IDA USMAN Penumbuhan Lapisan Tipis Kadmi

download IDA USMAN Penumbuhan Lapisan Tipis Kadmi

of 32

Transcript of IDA USMAN Penumbuhan Lapisan Tipis Kadmi

  • USUL

    PENELITIAN FUNDAMENTAL

    PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS KADMIUM OKSIDA DENGAN METODE PCI UNTUK APLIKASI

    ELEKTRODA TRANSPARAN PADA DIVAIS SEL SURYA

    TIM PENELITI:

    Dr. Ida Usman (NIDN. 0018047204)

    Waode Sukmawati Arsyad, S.Si., M.Si. (NIDN. 0003038202)

    UNIVERSITAS HALUOLEO APRIL 2013

    Kode/Nama Rumpun Ilmu : 111 / Fisika

  • Judut Keglatan

    Kode/l'Iama Rumpnr IImuKfi&PodffiA. Nama LengkapB. MDNC. Jabatan FungsionalD. Program StudiE. Nomor HPF. Surel (e-mail)

    AnffiotaPerffir (1)A. Nama LengkapB. NIDNC. Perguruan Tinggi

    IamPoelitianl(*lffirhanPmfitrmTatnmkeBfaya Penelitfam l(mekmhmBlalraTahun Bedalan

    HALAMAN PENGESAHANPENELITIAN FTTNDAMENTAL

    Penumbuhan Lapisan Tipis Kadmium Oksida Dengan Metode PCI UntukAplikasi Elektroda Transparan Pada Divais Sel Surya111 / Fisika

    DT.IDA USMAN S.Si., M.Si.0018047204LektorFisika08157046972idausman 1 [email protected]

    WA ODE SUKMAWATI ARSYAD0003038202UNIVERSITAS HALUOLEO2 Tahun1

    Rp 146.0ffi.000,00- diusulkan ke DIKTI- dana internal PT- dana institusi lain- inkindsebutkan

    Kendari, lT -4-2013,Ketua Peneliti,

    Rp 73.000.000,00Rp 0,00Rp 0,00

    NIPINIK 19511231

    $.ffi&r,ffie

    181999031002

    NTPINIK I S550801 1$8403n0M

  • 2

    DAFTAR ISI

    HALAMAN PENGESAHAN ............................................................................................... 1

    DAFTAR ISI ......................................................................................................................... 2

    RINGKASAN ........................................................................................................................ 3

    BAB 1. PENDAHULUAN .................................................................................................... 4

    1.1. Latar Belakang ................................................................................................. 4

    1.2. Tujuan Khusus .................................................................................................. 5

    1.3. Urgensi (Keutamaan) Penelitian ...................................................................... 6

    BAB 2. TINJAUAN PUSTAKA ........................................................................................... 7

    2.1. Kadmium Oksida (CdO) .................................................................................. 7

    2.2. TCO pada divais sel surya ................................................................................ 9

    BAB 3. METODE PENELITIAN ....................................................................................... 10

    3.1. Prosedur Penelitian ......................................................................................... 10

    3.2. Karakterisasi lapisan tipis CdO ...................................................................... 12

    3.3. Pembuatan divais sel surya............................................................................. 13

    3.4. Lokasi Penelitian ............................................................................................ 13

    3.5. Indikator Capaian Terukur ............................................................................. 13

    BAB 4. BIAYA DAN JADWAL PENELITIAN ................................................................ 14

    4.1. Anggaran Biaya .............................................................................................. 14

    4.2. Jadwal Penelitian ............................................................................................ 15

    DAFTAR PUSTAKA .......................................................................................................... 16

    LAMPIRAN ........................................................................................................................ 17

  • 3

    RINGKASAN Berbagai metode penumbuhan lapisan tipis CdO telah dilakukan oleh sejumlah peneliti Dari metode-metode tersebut, metode imersi kimia dinilai paling mudah dilakukan dengan peralatan yang lebih sederhana. Mekanisme penumbuhan lapisan CdO dan aplikasinya pada divais sel surya dengan metode imersi kimia pada dasarnya telah diteliti sebelumnya, namun material yang dihasilkan masih berstruktur amorf dan aplikasinya pada sel surya berbasis CdO/Cu2O yang dihasilkan memiliki efisiensi konversi yang rendah. Hal ini diduga akibat ketidaksesuaian kisi pada persambungan antara lapisan CdO dengan lapisan InSnO2 yang berperan lapisan elektroda transparan. Oleh karena itu, penelitian ini diarahkan pada penumbuhan lapisan CdO sebagai lapisan elektroda transparan menggantikan lapisan InSnO2. Untuk tujuan ini, diperlukan metode penumbuhan yang sesuai sehingga dapat diperoleh lapisan CdO dengan sifat listrik dan sifat optik yang sesuai sebagai lapisan TCO untuk aplikasi sel surya, dengan mengoptimalkan tahapan proses imersi serta menambahkan proses pemurnian dan penguatan struktur lapisan. Metode ini selanjutnya disebut sebagai metode Imersi Kimia Terpurifikasi (Purified Chemical Immersion, PCI). Penelitian ini dinilai memiliki potensi yang besar untuk dikembangkan lebih jauh di Indonesia, terutama ditinjau dari beberapa hal antara lain pada kontribusi yang signifikan atas kebutuhan industri divais optoelektronik (seperti sel surya, flat panel display, fototransistor) pada substrat gelas berlapis TCO serta pada temperatur penumbuhan yang rendah memungkinkan dilakukan di atas plastik transparan untuk aplikasi divais elektronik yang fleksibel biaya murah. Berdasarkan uraian tersebut, penelitian yang diusulkan mempunyai tujuan khusus mengembangkan proses penumbuhan lapisan CdO dari metode imersi kimia (CI) konvensional menjadi metode PCI, mengoptimalisasi mekanisme penumbuhan lapisan tipis CdO melalui metoda PCI, dan mengaplikasikan lapisan CdO yang dihasilkan sebagai elektroda pada divais sel surya berbasis CdO/Cu2O. Kata kunci: lapisan CdO, metode PCI, lapisan TCO

  • 4

    BAB 1. PENDAHULUAN

    1.1. Latar Belakang

    Keterbatasan sumber energi konvensional dari bahan bakar fosil telah menjadikan

    energi matahari sebagai sumber energi alternatif di masa depan, terutama yang mengarah

    pada mekanisme konversi fotovoltaik yang mengubah energi matahari menjadi energi

    listrik, baik kajian secara eksperimental pada pengembangan material maupun kajian

    teoritis pada mekanisme konversi fotovoltaik. Sebagaimana diketahui bahwa mekanisme

    konversi fotovoltaik dilakukan melalui divais elektronik yang lazim dikenal sebagai sel

    surya (solar cell). Meskipun teknologi pembuatan sel surya berbahan dasar kristalin telah

    berkembang jauh, namun keterbatasan bahan baku dan biaya produksi yang mahal telah

    menjadi kendala sehingga produsen sel surya kristalin sulit memenuhi kebutuhan pasar

    yang terus mengalami peningkatan. Sel surya berbasis kristalin seperti silikon (Si) dan

    germanium (Ge) dengan teknologi yang sudah mapan dinilai kurang menguntungkan

    secara ekonomi karena termasuk dalam kategori teknologi biaya tinggi. Oleh karena itu,

    fokus kajian utama penelitian tentang sel surya dalam beberapa dekade terakhir mengarah

    pada upaya penekanan biaya produksi serta pada pertimbangan ketersediaan bahan baku di

    alam.

