laporan dte cip

download laporan dte cip

of 35

Transcript of laporan dte cip

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    1/35

    LAPORAN RESMI

    PRAKTIKUM DASAR TEKNIK ELEKTRO

    PRAKTIKUM 01

    KARAKTERISTIK DIODA

    OLEH:

    KELOMPOK 1

    LABORATORIUM LISTRIK DASAR DAN OPTIK

    JURUSAN TEKNIK ELEKTRO DIPLOMA 3

    FAKULTAS TEKNIK

    UNIVERSITAS JEMBER

    2010

    1. Yoga Pratama / 091903102001

    2. Sutrisno / 091903102002

    3. M.Asharudin Firdaus / 091903102006

    4. Dzikirullah Riski A.M / 091903102013

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    2/35

    BAB I

    PENDAHULUAN

    1.1 Latar Belakang

    Dioda ialah jenis VACUUM tube yang memiliki dua buah elektroda. Dioda tabung

    pertama kali diciptakan oleh seorang ilmuwan dari Inggris yang bernama Sir J.A. Fleming(1849-1945) pada tahun 1904.

    Dioda termasuk komponen elektronika yang terbuat dari bahan semikonduktor.

    Beranjak dari penemuan dioda, para ahli menemukan juga komponen turunan lainnya yang

    unik. Dioda memiliki fungsi yang unik yaitu hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja.

    Struktur dioda tidak lain adalah sambungan semikonduktor P dan N. Satu sisi adalah

    semikonduktor dengan tipe P dan satu sisinya yang lain adalah tipe N. Dengan struktur

    demikian arus hanya akan dapat mengalir dari sisi P menuju sisi N.

    1.2 Tujuan

    Mahasiswa data mengerti dan memahami Karakteristik dioda

    1.3 Landasan Teori

    Dioda adalah komponen semiconductor yang paling sederhana, ia terdiri atas dua

    elektroda yaitu katoda dan anoda.

    Ujung badan dioda biasanya diberi bertanda, berupa gelang atau berupa titik, yang

    menandakan letak katoda.

    Dioda hanya bisa dialiri arus DC searah saja, pada arah sebaliknya arus DC tidak akan

    mengalir. Apabila dioda silicon dialiri arus AC ialah arus listrik dari PLN, maka yang

    mangalir hanya satu arah saja sehingga arus output dioda berupa arus DCBila anoda diberi potensial positif dan katoda negatif, dikatakan dioda diberiforward

    bias dan bila sebaliknya, dikatakan dioda diberi reverse bias. Pada forward bias, perbedaan

    voltage antara katoda dan anoda disebut threshold voltage atau knee voltage. Besar voltage ini

    tergantung dari jenis diodanya, bisa 0.2V, 0.6V dan sebagainya.

    Bila dioda diberi reverse bias (yang beda voltagenya tergantung dari tegangan catu)

    tegangan tersebut disebut tegangan terbalik. Tegangan terbalik ini tidak boleh melampaui

    harga tertentu, harga ini disebut breakdown voltage, misalnya dioda type 1N4001 sebasar

    50V.

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    3/35

    Dioda jenis germanium misalnya type 1N4148 atau 1N60 bila diberikan forward bias

    dapat meneruskan getaran frekuensi radio dan bila forward bias dihilangkan, akan memblok

    getaran frekuensi radio tersebut. Adanya sifat ini, dioda jenis tersebut digunakan untuk

    switch.

    Dioda Zener

    Dioda Zeneradalah suatu dioda yang mempunyai sifat bahwa tegangan terbaliknya

    sangat stabil, tegangan ini dinamakan tegangan zener.

    Di atas tegangan zener, dioda ini akan menghantar listrik ke dua arah. Dioda ini

    digunakan sebagai voltage stabilizer atau voltage regulator. Bentuk dioda ini seperti dioda

    biasa, perbedaan hanya dapat dilihat dari type yang tertulis pada bodynya dan zener voltage

    dilihat pada vademicum

    LED

    Suatu jenis dioda yang lain adalah Light Emiting Diode (LED) yang dapat

    mengeluarkan cahaya bila diberikan forward bias. Dioda jenis ini banyak digunakan sebagai

    indikator dan display. Misalnya dapat digunakan untuk seven segmen (display angka).

    Photodioda

    Photodioda atau dioda foto mempunyai sifat yang berkebalikan dengan LED yaitu

    akan menghasilkan arus listrik bila terkena cahaya. Besarnya arus listrik tergantung dari

    besarnya cahaya yang masuk.

