Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

download Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

of 38

Transcript of Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    1/38

    STUDI KONDUKTIVITAS LISTRIK, KURVA I-V DAN CELAH ENERGI

    FOTODIODA BERBASIS FILM TIPIS Ba0,75Sr0,25TiO3 (BST) YANG

    DIDADAH GALIUM (BSGT) MENGGUNAKAN METODE

    CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION(CSD)

    M. Romzie

    PROGRAM STUDI FISIKA

    FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

    INSTITUT PERTANIAN BOGOR

    2008

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    2/38

    M. Romzie (G74104047). STUDI KONDUKTIVITAS LISTRIK, KURVA I-V DAN CELAH

    ENERGI FOTODIODA BERBASIS FILM TIPIS Ba0,75Sr0,25TiO3 (BST) YANG DIDADAH

    GALIUM (BSGT) MENGGUNAKAN METODE CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION(CSD). Dibimbing Oleh Irzaman dan Ardian Arief.

    ABSTRAK

    Telah dilakukan penumbuhan film tipis Ba0.75Sr0.25TiO3 (BST) murni dan BST yang didoping

    Ga2O3 (BSGT) di atas substrat Si(100) tipe-p dan gelas korning. Metode yang digunakan adalah

    metode chemichal solution deposition (CSD) dengan teknik spin coating pada kecepatan putar

    3000 rpm dalam waktu 30 detik. Film tipis BST dibuat dengan konsentrasi 1 M dan annealing

    pada suhu 850oC, 900oC, dan 950oC untuk substrat Si dan 400oC, 450oC, dan 500oC untuk substrat

    gelas korning. Uji konduktivitas listrik dan resistansi dilakukan dengan alat LCR meter tipe

    HIOKI 3522-50 LCR HiTESTER dengan kombinasi tiga kondisi cahaya, yaitu gelap (0 watt),

    25 watt dan 100 watt. Pada film tipis BST dan BSGT didapatkan nilai konduktivitas semakin

    meningkat apabila semakin tinggi intensitas lampu yang diberikan dan sebaliknya nilai resistansi

    akan semakin menurun apabila intensitas cahaya ditingkatkan. Hasil karakterisasi I-V menunjukanbahwa film BST dan BSGT merupakan material fotodioda. Hasil karakterisasi UV-VIS

    menunjukkan band gap film tipis BST dan BSGT. Pada film BST dengan suhu annealing 400oC,

    450oC, dan 500oC didapatkan band gap sebesar 2.59 eV, 3.25 eV dan 3.32 eV. Pada film tipis

    BSGT dengan suhu annealing 400oC, 450oC, dan 500oC didapatkan band gap sebesar 3.38 eV,

    3.43 eV dan 3.43 eV, ini menunjukkan bahwa pendadah galium mempengaruhi besar band gap

    karena film tipis BSGT memiliki band gap lebih besar daripada band gap pada film tipis BST.

    Dari seluruh nilai band gap yang didapatkan menunjukkan bahwa film tipis BST dan BSGTmerupakan bahan semikonduktor.

    Kata kunci : Film tipis, BST, CSD, galium, annealing, fotodioda, band gap.

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    3/38

    STUDI KONDUKTIVITAS LISTRIK, KURVA I-V DAN CELAH ENERGI

    FOTODIODA BERBASIS FILM TIPIS Ba0,75Sr0,25TiO3 (BST) YANG

    DIDADAH GALIUM (BSGT) MENGGUNAKAN METODE

    CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION(CSD)

    Skripsi

    Sebagai salah satu syarat untuk memperoleh gelar Sarjana Sains pada

    Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam

    Intitut Pertanian Bogor

    Oleh:

    M. Romzie

    G74104047

    PROGRAM STUDI FISIKA

    FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

    INSTITUT PERTANIAN BOGOR

    2008

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    4/38

    Judul : Studi Konduktivitas Listrik, Kurva I-V dan Celah Energi Fotodioda Berbasis Film Tipis

    Ba0,75Sr0,25TiO3 (BST) yang Didadah Galium (BSGT) Menggunakan Metode Chemical

    Solution Deposition (CSD)Nama : M. Romzie

    NRP : G74104047

    Menyetujui

    Pembimbing I

    Dr. IrzamanNIP. 132 133 395

    Pembimbing II

    Ardian Arief, M.SiNIP. 132 321 392

    Mengetahui :

    Dekan Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam

    Institut Pertanian Bogor

    Dr. Drh. Hasim, DEANIP. 131 578 806

    Tanggal Lulus :

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    5/38

    iv

    RIWAYAT HIDUP

    Penulis dilahirkan di Jakarta pada tanggal 9 mei 1986 dari pasangan A. Sabrawi

    dan Fatimah. Penulis merupakan putra keempat dari enam bersaudara. Penulis

    menyelesaikan masa studinya di MI Nurul Hidayah Jakarta selama enam tahun,kemudian melanjutkan ke SLTP Islam Assalaam Jakarta selama tiga tahun,

    kemudian melanjutkan kembali ke SMA Negeri 49 Jakarta selama tiga tahun.

    Penulis lulus dari SMA Negeri 49 Jakarta pada tahun 2004 dan pada tahun yangsama penulis melanjutkan pendidikan sarjana strata satu di Departemen Fisika, Fakultas

    Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA) Institut Pertanian Bogor (IPB) melalui jalur

    Seleksi Penerimaan Mahasiswa Baru (SPMB).

    Selama mengikuti perkuliahan, penulis pernah menjadi asisten praktikum Pendidikan Agama

    Islam untuk mahasiswa TPB tahun ajaran 2006-2007 dan 2007-2008. Penulis juga aktif dalam

    organisasi kemahasiswaan sebagai anggota departemen infokom LDK DKM Al-Hurriyyah IPB

    tahun 2005/2006 dan sekretaris umum SERUM-G IPB tahun 2005/2006 dan 2006/2007. Selama

    perkuliahan penulis aktif dalam kegitan dan seminar-seminar baik di dalam kampus maupun

    di luar kampus.

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    6/38

    v

    KATA PENGANTAR

    Segala puji bagi Allah SWT yang begitu banyak memberikan nikmat kepada penulisterutama nikmat Iman, Islam dan kesehatan sehingga penulis dapat bersemangat dalam

    menyelesaikan skripsi yang merupakan salah satu syarat kelulusan penulis agar penulis dapat lulus

    dari Departemen Fisika IPB.Dalam penyelesaian skripsi ini, penulis banyak dibantu oleh berbagai pihak. Terima kasih

    penulis sampaikan kepada kedua orangtua beserta saudara-saudara penulis yang telah mendoakan,

    menyemangati dan mendanai penulis. Tak lupa ucapan terima kasih penulis sampaikan kepada

    Bapak Irzaman dan bapak Ardian sebagai pembimbing tugas akhir yang sangat semangat dalam

    membimbing penulis dan juga terima kasih kepada seluruh staf Departemen Fisika IPB.

    Rekan-rekan kerja di Serum-G (Serambi Ruhiyah Mahasiswa FMIPA) IPB Periode

    2006-2007 terutam kepada Ketua Serum-G periode 2006-2007, Ihsan Purwadi Statistika 41.

    Sahabat-sahabat di SISCO (Agung, Heriyanto, Aep, Ade, Ulul dan Erdiansyah) yang selalu

    mendukung dan menyemangati penulis. Teman-teman di Fisika 41 terutama Farid, Tb Gamma,

    Isran, dan yang lainnya yang insya Allah setia selalu menemani dan menghibur penulis sehingga

    penulis menjadi semangat luar biasa. Dan juga teman-teman penulis yang lain yang tidak dapat

    dituliskan satu per satu karena sangat banyak.

    Demikian skripsi ini penulis buat, semoga dapat bermanfaat untuk kita semua terutamauntuk perkembangan teknologi di Indonesia. Kritik dan saran yang membangun sangat penulis

    harapkan untuk kemajuan teknologi mengenai aplikasi material agar dapat lebih berkembang lagi.

    Semoga Allah SWT senantiasa melimpahkan rahmat dan karunianya untuk kita semua. Amiin.