    Selain silikon dan germanium, beberapa jenis material sel surya telah banyak

    diteliti seperti paduan Cadmium (CdS, CdTe, CdO), paduan Cuprum (CuIn(Ga)Se2,

    Cu2O), dan material organologam (ZnPc, CuPc, dll). Khusus untuk material paduan Cd,

    secara teori efisiensi konversi yang dapat dicapai >28%, namun secara eksperimen baru

    mencapai kisaran ~16% (Sharma dkk., 2003). Sementara itu, paduan Cd dengan sulfat

    membentuk lapisan Cadmium Sulfida (CdS) yang selama ini digunakan untuk sel surya

    sudah mulai dibatasi karena efek negatif terhadap lingkungan. Oksida cadmium sudah

    lebih ramah lingkungan karena dihasilkan dari proses oksidasi Cd seperti pembakaran.

    Selain melalui proses pembakaran, material kadmium oksida (CdO) dapat pula disintesa di

    laboratorium menggunakan larutan-larutan kimia atau metode-metode tertentu.

    Berbagai metode penumbuhan lapisan tipis CdO telah dilakukan oleh sejumlah

    peneliti seperti spray pyrolisis (Sanatana dkk., 1999; Mishra dkk., 2009), sputtering (Veda

    dkk., 1998), solution growth (Gurumurugan dkk., 1994), imersi kimia (Amiruddin dkk.,

    2011), dan sol-gel (Sakthivel dan Mangalaraj, 2011). Dari metode-metode tersebut, metode

    imersi kimia dinilai paling mudah dilakukan dengan peralatan yang lebih sederhana.

  • 5

    Mekanisme penumbuhan lapisan CdO dan aplikasinya pada divais sel surya dengan

    metode imersi kimia pada dasarnya telah kami teliti sebelumnya. Namun demikian,

    material yang dihasilkan masih berstruktur amorf dan aplikasinya pada sel surya berbasis

    CdO/Cu2O yang dihasilkan memiliki efisiensi konversi yang rendah (Usman dkk., 2011).

    Salah satu permasalahan yang diduga menjadi penyebab rendahnya efisiensi konversi

    tersebut adalah ketidaksesuaian kisi pada persambungan antara lapisan CdO dengan

    lapisan Indium Tin dioksida (InSnO2) yang berperan sebagai lapisan elektroda transparan

    (TCO, Transparent Conducting Oxide) pada substrat gelas. Oleh karena itu, penelitian ini

    diarahkan pada penumbuhan lapisan CdO sebagai lapisan elektroda transparan

    menggantikan lapisan InSnO2. Untuk tujuan ini, diperlukan metode penumbuhan yang

    sesuai sehingga dapat diperoleh lapisan CdO dengan sifat listrik dan sifat optik yang sesuai

    sebagai lapisan TCO untuk aplikasi sel surya, dengan mengoptimalkan tahapan proses

    imersi serta menambahkan proses pemurnian dan penguatan struktur lapisan. Metode ini

    selanjutnya disebut sebagai metode Imersi Kimia Terpurifikasi (Purified Chemical

    Immersion, PCI), dimana purifikasi diperlukan sebagai proses pengikatan lapisan ionik

    pada permukaan pertumbuhan.

    Selain untuk pemecahan masalah tersebut di atas, penelitian ini dinilai memiliki

    potensi yang besar untuk dikembangkan lebih jauh di Indonesia, terutama ditinjau dari

    beberapa hal antara lain:

    1. Kebutuhan industri divais optoelektronik (seperti sel surya, flat panel display,

    fototransistor) pada substrat gelas berlapis elektroda transparan (TCO), dimana

    substrat tersebut selama ini didatangkan dari luar negeri dengan harga yang relatif

    mahal.

    2. Temperatur penumbuhan yang rendah memungkinkan dilakukan di atas plastik

    transparan untuk aplikasi divais elektronik yang fleksibel biaya murah.

    1.2. Tujuan Khusus

    Berdasarkan uraian di atas, penelitian yang diusulkan mempunyai tujuan khusus

    sebagai berikut:

    Mengembangkan proses penumbuhan lapisan CdO dari metode imersi kimia (CI)

    konvensional menjadi metode PCI

    Mengoptimalisasi mekanisme penumbuhan lapisan tipis CdO melalui metoda PCI

    sehingga diperoleh lapisan CdO yang sesuai diaplikasikan sebagai lapisan TCO pada

  • 6

    divais sel surya, ditandai dengan struktur lapisan yang berfasa kristalin, transmitansi

    optik yang tinggi, serta nilai konduktivitas yang tinggi.

    Mengaplikasikan lapisan CdO yang dihasilkan sebagai elektroda pada divais sel surya

    berbasis CdO/Cu2O.

    1.3. Urgensi (Keutamaan) Penelitian

    Sebagaimana diketahui bahwa sejumlah divais elektronik seperti sel surya,

    fototransistor, dan flat panel display memerlukan substrat yang telah dilapisi dengan

    elektroda transparan (TCO). Beberapa jenis substrat gelas berlapis TCO pada prinsipnya

    telah diproduksi dan diperjualbelikan, antara lain seperti substrat berlapis InSnO2 dan ZnO,

    sehingga kebutuhan substrat berlapis TCO untuk keperluan riset dan industri elektronika di

    Indonesia masih diimpor dari negara lain. Dengan biaya produksi yang tinggi dan

    kebutuhan pasar yang terus mengalami peningkatan, harga substrat tersebut masih sangat

    tinggi, tidak sebanding dengan dimensinya. Oleh karena itu, gagasan tentang penumbuhan

    lapisan CdO yang akan dilakukan dalam penelitian ini dinilai cukup penting, yang diyakini

    akan memberi kontribusi mendasar antara lain ditinjau dari pengembangan metode CI

    konvensional menjadi metode PCI, pengembangan jenis material alternatif untuk elektroda

    berbagai jenis divais optoelektronik, serta pada upaya penekanan biaya produksi dimana

    metode PCI termasuk metode penumbuhan energi rendah yang tidak memerlukan perlakuan

    yang rumit. Selain itu, penelitian ini diharapkan dapat menjawab permasalahan atas rendahnya

    nilai efisiensi konversi sel surya berbasis CdO/Cu2O yang diperoleh pada penelitian kami

    sebelumnya.

    Berdasarkan potensi yang dimiliki oleh Tim Peneliti (biodata terlampir), Ketua

    Peneliti memiliki keahlian dalam bidang material dan energi dengan fokus kajian

    pengembangan divais sel surya. Pengalaman riset pada bidang kajian tersebut diharapkan

    dapat menjadi penunjang utama atas keberhasilan pelaksanaan penelitian ini. Demikian

    halnya dengan Anggota Peneliti I dan Anggota Peneliti II yang memiliki dasar keilmuan di

    bidang kimia diharapkan akan memberikan kontribusi yang berarti pada kajian tentang

    mekanisme reaksi kimia (reduksi-oksidasi) berbagai jenis larutan yang akan digunakan

    dalam penelitian ini. Penelitian ini juga akan melibatkan sejumlah mahasiswa Program

    Studi Fisika dan Program Studi Kimia FMIPA Universitas Haluoleo untuk penelitian tugas

    akhir.

  • 7

    BAB 2. TINJAUAN PUSTAKA

    Selain silikon, sejumlah peneliti telah memfokuskan kajiannya pada beberapa jenis

    material sel surya seperti paduan Cadmium (CdS, CdTe, CdO), paduan Cuprum

    (CuIn(Ga)Se2, Cu2O), dan material organologam (ZnPc, CuPc, dll), baik kajian secara teori

    maupun secara eksperimen. Khusus untuk material paduan Cd, secara teori efisiensi

    konversi yang dapat dicapai >28%, namun secara eksperimen baru mencapai kisaran ~16%

    (Sharma dkk., 2003). Alasan inilah sehingga penelitian yang dikhususkan pada kajian

    tentang sel surya berbasis Cd masih terus dilakukan hingga saat ini. Demikian halnya

    dengan sel surya berbasis CdO/Cu2O telah dikembangkan di FMIPA Universitas Haluoleo

    menggunakan metode imersi kimia. Namun demikian, material yang dihasilkan masih

    berstruktur amorf dan aplikasinya pada sel surya berbasis CdO/Cu2O yang dihasilkan

    memiliki efisiensi konversi yang rendah (Usman dkk., 2011). Kualitas material dan

    ketidaksesuaian kisi antar lapisan diduga menjadi penyebab rendahnya nilai efisiensi

    konversi tersebut. Oleh karena itu, penelitian ini diarahkan untuk memperbaiki kualitas

    lapisan CdO dengan mengembangkan metode penumbuhan sebelumnya menjadi metode

    imersi kimia terpurifikasi (PCI), sehingga lapisan CdO yang dihasilkan memiliki struktur

    yang baik dengan konduktivitas listrik yang tinggi untuk aplikasi elektroda transparan.