    Dioda Varactor

    Dioda Kapasiansi Variabelyang disebut juga dioda varicap atau dioda varactor. Sifat

    dioda ini ialah bila dipasangkan menurut arah terbalik akan berperan sebagai kondensator.

    Kapasitansinya tergantung pada tegangan yang masuk. Dioda jenis ini banyak digunakan pada

    modulator FM dan juga pada VCO suatu PLL (Phase Lock Loop).

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    4/35

    Dioda Bridge

    Dioda bridge adalah dioda silicon yang dirangkai menjadi suatu bridge dan dikemas

    menjadi satu kesatuan komponen. Di pasaran terjual berbagai bentuk dioda bridge dengan

    berbagai macam kapasitasnya. Ukuran dioda bridge yang utama adalah voltage dan ampere

    maksimumnya. Dioda bridge digunakan sebagai penyearah pada power supply.

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    5/35

    BAB II

    METODOLOGI PRAKTIKUM

    2.1.Alat dan Bahan

    1. Project board

    2. Dioda

    3. Kabel

    4. Power Supply

    2.2.Gambar Rangkaian

    2.3 Prosedur Kerja

    1. Menyiapkan alat dan bahan yang diperlukan.

    2. Merangkai komponen seperti gambar di atas.

    3. Memberi tegangan sebesar 0,5 V, 1 V, 2 V, 3 V, 4 V, dan 5 V pada

    transistor.

    4. Mengukur arus yang mengalir pada basis (IB), kolektor (IC) dan

    emitor (IE).

    5. Mencatat hasil pengukuran pada table percobaan.

    6. Memberi kesimpulan

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    6/35

    2.4 Metode Analisa Data

    BAB IIIANALISA DATA HASIL PERCOBAAN DAN PEMBAHASAN

    3.1 Data Hasil Percobaan dan Grafik

    No Tegangan

    ( volt)

    Arus Dioda ( Id)

    (Amper)

    Tegangan output (Vd)

    ( volt)

    1 0.1 0.108 0.001

    2 0.2 0.193 0.001

    3 0.3 0.284 0.0014 0.4 0.398 0.06

    5 0.5 0.503 0.8

    6 0.6 0.588 3.43

    7 0.7 0.619 9.41

    8 0.8 0.665 9.93

    9 0.9 0.619 18.42

    10 1 0.698 20.47

    0

    0.1

    0.2

    0.3

    0.4

    0.5

    0.6

    0.7

    0.8

    0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2

    sumber tegangan

    V(dioda)

    Vdioda(volt)

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    7/35

    -5

    0

    5

    10

    15

    20

    25

    0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2

    sumber tegangan

    I(dio

    da)

    I dioda(mVolt)

    3.2 Pembahasan

    Dari data praktikum diperoleh data tegangan dan arus yang mempengaruhi

    sebuah diode pada saat diarangkai dengan sebuah sumber tegangan 0.0 sampai

    tegangan 1 volt.Pada saat diberi tegangan 0.1volt v diode mencapai tegangan

    108.6miliVolt dan arus 0.01 miliAmper,pada saat tegangan tersebut sebuah diode

    mempunyai karakteristik belum menghantar secara penuh.

    Kenaikan tegangan pada sebuah dioda akan linier terjadi pada tegangansumber mulai 0.3volt;0.4volt;0.5volt dan seterusnya.Dapat dibuktikan pada tegangan

    sumber 0.4 volt ,Vdioda :0.398volt dan Idioda:0.06volt.Tegangan sunber 0.5volt

    ,Vdioda 0.503 dan Idioda :0.8miliAmper ,dan akan mencapai awal kenaikan secara

    linier dimulai pada tegangan 0.6volt Vdioda :0.588voltdan Idioda:3.43miliAmper

    .kenaikan tegangan yang cukup drastis hingga pada tegangan sumber 1volt Vdiode :

    0.698volt dan Idiode:20.47miliAmper.Keadaan ini dapat dicapai sebab pada sebuah

    diode mempunyai karakteristik yang akan bekerja nmenghantarkan arus pada

    tegangan sumber 0.6volt.