    Bogor, September 2008

    Penulis

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    7/38

    vi

    DAFTAR ISI

    HalamanABSTRAK............................................................................................................................... i

    HALAMAN JUDUL................................................................................................................ ii

    LEMBAR PENGESAHAN...................................................................................................... iiiRIWAYAT HIDUP.................................................................................................................. iv

    KATA PENGANTAR ......................................................... .................................................... v

    DAFTAR ISI............................................................................................................................ vi

    DAFTAR TABEL.................................................................................................................... vii

    DAFTAR GAMBAR ........................................................ ....................................................... vii

    DAFTAR LAMPIRAN............................................................................................................ viii

    PENDAHULUAN.................................................................................................................... 1

    Latar Belakang ..................................................................... ......................................... 1

    Tujuan Penelitian........................................................................................................... 1

    Hipotesa......................................................................................................................... 1

    TINJAUAN PUSTAKA........................................................................................................... 1Barium Stronsium Titanat (BaxSr1-xTiO3) ........................................................... .......... 1

    Pendadah Galium Oksida (Ga2O3)................................................................................. 2

    Fotodioda....................................................................................................................... 2

    Fotokonduktivitas Listrik .................................................................... .......................... 3

    Metode Pendeposisian Cairan Kimia (Chemical Solution Deposition / CSD) .............. 3

    Spektroskopi Optik........................................................................................................ 4

    Karakterisasi I-V ................................................................... ........................................ 5

    BAHAN DAN METODE ........................................................ ................................................ 6

    Waktu dan Tempat ............................................................ ............................................ 6

    Alat dan Bahan ............................................................ .................................................. 6

    Metode Penelitian.......................................................................................................... 6

    Pembuatan Larutan BST dan BSGT ................................................................... 6Persiapan Substrat Si (100) Tipe-p dan Gelas Korning ...................................... 6

    Proses Penumbuhan Film Tipis ......................................................... ................. 7

    Karakterisasi.................................................................................................................. 8

    Pengukuran Resistansi dan Konduktivitas Film Tipis BST dan BSGT .............. 8

    Karakterisasi UV-VIS......................................................................................... 8

    Karakterisasi I-V................................................................................................. 8

    HASIL DAN PEMBAHASAN................................................................................................ 8

    Karakterisasi UV-VIS .............................................................. ..................................... 8Konduktivitas Listrik dan Resistansi Film Tipis BST dan BSGT ................................. 10

    Karakterisasi I-V (Arus - Tegangan) ................................................................... ......... 11

    KESIMPULAN DAN SARAN................................................................................................ 12Kesimpulan ............................................................ .................................................................. 12

    Saran ............................................................ .................................................................. .......... 13

    DAFTAR PUSTAKA ............................................................ .................................................. 13LAMPIRAN............................................................................................................................. 14

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    8/38

    vii

    DAFTAR TABEL

    HalamanTabel 4.1 Tabel pengaruh suhu dan persen pendadah terhadap

    nilai band gap .................................................... 10

    Tabel 4.2 Tabel pengaruh konduktivitas listrik terhadap daya lampu,suhu annealing dan persen pendadah................. 10

    Tabel 4.3 Tabel pengaruh resistansi terhadap daya lampu,

    suhu annealing dan persen pendadah................. 10

    DAFTAR GAMBAR

    Gambar 2.1 Konstanta kisi dari BaTiO3 terhadap fungsi temperatur........................................... 2

    Gambar 2.2 a) Sruktur kristal perovskit BST (ABO3) pada fase kubik.

    b) Sruktur kristal perovskit BST pada fase tetragonal ............................................ 2

    Gambar 2.3 Level energi akseptor pada semikonduktor .............................................................. 2

    Gambar 2.4 Lambang skematis fotodioda.................................................................................... 3

    Gambar 2.5 Kurva karakteristik arus- tegangan dari persambunganp-ndalam kondisi gelap dan terang............................................................................... 3

    Gambar 2.6 Transisi optik: (a) transisi langsung yang diizinkan dan (b) transisi

    langsung yang terlarang; (c) transisi tidak langsung menyertakan emisi fonon

    (panah keatas) dan absorpsi fonon (panah kebawah).............................................. 4

    Gambar 2.7 Kurva koefisien absorpsi optik........... ...................................................................... 5

    Gambar 2.8 Skema UV-VIS......................................................................................................... 5

    Gambar 2.9 Karakteristik I-V diodap-n ...................................................................................... 6Gambar 3.1 Kurva suhu T terhadap waktu t saat proses annealing.............................................. 7

    Gambar 3.2 Hasil proses penumbuhan film tipis .................................................................. ....... 7

    Gambar 3.3 a. Pemasangan kontak tampak samping

    b. Pemasangan kontak tampak muka........................................................................ 8

    Gambar 4.1 Grafik hubungan panjang gelombang terhadap nilai absorbansi.............................. 8

    Gambar 4.2 Grafik hubungan panjang gelombang terhadap nilai transmitansi............................ 8Gambar 4.3 Kurva plot touc pada suhu annealing 400oC dan tanpa pendadah ............................ 9

    Gambar 4.4 Kurva plot touc pada suhu annealing 400oC dengan pendadah 5%.......................... 9

    Gambar 4.5 Kurva plot touc pada suhu annealing 450oC dan tanpa pendadah ............................ 9

    Gambar 4.6 Kurva plot touc pada suhu annealing 450oC dengan pendadah 5%.......................... 9

    Gambar 4.7 Kurva plot touc pada suhu annealing 500oC dan tanpa pendadah ............................ 9

    Gambar 4.8 Kurva plot touc pada suhu annealing 500oC dengan pendadah 5%.......................... 10

    Gambar 4.9 Grafikband gap terhadap suhu annealing................................................................ 10

    Gambar 4.10 Grafik konduktivitas listrik terhadap daya lampu................................................... 11

    Gambar 4.11 Grafik resistansi terhadap daya lampu.................................................................... 11Gambar 4.12 Kurva I-V pada suhu annealing 850oC dan tanpa pendadah................................... 11

    Gambar 4.13 Kurva I-V pada suhu annealing 850oC dengan pendadah 5%................................ 11

    Gambar 4.14 Kurva I-V pada suhu annealing 900oC dan tanpa pendadah................................... 12

    Gambar 4.15 Kurva I-V pada suhu annealing 900oC dengan pendadah 5%................................ 12Gambar 4.16 Kurva I-V pada suhu annealing 950oC dan tanpa pendadah................................... 12

    Gambar 4.17 Kurva I-V pada suhu annealing 950oC dengan pendadah 5%................................ 12

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    9/38

    viii

    DAFTAR LAMPIRAN

    Lampiran 1. Diagram alir penelitian ...................................................................... ...................... 14Lampiran 2. Skema Pengukuran .................................................................. ................................ 15

    1. Karakterisasi UV-VIS.................................................................................................... 152. Karakterisasi Konduktivitas Listrik .................................................................... ........... 163. Karakterisasi I-V............................................................................................................ 17

    Lampiran 3. Data I-V meter ............................................................. ............................................ 18

    4. Suhu annealing 850oC dan tanpa pendadah .................................................................. . 185. Suhu annealing 850oC dengan pendadah galium 5%..................................................... 206. Suhu annealing 900oC dan tanpa pendadah .................................................................. . 227. Suhu annealing 900oC dengan pendadah galium 5%..................................................... 248. Suhu annealing 950oC dan tanpa pendadah .................................................................. . 269. Suhu annealing 950oC dengan pendadah galium 5%..................................................... 28

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    10/38

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    11/38

    2

    Gambar 2.1 Konstanta kisi dari BaTiO3

    terhadap fungsi suhu [C. Kugeler, 2006].

    Gambar 2.2 (a) Sruktur kristal perovskit

    BST (ABO3) pada fase kubik. (b) Sruktur

    kristal perovskit BST pada fase tetragonal

    [C. Kugeler, 2006].

    Pendadah Galium Oksida (Ga2O3)

    Cara untuk menambah daya konduksi

    semikonduktor adalah dengan menyuntik

    (doping). Hal ini berarti menambahkan

    atom-atom yang tidak murni ke dalam

    kristal intrinsik untuk merubah daya

    konduksi listriknya. Apabila doping yang

    digunakan adalah atom pentavalen maka

    kristal akan menghasilkan satu elektronbebas (atom donor). Dan kalau dimasukkan

    atom trivalen, maka masing-masing hole

    akan membantu untuk menerima sebuah

    elektron bebas selama rekombinasi

    (atom akseptor) [ A. P. Malvino, 2003].

    Tidak semua atom dapat digunakan sebagaiatom akseptor atau atom donor, ada

    beberapa persyaratan: (1) mempunyai

    ukuran atom yang hampir sama dengan atom

    murni (semikonduktor intrinsik yang akan

    didoping), sehingga dapat masuk dan tidak

    merusak struktur kristal atom murni,(2) memiliki jumlah elektron valensi

    berbeda satu dengan atom murni

    [Munasir, 2004].

    Atom galium memiliki tiga elektron

    dalam kulit terluarnya (trivalen), apabila

    dimasukkan ke dalam kristal silikon akan

    menimbulkan kekosongan (lubang) dalam

    struktur elektron kristal itu. Elektronmemerlukan energi relatif kecil untuk

    memasuki lubang, tetapi ketika elektronmelakukan hal itu, elektron meninggalkan

    lubang baru pada lokasi semula. Jika dipasang

    medan listrik melintang pada kristal silikon

    yang berisi galium, elektron bergerak ke arah

    anode dengan berturut-turut mengisi lubang.

    Aliran arus elektron disini lebih baik dinyatakan

    dengan mengacu pada lubangnya yang berlakusebagai muatan positif karena lubang itu

    bergerak ke arah elektroda negatif hal ini

    mengakibatkan semikonduktornya menjadi

    semikonduktor tipe-p [A. Beiser,1992].

    Gambar 2.3 Level energi akseptor pada

    semikonduktor.

    Pada semikonduktor tipe-p terdapat level

    energi akseptor yang berada di dalam energi

    gap, sedikit diatas tepi dari pita valensi, seperti

    yang ditunjukkan oleh gambar 2.3

    [M.A. Omar, 1974].

    Fotodioda

    Fotodioda adalah suatu alat yang dibuat

    untuk berfungsi paling baik berdasarkan

    kepekaan terhadap cahaya. Pada dioda ini

    sebuah jendela memungkinkan cahaya untuk

    masuk melalui pembungkus dan mengenai

    persambungan. Cahaya yang datang

    menghasilkan elektron dan hole. Makin kuat

    cahayanya makin banyak pembawa minoritas

    dan makin besar arus baliknya.

