Laporan Tetap v Gema
12
5. DATA HASIL PERCOBAAN a. Data hasil percobaan JFET tipe N Vgs(V ) Vds(V) 0 % 347,6 2 10 % 456 25 % 559,6 7 50 % 912,6 3 100 % 15 0 % - 118,1 126,9 6 161,6 192,5 4 281,7 4 400 -5 % - 590,5 124,9 3 158.0 8 185,9 6 198,6 8 198,7 2 -10 % -1,18 V 67,11 67,11 67,11 67,11 67,13 -15 % -1,71 V 5,27 5,27 5,27 5,27 5,28 -20 % -2,36 V 0 0 0 0 0
-
Upload
uya-sr-kaisan -
Category
Documents
-
view
23 -
download
2
Transcript of Laporan Tetap v Gema
5. DATA HASIL PERCOBAAN
a. Data hasil percobaan JFET tipe N
Vgs(V)
Vds(V)
0 %
347,62
10 %
456
25 %
559,67
50 %
912,63
100 %
15
0 %
-118,1 126,96 161,6 192,54 281,74 400
-5 %
-590,5 124,93 158.08 185,96 198,68 198,72
-10 %
-1,18 V 67,11 67,11 67,11 67,11 67,13
-15 %
-1,71 V 5,27 5,27 5,27 5,27 5,28
-20 %
-2,36 V 0 0 0 0 0
b. Data hasil percobaan MOSFET tipe P
Vgs(V)
Vds(V)
0 %
13,04
10 %
14,99
100 %
15
0
118,1 0 0 0
35 %
4,13 130,43 166,66 94,05
50 %
5,9 130,43 166,66
12,63
A
75 %
8,85 130,43 166,66
12,89
A
100 %
11,18 130,43 166,66
12,95
A
6. PENGOLAHAN DATA
a. Nilai Gm untuk JFET tipe N
1). Untuk VDS = 0 Volt
Gm1 = mMho
Gm2 = mMho
Gm3 = mMho
b. Nilai Gm untuk MOSFET Tipe P
1). Untuk VDS = 0 Volt
Gm1 = mMho
Gm2 = mMho
Gm3 = mMho
LAMPIRAN GRAFIK
1. ID terhadap VDS untuk JFET
2. ID terhadap VDS untuk MOSFET
7. TUGAS DAN PERTANYAAN JAWABAN
Id
Vgs
Vgs
Id
1). Apa itu substrac dan inversion layer ?
Jawab
Substract adalah untuk mensetkan pengaliran elektron, arus akan mengalir
melalui saluran sempit yang dihasilkan oleh substrat. Substrat jg dapat
memaksimumkan lapisan deplesi
Inversion layer (semikonduktor) , lapisan dalam bahan semikonduktor dimana tipe carrier mayoritas perubahan sebaliknya dalam kondisi tertentu.
2). Data sheet FET
PTF 10043
12 Watts, 1.9–2.0 GHz
GOLDMOS® Field Effect Transistor
INTERNALLY MATCHED
Performance at 2.0 GHz, 26 Volts
- Output Power = 12 Watts Min
- Power Gain = 12 dB Typ at 3 Watts
- Efficiency = 45% Typ
Full Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
Back Side Common Source
Excellent Thermal Stability
• 100% Lot Traceability
Description
The PTF 10043 is an internally matched GOLDMOS FET intended
for large signal amplifier applications from 1.9 to 2.0 GHz. Rated at
12 watts, it operates at 45% efficiency with 12 dB gain. Nitride surface
passivation and full gold metallization ensure excellent device
lifetime and reliability.
10. LAMPIRAN GAMBAR PERALATAN
Modul BEE 422 C Power Supply
Multimeter
DAFTAR PUSTAKA
Malvino, Albert Paul.1999.Prinsip-Prinsip Elektronika. Jakarta: Erlangga
Chattopadhyay, D.1989.Dasar Elektronika.Jakarta:Universitas Indonesia
http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://id.wikipedia.org/wiki/MOSFET
Tim Dasar Elektronika.2011.Modul Praktikum Dasar Elektronika.Inderalaya :
Laboratorium Dasar Elektronika, Jurusan Teknik Elektro Fakultas, Fakultas
Teknik Universitas Sriwijaya.
Bishop, Owen.2002. Dasar-dasar Elektronika. Jakarta : Erlangga.
9. ANALISA HASIL PERCOBAAN
Pada kurva transkonduktansi digambarkan hubungan antara arus output ID, dan
tegangan input Vgs. Kurva transkonduktansi berbentuk parabola dan untuk
memperoleh harga gm, dapat kita lakukan dengan membaca harga – harga ID dan
Vgs pada grafik JFET maupun grafik MOSFET.
Adapun rumus mencari transkonduktansi ( gm ) sebagai berikut :
Dari persamaan di atas kita mengetahui bahwa transkonduktansi merupakan rasio
perbandingan dari arus pada drain dengan tegangan pada gate source.
Pada percobaan ini, grafik nilai transkonduktansi pada JFET terletak di
kuadran pertama karena perbedaan tegangan source pada JFET bernilai positif
sedangkan pada MOSFET, grafik nilai transkonduktansinya terletak di kuadran kedua
karena perbedaan tegangan sourcenya bernilai negatif.
10. KESIMPULAN
1. FET / MOSFET operasinya bergantung kepada pembawa mayoritas saja.
2. Menunjukkan hambatan – hambatan masukan yang sangat tinggi.
3. Tidak menunjukkan adanya selisih perimbangan atau offset pada arus drain nol.
4. JFET dan MOSFET merupakan komponen elektronika yang dapat digunakan
sebagai penguat.
