Prasikap Transistor
-
Upload
geovany-rach-man -
Category
Documents
-
view
273 -
download
7
Transcript of Prasikap Transistor
Laporan Praktikum
Dasar Elektronika
Percobaan III
Prasikap Transistor
Oleh
Nama : Muhammad Rizki Kurniawan
NIM : 2106011130078
Kelompok : 26
Jurusan Teknik Elektro
Fakultas Teknik
Universitas Diponegoro
2012
4.1 Tujuan
1. Untuk mengetahui daerah kerja transistor
2. Untuk menganalisa ketiga konfigurasi transistor
3. Untuk mempelajari arus pada kaki-kaki transistor
4.2 Alat dan Bahan
Percobaan prasikap transistor menggunakan alat ukur multimeter untuk
mengukur besaran-besaran yang diambil sebagai data untuk dianalisis.
Komponen dan alat ukur yang digunakan adalah :
1. Rsistor (10,20,46,470 kὨ)2. Transistor NPN 90133. Power Supply4. Kabel Jumper5. Multimeter6. Protoboard
4.3 Rangkaian Percobaan
Pada unit percobaan ini digunakan tiga konfigurasi transistor yang dirangkai
seperti gambar berikut :
4.3.1 Gambar Rangkaian percobaan Common Emiter (CE)
Gambar 3.1 Rangkaian konfigurasi Common Emiter (CE)
4.3.2 Gambar Rangkaian percobaan Common Collector (CC)
Gambar 3.2 Rangkaian konfigurasi Common Collector (CC)
4.3.3 Gambar Rangkaian percobaan Common Base (CB)
Gambar 3.3 Rangkaian konfigurasi Common Base (CB)
4.4 Langkah Percobaan
Dengan menggunakan ketiga konfigurasi rangkaian di atas percobaan ini
dimulai dengan langkah – langkah sebagai berikut :
4.1.1 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Base.
1. Menyusunkomponensepertipadagambarrangkaian common basis.
2. Hidupkan power supply danhubungkantegangan -12V ,5V , dan
Ground dengankabel jumper.
3. Hubungkantengangan -12volt denganRE ,5voltdengan RC dan Ground
dengan RB.
4. HitungVc,Vb,Vedenganmenggunakanmultimeter.
5. TentukanDaerah kerja transistor.
4.1.2 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Emittor
1. Menyusunkomponensepertipadagambarrangkaian common emotor.
2. Hidupkan power supply danhubungkantegangan -12V ,5V , dan
Ground dengankabel jumper.
3. Hubungkantengangan -12volt denganRC ,5voltdengan RB dan
Ground dengan RE.
4. HitungVc,Vb,Vedenganmenggunakanmultimeter.
5. TentukanDaerah kerja transistor.
4.4.3 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Collector
1. Menyusunkomponensepertipadagambarrangkaian common collector.
2. Hidupkan power supply danhubungkantegangan -12V ,5V , dan
Ground dengankabel jumper.
3. Hubungkantengangan -12volt denganRE ,5voltdengan RB dan
Ground dengan RC.
