o

5
FIELD EFFECT TRANSISTOR 1. Tujuan: Pada akhir percobaan siswa dapat : Menggunakan FET untuk praktek Menggambarkan Karakteristiknya 2. Pendahuluan FET adalah transistor yang bekerja berdasarkan pengaruh medan listrik (transistor efek medan). Tidak seperti transistor bipolar, maka FET seolah-olah tak memerlukan arus input, oleh sebab itu ia hanya mempunyai tahanan input yang tinggi. FET dibagi atas 2 jenis antara lain : a. Junction FET (JFET) b. Mosfet (Metal oxide semiconductor FET) atau disebut juga IGFET (insulated gate FET) selanjutnya pada jobsheet ini hanya kita praktekkan JFET. Keuntungan-keuntungan FET dibandingkan transistor bipolar : a. Tahanan input tinggi b. Tahanan dalam FET tinggi c. Penguatan besar d. Noise rendah e. Stabil terhadap panas Karakteristik transfer FET mendekati persamaan : ID=IDSS (1-VGS/VP)2 Dimana : ID= arus drain IDSS= arus drain source pada kondisi saturasi (jenuh).(ampere). VGS= tegangan gate source (volt) VP = tegangan pinc off (volt) Transconductance

description

sbndnbsndbnsbndgsdhsgdjsgdjsbdnsbdnsbd

Transcript of o

FIELD EFFECT TRANSISTOR1. Tujuan:Pada akhir percobaan siswa dapat : Menggunakan FET untuk praktek Menggambarkan Karakteristiknya

2. Pendahuluan FET adalah transistor yang bekerja berdasarkan pengaruh medan listrik (transistor efek medan).Tidak seperti transistor bipolar, maka FET seolah-olah tak memerlukan arus input, oleh sebab itu ia hanya mempunyai tahanan input yang tinggi.FET dibagi atas 2 jenis antara lain :a. Junction FET (JFET)b. Mosfet (Metal oxide semiconductor FET) atau disebut juga IGFET (insulated gate FET) selanjutnya pada jobsheet ini hanya kita praktekkan JFET.Keuntungan-keuntungan FET dibandingkan transistor bipolar :a. Tahanan input tinggib. Tahanan dalam FET tinggic. Penguatan besard. Noise rendahe. Stabil terhadap panasKarakteristik transfer FET mendekati persamaan :ID=IDSS (1-VGS/VP)2Dimana :ID= arus drainIDSS= arus drain source pada kondisi saturasi (jenuh).(ampere).VGS= tegangan gate source (volt)VP = tegangan pinc off (volt)TransconductanceGm=-2IDSS/VP(1-VCS/VP)Dan pada keadaan transconductance maximumGmo = -2IDSS/VP

Alat yang dibutuhkan :1. Power Supply DC 0-60V2. Baterai 9 V3. Signal Generator4. Oscilloscope Trio5. Multimeter Sanwa6. FET 2sk197. Taransistor BC 1098. Tahanan modul9. LDR10. Diode 1A (IN 4002) 0.5 W11. Relay12. Variable Resistor 1k5

Gambar Rangkaian

ProblemRangkai gambar diagram 4.1 kemudian hasil pengukuran masukkan dalam table dan berdasarkan table evaluasi gambarkan grafiknya.ID=F(VDS) karakteristik drainID=F(VGS)karakteristik transfer

Rangkai gambar 4.2 kemudian masukkan hasil pengukuran ke table evaluasiBerdasarkan table evaluasi gambarkan grafik:ID=f(gm)Gambarkan pada kertas grafik gambar yang tampak pada oscilloscope

Junction FET dengan data-data sbb :IDSS=4mAVP=5Va. Hitung transconductance FET bila FET tsb mendapat bias VGS=-1,5 Vb. Pada rangkaian tersebut type FET apa yang digunakan P atau N?Lihat rangkaian di bawah, rangkaian apa jelaskan cara kerjanya dengan lengkap, kemudian praktekkan.

Berikan contoh lain FET pada rangkaian-rangkaian saklarTerangkan perbedaan perbedaan FET dibandingkan dengan transistor bipolarTerangkan dengan gambar dan jelaskan bagaimana menguji baik tidaknya FET dan sekaligus menentukan terminal-terminalnya.

Table EvaluasiTable evaluasi gambar rangkaian 4.1 karakteristik drainNoVGSID (mA)

VDS=0VDS=0,5VDS=1VDS=1,5VDS=2VDS=3VDS=5VDS=7VDS=8ket

10

2-0,5

3-1

4-1,5

5-2

6-2,5

7-3

Table evaluasi gambar rangkaian 4.1 Karakteristik transferNoVDS(Volt)ID (mA)

VDS=0VDS=-0,5VDS=-1VDS=-1,5VDS=2VDS=2,5VDS=3ket

15

27

38

Table evaluasi rangkaian 4.2 TransconductanceVDS (volt)VinVoutGmo

10100mV/1kHz

Table evaluasi gambar rangkaian 4.2 perubahan transconductance terhadap arus drainVDD= 10 VoltVin = 100 mV/1kHID(mA)Vout (V)GmoKeterangan

5

2

1

0,5