    Gambar 2.4 menunjukan lambang skematis

    fotodioda. Panah yang mengarah ke dalam

    melambangkan cahaya yang datang. Sumber

    dan tahanan seri memberikan prategangan balik

    pada fotodioda. Bila cahaya makin cerah arus

    balik naik. Dalam fotodioda yang lazim arus

    balik tersebut besarnya sekitar puluhan

    mikroampere. Fotodioda adalah salah satu

    contoh fotodetektor, yaitu sebuah alat

    optoelektronika yang dapat mengubah cahaya

    datang menjadi besaran listrik.

    Tidak seperti LED yang biasnya panjar

    maju, persambungan semikonduktor pada

    fotodioda biasnya adalah panjar mundur.

    Prinsip dasar fotodioda berhubungan untuk

    membangkitkan pasangan elektron-hole (oleh

    peristiwa penyerapan foton dengan energi

    gEh ) di dalam atau di dekat daerah

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    12/38

    3

    Gambar 2.4 Lambang skematis fotodioda

    Gambar 2.5 Kurva karakteristik arus-

    tegangan dari persambungan p-n dalam

    kondisi gelap dan terang

    [B. G. Yacobi, 2003].

    deplesi yang menghasilkan pemisahan dari

    pengisian dalam arah yang berlawanan

    melalui persambungan dan aliran arus di

    dalam divais. Total arus yang dihasilkan

    adalah

    phgB ITkeVII = ]1)/[exp(0 (2.1)

    Dimana Iphg adalah arus fotogenerasi yang

    dapat diekspresikan seperti

    Iphg = eGA(W+Lc+Lh), dimana G adalah

    rata-rata generasi pasangan elektron-hole.

    Persamaan ini menggambarkan karakteristik

    dioda (ditunjukkan oleh gambar 2.5) yaitu,

    terjadi pergeseran ke bawah, yangbergantung pada intensitas cahaya

    [B. G. Yacobi, 2003].

    Fotokonduktivitas Listrik

    Fotokonduktivitas adalah fenomena

    optik dan listrik di dalam suatu material

    yang menjadi lebih konduktif ketika

    menyerap radiasi elektromagnet seperti

    cahaya tampak, sinar ultraviolet, sinar

    inframerah, atau radiasi gamma. Ketika

    cahaya diserap oleh sebuah material seperti

    semikonduktor, jumlah dari perubahan

    elektron bebas dan hole meningkatkan

    konduktivitas listrik dari semikonduktor.

    Eksitasi cahaya yang menumbuk

    semikonduktor harus mempunyai cukup

    energi untuk meningkatkan jumlah elektron

    yang menyebrangi daerah terlarang atau oleh

    eksitasi pengotoran dalam daerah bandgap.

    Ketika tegangan dan beban resistor digunakan

    secara seri dengan semikonduktor, penurunan

    tegangan menyeberangi beban resistor dapatdiukur ketika perubahan pada konduktivitas

    listrik berubah-ubah melalui lintasan aliran arus

    [wikipedia.org].

    Peningkatan konduktivitas listrik

    disebabkan oleh eksitasi dari penambahan

    pengisian bebas yang diangkut oleh cahayaenergi tinggi pada semikonduktor dan insulator

    [www.answers.com].

    Konduktivitas listrik (S/cm) berhubungan

    dengan resistivitas ( cm):

    1

    =

    (2.2)Konduktivitas listrik suatu semikonduktor

    dapat dihitung dari persamaan :

    nq =(2.3)

    Dengan besar muatan q (1,602 x 10-19 C),

    mobilitas pembawa (unit cm2 /Vs), dandensitas pembawa n (unit cm-3). Jika kedua

    jenis pembawa (elektron dan hole) saling

    terkait, konduktivitas didapat dari persamaan :

    nqnq pn += (2.4)

    Metode Pendeposisian Cairan Kimia

    (Chemical Solution Deposition / CSD)Dalam pengolahan film tipis dengan metode

    CSD, hasil yang diinginkan adalah untuk

    mengoptimalkan film untuk aplikasi yangspesifik. Untuk hasil yang efektif, diperlukan

    suatu pemahaman yang pokok tentang substrat,

    larutan kimia, dan efek dari proses termal pada

    evolusi struktural dari deposisi film untuk

    tingkatan kristalin keramik yang dibutuhkan

    [R. W. Schwartz, 1997].

    Disini, substrat dicoating oleh cairan

    prekursor menggunakan spin coating atau dip-

    coating. Bahan yang biasanya mengunakan

    metode CSD adalah sol/gel dan dekomposisi

    metal organik (MOD) dengan lebar spektrum

    dari metode hibrid [C. Kugeler, 2006].

    CSD didasarkan metode dekomposisi pada

    dasarnya dilakukan dengan beberapa tahap :1. Persiapan larutan prekursor,2. Pelapisan substrat,3. Perlakuan panas untuk pirolisis film

    basah,

    4. Terakhir dilakukan annealing.

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    13/38

    4

    Persiapan pertama dalam pembuatan

    prekursor secara kimiawi adalah

    menggunakan material keras seperti lead-

    asetat, zirconium-n-propoksida atau

    titanium-i-propoksida, kemudian campur

    dengan bahan lain dan ditambah pelarut danberi perlakuan suhu dengan cara yang tepat.

    Tahap kedua, film diberi beberapa tetes

    larutan prekursor di atas substrat, kemudiandirotasi dengan spin coater agar distribusi

    cairannya homogen. Dengan demikian

    ketebalan film bergantung pada viskositas

    dari prekursor dan kecepatan rotasi. Pada

    tahap yang ketiga film basah dikeringkan

    dan dipirolisis oleh pemanas padatemperatur sedang, misalnya penempatan

    substrat ditempat yang panas. Untuk

    menambahkan lapisan film pada tahap

    spinning dan pirolisis diulang beberapa kalitanpa merubah viskositas larutan prekursor.

    Akhirnya, film terkristalisasi pada

    peningkatan suhu (antara 600oC dan 800oC)

    [C. Kugeler, 2006].

    Salah satu keuntungan metode CSD

    adalah sangat fleksibel untuk komposisi

    material apapun, sejak persiapan larutan

    prekursor prosesnya cepat dan tiap

    komposisi material yang diinginkan

    mungkin untuk dicampur pada komponen

    awal dengan rasio yang diinginkan.

    Selanjutnya, tidak diperlukan teknik khusus

    dan juga biayanya murah[C. Kugeler, 2006].

    Spektroskopi Optik

    Pengukuran nilai optik sangat penting

    dalam menentukan struktur pita

    semikonduktor. Induksi foton pada transisielektronik dapat terjadi antara pita yang

    berbeda, yang nantinya akan digunakan

    untuk mencari band gap.

    Pada semikonduktor, koefisien absorpsi

    merupakan fungsi dari panjang gelombang

    atau energi foton. Koefisien absorpsi dapat

    ditunjukkan berdasarkan persamaan

    e

    k4= (2.5)

    dan

    ( )gEhv (2.6)

    Dimana hv adalah energi foton dan adalahkonstanta dan ke adalah koefisien

    pemadaman (extinction). Terdapat dua jenis

    transisi dari pita ke pita : diizinkan (allowed)

    dan terlarang (forbidden). Untuk material

    yang bandgapnya langsung, transisi

    kebanyakan terjadi antara dua pita yang

    memiliki nilai kyang sama, seperti transisi (a)dan (b) pada gambar 2.6. Transisi langsung

    yang diizinkan dapat terjadi pada seluruh nilai

    k, sedangkan transisi langsung yang terlarang

    hanya dapat terjadi pada saat k 0. Untuk

    transisi langsung perkiraan nilai sebesar 1/2dan 3/2 secara berurutan untuk yang diizinkan

    dan terlarang. Untuk k = 0 dimana bandgap

    didefinisikan, hanya transisi yang diizinkan

    ( = 1/2) yang terjadi dan ini digunakan untukmenentukan bandgap secara eksperimen. Untuk

    transisi tidak langsung [transisi (c) gambar 2.6],

    berperan dalam mempertahankan momentum.

    Pada transisi ini, tiap fonon (dengan energi Ep)

    ada yang diserap atau diemisikan, dan koefisien

    absorpsi dapat dimodifikasi menjadi :

    Gambar 2.6 Transisi optik: (a) transisi langsungyang diizinkan dan (b) transisi langsung yang

    terlarang; (c) transisi tidak langsung

    menyertakan emisi fonon (panah keatas) dan

    absorpsi fonon (panah kebawah)

    [S. M. Sze et al, 2007].

    ( ) pg EEhv (2.7)

    Disini konstanta bernilai 2 dan 3 secaraberurutan untuk transisi tidak langsung yang

    diizinkan dan terlarang. [S. M. Sze et al, 2007]

    Kurva absorpsi optik semikonduktor dapatdibagi menjadi tiga daerah dan dapat dilihat

    pada gambar 2.6 :1.Daerah A disebut sebagai daerah absorpsi

    tail (ekor) untuk nilai 1 cm-1.

    2.Daerah B disebut sebagai daerah Urbachatau daerah eksponensial. Daerah ini nilai

    alphanya131 101 cmcm .