    Penelitian ini merupakan bagian dari fokus kajian utama pembuatan divais sel surya oleh

    Kelompok Keahlian Fisika Material dan Energi FMIPA Universitas Haluoleo untuk Sub-

    divisi Energi Matahari sebagai Sumber Energi Listrik. Peta jalan penelitian secara utuh

    untuk fokus kajian ini seperti diperlihatkan pada Gambar 1.

    2.1. Kadmium Oksida (CdO)

    Cadmium (Cd) merupakan jenis material yang memiliki cakupan aplikasi

    penggunaan yang cukup luas, baik dalam bidang elektronika, industri, maupun kesehatan.

    Paduannya dengan sulfat membentuk lapisan Cadmium Sulfida (CdS) lazim digunakan

    untuk sel surya, meskipun saat ini sudah mulai dibatasi karena efek negatif terhadap

    lingkungan mirip dengan efek yang ditimbulkan oleh merkuri. Oleh karena itu, sejumlah

    peneliti tertarik untuk mengkaji lebih jauh material ini sehingga limbahnya dapat menjadi

    lebih ramah lingkungan.

  • 8

    ROADMAP PENELITIAN DAN PENGABDIAN PADA MASYARAKAT, KELOMPOK KEAHLIAN FISIKA MATERIAL DAN ENERGI

    Divisi: Pemanfaatan Energi Matahari Sebagai Sumber Energi Alternatif

    Pemanfaatan divais sel surya

    Pengembangan material dasar

    Pengembangan metode pembuatan

    Pengembangan struktur

    Penggunaan silikon dan paduannya

    Pembuatan divais sel surya

    Penggunaan karbon dan paduannya

    Penggunaan bahan-bahan organik

    Penggunaan dye-sensitized

    a-Si:H, c-Si:H, poly-Si, a-SiC:H, a-SiN:H

    Penggunaan jenis material lain

    CNT, karbon aktif, graphene

    ekstrak buah, klorofil, organo-logam

    TiO2, kongo-red, metilen-blue

    Teknik PECVD

    PECVD konvensional, VHF-

    PECVD, HWC-VHF-PECVD

    CdO, Cu2O, CdTe, CdS, dll

    Teknik Imersi Kimia

    Teknik Kristalisasi Terinduksi Logam

    Mono-cell (p-n, p-i-n)

    Tandem cell

    DSSC

    Sel surya efek medan

    Sub-divisi: Energi Matahari Sebagai Sumber Energi Listrik

    Keterangan:

    Penelitian dasar sebagian besar telah dilaksanakan, memerlukan tahapan optimalisasi untuk peningkatan unjuk kerja divais

    Penelitian yang terkait dengan topik usulan penelitian ini

    Belum dilaksanakan

    Gambar 1. Peta jalan penelitian KK Fisika Material dan Energi FMIPA Universitas Haluoleo

    (Sub-divisi Energi Matahari sebagai Sumber Energi Listrik)

    Kadmium oksida (CdO) sudah lebih ramah lingkungan karena dihasilkan dari

    proses oksidasi Cd seperti pembakaran. Selain melalui proses pembakaran, material CdO

    dapat disintesa di laboratorium menggunakan larutan-larutan kimia melalui mekanisme

    reduksi-oksidasi molekul dari larutan yang mengandung unsur Cd dan O, antara lain

    seperti metode chemical bath deposition (Ocampo dkk., 1993), teknik evaporasi reaktif

    teraktivasi (Phatak dan Lal, 1992; Sravani dkk., 1993), spray pyrolisis (Sanatana dkk.,

    1999; Mishra dkk., 2009), sputtering (Veda dkk., 1998), solution growth (Gurumurugan

    dkk., 1994), electroplating bath (Karunakaran dan Dhanalakshmi, 2009), sol-gel (Sakthivel

    dan Mangalaraj, 2011), dan imersi kimia (Amiruddin dkk., 2011). Metode penumbuhan

    yang berbeda tentu akan menghasilkan kualitas material yang berbeda pula, sebagaimana

  • 9

    struktur lapisan CdO yang dihasilkan dari metode sol-gel dan imersi kimia seperti

    diperlihatkan pada Gambar 2.

    (a) (b)

    Gambar 2. Profil permukaan: (a) lapisan tipis CdO nanokristal (Sakthivel dan Mangalaraj, 2011) dan (b) lapisan tipis CdO amorf (Usman dkk., 2011)

    2.2. TCO pada divais sel surya

    Berbagai jenis material telah dikembangkan sebagai lapisan TCO, terutama

    material yang terdiri dari oksida logam, antara lain seperti InSnO2 (ITO), ZnO, dan CdO.

    Meskipun ITO dan ZnO telah dikembangkan lebih awal dibanding CdO, kedua material

    tersebut diketahui memerlukan metode penumbuhan yang lebih rumit dengan konsumsi

    energi tinggi. Oleh karena itu, lapisan TCO berbasis CdO menarik perhatian sejumlah

    peneliti, terutama mengarah pada metode penumbuhan terbaik untuk menghasilkan

    material nanokristal CdO, antara lain seperti metode electroplating bath (Karunakaran dan

    Dhanalakshmi, 2009) dan metode sol-gel dan vapour-liquid-solid (Sakthivel dan

    Mangalaraj, 2011).

    Sebagaimana diketahui bahwa TCO pada divais optoelektronik diperlukan sebagai

    elektroda yang menghubungkannya dengan rangkaian eksternal. Gambar 3

    memperlihatkan penempatan lapisan TCO dalam struktur divais sel surya.

    Vout

    substrat transparan

    kontak logam (Ag/Au)

    TCO material tipe-n

    material tipe-p

    (a) (b)

    Gambar 3. Struktur dasar: (a) sel surya p-n junction, (b) sel surya organik

  • 10

    BAB 3. METODE PENELITIAN

    Penelitian ini pada prinsipnya adalah kelanjutan dari penelitian sebelumnya, dengan

    fokus kajian utama tentang pembuatan divais sel surya berbasis CdO/Cu2O. Secara teori,

    unjuk kerja divais sel surya jenis ini dapat mencapai efisiensi pada kisaran 20%. Untuk

    mencapai nilai tersebut, kami telah menyusun tahapan-tahapan optimasi dan sebagaimana

    diperlihatkan dalam bentuk diagram (Gambar 4).

    Divais Sel Surya

    Efisiensi Tinggi B

    erbasis CdO

    /Cu

    2 O

    Pengembangan metode penumbuhan

    Kajian jenis mineral sumber Cd dan Cu

    Kajian struktur material per lapisan aktif

    Kajian struktur divais sel surya

    Kajian jenis dan struktur material lapisan pendukung

    Kajian stabilitas divais sel surya

    * imersi kimia(2009, 2011-2012)

    ** imersi kimia terpurifikasi(2014-2015)

    *** elektrokimia(...)

    * cadmium acetate dan copper sulfide(2009, 2011-2012)

    ** cadmium nitrate dan copper sulfide

    (...)