    Pada tegangan tersebut sebuah diode dapat terhubuung dengan baik karena

    sifat sebuah semikonduktor aka nada paksaan loncatan electron sehingga pada

    keaadaan tersebut sebuah dioda akan dipaksa menghantar .dan dari data diatas diode

    yang kami pakai pada waktu praktikum dapat dikategorikan sebagai diode type

    silicon karena diode diode type silicon akan bekerja pada tegangan 0.7 nolt

    sedangkan type germanium akan bekerja pada teganngan 0.3-0.4volt.selain hal diatas

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    8/35

    sebuah diode dapat dianalogikan sebagai sebuah saklar yang akan bekerja pada

    tegangan 0.6 volt.Dan sebaliknya pada saat dibias balik sebuah dioda akan

    dianalogikan sebagai sebuah saklar yang terbuka,sebab pada saat ini sebuah dioda

    mempunyai nilai hambatan yang takterhingga .Pada praktikum dioda saat ini tegangan

    sumber akan berpengaruh pada hasil data percobaan,sebad tegangan yang cukup kecil

    sehingga mengalami kesulitan pada saat mengukur arus yang cukup kecil sekali.

    Selain beberapa hal diatas dapat dicapai sebuah hubungan Vsumber dengan

    Vdioda yang akan merupakan suatu hubungan yang sangat erat dengan karakteristik

    sebuah dioda yang akan bekerja pada suatu titik yang disebut titik tegangan kaki

    yakni pada tegangan 0.7 volt yang merupakan karakteristik type silicon.hal ini tejadi

    karena ada konduktivitas yang cukup tinggi pada saat dioda mencapai fase

    ini.sehingga arusnya pun secara linier akan ikut naik juga.dan beberapa kenaikan

    tersebut akan terlihat jelas pada grafik hubungan Vsumber dengan Idioda maupun

    Vdioda.

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    9/35

    BAB IV

    PENUTUP

    4.1 Kesimpulan

    1.Tegangan Knee atau tegangan operasional akan terjadi pada saat tegangan

    sumber mencapai 0.6 volt

    2. Karakteristik Dioda germanium mempunyai tegangan Operasi 0,3 volt

    3. Karakteristik dioda silicon mempunyai tegangan operasi 0.7 volt

    3. Arus yang cukup besar menyebabkan kerusakan pada sebuah dioda karena

    arus balik.

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    10/35

    LAPORAN RESMI

    PRAKTIKUM DASAR TEKNIK ELEKTRO

    PRAKTIKUM 02

    KARAKTERISTIK TRANSISTOR

    OLEH:

    KELOMPOK 1

    LABORATORIUM LISTRIK DASAR DAN OPTIK

    JURUSAN TEKNIK ELEKTRO DIPLOMA 3

    FAKULTAS TEKNIK

    UNIVERSITAS JEMBER

    2009

    5. Yoga pratama / 091903102001

    6. M. Asharudin Firdaus / 091903102006

    7. Sutrisno / 091903102002

    8. Dzikirullah Rizky A.M / 091903102013

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    11/35

    BAB I

    PENDAHULUAN

    1.2 Latar Belakang

    Transistor merupakan komponen elektronika yang berperan penting pada

    hamper semua komponen elektronika. Transistor dihubungkan ke rangkaian sebagai

    komponen terpisah atau dalam bentuk terpadu dalam suatu chip.

    Transistor memiliki tiga kutub atau kaki yang diberi nama : Kolektor (C),

    Basis (B), dan Emitor (E). Transistor dapat digunakan sebagai penguat arus (current

    amplifier) dan saklar elektronik.

    Prinsip kerja dari transistor yaitu jika pada basis mengalir arus IB, maka pada

    kolektor mengalir arus IC dan pada emitor mengalir arus IE dengan hubungan :

    IE = IB + IC

    1.3 Tujuan Praktikum

    Mahasiswa dapat mengerti dan memahami karakteristik transistor.

    1.4 Landasan Teori

    Pada prinsipnya, suatu transistor terdiri atas dua buah dioda yang disatukan.

    Agar transistor dapat bekerja, kepada kakikakinya harus diberikan tegangan, tegangan

    ini dinamakan bias voltage. Basisemitor diberikan forward voltage, sedangkan

    basiskolektor diberikan reverse voltage. Sifat transistor adalah bahwa antara kolektor

    dan emitor akan ada arus (transistor akan menghantar) bila ada arus basis. Makin

    besar arus basis makin besar penghatarannya.

    Berbagai bentuk transistor yang terjual di pasaran, bahan selubung

    kemasannya juga ada berbagai macam misalnya selubung logam, keramik dan ada

    yang berselubung polyester. Transistor pada umumnya mempunyai tiga kaki, kaki

    pertama disebut basis, kaki berikutnya dinamakan kolektor dan kaki yang ketiga

    disebut emitor.

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    12/35

    Suatu arus listrik yang kecil pada basis akan menimbulkan arus yang jauh

    lebih besar diantara kolektor dan emitornya, maka dari itu transistor digunakan untuk

    memperkuat arus (amplifier).