    3.Daerah C disebut daerah pangkat, padadaerah ini mengikuti hukum pangkat atau

    n

    gEhCh )()( = , nilai alpha pada

    daerah ini adalah : 1310 cm .

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    14/38

    5

    Gambar 2.7 Kurva koefisien absorpsi optik

    [Irzaman et al, 2003].Transisi optik pada daerah C pada kurva

    absorpsi (1310 cm ) dapat ditentukan

    energi gapnya dengan membuat plot linier

    dari kurva alpha terhadap energi. Metode

    plot Tauc yang penjelasan sebagai berikut :

    1. Data yang keluar adalah transmitansiterhadap panjang gelombang

    2. Kemudian tentukan apakah transisinyalangsung atau tidak berdasarkan

    persamaann

    gEhBh )( = (2.8)

    Untuk n=2 transisi tidak langsung,sedangkan untuk n=1/2 transisi

    langsung. Cari plot grafik yang lebih

    linier (apakah saat n=2 atau saat n=1/2),

    apabila n=2 lebih linier maka transisi

    tidak langsung, sebaliknya apabila

    n=1/2 yang lebih linier maka transisi

    langsung.

    3. Dengan melakukan ekstrapolasi bagian

    linier kurvan

    h/1)( terhadap h

    memotong absis, diperoleh nilai energi

    yang dinamakan celah energi (Eg).

    Ekstrapolasi dilakukan pada daerah kurva yangmeningkat tajam, dimana daerah tersebut

    menyatakan terjadinya transisi langsung

    [S. M. Sze , 2007].

    Salah satu cara untuk menentukan sifat optik

    suatu bahan yaitu dengan menggunakan metode

    spektroskopi UV-VIS. Spektroskopi UV-VIS

    adalah teknik yang digunakan untuk

    mengeksitasi elektron valensi dalam atom

    seperti mencari celah (band) dari atom atau

    molekul. Spektroskopi UV-VIS memiliki

    rentang panjang gelombang antara 200-950 nm

    [M. M. Grady, 2006].

    Pada kenyataannya molekul memilikikemampuan untuk menyerap ultraviolet atau

    cahaya tampak. Absorpsi ini sesuai untuk

    mengeksitasi elektron terluar pada molekul

    terkait. Ketika molekul menyerap energi

    elektron dinaikkan dari HOMO (Highest

    Occupied Molecular Orbital) ke LUMO

    (Lowest Unoccupied Molekular Orbital).

    Bagian-bagian Spektrofotometer

    UV-VIS adalah : sumber cahaya,

    monokromator dan detektor. Monokromator

    bekerja seperti kisi difraksi untuk membagi

    cahaya kedalam bermacam panjang gelombang.

    Peran detektor adalah untuk merekam intensitascahaya yang ditransmisikan [ A. Gahr]. Skema

    jalur sinar pada spektrofotometer UV-Vis dapat

    dilihat pada gambar 2.8.

    Karakterisasi I-V

    Saat diode berpanjar maju, probabilitas

    pembawa muatan mayoritas yang mempunyai

    Gambar 2.8 Jalur sinar pada spektrofotometer UV-Vis

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    15/38

    6

    cukup energi untuk melewati potensial

    penghalang Vo V akan tergantung pada

    muatan elektron (q) dan temperatur absolut.

    kTVVqe

    /)( 0(2.7)

    Jadi arus difusi yang mengalir adalahsebesar

    TVVAeI/

    = )/( qkTVT = (2.8)

    dimana VT = 25 mV pada temperatur ruang,

    = 1 untuk gemanium dan berharga 2 untuksilikon. Jadi arus total yang mengalir adalahsebesar

    TVVAeII/

    0 +=

    Gambar 2.9 Karakteristik I-V diodap-n

    atau karena I = 0 untuk V = 0 diperoleh

    )1(/

    0 =TVVeII

    (2.9)

    Persamaan 2.9 merupakan karakteristik I-Vumum diode.

    BAHAN DAN METODE

    Waktu dan Tempat

    Penelitian ini dilakukan di LaboratoriumMaterial Departemen Fisika IPB dengan

    lama waktu penelitian dari bulan

    juli 2007 april 2008.

    Alat dan Bahan

    Penelitian ini menggunakan alat dan

    bahan sebagai berikut :1. Alat : timbangan Sartonius Model

    BL 6100, spin coating, mortar, pipet,

    gelas ukur, gelas piala, tabung reaksi,

    setrika, pinset plastik, gunting,

    stopwatch, spatula, pipet, masker, kertas

    obat, desikator, pisau kristal, tisu,

    sarung tangan karet, masker, corong,cawan petritis, beaker glass, kompresor

    udara, Lampu, aluminium foil, double

    tip (perekat), solasi transparan, IC 741,

    resistor, potensiometer, baterai, kabel,

    bread board, furnace tipe

    VulcanTM 3-130, evaporator, I-V meter,

    spektrofotometer UV-Vis, multimeter,

    LCR meter tipe HIOKI 3522-50 LCR

    HiTESTER.

    2. Bahan : Ba(CH3COO)2 99%, Sr(CH3COO)299%, Ti(C12O4H28) 99.999%, pelarut

    2-metoksietanol [H3COCH2CH2OH, 99%],galium asetat, substrat Si tipe-p, gelas

    korning, metanol, aseton, aquabides dan

    larutan HF 5%.

    Metode Penelitian

    Pembuatan Larutan BST dan BSGTDalam penelitian ini BST dibuat dengan

    metode chemical solution deposition (CSD).

    Pertama-tama semua bahan seperti barium

    asetat [Ba(CH3COO)2, 99%] dan stronsium

    asetat [Sr(CH3COO)2, 99%)] digerus selama

    3 jam agar diperoleh butiran yang halus.Kemudian masukkan barium asetat, stronsium

    asetat, titanium isopropoksida

    [Ti(C12O4H28), 99%] dan 2-metoksietanol

    [H3COOCH2CH2OH, 99%] ke dalam tabung

    reaksi. Bahan-bahan yang telah tercampur di

    dalam tabung reaksi dikocok secara manual

    selama kurang lebih 1 jam (campuran tersebutbiasa disebut precursor). Kemudian precursor

    dipanaskan pada permukaan setrika dengan

    temperatur 120oC selama 5 menit agar

    bahan-bahan tercampur secara merata. terakhir

    precursortersebut disaring dengan kertas saring

    agar didapat larutan yang lebih homogen.Untuk pembuatan larutan BSGT prosesnya

    sama seperti pada pembuatan larutan BST,

    bedanya hanya ditambahkan pendadah (galium

    oksida) sebanyak 5% yang sebelumnya telah

    digerus terlebih dahulu.

    Persiapan Substrat Si (100) Tipe-p dan Gelas

    KorningSubstrat yang digunakan adalah Si (100)

    tipe-p dan gelas korning dengan ukuran

    1 cm x 1 cm. Pemotongan substrat Si (100)

    tipe-p dilakukan dengan sangat hati-hati dengan

    menggunakan alat pemotong kristal dan dibantudengan penggaris plastik. Usahakan dalamproses pemotongan agar tidak terbentuk goresan

    pada lapisan bahan aktif bagian muka substrat.

    Substrat Si (100) tipe-p yang telah terpotong,

    kemudian dibersihkan. Kebersihan substrat

    harus diperhatikan agar film tipis dapat tumbuh

    dengan baik dan merata pada permukaan

    substrat. Proses pembersihan substrat Si (100)

    tipe-p dilakukan secara bertahap. Tahapan

    pertama substrat Si (100) tipe-p dibersihkan

    bagian aktifnya dengan tisu, kemudian

    dicelupkan ke dalam larutan HF 5%. Setelah

    dicelupkan dalam HF 5% substrat dicelupkan

    Panjar Mundur Panjar Maju

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    16/38

    7

    dalam larutan aquabides. Kemudian Setelah

    itu dikeringkan dengan kompresor udara.Untuk pemotongan substrat gelas

    korning prosesnya hampir sama seperti pada

    pemotongan silikon, bedanya hanya pada

    proses pencucian. Tahapan pertama substrat

    korning dicelupkan ke dalam larutan etanol.

    Setelah dicelupkan dalam etanol substrat

    dicelupkan dalam larutan metanol.

    Kemudian metanol dibersihkan dengan dye

    water selama 1 menit. Setelah itu

    dikeringkan dengan kompresor udara. Dye

    water dapat diganti dengan aquades atau

    aquabides

    Proses Penumbuhan Film TipisSubstrat diletakkan di atas reaktor spin

    coating (jangan lupa diberi perekat agar

    substrat tidak terpental). Tutup kira-kira 1/3

    dari bagian substrat dengan menggunakan

    solasi transparan untuk membedakan bagian

    yang akan di tumbuhi film dan yang tidak.

    Tetesi larutan prekursor di atas substrat Si

    (100) tipe-p sebanyak 1 tetes (usahakan

    merata di atas permukaan yang akan

    ditumbuhkan film). Kemudian reaktor spin

    coating diputar pada 3000 rpm selama

    30 detik. Substrat Si (100) tipe-p yang telahdiproses dipanaskan di atas permukaan

    setrika selama satu jam pada temperatur

    120oC. Substrat siap diproses langkah

    selanjutnya yaitu annealing.