4. HitungVc,Vb,Vedenganmenggunakanmultimeter.
5. TentukanDaerah kerja transistor.
4.5 Data Percobaan
4.5.1 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Emitter
Tabel 4.1 Data Percobaan Konfigurasi Common Emitor
Tegangan VB (Volt) VC (Volt) VE (Volt)
CE daerah mati
RE = 4 kΩ
RB = 200 kΩ
RC = 20 kΩ
4,35
10 4,6
CE daerah hidup
RE = 3,24 kΩ
RB = 5,52 kΩ
RC = 9,84 kΩ
5,2
10
4,69
CE daerah jenuh
RE = 3,24 kΩ
RB = 5,52 kΩ
RC = 9,84 kΩ
4,54 5,15 4,59
4.5.2 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Collector
Tabel 4.2 Data Percobaan Konfigurasi Common Collector
Tegangan VB (Volt) VC (Volt) VE (Volt)
CC daerah mati
RE = 3,24 kΩ
RB = 5,52 kΩ
RC = 9,84 kΩ
-8,12
-8,88
-8,84
CC daerah hidup
RE = 3,24 kΩ
RB = 5,52 kΩ
RC = 9,84 kΩ
-0,27
0,1
-9,45
CC daerah jenuh
RE = 3,24 kΩ
RB = 5,52 kΩ
RC = 9,84 kΩ
-10,14
-10,78
-10,79
4.5.3 Percobaan Transistor Konfigurasi Common Base
Tabel 4.3 Data Percobaan Konfigurasi Common Basis
Tegangan VB (Volt) VC (Volt) VE (Volt)
CB daerah hidup
RE = 3,24 kΩ
RB = 5,52 kΩ
RC = 9,84 kΩ
12,9
13,5
13,3
CB daerah jenuh
RE = 3,24 kΩ
RB = 5,52 kΩ
RC = 9,84 kΩ
-1,48
-0,9
-10,27
CB daerah mati
RE = 3,24 kΩ
RB = 5,52 kΩ
RC = 9,84 kΩ
-1,08
-1,84
-9,80
4.6 Analisa dan Pembahasan
TEORI SINGKAT TENTANG UNIT PERCOBAAN
Transistor adalah komponen aktif tiga terminal disebut transistor
persambungan bipolar (BJT). Ketiga terminal tersebut adalah Basis (B), Colektor (C)
dan Emitor (E). Terdapat dua jenis kontruksi dasar BJT (Bipolar Junction Transistor)
, yaitu jenis n-p-n dan jenis p-n-p dan dibuat dua buah bahan semikonduktor dengan
dua tipe berbeda (semi konduktor tipe –n dan semi konduktor tipe –p) yang disusun
demikian sehingga tipe –n mengapit tipe –p atau sebaliknya. Apabila semi konduktor
tipe –n yang mengapit tipe –p maka disebut transistor NPN, dan sebaliknya apabila
semi konduktor tipe –p yang mengapit tipe –n maka disebut transistor PNP.
Gambar 3.4 Struktur Fisis Transistor tipe NPN
Gambar 3.5 Struktur Fisis Transistor tipe PNP
Kaki-kaki pada transistor :
Emiter : Pemancar muatan
Colector : Pengumpul muatan
Basis : Pengendali
(a) (b)
Gambar 3.6 Representasi rangkaian dari tipe transistor (a) PNP; (b) NPN
Tanda anak panah menunjukan arah aliran arus. Untuk jenis transistor P-N-P
, transistor transistor terdiri dari dua sambungan p-n yang berperilaku seperti diode.
Setiap diode diberi prasikap maju atau prasikap mundur. Demikian juga untuk
transistor n-p-n, transistor terdiri dari dua sambungan p-n yang berperilaku seperti
diode. Setiap diode dapat diberi prasikap maju atau prasikap mundur, sehingga
transistor dapat memiliki empat daerah kerja
Daerah kerja transistor ada 4 daerah yaitu :
Tabel 4.4 Daerah kerja transistor
No JE JC Keterangan
1 maju mundur Transistor pada daerah Jenuh
2 maju maju Transistor pada daerah Aktif
3 mundur maju Transistor pada daerah Anti Aktif
4 mundur mundur Transistor pada daerah Mati
Untuk daerah pada nomor 3 menyebabkan transistor bekerja menyalahi
aturan yaitu :
Emiter berfungsi sebagai pengumpul muatan
Kolektor berfungsi sebagai pemancar muatan
Komponen-komponen arus pada transistor :
Gambar 3.7 Komponen arus pada transistor
Gambar komponen arus diatas hanya berlaku apabila transistor PNP diberi
prasikap maju pada JE dan mundur pada JC
Hukum Khircoff arus pada Transistor :
Pada Emiter :
Pada Basis :
Pada Kolektor :
Arus-arus InE, IpB, dan Ico nilainya sangat kecil sehingga :
Jika diambil : , maka :
atau
dengan adalah peroleh arus sinyal kecil (narrow signal current gain),
secara umum ditulis :
Dengan IEo = nilai arus emiter awal sehingga
Konfigurasi untuk transistor dipengaruhi oleh arus-arus pada basis, kolektor,
dan emiter tidak hanya itu konfigurasi pada transistor ditandai dengan tembok
potensial yang meninggi / merendah. Jika arus pada kolektor lebih positif dari pada
basis JE akan maju maka tembok potensial merendah, untuk arus pada kolektor lebih
negatif dari pada basis maka JC mundur maka tembok potensial meninggi.