    Terdapat dua jenis transistor ialah jenis NPN dan jenis PNP. Pada transistor

    jenis NPN tegangan basis dan kolektornya positif terhadap emitor, sedangkan pada

    transistor PNP tegangan basis dan kolektornya negatif terhadap tegangan emitor.

    Transistor dapat dipergunakan antara lain untuk :

    Sebagai penguat arus, tegangan dan daya (AC dan DC)

    Sebagai penyearah

    Sebagai mixer

    Sebagai osilator

    Sebagai switch

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    13/35

    BAB II

    METODOLOGI PRAKTIKUM

    2.1 Alat dan Bahan

    1. Project board

    2. Transistor

    3. AVO meter

    4. Resistor

    5. Power supply

    6. Kabel

    2.2 Gambar Rangkaian

    2.3 Prosedur Kerja

    7. Siapkan alat dan bahan yang diperlukan.

    8. Rangkai komponen seperti gambar di atas.

    9. Lalu berilah tegangan sebesar 0,5 V, 1 V, 2 V, 3 V, 4 V, dan 5 V pada

    transistor.

    10. Ukurlah arus yang mengalir pada basis (IB), kolektor (IC) dan emitor

    (IE).

    11. Catat hasil pengukuran pada table percobaan.

    12. Berilah kesimpulan.

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    14/35

    2.4 Metode Analisa Data

    Pada praktikum kali ini dibahas tentang karakteristik transistor. Dimana pada

    praktikum ini persamaan yang digunakan diantaranya:

    IE = IB + IC

    Dimana : IE = arus pada Emitor

    IB = arus pada Basis

    IC = arus pada Kolektor

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    15/35

    BAB III

    ANALISA DATA HASIL PERCOBAAN DAN PEMBAHASAN

    3.2 Data Hasil Percobaan

    NO Vs I b I e I c

    1 0,5 V 0.01 mA 0.01 mA 0.01mA

    2 1 V 0.03mA 12.59mA 12.47mA

    3 2 V 4.25mA 39.2mA 35.5mA

    4 3 V 16.35mA 69.3mA 50.5mA5 4 V 29.70mA 95mA 63.1mA

    6 5 V 45.1 mA 125.6mA 80.7mA

    3.3 Pembahasan

    Transistor adalah 2 buah dioda yang disatukan agar transistor dapat bekerja

    pada kaki-kakinya di beri tegangan. Tegangan ini dinamakan bias voltage. Basis

    emitor diberikan forward voltage,sedamgkan basis collector di berikan reverse

    voltage. Sifat transistor adalah bahwa antara collector dan emitor akan ada arus

    (transistor adkan mengahantar) bila ada arus basis. Makin besar arus basis makin

    besar penghantarnya.

    Hubunga arus pada transistor sama halnya sperti hokum kirchoff I yang

    mengatakan bahwa jumlah arus yang mengalir pada suatu rangkaian sama dengan

    jumlah arus yang keluar pada percabangan.

    Pada praktikum ini digunakan tegangan masukan pada basis dan kolektor

    sebesar 0,5V

    1 V, 2 V, 4 V dan 5 V. pada praktikum ini yang diukur adalah arus listriknya, karena

    untuk tegangannya nilainya sama seperti tegangan masukannya.

    Dari data diatas dapat diketahui bahwa nilai arus listrik pada Emitor (IE) sama

    dengan penjumlahan antara nilai arus listrik pada Basis (IB) dengan nilai arus listrik

    pada kolektor

    (IC).dapat ditulis dengan rumus

    IE = IB + IC

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    16/35

    Dimana : IE = arus pada Emitor

    IB = arus pada Basis

    IC = arus pada Kolektor

    Pada tegangan 1 V

    IE = IB + IC

    12.59mA= 0.03 mA + 12.43 mA

    Pada tegangan 2 V

    IE = IB + IC

    39.2mA= 4.25 mA + 35.5 mA

    Pada tegangan 3 V

    IE = IB + IC

    69.3 mA = 16.35 mA + 50.5 mA

    Dari data percobaan didapatkan bahwa arus listrik yang mengalir pada IB

    nilainya lebih besar dari arus listrik yang mengalir pada IC. Berdasarkan data

    percobaan transistor baru dapat menghantarkan arus listrik pada saat tegangan

    masukannya 1 V sedangkan pada saat tegangan masukannya dibawa 1 V transistor

    tidak bisa mengalirkan arus listrik.

    Dari data-data yang diambil pada praktikum pasti ada selisih data yang

    disebabkan ad kesalahan pembacaan alat ukur pada saat praktikum, kurang stabilnya

    tegangan sehingga pembacaan pada alat ukur selalu berubah-berubah. Oleh karena itu

    ada eror persen yang dapat diketahui berapa persen kesalahan tersebut.