    * amorf(2009, 2011-2012,

    2014-2015)

    ** nanokristal dan mikrokristal(.....)

    * TCO berbasis InSnO2(2009, 2011-2012)

    ** TCO berbasis CdO(2014-2015)

    *** buffer layer(...)

    * mono-cell(2009, 2011-2012,

    2014-2015)

    ** tandem-cell(...)

    * Uji intensitas tinggi(...)

    ** Uji cuaca ekstrim(...)

    Gambar 4. Fishbone diagram penelitian tentang sel surya berbasis CdO/Cu2O

    3.1. Prosedur Penelitian

    Secara lengkap, penelitian ini direncanakan akan dilakukan selama 2 (dua) tahun.

    Penelitian tahun I akan difokuskan pada optimalisasi penumbuhan lapisan tipis CdO

    hingga diperoleh lapisan dengan sifat optik dan sifat listrik yang sesuai untuk lapisan TCO.

    Optimasi ini meliputi optimasi konsentrasi larutan, optimasi temperatur pemurnian, dan

    optimasi temperatur penguatan struktur (annealing). Pada tahun II, penelitian akan

    difokuskan pada pengaplikasian lapisan CdO sebagai lapisan TCO pada sel surya berbasis

    CdO/Cu2O. Optimasi dilakukan pada ketebalan lapisan TCO. Tahapan pelaksanaan

    penelitian ini secara skematik diperlihatkan melalui diagram alir pada Gambar 5.

    3.1.1. Metode Imersi Kimia Terpurifikasi (Purified Chemical Immersion, PCI)

    Metode PCI merupakan hasil pengembangan dari metode imersi kimia

    konvensional. Sebagaimana metode chemical bath umumnya, metode ini juga

    menggunakan mekanisme reaksi reduksi-oksidasi (redoks) dalam larutan kimia sesuai jenis

  • 11

    material yang akan ditumbuhkan. Metode imersi kimia merupakan metode pencelupan

    substrat sebagai media penumbuhan secara berurutan, masing-masing ke dalam larutan

    sumber ion positif (hasil oksidasi), kemudian dilanjutkan ke dalam larutan sumber ion

    negatif (pereduksi). Salah satu kelemahan metode imersi kimia konvensional adalah

    ketidakteraturan ikatan molekul saat poses berjalan sehingga molekul yang menguap akan

    meninggalkan lubang (cacat struktur).

    Penumbuhan lapisan tipis CdO

    optimasi konsentrasi larutan

    optimasi temperatur pemurnian

    Optimasi temperatur annealing

    Karakterisasi

    Pengukuran struktur lapisan: SEM, XRD,

    ketebalan

    Penentuan sifat optik: UV-Vis

    Penentuan sifat listrik: pengukuran konduktivitas listrik

    Lapisan TCO berbasis CdO

    Pembuatan divais sel surya CdO/Cu2O

    optimasi ketebalan lapisan TCO

    optimasi ketebalan lapisan aktif

    Karakterisasi

    Penentuan efisiensi konversi Uji stabilitas divais

    Prototipe divais sel surya

    TAHUN I TAHUN II

    Gambar 4. Diagram alir pelaksanaan penelitian

    Untuk kebutuhan material sebagai elektroda yang diketahui harus memenuhi sifat

    optik dan sifat listrik yang baik, maka diperlukan proses pemurnian menggunakan larutan

    oksidator kuat sebagai anion untuk mengikat kelebihan ion-ion negatif pada permukaan

    pertumbuhan setiap kali proses imersi (anion), sehingga diperoleh material yang murni

    berstruktur kristalin (nanokristal atau mikrokristal). Oleh karena itu, ukuran butiran

    kristalin akan bergantung pada konsentrasi larutan oksidator kuat.

    3.1.2. Penumbuhan lapisan tipis CdO dengan metode PCI

    Dalam penelitian ini, lapisan CdO ditumbuhkan di atas substrat gelas menggunakan

    larutan cadmium acetate dihydrate [Cd(CH3COO)2.2H2O] pada variasi konsentrasi 0,02M

    - 0,08M, larutan sodium hydroxide [NaOH] pada variasi konsentrasi 0,1M - 0,4M, serta

    larutan hydrogen peroxide [H2O2] pada variasi konsentrasi 0,001M - 0,004M. Hasil imersi

    kemudian dipanaskan (annealing) pada temperatur yang bervariasi antara 200oC - 400oC.

  • 12

    Sebelum penumbuhan, substrat dibersihkan menggunakan chromic acid [H2CrO4]

    dan air distilasi [H2O]. Semua larutan yang diperlukan disiapkan terlebih dahulu, dengan

    masing-masing pasangan konsentrasi. Langkah proses penumbuhan dilakukan secara

    berurutan, dimulai dengan mengimersi substrat ke dalam larutan cadmium acetate dan

    sodium hydroxide masing-masing selama 30 detik. Sampel kemudian dimasukkan ke

    dalam air distilasi selama 15 detik, kemudian ke dalam larutan hydrogen peroxide selama

    30 detik. Sampel kemudian dimasukkan kembali ke dalam air distilasi selama 15 detik.

    Siklus tersebut diulangi sebanyak beberapa kali sesuai dengan ketebalan lapisan yang

    diinginkan. Salah satu sisi sampel kemudian dibersihkan menggunakan larutan ammonium

    chloride (NH4Cl), lalu di-annealing (penguatan ikatan) pada temperatur tertentu selama 45

    menit.

    3.2. Karakterisasi lapisan tipis CdO

    Untuk mengetahui kualitas lapisan tipis CdO yang dihasilkan, maka dilakukan

    karakterisasi yang meliputi penentuan celah pita optik, penentuan struktur, dan penentuan

    konduktivitas listrik. Celah pita optik (Eopt) ditentukan menggunakan metode Tauc Plot

    dari data hasil pengukuran spektrometer Ultraviolet Visible (UV-Vis), berdasarkan

    persamaan (Prasad, 1991):

    ( )optEhBh = ; [ ])(1

    = Tlnd

    dimana h adalah konstanta Planck, adalah frekuensi gelombang cahaya, B adalah

    konstanta yang bergantung material, adalah koefisien absorpsi lapisan, d adalah

    ketebalan lapisan, dan T adalah transmitansi lapisan terhadap cahaya UV-Vis.

    Dalam penelitian ini, struktur lapisan ditentukan dari hasil pengukuran X-ray

    Diffraction (XRD). Puncak difraksi yang terbentuk memberikan informasi tentang fasa,

    orientasi, serta ukuran butir kristalin dalam lapisan. Ukuran butir kristalin () dihitung

    menggunakan persamaan Scherer (Kanicki, 1991):

    ( )

    =2cos

    k (3)

    dimana k adalah konstanta yang bergantung bentuk butir (k = 0,89 untuk butir sferis),

    adalah panjang gelombang sinar-X yang digunakan, 2 adalah posisi angular puncak

    difraksi, dan adalah nilai FWHM (Full-width Half Maximum) dari puncak difraksi.

  • 13

    Konduktivitas listrik ditentukan dengan metode coplanar, dengan mengukur arus

    listrik keluaran (I) pada variasi sumber tegangan (V). Kemiringan kurva I-V merupakan

    nilai resistivitas (R) lapisan, sehingga konduktivitas () dapat ditentukan.

    3.3. Pembuatan divais sel surya

    Dalam penelitian ini, pengaplikasian lapisan tipis CdO sebagai lapisan TCO pada

    divais sel surya dijadwalkan akan dilakukan pada tahun ke-2. Sel surya akan dibuat dalam

    struktur p-n junction seperti diperlihatkan pada Gambar 4(a), dimana lapisan-n

    menggunakan material CdO sedang lapisan-p menggunakan material Cu2O. Seperti

    diketahui bahwa penggunaan lapisan TCO berbasis CdO yang disambungkan langsung

    dengan lapisan aktif yang juga berbasis CdO diharapkan dapat mengatasi masalah

    ketidaksesuaian kisi sebagaimana hasil penelitian sebelumnya.