Konfigurasi Transistor
Konfigurasi Transistor ada 3 macam :
1. Transistor dengan konfigurasi basis bersama (CB)
Pada konfigurasi ini dapat diketahui dengan melihat basis sebagai acuan
tegangan atau basis yang diketanahkan.
2. Transistor dengan konfigurasi emitter bersama (CE)
Dalam hal ini emitor sebagai acuan tegangan atau yan diketanahkan karena
emitter terangkai pada masukan dan keluaran.
3. Transistor dengan konfigurasi kolektor bersama (CC)
Dengan kolektor sebagai acuan tegangan (V=0).
Gambar 3.8 Transistor dengan konfigurasi emiter bersama
(Common emitter)
Gambar 3.9 Transistor dengan konfigurasi basis bersama
(Common Base)
Gambar 3.10 Transistor dengan konfigurasi kolektor bersama
(Common Collector)
Tabel 4.5 Watak transistor
Watak CE CC CB
Masukan VBE=F(iB,VCE)│VCETetap VBC=F(iB,VEC)│VECTetap VBB=F(iE,VCB)│VCBTetap
Keluaran IC=F(iB,VCE) │IBTetap IE=F(iB,VEC) │IBTetap IC=F(iE,VCB) │IETetap
Grafik
Watak
Masukan
Grafik
Watak
Keluaran
Untuk analisis pada rangkaian transistor ada 2 yaitu :
1. Analisis statis (DC) atau analisis prasikap (biasing) yaitu analisis untuk
menentukan titik kerja transistor yang dinginkan atau analisis untuk memberi
prasikap pada transistor.
2. Analisis dinamis (AC) yaitu analisis untuk mencari keluaran bila masukannya
sinyal berfrekuensi.
Pada analisis statis (DC) pada rangkaian transistor dimaksudkan intuk
memberi prasikap transistor yaitu transistor tersebut akan dipekerjakan pada
daerah apa apakah daerah aktiv, daerah jenuh, ataupun daerah mati, dan
selanjutnya titi kerja transistor dapat ditentukan. Titik kerja transistor
biasanya ditandai dengan symbol Q (Operating Point / Quotient Point / titik
terang ).
4.6.1 Perhitungan Arus Transitor
Perhitungan arus-arus yang ada pada transistor dilakukan dengan menerapkan
hukum-hukum Kirchoff baik itu Hukum Kirchoff Tegangan (HKP) maupun Hukum
Kirchoff Arus (HKA) pada masing-masing konfigurasi rangkaian.
4.6.1.1 Konfigurasi Common Emitter
Pada konfigurasi emitter bersama kita tinjau rangkaian sebagai berikut :
Gambar 3.9 Rangkaian konfigurasi
Common Emitter
Rangkaian tersebut dapat kita sederhanakan atau kita buat ekivalensinya sebagai
berikut :
Gambar 3.10 Ekivalensi konfigurasi rangkaian Common Emitter
Contoh perhitungan :
CE daerah mati
RB = 200 kΩ
RE = 4 kΩ
RC = 20 kΩ
VBE = VB – VE
= 4,35 – 4,6
= -0,25 Volt
VBC = VB – VC
= 4,35 – 10
= -5,65 Volt
VCE = VC – VE
= 10 – 4,6
= 5,4 Volt
Dengan menerapkan hukum-hukum Kirchoff, kita analisis rangkaian
di atas untuk mendapatkan IE, IB, dan IC.