    Contoh :

    IE = IB + IC

    66.85 mA = 16.35 mA + 50.5 mA

    Pada praktikum 69.3 mA maka selisih pengukuran 2.45 mA

    Arus yang masuk pada basis akan menimbulkan arus yang jauh lebih besar

    antara collector dan emitornya. Dan ketika tegangan di rubah maka arus yang masuk

    pada basis akan berubah pula dan akan menimbulkan arus yang jauh lebih besar

    antara collector dan emitornya dari basis.

    Contoh :

    Basis = 0.03 mA

    Collector = 12.43 mA

    Pada tegangan 4 V

    IE = IB + IC

    95mA = 29.7 mA + 63.1 mA

    Pada tegangan 5 V

    IE = IB + IC

    125.6 mA = 45.1 mA + 80.1 mA

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    17/35

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    18/35

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    19/35

    LAPORAN RESMI

    PRAKTIKUM DASAR TEKNIK ELEKTRONIKA

    PERCOBAAN 3

    ARUS, TEGANGAN, DAN HAMBATAN

    OLEH

    KELOMPOK 11. Yoga Pratama / 091903102001

    2. Sutrisno / 091903102002

    3. M.Asharudin Firdaus / 091903102006

    4. Dzikirullah Riski A.M / 091903102013

    LABORATORIUM LISTRIK DASAR DAN OPTIK

    JURUSAN TEKNIK ELEKTRO DIPLOMA III

    FAKULTAS TEKNIK

    UNIVERSITAS JEMBER

    2009

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    20/35

    BAB I

    PENDAHULUAN

    1.1 Latar belakang

    Prakikum kali ini kita akan menganalisa arus,tegangan dan hambatan.ini

    merupakan dasar dari sebuah analisa kita mengenai teori rangkaian,sehingga

    nantinya kita bias menguasai beberapa konsep tentang teori rangkaiandalam

    praktikum ini kita akan menjumpai beberapa hukum yang dipakai pada rangkaian

    yakni hukum Kirchoff dan hukum Ohm

    1.2 Tujuan Praktikum

    Mahasiswa dapat mengerti dan memahami hubungan antara arus, tegangan, danhambatan

    1.2 Landasan Teori

    Hubungan antara arus, hambatan dan tegangan ini dikenal sebagai hukum

    Ohm.Sesuai dengan hukum ohm tersebut jika suhu tidak mengalami perubahan, rasio dari

    pada ujung-ujung sebuah konduktor terhadap arus yang mengalir dalam konduktor itu adalah

    sebuah konstanta. Sehingga, menghasilkan hubungan:

    R = V/ I

    Dimana V adalah beda potensial atau jatuh tegangan (voltage drop) dalam volt (V), I adalah

    arus dalam ampere (A), dan R adalah resistansi dalam ohm (), (Mike Tooley, 2003).

    Sedangkan hokum pada suatu titik percabangan sama dengan jumblah arus yang

    keluar dari titik percabangan tersebut.jika ditulis dalam bentuk perumusan adalah sebagai

    beerikut:

    Imasuk+Ikeluar =0

    Hukum Kirchoff tegangan mempunyai pernyataan yang hampir sama dengan

    hokum Kirchoff Arus tetepi juga merupakan pengembangan dari hokum Ohm,yang bahwa

    jumblah tegangan (baik berupa sumber tegangan maupun tegangan yang ada pada

    komponen )pada suatu loop(jaringan tertutup)sama dengan nol.hal ini dapat dinyatakan

    dengan persamaan matematis sebagai berikut:

    V+I.R =0

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    21/35

    Berdarsarkan hukum Ohmdan Hukum Kirchoff,maka kita dapat mengetahui dan

    menyelidiki adanya arus maupun teganga dalam suatu rangkaian dengan beberapa tahanan.