    Annealing adalah proses pemanasan

    kristal yang mengalami pengerasan untuk

    mengembalikan kelentukannya

    [ A.Beiser, 1987]. Annealing dilakukan

    menggunakan furnace model

    VulcanTM3-130. Proses annealing untuk

    setiap substrat dilakukan pada temperatur

    850oC, 900oC dan 950oC (untuk substrat

    korning digunakan suhu 400oC, 450oC dan

    500oC) sehingga sampel yang didapat sebanyak

    enam jenis untuk substrat silikon (850oC 0%,850oC 5%, 900oC 0%, 900oC 5%, 950oC 0%

    dan 950oC 5%) dan enam sampel untuk substrat

    korning (400oC 0%, 400oC 5%, 450oC 0%,

    450oC 5%, 500oC 0% dan 500oC 5%).

    Annealing dimulai dari temperatur ruangan

    dengan kenaikan 1,7oC/menit sampai didapat

    temperatur annealing 850oC, 900oC dan 950oC.Penggunaan temperatur annealing 850oC keatas

    karena berdasarkan penelitian sebelumnya film

    tipis BSGT lebih efektif ditumbuhkan pada

    temperatur annealing tinggi. Kemudian ketika

    temperatur annealing telah dicapai maka

    dilakukan penahanan temperatur tersebutselama 15 jam. Tahapan terakhir yaitu

    penurunan temperaturfurnace (furnace cooling)

    sampai didapat temperatur ruang. Secara garis

    besar proses annealing diperlihatkan pada

    Gambar 3.1. Hasil yang didapat dapat dilihat

    pada Gambar 3.2.

    Gambar 3.2. Hasil proses penumbuhan film tipis

    Setelah proses annealing dilakukan

    pembuatan kontak aluminium dengan

    menggunakan alat evaporator. Berikut ini

    gambar film yang telah diberi kontak

    (gambar 3.3)

    Gambar 3.1. Kurva suhu T terhadap waktu t saat proses annealing.

    BST tipe-n

    Substrat Si tipe-p

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    17/38

    8

    (a)

    (b)

    Gambar 3.3. (a) Pemasangan kontak tampak

    samping

    (b) Pemasangan kontak tampak

    muka

    Karakterisasi

    Pengukuran Konduktivitas Listrik dan

    Resistansi Film Tipis BST dan BSGTPengukuran resistansi dan konduktivitas

    listrik dilakukan dengan menggunakan alat

    LCR meter tipe HIOKI 3522-50 LCR

    HiTESTER. Alat ini memiliki kecepatan

    pengukuran 5ms sehingga dapat lebih cepat

    dan efisien dalam melakukan pengukuran

    [HIOKI, 2001]. Parameter pengukuran yang

    dapat dilakukan oleh LCR meter adalah |Z|,

    |Y|, , Rp (DCR), Rs (ESR, DCR), G, X, B,

    Cp, Cs, Lp, Ls, D (tan ), dan Q[HIOKI, 2001].

    Dari alat LCR meter ini didapatkan nilai

    G (konduktansi), untuk mendapatkan nilai

    konduktivitas listriknya digunakan

    persamaan 3.1

    A

    Gt= (3.1)

    untuk mendapatkan nilai R bisa dilihat

    langsung di alat LCR meter atau dengan

    menggunakan persamaan 3.2

    GR

    1= (3.2)

    Skema pengukurannya dapat dilihat pada

    lampiran 2.

    Karakterisasi UV-VISKarakterisasi UV-VIS ini dilakukan untuk

    mencari nilai bandgap suatu film tipis

    BST/BSGT. Pengukuran dilakukan dengan

    menggunakan alat spektrofotometer UV-VIS.

    Perhitungan untuk mencari bandgap digunakanmetode plot Tauc. Skema pengukuran lihat di

    lampiran 2.

    Karakterisasi I-VKarakterisasi I-V dilakukan untuk melihat

    karakteristik sifat listrik film tipis BST/BSGT

    yang dibuat dengan melihat hasil kurva I-V dari

    alat I-V meter. Skema pengukuran lihat di

    lampiran 2.

    HASIL DAN PEMBAHASAN

    Karakterisasi UV-VISKarakterisasi UV-VIS ini dilakukan untuk

    mencari nilai band gap suatu film tipisBST/BSGT. Karakterisasi dilakukan dengan

    rentang panjang gelombang dari 200-800 nm.

    0

    0,2

    0,4

    0,6

    0,8

    1

    1,2

    1,4

    1,6

    0,00E+00 2,00E-07 4,00E-07 6,00E-07 8,00E-07 1,00E-06

    (m)

    Absorbansi

    400oC ; 0%

    400oC ; 5%

    450oC ; 0%

    450oC ; 5%

    500oC ; 0%

    500oC ; 5%

    Gambar 4.1 Grafik hubungan panjang

    gelombang terhadap nilai absorbansi

    Berdasarkan data yang didapat (gambar 4.1)

    dapat dilihat bahwa nilai absorbansi maksimum

    kira-kira terjadi pada panjang gelombang

    300 nm.

    0

    10

    20

    30

    40

    50

    60

    70

    80

    90

    0,00E+00 2,00E-07 4,00E-07 6,00E-07 8,00E-07 1,00E-06

    (m)

    Transmitansi(%) 400oC ; 0%

    400oC ; 5%

    450oC ; 0%

    450oC ; 5%

    500oC ; 0%

    500oC ; 5%

    Gambar 4.2 Grafik hubungan panjang

    gelombang terhadap nilai transmitansi

    Berdasarkan data yang didapat (gambar 4.2)

    dapat dilihat bahwa nilai transmitansi minimum

    wire

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    18/38

    9

    kira-kira terjadi pada panjang gelombang

    300 nm.

    Saat nilai absorbansi rendah (saat tidakmaksimum) sekitar 0,2 pada saat panjang

    gelombangnya 350 800 nm menunjukkkan

    elektron tidak dapat menyerap energi padapanjang gelombang tersebut, sehingga

    energi yang diberikan hanya diteruskan saja.

    Oleh karena itu, nilai transmitansi padapanjang gelombang tersebut memiliki nilai

    yang besar, yaitu 60-90%. Nilai absorbansi

    maksimum atau nilai transmitansi minimum

    pada 300 nm ini merupakan nilai optimum

    penyerapan energi oleh elektron sehingga

    elektron memiliki energi yang cukup untukmelewati bandgap.

    0

    500

    1000

    1500

    2000

    2500

    3000

    0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5

    h ( eV)

    (h

    2

    Gambar 4.3 Kurva plot touc pada suhu annealing

    400oC dan tanpa pendadah

    Berdasarkan gambar 4.3, didapatkannilai band gap (Eg) dari BST dengan suhu

    annealing 400oC dan tanpa pendadah adalah

    sebesar 2,59 eV.

    0

    500

    1000

    1500

    2000

    2500

    3000

    3500

    4000

    4500

    0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5

    h (eV)

    (h

    )1

    /2

    Gambar 4.4 Kurva plot touc pada suhu annealing

    400oC dengan pendadah 5%

    Berdasarkan gambar 4.4, didapatkan

    nilai band gap (Eg) dari BST dengan suhu

    annealing 400oC dengan pendadah 5%

    adalah sebesar 3,38 eV.

    0

    500

    1000

    1500

    2000

    2500

    3000

    3500

    4000

    0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5

    h (eV)

    (h

    2

    Gambar 4.5 Kurva plot touc pada suhu annealing

    450oC dan tanpa pendadah

    Berdasarkan gambar 4.5, didapatkan nilai

    band gap (Eg) dari BST dengan suhu annealing

    450oC dan tanpa pendadah adalah sebesar

    3,25 eV.

    0

    500

    1000

    1500

    2000

    2500

    3000

    3500

    4000

    4500

    5000

    0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5

    h (eV)

    (h

    )/2

    Gambar 4.6 Kurva plot touc pada suhu annealing450oC dengan pendadah 5%

    Berdasarkan gambar 4.6, didapatkan nilai

    band gap (Eg) dari BST dengan suhu annealing

    450oC dengan pendadah 5% adalah sebesar

    3,43 eV.

    0

    500

    1000

    1500

    2000

    2500

    3000

    3500

    4000

    4500

    0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5

    h ( eV)

    (h

    2

    Gambar 4.7 Kurva plot touc pada suhu annealing

    500oC dan tanpa pendadah

    Berdasarkan gambar 4.7, didapatkan nilai

    band gap (Eg) dari BST dengan suhu annealing

    500oC dan tanpa pendadah adalah sebesar

    3,32 eV.

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    19/38

    10

    0

    500

    1000

    1500

    2000

    2500

    3000

    3500

    4000

    4500

    0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5

    h ( eV)

    (h

    2

    Gambar 4.8 Kurva plot touc pada suhu annealing500oC dengan pendadah 5%

    Berdasarkan gambar 4.8, didapatkan

    nilai band gap (Eg) dari BST dengan suhu

    annealing 500oC dengan pendadah 5%

    adalah sebesar 3,43 eV.

    Berdasarkan nilai band gap yang telah

    didapat dapat dibuat tabel 4.1.