Pada loop I
IBRB + VBE - IERE + 5 = 0
200.103 IB - 0,25 - 4.103 IE +5= 0
200.103 IB - 4.103 IE = - 4,75…………………(1)
Pada loop II
12 + IERE - VCE – ICRC = 0
12 + 4.103 IE – 5,4 – 20.103 IC = 0…………...(2)
HKA pada transistor
IC + IB + IE = 0
IC = - IB – IE…………………………………….. .(3)
Persamaan (3) masuk (2)
12 + 4.103 IE – 5,4– 20.103 IC = 0
4.103 IE – 20.103 IC = - 6,6
4.103IE – 20.103 ( - IB – IE ) = - 6,6
4.103 IE + 20.103 IB + 20.103 IE = - 6,6
20.103 IB + 24.103 IE = - 6,6……..…………… (4)
Persamaan (1) dan (4)
200.103 IB - 4.103 IE = - 4,75 | x 6
20.103 IB + 24.103 IE = - 6,6 | x 1
1.200.103IB – 24.103 IE = - 28,5
20. 103 IB +24.103 IE = - 6,6 +
1220 IB = - 35,1
IB = - 0,028 mA
Persamaan (1)
200.103 IB - 4.103 IE = - 4,75
200.103 (- 0,028 ) - 4.103 IE = - 4,75
5,75. 103- 4.103 IE = - 4,75
- 4.103 IE = -10,5
IE = 2,62 mA
Persamaan (3)
IC = - IB – IE
= - 0,028 +2,62
IC = 2,598 mA
Jadi, arus-arus pada konfigurasi common emitter daerah mati adalah
sebagai berikut : IB = - 0,028mA; IE = 2,62 mA; dan IC = 2,598 mA
Untuk hasil perhitungan arus dari masing masing daerah kerja
transistor rangkaian CE dapat dilihat pada tabel berikut :
Tabel 4.6 Hasil perhitungan nilai IB, Ic, IE rangkaian transistor konfigurasi CE
Daerah
Kerja
RB
(k)
IB
(mA)
IE
(mA)
Ic
(mA)
Mati 200 - 0,028 2,62 2,598
Hidup 10 0,476 -0,12 0596
Jenuh 4,7 - 0,795 - 0,755 1,5505
4.6.1.2 Konfigurasi Common Collector
Pada konfigurasi kolektor bersama kita tinjau rangkaian sebagai berikut :
Gambar 3.11 Rangkaian konfigurasi Common Collector
Rangkaian tersebut dapat kita sederhanakan atau kita buat ekivalensinya sebagai
berikut :
Gambar 3.12 Ekivalensi konfigurasi rangkaian Common Collector
Contoh perhitungan :
CC daerah mati
RB = 2 kΩ
RE = 386 kΩ
RC = 14,8 kΩ
VBE = VB – VE
= -8,12 + 8,84
= 0,72 Volt
VBC = VB – VC
= - 8,12 +8,88
= 0,76 Volt
VCE = VC – VE
= -8,88+ 8,84
= 0,04 Volt
Dengan menerapkan hukum-hukum Kirchoff, kita analisis rangkaian
di atas untuk mendapatkan IE, IB, dan IC.