    3.4. Lokasi Penelitian

    Tahapan penelitian ini secara keseluruhan akan dilakukan di Universitas Haluoleo,

    masing-masing adalah pembuatan larutan, proses imersi, dan pengukuran UV-Vis di

    Laboratorium Jurusan Kimia FMIPA Universitas Haluoleo, sedang pengukuran XRD,

    SEM, dan konduktivitas akan dilakukan di Laboratorium Jurusan Fisika FMIPA

    Universitas Haluoleo.

    3.5. Indikator Capaian Terukur

    Sebagaimana diuraikan dalam tujuan penelitian dan bagan alir pelaksanaan

    penelitian, indikator keberhasilan penelitian ini akan terlihat dari:

    Keberhasilan penumbuhan lapisan tipis CdO dengan metode PCI, yang ditandai dengan

    kualitas material yang baik, antara lain adalah struktur lapisan CdO berbentuk kristalin

    dengan ukuran butir >10nm dan konduktivitas lapisan yang cukup tinggi (>103 S/cm).

    Keberhasilan saat pengaplikasian lapisan TCO berbasis CdO pada prototipe divais sel

    surya berbasis CdO/Cu2O, dengan efisiensi >5%

    Publikasi ilmiah dalam jurnal nasional terakreditasi dan/atau jurnal internasional

    dan/atau invensi HKI (paten).

    Jumlah mahasiswa S1 yang terlibat langsung sebagai kegiatan penelitian tugas akhir.

  • 14

    BAB 4. BIAYA DAN JADWAL PENELITIAN

    4.1. Anggaran Biaya

    Alokasi biaya penelitian yang diusulkan dalam penelitian ini dapat diperinci seperti

    pada tabel berikut ini:

    No. Jenis Pengeluaran Biaya yang diusulkan (Rp)

    Tahun I Tahun II

    Gaji dan Upah 20.800.000 20.800.000

    Bahan habis pakai dan peralatan 27.754.000 27.690.000

    Perjalanan 13.500.000 13.500.000

    Lain-lain 10.946.000 11.010.000

    Jumlah 73.000.000 73.000.000

  • 15

    4.2. Jadwal Penelitian

    No. Jenis Kegiatan Tahun I Tahun II 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1. Persiapan (penyediaan kelengkapan/bahan

    penelitian)

    2. Penumbuhan lapisan tipis CdO Variasi konsentrasi larutan Variasi temperatur pemurnian Variasi temperatur annealing

    3. Karakterisasi UV-Vis, SEM, dan XRD 4. Metalisasi dan pengukuran konduktivitas

    listrik

    5. Pembuatan divais sel surya Variasi ketebalan lapisan TCO Variasi ketebalan lapisan aktif (CdO

    dan Cu2O)

    6. Karakterisasi SEM untuk penampang divais sel surya

    7. Pengukuran I-V dan penentuan unjuk kerja 8. Uji stabilitas divais 9. Penyusunan laporan penelitian 10. Diseminasi/publikasi

  • 16

    DAFTAR PUSTAKA Amiruddin, Usman, I. dan Dula, M. (2011), Penumbuhan Lapisan Tipis CdO dengan

    Teknik Imersi Kimia Untuk Aplikasi Sel Surya, Jurnal Aplikasi Fisika, 7(2), 84. Gurumurugan, K., Mangalraj, D. and Narayanandas, S.K. (1994), Correlations Between

    the Optical and Electrical Properties of CdO Thin Films Deposited by Spray Pyrolisis, Thin Solid Films, 251, 7.

    Kanicki, J. (1991), Amorphous and Microcrystalline Semiconductor Devices: Optoelectronic Devices, Artech House Inc., USA.

    Karunakaran, C. and Dhanalakshmi, R. (2009), Selectivity in Photo Catalysis by Particulate Semiconductors, Central Euro. J. of Chemistry, 7(1), 134.

    Mishra, R.L., Sharma, A.K., Prakash, S.G. (2009), Gas Sensitivity and Characterization of Cadmium Oxide Semiconducting Thin Film Deposited by Spray Pyrolisis Technique, Digest J. of Nanomaterials and Biostructures, 4(3), 511.

    Ocampo, M., Fernandez, A.M., dan Sebastian, P.J. (1993), Transparent Conducting CdO Films Formed by Chemical Bath Deposition, Semiconductor Science Technology, 8, 750.

    Phatak, G. dan Lal, R. (1992), Structural and Electrical Properties of Cadmium Oxide Films Deposited by the Activated Reactive Evaporation, Thin Solid Films, 209, 240.

    Prasad, K. (1991), Microcrystalline Silicon Prepared with VHF-GD Process, Thesis (Ph.D.), Institute of Microtechnology University of Neuchatel.

    Sakthivel, S. and Mangalaraj, D. (2011), Cadmium Oxide Nano Particles by Sol-Gel and Vapour-Liquid-Solid Methods, Nano Vision, 1(1), 47.

    Sanatana, G., Acevedo, A.M., Vigil, F., Cruze, G. (1999), Superficiesy Vacio, 9, 300. Sharma, R.K., Jain, K., dan Rastogi, A.C. (2003), Growth of CdS and CdTe Thin Films for

    the Fabrication of n-CdS/p-CdTe Solar Cell, Current Applied Physics, 3, 199. Sravani, C., Reddy, K.T.R., dan Reddy, P.J. (1993), Influence of Oxygen Partial Pressure

    on the Physical Behaviour of CdO Films Prepared by Activated Reactive Evaporation, Material Letter, 15, 356.

    Usman, I., Amiruddin, Lestari, L., dan Suryani (2011), Studi Awal Pembuatan Sel Surya Berbasis CdO/Cu2O dengan Teknik Imersi Kimia, Positron: Berkala Ilmiah Fisika, 1(1), 50.

    Veda, N., Meada, H., Hosono, H., and Kawazoe, H. (1998), Band-gap Widening of CdO Thin Films, J. Appl. Phys., 84, 6174.

  • 17

    LAMPIRAN

  • 18

    Lampiran 1. Justifikasi Anggaran Penelitian

    1. Honor

    Honor Honor/jam (Rp) Waktu

    (jam/minggu) Minggu Honor per tahun (Rp) Thn. I Thn. II

    Ketua 30.000 10 80 12.000.000 12.000.000 Anggota 27.500 8 80 8.800.000 8.800.000

    SUB TOTAL (Rp) 20.800.000 20.800.000 2. Peralatan penunjang

    Material Justifikasi pemakaian Kuantitas Harga satuan (Rp)

    Harga peralatan penunjang (Rp)

    Thn. I Thn. II UV-Vis pemeliharaan 50 sampel 50.000 2.500.000 0 SEM pemeliharaan 40 sampel 300.000 6.000.000 6.000.000 XRD pemeliharaan 25 sampel 150.000 3.750.000 0 I-V pemeliharaan 80 sampel 50.000 2.500.000 1.500.000

    SUB TOTAL (Rp) 14.750.000 7.500.000

    3. Bahan habis pakai

    Material Justifikasi pemakaian Kuantitas Harga satuan (Rp)

    Biaya per tahun (Rp)