    Tabel 4.1 Tabel pengaruh suhu dan persen

    pendadah terhadap nilai band gap

    Bandgap (eV)

    Suhu (oC) 0% 5%

    400 2,59 3,38

    450 3,25 3,43

    500 3,32 3,43

    Sehingga dapat digambarkan dengan

    grafik (gambar 4.9)

    0

    0.5

    1

    1.5

    2

    2.5

    3

    3.5

    4

    400 420 440 460 480 500 520

    Suhu Annealing (oC)

    Bandgap(

    eV)

    0%

    5%

    Gambar 4.9 Grafikband gap terhadap suhu

    annealing.

    Berdasarkan grafik di atas dapatdinyatakan bahwa band gap meningkat

    seiring dengan semakin banyaknya

    pendadah dan semakin besarnya suhu. Hal

    ini terjadi karena pendadah yang dilakukan

    pada penelitian ini merupakan pendadah

    tipe-p yang akan membuat energi akseptor(Ea) didalam celah energi (band gap), dekat

    diatas tepi pita valensi sehingga elektronyang ada di pita konduksi akan mampir

    terlebih dahulu ke energi akseptor (Ea) yang

    selanjutnya akan menuju pita valensi.

    Karena elektron singgah di energi akseptor

    terlebih dahulu sehingga seolah-olahmenyebabkan energi band gap yang diperlukan

    semakin besar.

    Peningkatan suhu juga akan memperbesar

    band gap. Peningkatan band gap ini

    kemungkinan karena suhu annealing yangdigunakan masih dalam tahap pembentukan

    kristal, sehingga kristal yang terbentuk belum

    sempurna.

    Konduktivitas Listrik dan Resistansi Film

    Tipis BST dan BSGT

    Pengukuran nilai resistansi dan

    konduktivitas listrik pada penelitian dilakukan

    dalam tiga kondisi yang berbeda, yaitu gelap(0 Watt), dengan lampu 25 Watt dan dengan

    lampu 100 Watt. Pengukuran dilakukan pada

    temperatur ruang 27oC. Hasilnya ditunjukkan

    oleh tabel 4.2, tabel 4.3, gambar 4.10, dangambar 4.11.

    Tabel 4.2 Tabel pengaruh konduktivitas listrik

    terhadap daya lampu, suhu annealing dan

    persen pendadah.

    Konduktivitas Listrik (S/m)

    Suhu ; % 0 Watt 25 Watt 100 Watt

    850oC; 0% 3.09x10-7 4.49x10-6 5.19x10-6

    850oC; 5% 2.71x10-8 1.69x10-7 2.25x10-7

    900oC; 0% 2.49x10-8 4.65x10-8 6.50x10-8

    900oC; 5% 9.76x10-8 1.24x10-7 5.23x10-7

    950oC; 0% 1.24x10-8 1.11x10-7 2.79x10-7

    950oC; 5% 6.18x10-8 1.64x10-7 1.60x10-7

    Tabel 4.3 Tabel pengaruh resistansi terhadap

    daya lampu, suhu annealing dan persen

    pendadah.

    Resistansi ()

    Suhu ; % 0 Watt 25 Watt 100 Watt

    850oC; 0% 5.49x105 3.78x104 3.27x104

    850oC; 5% 6.27x106 1.00 x106 7.53 x105

    900oC; 0% 6.82 x106 5.36 x106 2.61 x106

    900oC; 5% 1.74 x106 1.37 x106 3.25 x105

    950oC; 0% 1.37 x107 1.53 x106 6.09 x105

    950oC; 5% 2.75 x106 1.03 x106 1.06 x106

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    20/38

    11

    0.00E+00

    1.00E-06

    2.00E-06

    3.00E-06

    4.00E-06

    5.00E-06

    6.00E-06

    0 20 40 60 80 100 1 20

    Daya Lampu (Watt)

    Konduktivitas(S/m)

    850oC; 0%

    850oC; 5%

    900oC; 0%

    900oC; 5%

    950oC; 0%

    950oC; 5%

    Gambar 4.10 Grafik konduktivitas listrik

    terhadap daya lampu

    -2.00E+06

    0.00E+00

    2.00E+06

    4.00E+06

    6.00E+06

    8.00E+06

    1.00E+07

    1.20E+07

    1.40E+07

    1.60E+07

    0 20 40 60 80 100 120

    Daya Lampu (Watt)

    Resistansi()

    850oC; 0%

    850oC; 5%

    900oC; 0%

    900oC; 5%

    950oC; 0%

    950oC; 5%

    Gambar 4.11 Grafik resistansi terhadap daya

    lampu

    Berdasarkan data diatas semakin besar

    daya lampu semakin meningkatkan nilaikonduktivitas listrik dan semakin

    memperkecil nilai resistansi. Hal ini

    dikarenakan ketika semakin besar daya

    lampu yang digunakan untuk menyinari

    persambungan p-n antara film tipis BST

    dengan Si tipe-p akan mengakibatkan

    semakin bayak elektron yang terdapat pada

    pita valensi menuju ke pita konduksi

    sehingga dengan semakin banyaknya

    elektron pada pita konduksi akan

    menyebabkan konduktivitas listrik semakin

    besar dan sebaliknya resistansi akan semakin

    kecil.

    Pengaruh doping terhadap konduktivitas

    listrik film tipis yaitu ketika diberi doping akan

    mengakibatkan konduktivitas listrik menurun

    saat suhu annealing 850oC dan konduktivitas

    listrik meningkat pada suhu annealing 900oC

    dan 950o

    C. Penurunan konduktivitas listrik saatsuhu annealing 850oC terjadi karena kondisi

    850oC tanpa pendadah merupakan kondisi yang

    paling baik sehingga ketika diberi gangguan

    berupa pendadah mengakibatkan konduktivitas

    listriknya menurun. Peningkatan konduktivitas

    listrik saat suhu annealing 900oC dan 950oC

    terjadi karena pada kondisi ini ketika belum

    diberi pendadah nilai konduktivitas listriknya

    belum terlalu baik sehingga ketika diberi

    pendadah akan meningkatkan konduktivitas

    listrik film tipis tersebut.

    Nilai konduktivitas listrik yang didapatkan

    mempunyai orde antara 10-8 10-6 S/m, hal inidapat dikatakan bahwa film tipis yang dibuat

    bersifat sebagai semikonduktor.

    Karakterisasi I -V (Arus - Tegangan)

    Karakterisasi I-V dilakukan dengan

    menggunakan I-V meter dengan dua perlakuan:

    (1) kondisi terang (dengan menggunakan dua

    buah lampu dengan daya masing-masing

    40 watt dan 20 watt), (2) kondisi gelap (sampel

    ditutup dengan kotak hitam). Hasilnya akan

    dibandingkan antara kurva I-V dalam kondisi

    terang dan dalam kondisi gelap. Berikut

    merupakan data yang didapatkan :

    -0.0000025

    -0.000002

    -0.0000015

    -0.000001

    -0.0000005

    0

    0.0000005

    0.000001

    0.0000015

    0.000002

    0.0000025

    0.000003

    -6 -4 -2 0 2 4 6

    Tegangan (V)

    Arus(A)

    Gelap

    Terang

    Vknee= 1.4 V

    Vknee= 1.3 V

    Gambar 4.12 Kurva I-V pada suhu annealing 850oC

    dan tanpa pendadah

    -7.00E-07

    -6.00E-07

    -5.00E-07

    -4.00E-07

    -3.00E-07

    -2.00E-07

    -1.00E-07

    0.00E+00

    1.00E-07

    2.00E-07

    3.00E-07

    -6 -4 -2 0 2 4

    Tegangan (V)

    Arus(A Gelap

    Terang

    Vknee=1.5 V

    Vknee=1.7 V

    Gambar 4.13 Kurva I-V pada suhu annealing 850oC

    dengan pendadah 5%

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    21/38

    12

    -0.000001

    -0.0000005

    0

    0.0000005

    0.000001

    0.0000015

    0.000002

    -6 -4 -2 0 2 4 6

    Tegangan (V)

    Arus(A Gelap

    Terang

    Vknee=1.8 V

    Vknee=1.9 V

    Gambar 4.14 Kurva I-V pada suhu annealing

    900oC dan tanpa pendadah

    -4.00E-07

    -2.00E-070.00E+00

    2.00E-07

    4.00E-07

    6.00E-07

    8.00E-07

    1.00E-06

    1.20E-06

    1.40E-06

    -6 -4 -2 0 2 4 6

    Tegangan (V)

    Arus(A Gelap

    Terang

    Vknee=3.0 V

    Vknee=3.4 V

    Gambar 4.15 Kurva I-V pada suhu annealing

    900oC dengan pendadah 5%

    -2.50E-07-2.00E-07

    -1.50E-07

    -1.00E-07

    -5.00E-08

    0.00E+00

    5.00E-08

    1.00E-07

    1.50E-07

    2.00E-07

    2.50E-07

    -6 -4 -2 0 2 4 6

    Tegangan (V)

    Arus(A)

    Gelap

    Terang

    Vknee= 1.5 V

    Vknee= 1.7 V

    Gambar 4.16 Kurva I-V pada suhu annealing

    950oC dan tanpa pendadah

    -0.0000002

    -0.00000015

    -0.0000001

    -0.00000005

    0

    0.00000005

    0.0000001

    0.00000015

    0.0000002

    -6 -4 -2 0 2 4 6

    Tegangan (V)

    Arus(A)

    Gelap

    Terang

    Vknee=1.6 V

    Vknee=1.7 V

    Gambar 4.17 Kurva I-V pada suhu annealing

    950oC dengan pendadah 5%

    Data yang didapat, yaitu :

    a. Pada suhu 850oC tanpa pendadahtegangan knee pada kondisi gelap

    sebesar 1.4 V dan kondisi terang

    sebesar 1.3 V.

    b. Pada suhu 850oC dengan pendadah5% tegangan knee pada kondisi

    gelap sebesar 1.5 V dan kondisiterang sebesar 1.7 V.

    c. Pada suhu 900oC tanpa pendadahtegangan knee pada kondisi gelap

    sebesar 1.8 V dan kondisi terangsebesar 1.9 V.

    d. Pada suhu 900oC dengan pendadah 5%

    tegangan knee pada kondisi gelapsebesar 3.0 V dan kondisi terang

    sebesar 3.4 V.

    e. Pada suhu 950oC tanpa pendadahtegangan knee pada kondisi gelap

    sebesar 1.5 V dan kondisi terang

    sebesar 1.7 V.

    f. Pada suhu 950oC dengan pendadah 5%tegangan knee pada kondisi gelap

    sebesar 1.6V dan kondisi terang

    sebesar 1.7V.