Pada loop I
IBRB + VBC – ICRC +5 = 0
2.103 IB + 0,76 – 14,8. 103 IC +5= 0
2.103 IB - 14,8.103 IC = -5,76…………………… (1)
Pada loop II
12 + ICRC + VCE – IERE = 0
12 + 14,8.103 IC + 0,04 – 0,386. 103IE= 0…………............ (2)
HKA pada transistor
IC + IB + IE = 0
IE = - IB – IC…………………………………….. (3)
Persamaan (3) masuk (2)
12 + 14,8.103 IC + 0,04 – 0,386. 103IE= 0
14,8.103 IC – 0,386. 103 IE = - 12,04
14,8.103 IC – 0,386. 103 ( - IB – IC ) = - 12,04
14,8.103 IC + 0,386. 103 IB + 0,386. 103 IC = - 10,87
15,186.103 IC + 0,386. 103 IB = - 10,87………………………. (4)
Persamaan (1) dan (4)
2.103 IB - 14,8.103 IC = -5,76 │x 0,386
0,386. 103 IB + 15,186.103 IC = - 10,87 │x 2
0,772.103 IB - 5,7128.103 IC = -2,223
0,772.103 IB + 30,372.103 IC = - 21,74 _
- 36,0848 IC = 19,517
IC = - 0,54 mA
Persamaan (1)
2.103 IB - 14,8.103 IC = -5,76
2.103 IB - 14,8.103 (- 0,54.103) = -5,76
2.103 IB = -5,76+15,34
IB = -9,58 mA
Persamaan (3)
IE = - IB – IC
= 9,58 + 0,54
IE = 10,12 mA
Jadi, arus-arus pada konfigurasi common collector daerah mati adalah
sebagai berikut : IB = -9,58 mA; IE = 10,12 mA; dan IC = - 0,54 mA
Untuk hasil perhitungan arus dari masing masing daerah kerja
transistor rangkaian CC dapat dilihat pada tabel berikut :
Tabel 4.7 Hasil perhitungan nilai IB, IE, IC rangkaian transistor konfigurasi CC
Daerah
Kerja
RB
(k)
IB
(mA)
IE
(mA)
Ic
(mA)
Mati 2 -9,58 10,12 - 0,54
Hidup 1,5 - 1.334 0,019 1,315
Jenuh 86 0,22 0,461 -0.681
4.6.1.3 Konfigurasi Common Base
Pada konfigurasi kolektor bersama kita tinjau rangkaian sebagai berikut :
Gambar 3.13
Rangkaian konfigurasi
Common Base
Rangkaian tersebut dapat kita
analisis dengan menggunakan
loop sebagai berikut :
Gambar 3.14 Ekivalensi konfigurasi rangkaian Common Base
Contoh perhitungan :
CB daerah mati
RB = 20 kΩ
RE = 2 kΩ
RC = 47 Ω
VBE = VB – VE
= 12,9 – 13,3
= -0,4 Volt
VBC = VB – VC
= 12,9– 13,5
= -0,6 Volt
VCE = VC – VE
= 13,5– 13,3
= 0,2Volt
Dengan menerapkan hukum-hukum Kirchoff, kita analisis rangkaian
di atas untuk mendapatkan IE, IB, dan IC.
Pada loop I
-12 + IERE - VBE – IBRB = 0
-12 + IE . 2 +0,4– IB . 20 = 0
2.103 IE - 20.103 IB = 6,6………………. (1)
Pada loop II
- 5 + IBRB + VBC – ICRC = 0
- 5 + 20.103 IB -0,6– 0,047.103 IC = 0
20.103 IB - 0,047.103 IC = -5,6…………..........(2)
HKA pada transistor
IC + IB + IE = 0
IC = - IB – IE…………………………………….. (3)
Persamaan (3) masuk (2)
20.103 IB - 0,047.103 IC = -5,6
20.103 IB - 0,047.103 (- IB – IE ) = -5,6
20.103 IB + 0,047.103 IE + 0,047.103 IB = -5,6
20,047.103 IB + 0,047.103 IE = -5,6…………….. (4)
Persamaan (1) dan (4)
2.103 IE - 20.103 IB = 6,6 │x 0,047
0,047.103 IE + 20,047.103 IB = -5,6 │x 2
0,094.103 IE - 0,94.103 IB = 0,31