    Thn. I Thn. II Cadmium acetate dihydrate 99,99%

    sumber Cd+ 2 btl. @500gr 3.180.000 3.180.000 3.180.000

    Sodium hydroxide 99,99%

    sumber -OH 2 btl. @50gr 2.681.000 2.681.000 2.681.000

    Ammonium chloride 99,99%

    pembersih 2 btl. @250gr 1.600.000 1.600.000 1.600.000

    Hydrogen Peroxide 30%

    kation 2 ltr. 1.603.000 1.603.000 1.603.000

    Copper sulfate 99,99%

    sumber Cu+ 2 btl. @250gr 2.193.000 0 4.386.000

    Sodium thiosulfate 99,99%

    pereduksi 2 btl. @250gr 1.300.000 0 2.600.000

    chromic acid 99,99%

    pencuci 4 kg 45.000 90.000 90.000

    Gelas Corning 7059 (10mm x 10mm x 0,8mm)

    substrat 20 lbr. 275.000 2.750.000 2.750.000

    Air destilasi pelarut 20 ltr. 2.000 20.000 20.000 Aluminium 99% metalisasi 2m 230.000 230.000 230.000 Kaus tangan karet Pelindung 4 duz 50.000 100.000 100.000 Lampu halogen 240V/250W

    Sumber cahaya

    6 bh. 100.000 200.000 400.000

    Kertas tissue pembersih 40 bh. 2.500 50.000 50.000 Masker Pelindung 4 bh. 250.000 500.000 500.000

    SUB TOTAL (Rp) 13.004.000 20.190.000

  • 19

    4. Perjalanan

    Material Justifikasi perjalanan Kuantitas Harga satuan (Rp)

    Biaya per tahun (Rp)

    Thn. I Thn. II Perjalanan ke luar Kendari

    Seminar Nasional

    6 4.500.000 13.500.000 13.500.000

    SUB TOTAL (Rp) 13.500.000 13.500.000 5. Lain-lain

    Kegiatan Justifikasi Kuantitas Harga satuan (Rp)

    Biaya per tahun (Rp)

    Thn. I Thn. II Publikasi dalam jurnal ilmiah nasional

    Diseminasi 4 1.000.000 2.000.000 2.000.000

    Publikasi dalam jurnal internasional

    Diseminasi 1 4.000.000 0 4.000.000

    Pengusulan invensi paten

    Diseminasi 1 4.000.000 4.000.000 0

    Seminar Nasional Biaya registrasi

    6 1.000.000 3.000.000 3.000.000

    Pembuatan Laporan

    Biaya cetak 4 250.000 500.000 500.000

    Administrasi ATK 2 1.478.000 1.446.000 1.510.000 SUB TOTAL (Rp) 10.946.000 11.010.000

    TOTAL ANGGARAN YANG DIPERLUKAN SETIAP TAHUN

    (Rp) 73.000.000 73.000.000

    TOTAL ANGGARAN YANG DIPERLUKAN SELURUH

    TAHUN (Rp) 146.000.000

  • 20

    Lampiran 2. Dukungan sarana dan prasarana penelitian

    2A. Laboratorium

    Instansi tim peneliti saat ini saat ini telah memiliki fasilitas laboratorium dengan peralatan

    yang cukup memadai seperti peralatan XRD, SEM, kalibrator, picoammeter, dan oven

    pemanas terkontrol. Peralatan-peralatan tersebut sangat menunjang dalam proses

    pelaksanaan penelitian ini..

    2B. Peralatan Utama

    Adapun peralatan utama yang akan digunakan dalam penelitian ini adalah:

    1. Nama Alat : Labu ukur, gelas reaksi, erlenmeyer, dan pengaduk

    Fungsi : Peralatan untuk proses imersi

    Keterangan : Alat ini dimiliki oleh tersedia di Lab. Kimia FMIPA Unhalu.

    2. Nama Alat : Oven/Pemanas (Furnace)

    Fungsi : Peralatan untuk annealing

    Keterangan : Alat ini dimiliki oleh tersedia di Lab. Kimia FMIPA Unhalu.

    3. Nama Alat : X-ray diffraction (XRD)

    Fungsi : Digunakan untuk menganalisa struktur material hasil deposisi

    Keterangan : Alat ini tersedia di Laboratorium Fisika FMIPA Universitas Haluoleo.

    4. Nama Alat : Scanning Electron Microscope (SEM)

    Fungsi : Digunakan untuk mengidentifikasi struktur material

    Keterangan : Alat ini tersedia di Laboratorium Fisika FMIPA Universitas Haluoleo.

    5. Nama Alat : Spektrometer Ultraviolet Visible (UV-Vis)

    Fungsi : Digunakan untuk mengidentifikasi sifat optik lapisan

    Keterangan : Alat ini tersedia di Lab. Kimia FMIPA Universitas Haluoleo.

    6. Nama Alat : Picoammeter

    Fungsi : Digunakan untuk pengukuran karakteristik I-V dan pengukuran

    konduktivitas

    Keterangan : Alat ini tersedia di Laboratorium Fisika FMIPA Universitas Haluoleo.

    7. Nama Alat : Kalibrator

    Fungsi : Digunakan untuk mengkalibrasi alat ukur listrik

    Keterangan : Alat ini tersedia di Laboratorium Fisika FMIPA Universitas Haluoleo.

  • 21

    Lampiran 3. Susunan organisasi tim peneliti dan pembagian tugas

    No. Nama/NIDN Instansi Asal Bidang

    Ilmu

    Alokasi Waktu

    (jam/minggu) Uraian Tugas

    1 Dr. Ida Usman NIDN. 0018047202

    FMIPA Universitas Haluoleo

    Fisika Material

    dan Energi

    10 preparasi sampel, koordinasi untuk

    pengukuran XRD, SEM, UV-Vis, konduktivitas,

    pembuatan prototipe divais sel surya, diseminasi,

    dan pembuatan laporan

    2 Waode Sukmawati Arsyad, S.Si., M.Si. NIDN. 0003038202

    FMIPA Universitas Haluoleo

    Fisika Material

    8 Penyediaan bahan, preparasi sampel,

    pengolahan/analisis data XRD, SEM,

    UV-Vis, konduktivitas,

    diseminasi, dan pembuatan laporan

  • 22

    Lampiran 4. Nota kesepahaman MOU atau pernyataan kesediaan dari mitra

    TIDAK ADA

  • 23

    Lampiran 5. (A) Biodata Ketua Tim Peneliti A. Identitas Diri

    1 Nama Lengkap (dengan gelar) Dr. Ida Usman 2 Jenis Kelamin L 3 Jabatan Fungsional Lektor 4 NIP/NIK/Identitas lainnya 19720418 199903 1 002 5 NIDN 0018047204 6 Tempat dan Tanggal Lahir Tongkuno, 18 April 1972 7 E-mail [email protected] 8 Nomor Telepon/HP 08157046972 9 Alamat Kantor Kampus Unhalu Bumi Tridharma Anduonohu,

    Kendari, Sulawesi Tenggara 10 Nomor Telepon/Faks (0401)3191929 / (0401)390496 11 Lulusan yang Telah Dihasilkan S-1 = 41 orang; S-2 = 0 orang; S-3 = 0 orang

    12 Mata Kuliah yang Diampu

    1. Fisika Divais Semikonduktor 2. Fisika Semikonduktor 3. Simulasi Fisika 4. Mikroprosessor 5. Metode Penulisan Karya Ilmiah 6. Elektronika Dasar 7. Elektronika Digital

    B. Riwayat Pendidikan S1 S2 S3 Nama Perguruan Tinggi Universitas

    Hasanuddin Institut Teknologi

    Bandung Institut Teknologi

    Bandung Bidang Ilmu Fisika Fisika Fisika Tahun Masuk-Lulus 1992-1997 1998-2001 2001-2006 Judul Skripsi/ Tesis/Disertasi