    Berdasarkan data yang didapat, dapat

    ternyata berbentuk kurvanya seperti kurva dioda

    dan ada perubahan tegangan knee ketika dalamkondisi terang dan gelap. Karena adanya

    perubahan nilai ini, maka film BST dan BSGT

    yang dibuat ini memiliki sifat fotodioda.

    Perbedaan kondisi terang dan gelap

    mempengaruhi besar tegangan knee dari

    masing-masing sampel. Ketika terang, hampir

    disemua sampel memiliki tegangan knee yang

    lebih besar daripada pada kondisi gelap. Hal ini

    kemungkinan terjadi karena fotodioda adalah

    suatu alat yang dibuat untuk berfungsi paling

    baik berdasarkan kepekaan terhadap cahaya

    sehingga cahaya yang datang menghasilkan

    elektron dan hole. Makin kuat cahayanya makinbanyak pembawa minoritas dan makin besar

    arus baliknya.

    KESIMPULAN DAN SARAN

    Kesimpulan

    Telah berhasil ditumbuhkan film tipis

    Ba0,75Sr0,25TiO3 (BST) murni dan BST yang

    didadah galium (BSGT) di atas substrat Sitipe-p dengan menggunakan metode chemical

    solution deposition (CSD). Film tipis BST dan

    BSGT merupakan bahan semikonduktor karena

    mempunyai nilai konduktivitas listrik antara10-6 - 10-8 S/m dan bandgap sebesar

    2,59 - 3,43 eV.

    Konduktivitas listrik film tipis akan semakin

    besar apabila intensitas penerangan lampusemakin tinggi.

    Film tipis Ba0,75Sr0,25TiO3 (BST) dan BSGT

    yang telah ditumbuhi di atas Si tipe-p dapat

    berfungsi sebagai fotodioda.

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    22/38

    13

    Saran

    Diharapkan pada penelitian selanjutnya

    agar lebih diperhatikan saat pemasanganindium diatas kontak agar dalam proses

    pengukuran sifat listrk lebih stabil nilai

    keluarannya dan dalam pengukuran sifatoptiknya sebaiknya gunakan lampu dengan

    panjang gelombang 300 nm sesuai dengan

    nilai panjang gelombang optimum yangdidapatkan.

    DAFTAR PUSTAKA

    A. Beiser. Konsep Fisika Modern. Erlangga,(1992).

    A. Gahr and D. Koppenkastrop. UV/VIS

    Measurement of Load, SludgeCharacterictics and Toxicity. STIP

    Isco GmbH, 64823 Gro-Umstadt,

    Siemenstrasse 2, Germany.

    A. P. Malvino. Prinsip Elektronika. Jakarta,

    Salemba Teknika, (2003).

    Azizahwati. Studi Morfologi Permukaan

    Film Tipis Pb0,525 Zr0,475 TiO3 yang

    Ditumbuhkan dengan Metode DC

    Unbalanced Magnetron Sputtering.

    Universitas Riau, 5 (1), 50-56 (2002).

    B. G. Yacobi. Semiconductor Materials:

    An Introduction to Basic Principles.

    University of Toronto, Toronto,

    Ontario, Canada, (2003).

    C. Kugeler and R.Wiedenbruck. Integrationof Ferroelectric Thin Films into

    Silicon Based Microsystems, (2006).

    HIOKI, 3522-50/3532-50 LCR HiTESTER.

    Componenet Measuring Instrument,

    (2001).

    http://en.wikipedia.org/wiki/Photoconductivi

    ty.

    http://www.answers.com/topic/photoconduct

    ivity?cat=technology.

    Irzaman, Y.Darvina, A Fuad, P.Arifin,

    M.Budiman and M Barmawi.

    Physical and Pyroelectric properties

    of Tantalum-oxide doped lead

    Zirconium titanate

    [Pb0,995O(Zr0,525Ti0,465Ta0,010)O3] Thin

    Film and Their Application for IR

    Sensor, phys, stat, sol (a), 199, no.3.416-424,9 (2003).

    J. L. Wilson, Y. W. Kang, A. Fathy.

    Investigation of Using Ferrolectric

    Materials in High Power Fast RF PhaseShifters for RF Vector Modulation.

    Edinburg, Scotland, 3248-3250 (2006).

    L. B. Kong, L. Yan, K. B. Chong, C. Y. Tan, L.

    F. Chen and C. K. Ong. Pulsed Laser

    Deposition of LaAlO3 Ba0.5Sr0.5 TiO3

    Thin Films for Tunable Device

    Applications. Temasek Laboratories,

    National University of Singapore, 1-19.

    M. A. Omar. Elementary Solid States Physics;

    Principles and Applications. Addison-

    Wesley publishing Company, Reading,Massachusetts, (1974).

    M. M. Grady, A. Morlok, C. D. Fernandes, and

    D. Johnson. Spectroscopy of Stardust

    from 200nm to 16m (with a Gap in theMiddle). Planetary and Space Sciences

    Research Institute, The Open University,

    Walton Hall, MK7 6AA, UK, (2006).

    Munasir. Semikonduktor. Bagian Proyek

    Pengembangan Kurikulum, Direktorat

    Pendidikan Menengah Kejuruan,

    Direktorat Jenderal Pendidikan Dasardan Menegah, Departemen Pendidikan

    Nasional, (2004).

    N. V. Giridharan, R. Jayavel, and P.

    Ramasamy. Structural, Morphological

    and Electrical Studies on Barium

    Strontium Titanate Thin Films Prepared

    by Sol-Gel Technique. Crystal Growth

    Centre, Anna University, Chennai, India,

    36 (1), 65-72 (2001).

    R. W. Schwartz. Chemical Solution Deposition

    of Perovskite Thin Films. Department ofCeramic and Materials Engineering,

    Clemson University, Clemson, South

    Carolina 29634-0907, 9 (11), 2325-2340

    (1997).

    S. M. Sze. Physics of Semiconductor Devices,

    John Wiley & Sons Inc, United States of

    America, (2007).

    Yoon, S.G. and Safari, A. Thin Solid Films.

    254, 211 (1995).

    http://en.wikipedia.org/wiki/Photoconductivityhttp://en.wikipedia.org/wiki/Photoconductivityhttp://en.wikipedia.org/wiki/Photoconductivityhttp://en.wikipedia.org/wiki/Photoconductivity
  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    23/38

    14

    Lampiran 1

    Diagram Alir Penelitian

    Precursor BSGT 5%Precursor BST

    Spin Coating

    Annealing

    Barium asetat[Ba(CH3COO)2, 99%]

    Stronsium asetat[Sr(CH3COO)2, 99%]

    2-metoksietanol[H3COOCH2CH2OH, 99%]

    Titanium isopropoksida[Ti(C12O4H28), 99.99%]

    BST

    Dipanaskan

    Disaring

    Direaksikan (dikocok)

    Film tipis BST Film tipis BGST 5%

    Konduktivitas listrikdan Resistansi

    Dengan LCR Meter

    UV-VIS untuk mencariBandgapKurva I-V Karakterisasi

    Buat Kontak Al

    BSGT 5%

    Galium Oksida(Ga2O3), 5%

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    24/38

    15

    Lampiran 2

    Skema Pengukuran

    1. Karakterisasi UV-VIS

    Alat yang digunakan : GENESYS 10 UV-Visible spectrophotometers.

    Skema Pengukuran :

    Cara pegukuran :1. Hidupkan alat spektrofotometer UV-VIS2. Pasang sampel yang telah dibuat pada posisi yang ditunjukkan oleh gambar di atas3. Set konfigurasi alat (alat ini hanya dapat digunakan untuk panjang gelombang

    190 - 1100 nm). Gunakan konfigurasi untuk pengukuran nilai absorbansi. Atur dengan

    range pengukuran kelipatan 2nm dari 100nm yang diinginkan. Misalnya kita akanmencari kurva absorbansi dari 200-300nm dengan rentang 2nm, maka nanti data yang

    didapat adalah data saat panjang gelombang 200, 202, 204,300nm.