0,094.103 IE + 40,094.103 IB = -5,6 _
- 41,034IB = 5,91, IB = -0,144 mA
Persamaan (1)
2.103 IE - 20.103 (-0,144. 10 -3 ) = 6,6
2.103 IE + 2,88 = 6,6
2.103 IE = 6,6 -2,88
2.103.103 IE = 3,72
IE = 1,86 mA
Persamaan (3)
IC = - IB – IE
= 0,144 – 1,86
IC = -1,716 mA
Jadi, arus-arus pada konfigurasi common base daerah mati adalah sebagai
berikut : IB = -0,144 mA; IE = 1,86 mA; dan IC = -1,716 mA
Untuk hasil perhitungan arus dari masing masing daerah kerja
transistor rangkaian CB dapat dilihat pada tabel berikut :
Tabel 4.8 Hasil perhitungan nilai IB, IE, IC rangkaian transistor konfigurasi CB
Daerah Kerja
Transitor
RB
(k)
IB
(mA)
IE
(mA)
IC
(mA)
Mati 20 -0,144 1,86 -1,716
Hidup 10 -0,42 0,91 - 1,33
Jenuh 10 - 0,53 0,76 - 1,82
4.6.2 PERHITUNGAN DAYA PADA KAKI-KAKI TRANSISTOR
Untuk menghitung daya pada kaki-kaki transistor, digunakan rumus sebagai
berikut :
P = I 2.R
dimana : P = Daya pada kaki transistor (W)
I = Arus pada kaki-kaki transistor (A)
R = Hambatan pada kaki transistor ()
6.2.1 Konfigurasi Common Emitter
Dari data percobaan dan hasil perhitungan pada konfigurasi CE ini didapat
parameter-parameter sebagai berikut :
Tabel 4.9 Data percobaan karakteristik transistor pada rangkaian CE
Daerah
Kerja
Transitor
RB
(k)
RE
(k)
RC
(k)
IB
(mA)
IE
(mA)
IC
(mA)
Mati200
4 20- 0,028 2,62 2,598
Hidup 10 4 20 0,476 -0,12 0,596
Jenuh 4,7 2 200 - 0,795 - 0,755 1,5505
Contoh perhitungan :
CE daerah mati
Daya pada masing-masing kaki transistor dapat dihitung sebagai berikut:
PB = IB2 RB
= (- 0,028.10-3)2 x 200.103 Ω= 0,1568.10-3 W
PE = IE2 RE
= (2,62.10-3)2 x 4.103 Ω = 27,4576.10-3 WPC = IC
2 RC
= (2,598 .10-3)2 x 2.103 Ω = 13,49.10-3 WHasil perhitungan nilai daya pada masing-masing terminal pada transistor
rangkaian CE adalah sebagai berikut:
Tabel 4.10 Hasil perhitungan daya kaki-kaki transistor pada rangkaian transistor konfigurasi CE
Daerah
Kerja
PB
(Watt)
PE
(Watt)
PC
(Watt)
Mati 0,1568.10-3 27,4576.10-3 13,49.10-3
Hidup 2,26.10-3 0,05.10-3 50,47.10-3
Jenuh 2,97.10-3 1,14.10-3 480.10-2
6.2.2 Konfigurasi Common Collector
Dari data percobaan dan hasil perhitungan pada konfigurasi CC ini didapat
parameter-parameter sebagai berikut :
Tabel 4.11 Data percobaan karakteristik transistor pada rangkaian CC
Daerah
Kerja
Transitor
RB
(k)
RE
(k)
RC
(k)
IB
(mA)
IE
(mA)
IC
(mA)
Mati 2 0,386 14,8 -9,58 10,12 - 0,54
Hidup 1,5 0,228 2 - 1.334 0,019 1,315
Jenuh 86 1,2 20 0,22 0,461 -0.681
Contoh perhitungan :
CC daerah mati
Daya pada masing-masing kaki transistor dapat dihitung sebagai berikut:
PB = IB2 RB
= (-9,58.10-3)2 x 2. 103 Ω = 183,55.10-3 WPE = IE
2 RE
= (10,12.10-3)2 x 0,386.103 Ω = 29,53.10-3 WPC = IC