    Analisis Komponen Utama dalam

    penentuan penyebaran unsur hara dan

    fitoplankton di Teluk Bone

    Fabrikasi Divais Sel Surya Berbasis c-Si:H dengan Teknik VHF-

    PECVD

    Penumbuhan Lapisan Tipis a-Si:H untuk Aplikasi Sel Surya

    dengan Metode HWC-VHF-PECVD

    Nama Pembimbing/ Promotor

    Dr. Halmar Halide Prof. Toto Winata, Ph.D

    Prof. Toto Winata, Ph.D

    C. Pengalaman Penelitian Dalam 5 Tahun Terakhir (Bukan Skripsi, Tesis, maupun Disertasi)

    No. Tahun Judul Penelitian Pendanaan Sumber* Jml (Juta Rp) 1. 2012 Pengembangan Divais Sel Surya

    Struktur Tandem Triple-Cell Berbasis Silikon Polymorphous dengan Teknik VHF-PECVD

    Hibah Stranas, Dikti

    85

    2. 2011 (Anggota)

    Optimasi Pembuatan Divais Sel Surya Berbasis CdO/Cu2O Melalui Teknik Imersi Kimia

    Hibah Bersaing,

    Dikti

    45

  • 24

    3. 2010-2011

    (Ketua) Penumbuhan Lapisan Tipis Silikon Polikristal Tipe-p Dengan Metode Kristalisasi Terinduksi Aluminium Dan Aplikasinya Pada Divais Sel Surya

    Hibah Bersaing,

    Dikti

    82,5

    4. 2010-2011 (Ketua)

    Pemodelan Reaksi Nuklir Dengan Menggunakan Formalisme Densitas Energi Dan Penerapannya Untuk Menjelaskan Data Eksperimen Hamburan Quasi-elastik Dari Reaksi Yang Melibatkan Inti-inti Berat

    Hibah Fundamental,

    Dikti

    68

    5. 2009 (Anggota)

    Optimasi Pemanfaatan Cahaya Matahari Sebagai Sumber Energi Alternatif Pada Mesin Perontok Padi Dan Sistem Pengering Padi Model Slope Thermal Collector

    Riset Unngulan Strategis Nasional, Unhalu

    60

    6. 2009 (Ketua)

    Fabrikasi Divais Sel Surya Berbasis CdO/Cu2O Melalui Teknik Imersi Kimia

    Hibah Kompetitif,

    Dikti

    79,5

    7. 2008-2009 (Ketua)

    Pengembangan Divais Sel Surya Organik Berbasis Ekstrak Buah Segar Yang Menggunakan Elektroda Carbon Nano Tubes

    Hibah Bersaing,

    Dikti

    80

    * Tuliskan sumber pendanaan baik dari skema penelitian DIKTI maupun dari sumber lainnya. D. Pengalaman Pengabdian Kepada Masyarakat dalam 5 Tahun Terakhir

    No. Tahun Judul Pengabdian Kepada Masyarakat Pendanaan

    Sumber* Jml (Juta Rp) 1 2008 Rancang Buat sistem Hibrid

    Pembangkit Listrik tenaga Surya di Kel. Bungkutoko, Kendari

    DP2M, Dikti 7,5

    2 2009 Rancang Buat Sistem Pengering Rumput Laut Model Slope Thermal Collector

    DP2M, Dikti 40

    * Tuliskan sumber pendanaan baik dari skema penelitian DIKTI maupun dari sumber lainnya. E. Publikasi Artikel Ilmiah dalam Jurnal dalam 5 Tahun Terakhir

    No Judul Artikel Ilmiah Nama Jurnal Volume/ Nomor/Tahun 1 Penumbuhan Lapisan Tipis CdO dengan Teknik

    Imersi Kimia Jurnal Aplikasi

    Fisika Vol. 7, No. 2,

    2011 2 Penumbuhan Lapisan Tipis Silikon Mikrokristal

    Terhidrogenasi dengan Teknik HWC-VHF-PECVD

    Reaktor Vol. 13 No. 1, 2010

    3 Analisis Sifat Listrik Ekstrak Kulit Buah Kakao Untuk Sel Surya Organik

    Jurnal Aplikasi Fisika

    Vol. 5 No. 2, 2009

    4 Pengaruh Ketebalan Lapisan-p Terhadap Profil Distribusi Pembawa Muatan pada Sel Surya p-i-n Berbasis a-Si:H

    Jurnal Natural Vol. 8 No.1, 2008

  • 25

    5 The Influence of Silane Gas Flow Rate on Optoelectronic Properties of c-Si:H Prepared by HWC-VHF-PECVD Technique

    ITB Journal of Science

    Vol. 40A No. 2, 2008

    6 Pengaruh Ketebalan Lapisan Aktif Terhadap Karakteristik Sel Surya Berbasis a-Si:H Yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD

    Jurnal Matematika & Sains

    Vol. 13 No. 4, 2008

    7 Catalytic Carbon Submicron Fabrication using Home-built Very-High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

    ITB Journal of Science

    Vol. 40A No. 2, 2008

    8 Identifikasi Gugus Molekul Fotoaktif Hasil Ekstraksi Kulit Buah Kakao (Theobroma cacao L.) dengan Spektrometer FTIR untuk Aplikasi Sel Surya organik

    Jurnal Aplikasi Fisika

    Vol. 4 No.2, 2008

    F. Pemakalah Seminar Ilmiah (Oral Presentation) dalam 5 Tahun Terakhir

    No Nama Pertemuan Ilmiah/Seminar Judul artikel Ilmiah Waktu dan

    Tempat 1 Seminar Nasional Hasil-hasil

    Penelitian Penumbuhan Lapisan Tipis Silikon Polikristal Tipe-p Dengan Metode Kristalisasi Terinduksi Aluminium

    2011, Makassar

    2 Seminar Nasional MIPA The Effect Of Power Discharge to The Structural Properties Of Silicon Thin

    Film Prepared by VHF-PECVD Technique

    2012, Palu

    G. Karya Buku dalam 5 Tahun Terakhir

    No. Judul Buku Tahun Jumlah Halaman Penerbit

    H. Perolehan HKI dalam 510 Tahun Terakhir No. Judul/Tema HKI Tahun Jenis Nomor P / ID 1 Penumbuhan Sel Surya Organik

    Berbasis Ekstrak Kulit Buah Kakao Dengan Elektroda Carbon Nano Tube

    2010 Paten Sederhana

    P00200900701

    I. Pengalaman Merumuskan Kebijakan Publik/Rekayasa Sosial Lainnya dalam 5 Tahun

    Terakhir

    No. Judul/Tema/Jenis Rekayasa Sosial Lainnya yang Telah Diterapkan Tahun Tempat

    Penerapan Respons

    Masyarakat

    J. Penghargaan dalam 10 tahun Terakhir (dari pemerintah, asosiasi atau institusi

    lainnya)

    No. Jenis Penghargaan Institusi Pemberi Penghargaan Tahun

  • ]:g', ;:.={-nE:r!ry:t::ai-{:?.].qT..]. 1_1B.-,rrnq::eiia11lf5r,::

    I

    Semua data yang saya isikan dan tprcantum dalam biodata ini adalah benar dan dapatdipertanggunglawabkan secara 'hukum. Apabila di kemudian hari ternyata dijumpai|e,,0:1*.:lrt:n o:r.** kenyataan, saya sanggup menerimu runoll:.Demikian biodata ini saya buat dengan sebenarnya untuk memenuhi salah satu persyaratandalam pengajuan Usul Penelitian Fundamental 2013

    Kendari, 1 April20l3Pengusul,

    L:

    EL,'?inar'

    ,;ir

    F-i l

    26

  • 27

    Lampiran 5. (B) Biodata Anggota Tim Peneliti A. Identitas Diri

    1 Nama Lengkap (dengan gelar) Waode Sukmawati Arsyad, S.Si., M.Si. 2 Jenis Kelamin P 3 Jabatan Fungsional Lektor 4 NIP/NIK/Identitas lainnya 19820303 200501 2 003 5 NIDN 0003038202 6 Tempat dan Tanggal Lahir Kendari, 03 Maret 1982 7 E-mail [email protected] 8 Nomor Telepon/HP 0401-3122852 / 081935420564 / 081294054025 9 Alamat Kantor Kampus Unhalu Bumi Tridharma Anduonohu,

