, CA 94303 www.cpii.com diunduh tanggal 05 Januari 2011
4. S.J.C.H. THEEUWEN, W.J.A.M. SNEIJERS, J.G.E. KLAPPE, J.A.M. DE BOET, “High Voltage RF LDMOS Technology for Broadcast Applications”, European Microwave Week Conference 2008, EuMIC02-2, 46, (2008) 1279 – 1284
5. NXP SEMICONDUCTORS, “Power LDMOS Transistor BLF578”, Product Data Sheet Rev.02, 4 Feb. 2010
6. TSUNG-CHI YU, DKK, “The Development of High Power Solid-State Amplifier In
NSRRC”, Proceedings of IPAC’10, Kyoto, Japan, (2010) 3993 – 3995
7. IULIAN ROSU, RF Power Amplifiers, , YO3DAC / VA3IUL, http://www.qsl.net/va3iul Diunduh tanggal 15 Agustus 2011.
TANYA JAWAB Frida Iswinning Diah
Kontribusi disipasi panas terbesar di bagian mana? Dan untuk kedepannya bagian atau komponen mana yang akan dioptimasi?
Prajitno
Disipasi panas yang paling besar pada flen dari transistor LDMOS yang luasannya hanya 4,5 cm2 meskipun sudah disalurkan pada pendingin alumunium dan dihembus blower. Ke depan sedang didesain pendingin dengan menambah luasan plat alumunium dan memperbesar aliran udara untuk menghembuskan udara.
Edi Trijono Bagaimana mengatasi panas yang timbul pada
Transistor LDMOS padahal pengujian bahan tahap simulasi walaupun bebannya sudah disamakan dengan bahan sesungguhnya tetapi pada kenyataannya antara simulasi dengan prakteknya berbeda. Dan apa sudah dipikirkan desain pendingin yang sesuai dengan desain yang sudah dilakukan sekarang ini?
Prajitno
Beban sudah disesuaikan dengan impedansi kabel coaxial yaitu 50 Ω. Desain pendingin yang baru sedang dilakukan agar mampu untuk mendinginkan transistor LDMOS yang harus menanggung disipasi panas ∞ 270 watt.