    BAB 2

    METODOLOGI PRAKTIKUM

    2.1 Alat dan Bahan

    1. Project board

    2. Resistor

    3. Kabel

    4. Power Supply

    2.2 Gambar rangkaian

    2.3 Prosedur Kerja

    1. Menyiapkan alat dan bahan yang diperlukan.

    2. Merangkai komponen seperti gambar di atas.

    3. Memberi tegangan sebesar , 5 V dan 10 V pada rangkaian diatas

    4. Mengukur arus yang mengalir dan tegngan tiap-tiap resistor

    5. Mencatat hasil pengukuran pada table percobaan.

    6. Memberi kesimpulan

    2.4 Metode Analisa Data

    Rp = R1xR5

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    22/35

    R4 + R5

    BAB III

    ANALISA HASIL PERCOBAAN DAN PEMBAHASAN

    3.1 DATA HASIL PRAKTIKUM

    Tabel 3.1 Data Arus listrik listrik pada hambatanVs I R1 I R2 I R3 I R4

    5 volt 125.5 mA 83.6 mA 43.8 mA 43.8 mA

    10 volt 253.5 mA 168.8 mA 88.8 mA 88.8 mA

    Tabel 3.2 Data Tegangan pada hambatan

    Vs VR1 VR2 VR3 VR4

    5 volt 2.998 V 1.996 V 0.995 V 0.970 V

    10 volt 6.14 V 4.19 V 1.997 V 2.039 V

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    23/35

    3.2 PEMBAHASAN

    Pada praktikum kali ini kita melakukan percobaan arus, tegangan, dan

    hambatan. Kita meneliti arus, tegangan, dan hambatan pada rangkaian resistor

    yang dirangkai secara paralel dan seri.

    Pada percobaan ini kita menggunakan 5 buah resistor yang dirangkai

    secara paralel dan seri serta menggunakan sumber tegangan dc.

    Pada percobaan ini didapatkan data hasil percobaan sebagai berikut:

    Nilai arus pada resistor

    Vs I R1 I R2 I R3 I R4

    5 volt 125.5 mA 83.6 mA 43.8 mA 43.8 mA

    10 volt 253.5 mA 168.8 mA 88.8 mA 88.8 mA

    Nilai tegangan pada resistor

    Vs VR1 VR2 VR3 VR4

    5 volt 2.998 V 1.996 V 0.995 V 0.970 V

    10 volt 6.14 V 4.19 V 1.997 V 2.039 V

    Pada data diatas dapat diketahui bahwa suatu hambatan/resistor yang

    dirangkai secara paralel apabila di aliri tegangan dan arus listrik maka akan

    didapatkan nilai arus listrik yang berbeda antara I R1 (125,5 mA) dengan I R2

    (83.6 mA) pada saat tegangan sumber 5 volt dan I R1 (253.5 mA) dengan I R2

    (168.8 mA) pada saat tegangan sumber 10 volt , serta didapatkan nilai tegangan

    yang sama pada saat resistor dirangkai secara seri, dibuktikan pada data berikut:

    Pada saat tegangan sumber 5 volt didapatkan nilai VR1 (4,93 V) dan VR2 (4,86 V)

    sedangkan pada saat tegangan sumber 10 volt didapatkan nilai VR1 (9,9 V) dan

    VR2 (9,9 V).

    Hal ini membuktikan bahwa pada rangkaian paralel didapatkan nilai

    tegangan yang sama dan nilai arus listrik yang berbeda (nilai nya terbagi

    sebanyak rangkaiannya). Apabila pada rangkaian seri didapatkana nilai tegangan

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    24/35

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    25/35

    PENUTUP

    4.1 KESIMPULAN

    1. Pada hambatan yang dirangkai secara seri nilai tegangan akan berbeda pada

    masing-masing hambatan.

    2. Pada hambatan yang dirangkai secara seri nilai arus listrik yang sama pada

    masing-masing hambatan.

    3. Pada hambatan yang dirangkai secara paralel nilai tegangan akan sama pada

    masing-masing hambatan.

    4. Pada hambatan yang dirangkai secara paralel nilai arus listrik akan berbeda

    pada masing-masing hambatan.

    5. Apabila nilai suatu hambatan semakin besar maka nilai tegangan akan

    semakin besar dan juga sebaliknya.

    6. Hukum ohm mengatakan bahwa tegangan berbanding lurus dengan arus dan

    berbanding terbalik dengan hambatan.

    7. Hukum kirchoff I jumlah arus yang masuk sama dengan jumlah arus yang

    keluar dalam suatu percabangan.

    8. Hukum kirchoff II jumlah tegangan dalam suatu rangkaian tertutup adalah

    nol.

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    26/35

    ]

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    27/35

    LAPORAN RESMI

    PRAKTIKUM DASAR TEKNIK ELEKTRONIKA

    PERCOBAAN 4

    RANGKAIAN RLC

    OLEH

    KELOMPOK 1

    1. Yoga Pratama / 0919031020012. Sutrisno /091903102002

    3. M.Asharudin Firdaus / 091903102006

    4. Dzikirullah Riski A.M / 091903102013

    LABORATORIUM LISTRIK DASAR DAN OPTIKJURUSAN TEKNIK ELEKTRO DIPLOMA III

    FAKULTAS TEKNIK

    UNIVERSITAS JEMBER

    2010

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    28/35

    BAB I

    PENDAHULUAN

    1.5 Latar Belakang

    Komponen pasif yang sering digunakan dalam suatu rangkaian

    elektronika adalah resistor,kapasitor,dan inductor.ketiga rangkaian tersebut

    memiliki perbedaaan yakni beda fasa tiap komponen,maka dari percobaan ini

    kami mencoba untuk menganalisa karaktristik tiap konponen.