    Kendari, Sulawesi Tenggara 10 Nomor Telepon/Faks (0401)3191929 / (0401)390496 11 Lulusan yang Telah Dihasilkan S-1 = 3 orang; S-2 = 0 orang; S-3 = 0 orang

    12 Mata Kuliah yang Diampu

    1. Serat Optik 2. Metode Pengukuran Fisis 3. Fisika Dasar I dan II 4. Eksperimen Fisika III 5. Serat Optik

    B. Riwayat Pendidikan S1 S2 Nama Perguruan Tinggi Universitas Haluoleo Institut Teknologi Bandung

    Bidang Ilmu Fisika Fisika

    Tahun Masuk-Lulus 2000 - 2004 2004 - 2007

    Judul Skripsi/ Tesis/Disertasi

    Karakterisasi Sifat Fisis Karbon Aktif Tempurung Kelapa Untuk

    Aplikasi Divais Elektronik

    Preparasi dan Spektroskopi Optik Polimer Hibrid

    Organik/Inorganik yang Mengandung Europium (III)

    Kompleks untuk aplikasi Komponen Optik

    Nama Pembimbing/ Promotor

    M. Jahiding, S.Si., M.Si. Dr. Rahmat Hidayat

    C. Pengalaman Penelitian Dalam 5 Tahun Terakhir (Bukan Skripsi, Tesis, maupun Disertasi)

    No. Tahun Judul Penelitian Pendanaan Sumber* Jml (Juta Rp) 1 2013

    (Teknisi) Pengembangan sel surya berbasis dye dengan gel elektrolit hibrid dan proses fabrikasinya dengan teknik roll-printing sederhana

    Insentif Riset Sinas

    200

    2 2012 (Asisten Peneliti)

    Pengembangan Sel Surya Tersensitisasi-Dye Bentuk Padat Untuk Mengatasi Masalah Kebocoran Elektrolit Dalam Bentuk Konvensionalnya

    Program Desentralisasi DIKTI 2012

    75

  • 28

    3 2007 (Ketua)

    Pembuatan Film Titanium Dioksida (TiO2) sebagai Bahan dielektrik Sensor Kelembaban Jenis Kapasitif

    Penelitian Dosen Muda

    (DP2M)

    10

    * Tuliskan sumber pendanaan baik dari skema penelitian DIKTI maupun dari sumber lainnya. D. Pengalaman Pengabdian Kepada Masyarakat dalam 5 Tahun Terakhir

    No. Tahun Judul Pengabdian Kepada Masyarakat Pendanaan

    Sumber* Jml (Juta Rp)

    * Tuliskan sumber pendanaan baik dari skema penelitian DIKTI maupun dari sumber lainnya. E. Publikasi Artikel Ilmiah dalam Jurnal dalam 5 Tahun Terakhir

    No Judul Artikel Ilmiah Nama Jurnal Volume/ Nomor/Tahun

    F. Pemakalah Seminar Ilmiah (Oral Presentation) dalam 5 Tahun Terakhir

    No Nama Pertemuan Ilmiah/Seminar Judul artikel Ilmiah Waktu dan

    Tempat 1 6th International Symposium

    on Modern Optics and Its Applications, Bandung Institute of Technology, Indonesia

    Organic-Inorganic Hybrid Polymer Containing Light Emitting Molecules for Light Amplifications Applications

    ITB, 2007

    2 Proceeding of International Conference on Mathematics and Natural Sciences, Bandung, Indonesia

    Photopolymerization and Spectroscopic Characteristic of Europium (III) Complex Doped

    Hybrid Polymer Ormocer

    ITB, 2006

    G. Karya Buku dalam 5 Tahun Terakhir

    No. Judul Buku Tahun Jumlah Halaman Penerbit

    H. Perolehan HKI dalam 510 Tahun Terakhir No. Judul/Tema HKI Tahun Jenis Nomor P / ID

    I. Pengalaman Merumuskan Kebijakan Publik/Rekayasa Sosial Lainnya dalam 5 Tahun Terakhir

    No. Judul/Tema/Jenis Rekayasa Sosial Lainnya yang Telah Diterapkan Tahun Tempat

    Penerapan Respons

    Masyarakat

  • J. Penghargaan dalam l0 tahun Terakhir (dari pemerintah, asoslosi atau instit*si

    Kendari, I April20l3Pengusul,

    Semua data yang saya isikan dan tercantum dalam biodata ini adalah'benar dan dapatdipertanggungjawabkan secara hukum. Apabila di kemudian hari ternyata dijumpaiketidak-sesuaian dengan kenyataan, saya sanggup menerima sanksi.Demikian biodata ini saya buat dengan sebenarnya untuk memenuhi salah satu persyaratandalam pengajuan Usul Penelitian Fundamental 201 3

    iII?.

    '

    iItt!

    LE

    h.F'

    lain

    No. Jenis Penghargaan Institusi PemberiPensharshan Tahun

    29

  • 30

    Lampiran 6. Surat pernyataan ketua peneliti

  • KEMENTERIAN PENDIDIKAN DAN KEBUDAYAANUNIVERSITAS HALUOLEO

    Kampus Hijau Bumi Tridharma Anduonohu, Kendari 93232Telp. : (0401) 3194163, Fax. : (0401) 3190006

    SURAT PERNYATAAN KETUA PELITIIPELAKSANA

    Yang bertandatangandi bawah ini:Nama

    NIDNPangkat / Golongan

    Jabatan Fungsional

    Dengan ini menyatakan bahwa proposal penelitian saya dengan judul:Penumbuhan Lapisan Tipis Kadmium Aksida Dengan Metade PCI Untuk Aplikasi

    Elelaroda Transparan Pada Divais Sel Suryayang diusulkan dalam skema Penelitian Fundamental untuk tahun anggaran 2014 - 2015bersifat origiral dan belum pernah dibiayai oleh lembaga / snmber dana lain.Bilamana di kemudian hari ditemukan ketidaksesuaian dengan pernyataan ini, maka sayabersedia dituntut dan diproses sesuai dengan ketentuan yang berlaku dan mengembalikanseluruh biaya penelitian yang sudah diterima ke kas negara.

    Demikian pernyataan ini dibuat dengan dan dengan sebenar-benamya.

    Kendari, 1 April2013

    I 002

    Dr.IdaUsman0018047204

    PenataTk.I/IIVdLektor

    3l

    USULHALAMAN PENGESAHANDAFTAR ISIRINGKASANBAB 1. PENDAHULUAN1.1. Latar Belakang1.2. Tujuan Khusus1.3. Urgensi (Keutamaan) Penelitian

    BAB 2. TINJAUAN PUSTAKA2.1. Kadmium Oksida (CdO)2.2. TCO pada divais sel surya

    BAB 3. METODE PENELITIAN3.1. Prosedur Penelitian3.2. Karakterisasi lapisan tipis CdO3.3. Pembuatan divais sel surya3.4. Lokasi Penelitian3.5. Indikator Capaian Terukur

    BAB 4. BIAYA DAN JADWAL PENELITIAN4.1. Anggaran Biaya4.2. Jadwal Penelitian

    DAFTAR PUSTAKALAMPIRANLampiran 1. Justifikasi Anggaran PenelitianLampiran 2. Dukungan sarana dan prasarana penelitianLampiran 3. Susunan organisasi tim peneliti dan pembagian tugasLampiran 4. Nota kesepahaman MOU atau pernyataan kesediaan dari mitraLampiran 5. (A) Biodata Ketua Tim PenelitiUntitled

    Lampiran 5. (B) Biodata Anggota Tim PenelitiUntitled

    Lampiran 6. Surat pernyataan ketua peneliti