2 RC
= (- 0,54.10-3)2 x 14,8. 103Ω = 4,31.10-3 W
Hasil perhitungan nilai daya pada masing-masing terminal pada transistor
rangkaian CC adalah sebagai berikut:
Tabel 4.12Hasil perhitungan daya kaki-kaki transistor pada rangkaian transistor konfigurasi CC
Daerah
Kerja
PB
(Watt)
PE
(Watt)
PC
(Watt)
Mati 183,55.10-3 29,53.10-3 4,31.10-3
Hidup 2,65.10-3 8,2.10-8 3,45.10-3
Jenuh 4,16.10-3 0,255.10-3 9,27.10-3
6.2.3 Konfigurasi Common Base
Dari data percobaan dan hasil perhitungan pada konfigurasi CB ini didapat
parameter-parameter sebagai berikut :
Tabel 4.13 Data percobaan karakteristik transistor pada rangkaian CB
Daerah
Kerja
Transitor
RB
(k)
RE
(k)
RC
(k)
IB
(mA)
IE
(mA)
IC
(mA)
Mati 20 2 0,047 -0,144 1,86 -1,716
Hidup 10 1,8 20 -0,42 0,91 - 1,33
Jenuh 10 20 47 - 0,53 0,76 - 1,82
Contoh perhitungan :
CB daerah mati
Daya pada masing-masing kaki transistor dapat dihitung sebagai berikut:
PB = IB2 RB
= (-0,144.10-3)2 x 20.103 Ω = 0,414.10-3 W
PE = IE2 RE
= (1,86.10-3)2 x 2.103 Ω = 6,91.10-3 W
PC = IC2 RC
= (-1,716.10-3)2 x 47.10-3 Ω = 1,38.10-3 W
Hasil perhitungan nilai daya pada masing-masing terminal pada transistor
rangkaian CB adalah sebagai berikut:
Tabel 4.14 Hasil perhitungan daya kaki-kaki transistor pada rangkaian transistor konfigurasi CB
Daerah
Kerja
PB
(Watt)
PE
(Watt)
PC
(Watt)
Mati 0,414.10-3 6,91.10-3 1,38.10-3
Hidup 1,764.10-3 1,49.10-3 26,6.10-3
Jenuh 2,809.10-3 11,552.10-3 155,68.10-3
4.7 KESIMPULAN
1. Transistor adalah komponen aktif tiga terminal: Basis (B), Colektor
(C) dan Emitor (E), dibuat dari dua buah bahan semikonduktor dengan dua
tipe berbeda (semi konduktor tipe –n dan semi konduktor tipe –p) yang
disusun demikian sehingga tipe –n mengapit tipe –p atau sebaliknya
2. Transistor memiliki 3 rangkaian prasikap yaitu emiter sekutu, kolektor
sekutu dan basis sekutu.
3. Tiap rangkaian prasikap transistor memiliki 4 daerah kerja yaitu
daerah mati, daerah aktif, daerah jenuh dan daerah inactive, tetapi dalam
praktikum ini hanya dibahas 3 daerah saja yang ditentukan oleh kombinasi
hambatan yang akan memberikan prasikap pada sambungan emiter dan
sambungan kolektor.
4. Arus pada kolektor akan lebih besar dari arus basis hal ini
dikarenakan adanya penguatan β. Hal ini akan berakibat daya pada kaki
kolektor lebih besar daripada kaki basis.
5. Arus pada emiter memiliki nilai yang hampir sama dengan nilai arus
kolektor, hal ini dikarenakan arus emiter merupakan penjumlahan dari arus
basis yang relatif kecil dengan arus kolektor yang jauh lebih besar
6. Transistor dapat digunakan sebagai saklar jika dipekerjakan pada
daerah mati dan jenuh.