MAKALAH ELEKTRONIKA POWER DIODE, TUNNEL DIODE, DAN PHOTO DIODE

DISUSUN OLEH :ADI DHARMAWAN H1C010063

KEMENTERIAN PENDIDIKAN DAN KEBUDAYAANUNIVERSITAS JENDERAL SOEDIRMANFAKULTAS TEKNIKJURUSAN TEKNIK ELEKTROPURBALINGGA2014POWER DIODE1.1 PengertianMendaya dioda semipenghantar adalah kekuatan meningkat alat cacah bagian dari sinyal kekuatan rendah diode dengan yang mana kebanyakan dari kita yang punya beberapa derajat dari keakraban. Alat kekuatan ini, bagaimanapun, diperlukan untuk menyusun ke beberapa KA dari arus di bawah kondisi penyimpangan maju dan merintangi ke beberapa KV di bawah kondisi terbias kebalikan. Kebutuhan ekstrim ini meminta perubahan struktural yang penting pada satu diode kekuatan yang mana berpengaruh significant mempengaruhi karakteristik beroperasi mereka. Modifikasi struktural ini adalah umum pada rasa yang dasar yang sama modifikasi diterapkan terhadap semuanya rendah lain mendaya alat semipenghantar (semua yang mana punya satu atau lebih p n simpang tiga) untuk menaikkan kemampuan kekuatan mereka. Ini adalah, oleh sebab itu, penting untuk memahami sifat alami dan implikasi dari modifikasi ini dalam hubungan dengan paling sederhana dari alat kekuatan, yaitu, satu dioda semipenghantar kekuatan1.2 Kontruksi dan Karakteristik Power diodeSeperti sebut pada Diode Kekuatan pengantar dengan peringkat kekuatan paling besar diperlukan untuk mengendali beberapa kilo amps dari arus pada arah maju dengan sangat rugi kekuatan kecil saat menghalangi beberapa volt kilo pada arah terbalik. Tegangan listrik halang besar memerlukan lapisan berupa sumber-sumbber alam lebar agar membatasi elektris maksimum kekuatan lapangan di bawah ionisasi dampak taraf. Mengatur jarak kepadatan beban pada lapisan berupa sumber-sumbber alam juga harus menjadi rendah agar menghasilkan satu lapisan berupa sumber-sumbber alam lebar untuk satu kekuatan tertentu Medan Elektrik maksimum. Ini dua kebutuhan akan dipuaskan pada satu dengan enteng obati p n diode simpang tiga dengan lebar cukup untuk mengakomodasi berupa sumber-sumbber alam diperlukan lapisan. Konstruksi seperti itu, bagaimanapun, akan menghasilkan pada satu alat dengan ketinggian resistively pada arah maju. Alhasil, rugi kekuatan pada bertingkat diperlukan saat ini akan tidak ketinggian yang dapat diterima.

Pada sisi lain kalau daya tahan maju (dan maka kekuatan kehilangan) dikurangi oleh peningkatan taraf pendadahan, kebalikan memecah tegangan listrik akan kurangi. Kontradiksi nyata ini pada kebutuhan dari satu diode kekuatan dipecahkan dengan memperkenalkan satu dengan enteng apung obati lapisan diperlukan ketebalan di antara dua dengan berat obati p dan n lapisan seperti terlihat di Ara 2.3 (c ). Ara 2.3 (satu ) dan (b ) pertunjukan lambang sirkuit dan foto dari satu diode kekuatan khas berturut-turut.

Untuk mendatangi di struktur yang diperlihatkan di Ara 2.3 (c ) satu dengan enteng obati n - lapisan epitaxial dengan lebar ditetapkan (bergantung kepada diperlukan memecah tegangan listrik) dan kepadatan atom donatur (N dD ) diakar satu dengan berat obati n + substrate (N dK atom donatur. Cm -3 ) yang menindaki sebagai katoda. Akhirnya p n simpang tiga dibentuk oleh pelepasan sumbu peledak satu dengan berat obati (N aA atom akseptor. Cm -3 ) p + daerah ke dalam lapisan epitaxial. Ini p daerah jenis menindaki sebagai anoda. Kepadatan atom kecemaran pada dengan berat katoda obati (N dk .Cm -3 ) dan anoda (N aA .Cm -3 ) kira-kira dari order yang sama dari kebesaran (10 19 Cm -3 ) sementara tersebut lapisan epitaxial (juga dipanggil daerah apung) adalah lebih rendah oleh beberapa order kebesaran (N dD . 10 14 Cm -3 ). Pada satu diode kekuatan rendah daerah apung ini tidak ada. Implikasi untuk memperkenalkan daerah apung ini pada satu diode kekuatan dijelaskan berikutnya1.3 Power Diode under Reverse Bias ConditionsSeperti pada kasus dari satu diode kekuatan rendah kebalikan teraplikasi tegangan listrik didukung oleh lapisan berupa sumber-sumbber alam dibentuk pada p + n - simpang tiga metalurgi. Kenetralan keseluruhan dari daerah perubahan ruang dikte yang angka dengan atom diionisasikan pada p + daerah harus sama seperti itu pada n - daerah. Bagaimanapun, sejak n dD