    1.6 Tujuan Praktikum

    Menentukan impedansi pada rangkaian R, L dan C seri

    Mengetahui pengaruh frekuensi terhadap impedansi, reaktansi induktif dan

    reaktansi kapasitif

    Mengamati gejala resonansi pada arus bolak balik

    1.7 Landasan Teori

    Tegangan bolak-balik dapat dilukiskan dengan persamaan :

    V = Vo Sin 2f t

    Bentuk tegangan bolak-balik:

    Pengukuran tegangan dengan volt meter bolak-balik (AC volt meter)

    menghasilkan tegangan efektif, bukan tegangan maksimum Vo. Tegangan efektif

    biasa disebut tegangan rms (root mean square) : Vrms = Veff= Vo/2 = 0.707 Vo

    Yang terbaca pada ampere meter bolak-balik juga arus efektif :

    I rms = Ieff = Io/2 = 0.707 Io

    Tegangan 110 V atau 220 V yang diberikan oleh PLN ialah tegangan rms, bukan

    tegangan maksimum.

    Voltmeter bolakbalik dibuat untuk frekuensi disekitar 50 Hz. Osiloskop

    mempunyai hambatan dalam yang amat besar, hingga dalam pemakaian tidak

    akan mengganggu rangkaian. Lain dari itu osiloskop langsung mengukur periode

    T dan tegangan V.

    Hukum Ohm untuk arus bolak-balik :

    V

    t

    Vpp

    Vp

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    29/35

    a. Hambatan Murni : Vo = Io . R

    R : hambatan , resistensi satuan ohm

    Tegangan Vo dan arus Io sefasa.

    b. Induktor Diri : Vo = Io . XL

    XL = 2fL, reaktansi induktif satuan ohm

    L = Induktansi diri satuan H (Henry)

    Tegangan Vo mendahului Io dengan beda fasa 900.

    c. Kapasitor Murni : Vo = Io . Xc

    Xc =fC2

    1, reaktansi kapasitif satuan ohm

    C = Kapasitansi satuan F (farad)

    Tegangan Vo terlambat dari arus Io dengan fasa 900.

    Catatan : Vo dan Io harga maksimum atau rms.

    Rangkaian RLC

    Karena beda fase :

    Vad Vab + Vbc + Vcd

    Dengan menggunakan penjumlahan fasor.

    Vad = Io Z, Z =22 )(

    CLXXR + dan Tan =

    R

    XXCL

    Daya dengan arus bolak-balik :

    P = Vrms . Irms . Cos

    Daya denga arus searah : P = VI cos

    Faktor f daya bernilai antara 0 sampai 1.

    a. Untuk hambat murni cos = 1

    b. Untuk induktor cos = 0 (R = 0)

    c. Untuk kapasitor murni cos = 0 (R = 0)

    R L C

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    30/35

    BAB II

    METODOLOGI PRAKTIKUM

    2.5 Alat dan Bahan

    a. Power signal generator

    b. Osiloskop

    c. Capasitor, Resistor dan Kumparan (induktor)

