Insulated Gate Bipolar Transistor
-
Upload
yusuf-isman-wibowo -
Category
Documents
-
view
137 -
download
2
Transcript of Insulated Gate Bipolar Transistor
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Disusun Oleh :Ervan Karunia
Lucky Primadana
Tomy Andhika
Yusuf Isman Wibowo
PENDAHULUAN IGBT adalah piranti semikonduktor dengan
tiga terminal yang setara dengan gabungan sebuah transistor bipolar (BJT) dan sebuah transistor efek medan (MOSFET) yang tercatat untuk efisiensi tinggi dan cepat berpindah.
IGBT mempunyai sifat kerja yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Terminal gate dari IGBT, sebagai terminal kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat (insulator) sebagaimana pada MOSFET.
GAMBAR
CARA KERJA
KARAKTERISTIK
Saat keadaan OFF nilai tahanan saklar mendekati tak terhingga sehingga arus bocor sangat kecil dan saat keadaan ON nilai tahanan saklar mendekati nol sehingga drop tegangan sangat kecil
KURVA KARAKTERISTIK
APLIKASI IGBT PADA INVERTER KONTROL MOTOR