    d. Multimeter

    e. Kabel-kabel penghubung

    2.6 Gambar Rangkaian

    2.7 Prosedur Kerja

    1. merangkai seperti gambar rangkaian di atas

    2. mengubah tegangan 5 VPP

    3. mengubah frekuensi 100 1000 Hz

    4. mencatat tegangan masing masing komponen menggunakan osciloscope

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    31/35

    BAB III

    ANALISA DATA HASIL PERCOBAAN DAN PEMBAHASAN

    3.4 Data Hasil Percobaan

    Pengukuran pada R=1k

    f (Hz) V/div T/div t l pengukuran voltmeter

    100 5 V/div 5 ms/div 2 2 1.892

    200 5 V/div 5 ms/div 2 1 2.7799

    300 2 V/div 2 ms/div 4.8 1.6 3.1317

    400 2 V/div 1 ms/div 4.8 2.6 3.2905

    500 5 V/div 1 ms/div 2 2 3.3727

    600 5 V/div 1 ms/div 2 1.6 3.4201700 5 V/div 1 ms/div 2 1.5 3.4496

    800 5 V/div 1 ms/div 2 1.2 3.4692

    900 5 V/div 1 ms/div 2 1.1 3.4828

    1000 5 V/div 1 ms/div 2 1 3.4927

    Pengukuran pada L=0.008mH

    f (Hz) V/div T/div t l pengukuran voltmeter

    100 2 V/div 5 ms/div 4 2 0.09669

    200 2 V/div 2 ms/div 3 2.6 0.2832

    300 1 V/div 2 ms/div 4.8 1.8 0.4786

    400 1 V/div 1 ms/div 3.6 2.6 0.67

    500 1 V/div 1 ms/div 2.8 2 0.859

    600 1 V/div 1 ms/div 2.4 1.6 1.0452

    700 1 V/div 1 ms/div 2 1.4 1.2299

    800 5 V/div 1 ms/div 3.8 1.2 1.435

    900 5 V/div 1 ms/div 3.4 1.1 1.5964

    1000 5 V/div 1 ms/div 3 1 1.7788

    Pengukuran pada C=1F

    f (Hz) V/div T/div t l pengukuran voltmeter

    100 2 V/div 5 ms/div 4 2 2.9831

    200 2 V/div 2 ms/div 3 2.6 2.1845

    300 2 V/div 2 ms/div 4.8 1.8 1.6406400 1 V/div 1 ms/div 3.6 2.6 1.2928

    500 1 V/div 1 ms/div 2.8 2 1.06

    600 1 V/div 1 ms/div 2.4 1.6 0.8957

    700 1 V/div 1 ms/div 2 1.4 0.7744

    800 1 V/div 1 ms/div 3.8 1.2 0.6814

    900 0.5 V/div 1 ms/div 3.4 1.1 0.608

    1000 0.5 V/div 1 ms/div 3 1 0.5488

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    32/35

    3.2 Pembahasan

    Pada praktikum kali ini kita meneliti tentang resonansi dari sebuah rangkaian

    R-L-C yang dirangkai secara Seri. Pada praktikum kali ini kita menggunakan sebuah

    resistor 1 k, sebuah elco 1F dan dua buah induktor 0.008 mH.

    Dalam rangkaian R-L-C pada R tidak ada beda fase antar tegangan dan arus

    nya.pada L akan terjadi beda fase antara arus dan tegangan karena Reaktansi Induktff

    hambatan induktor pada rangkaian arus bolak-balik. XL = 2f.L. Jadi beda fase

    dalam rangkaian induktif 90 (arus ketinggalan 90 dari tegangan).

    Untuk C akan terjadi beda fase juga karena hambatan kapasitor pada

    rangkaian arus bolak-balik XC = 1/(2f.C). Jadi beda fase dalam rangkaian kapasitif

    90 (arus mendahului 90 dari tegangan).

    Pada praktikum kali ini kita menganalisa nilai tagangan pada tiap komponen

    R-L-C,dan ditunjang dengan pembacaan pada osciloscop.dibawah ini kita lihat hasil

    perhitungan XL dan XC.

    XL = 2f.L

    =2x3.14x200x0.008

    =85,408

    Xc=1/(2f.C).

    =1/(2x3.14x200x10-6

    =796,17

    Dalam praktikum memperoleh data pada f = 200Hz pada tegangan resisitor.

    V/Div = 1 t = 2,8 T/Div = 5 l = 2

    Jadi untuk mencari Vdc adalah

    Vm = V/Div x t

    = 1 x 2.8

    = 2.8 v

    Sedangkan Vdc teori adalah

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    33/35

    Vdc = Vm/

    = 2.8 / 3.14

    = 0.891 v

    Dari data-data tersebut ada selisih data yang disebabkan oleh kesalahan pengukuran

    pembacaan alat ukur pada saat praktikum oleh karena itu ada eror % yang dapat

    mengetahui seberapa % kesalahan yang terjadi pada saat praktikum dengan teori :

    Eror % = HT-HP x 100 %

    HP

    = 0,891-1.039 x 100 %

    1.039

    = 14,24 %

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    34/35

    BAB IV

    PENUTUP

    4.1 Kesimpulan

    1. Pada reaktansi induktif arus dan tegangannya terjadi beda fase 90 (arus

    ketinggalan 90 dari tegangan).

    2. Pada reaktansi kapasitif arus dan tegangannya terjadi beda fase 90 (arus

    mendahului 90 dari tegangan).

    3. Pada reaktansi resistif arus dan tegangannya sefasa.

  • 8/6/2019 laporan dte cip

    35/35