    4. Catat hasil yang didapat dan lanjutkan ke 100nm panjang gelombang berikutnya

    Posisi Sampel yang dibuat

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    25/38

    16

    2. Karakterisasi Konduktivitas Listrik

    Alat yang digunakan : LCR meter tipeHIOKI 3522-50 LCR HiTESTER

    Skema Pengukuran :

    Cara Pengukuran :

    1. Hidupkan alat LCR meter2. Sambungkan kabel ke kaki 1-3, 1-4, 2-3 dan 2-43. Catat hasil yang tampak pada monitor LCR meter (cari nilai yang terbaik diantara empat

    kombinasi sambungan kabel)

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    26/38

    17

    3. Karakterisasi I-V

    Alat yang digunakan : Keithley's SourceMeter family model 2400

    Skema pengukuran :

    Cara pengukuran :1. Hubungkan alat I-V meter dengan komputer.

    2. Hidupkan komputer dan I-V meter.3. Buka software dari komputer untuk membaca data dari I-V meter4. Sambungkan kabel pada I-V meter ke kaki 1-3, 1-4, 2-3 dan 2-4 sampel5. Atur konfigurasi pada software untuk pengukuran I-V6. Lihat hasilnya (perhitungan dilakukan dalam dua kondisi, yaitu kondisi gelap dan terang)

    dan amati perbedaaan pada kondisi terang dan gelap

    7. Simpan datanya.

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    27/38

    18

    Lampiran 3

    Data I-V Meter

    1. Suhu annealing 850oC dan tanpa pendadah

    Gelap

    Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A)

    -5 -2.16E-06 -0.7 -3.79E-10 3.4 7.872E-07

    -4.9 -1.97E-06 -0.6 -1.94E-10 3.5 8.068E-07

    -4.8 -1.97E-06 -0.5 -1.29E-10 3.6 8.464E-07

    -4.7 -1.9E-06 -0.4 -7.67E-11 3.7 9.024E-07

    -4.6 -1.61E-06 -0.3 -2.55E-11 3.8 9.11E-07

    -4.5 -1.51E-06 -0.2 -7.32E-12 3.9 9.671E-07

    -4.4 -1.5E-06 -0.1 8.375E-12 4 9.727E-07

    -4.3 -1.38E-06 -1.03E-15 1.829E-11 4.1 1.032E-06

    -4.2 -1.05E-06 0.1 3.344E-11 4.2 1.058E-06-4.1 -1.05E-06 0 6.867E-11 4.3 1.108E-06

    -4 -1.05E-06 0.1 7.12E-11 4.4 1.109E-06

    -3.9 -1E-06 0.2 4.744E-10 4.5 1.316E-06

    -3.8 -9.63E-07 0.3 9.457E-10 4.6 1.363E-06

    -3.7 -9.4E-07 0.4 1.637E-09 4.7 1.47E-06

    -3.6 -8.09E-07 0.5 2.96E-09 4.8 1.56E-06

    -3.5 -6.87E-07 0.6 5.256E-09 4.9 1.627E-06

    -3.4 -6.66E-07 0.7 9.434E-09 5 1.723E-06

    -3.3 -6.34E-07 0.8 1.433E-08 5.1 1.864E-06

    -3.2 -5.84E-07 0.9 2.171E-08

    -3.1 -5.32E-07 1 2.927E-08

    -3 -4.75E-07 1.1 3.913E-08

    -2.9 -4.7E-07 1.2 5.184E-08

    -2.8 -4.08E-07 1.3 6.395E-08

    -2.7 -3.9E-07 1.4 7.976E-08

    -2.6 -3.73E-07 1.5 9.149E-08

    -2.5 -3.7E-07 1.6 1.153E-07

    -2.4 -2.94E-07 1.7 1.332E-07

    -2.3 -2.78E-07 1.8 1.563E-07

    -2.2 -1.78E-07 1.9 1.804E-07

    -2.1 -6.48E-08 2 2.026E-07

    -2 -2.89E-08 2.1 2.197E-07

    -1.9 -2.5E-08 2.2 2.559E-07

    -1.8 -2.41E-08 2.3 2.755E-07

    -1.7 -2.12E-08 2.4 3.012E-07

    -1.6 -1.88E-08 2.5 3.449E-07

    -1.5 -1.6E-08 2.6 3.929E-07

    -1.4 -9.95E-09 2.7 4.049E-07

    -1.3 -8.32E-09 2.8 4.735E-07

    -1.2 -7.27E-09 2.9 5.324E-07

    -1.1 -2.95E-09 3 5.671E-07

    -1 -2.84E-09 3.1 6.203E-07

    -0.9 -2.41E-09 3.2 6.598E-07

    -0.8 -7.52E-10 3.3 7.14E-07

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    28/38

    19

    Terang

    Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A)

    -5 -2.12E-06 -0.7 -4.21E-08 3.4 1.041E-06

    -4.9 -2.07E-06 -0.6 -2.87E-08 3.5 1.048E-06

    -4.8 -1.88E-06 -0.5 -2.36E-08 3.6 1.066E-06-4.7 -1.83E-06 -0.4 -1.74E-08 3.7 1.221E-06

    -4.6 -1.78E-06 -0.3 -1.09E-08 3.8 1.327E-06

    -4.5 -1.67E-06 -0.2 -4.51E-09 3.9 1.331E-06

    -4.4 -1.59E-06 -0.1 -1.4E-09 4 1.431E-06

    -4.3 -1.44E-06 -1.03E-15 -5.9E-10 4.1 1.546E-06

    -4.2 -1.17E-06 0.1 -2.95E-10 4.2 1.612E-06

    -4.1 -1.05E-06 0 5.423E-11 4.3 1.711E-06

    -4 -1.05E-06 0.1 1.238E-10 4.4 1.772E-06

    -3.9 -1.05E-06 0.2 5.369E-10 4.5 1.867E-06

    -3.8 -1.04E-06 0.3 9.564E-10 4.6 1.98E-06

    -3.7 -9.54E-07 0.4 1.918E-09 4.7 2.04E-06

    -3.6 -8.51E-07 0.5 4.227E-09 4.8 2.181E-06

    -3.5 -7.97E-07 0.6 8.609E-09 4.9 2.299E-06

    -3.4 -7.61E-07 0.7 1.425E-08 5 2.327E-06

    -3.3 -6.71E-07 0.8 2.224E-08 5.1 2.351E-06

    -3.2 -6.18E-07 0.9 3.372E-08

    -3.1 -5.67E-07 1 4.126E-08

    -3 -5.1E-07 1.1 5.535E-08

    -2.9 -4.33E-07 1.2 6.835E-08

    -2.8 -4.04E-07 1.3 9.004E-08

    -2.7 -3.63E-07 1.4 1.11E-07

    -2.6 -3.41E-07 1.5 1.35E-07

    -2.5 -3.38E-07 1.6 1.589E-07

    -2.4 -3.01E-07 1.7 1.815E-07

    -2.3 -2.92E-07 1.8 2.095E-07

    -2.2 -2.83E-07 1.9 2.491E-07

    -2.1 -2.49E-07 2 2.715E-07

    -2 -2.22E-07 2.1 3.066E-07

    -1.9 -2.02E-07 2.2 3.545E-07

    -1.8 -1.93E-07 2.3 3.948E-07

    -1.7 -1.69E-07 2.4 4.521E-07

    -1.6 -1.53E-07 2.5 4.832E-07

    -1.5 -1.51E-07 2.6 5.251E-07

    -1.4 -1.29E-07 2.7 5.669E-07-1.3 -1.11E-07 2.8 6.763E-07

    -1.2 -9.59E-08 2.9 7.063E-07

    -1.1 -7.63E-08 3 7.756E-07

    -1 -6.32E-08 3.1 7.912E-07

    -0.9 -5.99E-08 3.2 8.77E-07

    -0.8 -4.68E-08 3.3 9.86E-07

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    29/38

    20

    2. Suhu annealing 850oC dengan pendadah galium 5%

    Gelap

    Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A)

    -5 -5.00E-07 -0.7 -1.76E-09 3.6 1.60E-07

    -4.9 -2.68E-07 -0.6 -2.10E-09 3.7 1.64E-07

    -4.8 -2.52E-07 -0.5 -5.78E-09 3.8 2.07E-07

    -4.7 -2.29E-07 -0.4 -1.34E-09 3.9 2.21E-07

    -4.6 -2.34E-07 -0.3 -5.59E-10 4 2.60E-07

    -4.5 -1.79E-07 -0.2 -3.36E-10 4.1 2.51E-07

    -4.4 -1.83E-07 -0.1 -2.93E-10 4.2 2.86E-07

    -4.3 -1.31E-07 -1.03E-15 -7.44E-11 4.3 2.77E-07

    -4.2 -1.27E-07 0.1 3.50E-11 4.4 2.97E-07

    -4.1 -1.11E-07 0.2 1.63E-10 4.5 2.72E-07

    -4 -1.32E-07 0.3 2.80E-10 4.6 2.92E-07

    -3.9 -1.11E-07 0.4 4.73E-10 4.7 2.84E-07

    -3.8 -8.71E-08 0.5 7.80E-10 4.8 2.72E-07

    -3.7 -8.55E-08 0.6 1.31E-09 4.9 2.19E-07

    -3.6 -7.27E-08 0.7 1.72E-09 5 2.33E-07

    -3.5 -6.34E-08 0.8 3.17E-09 5.1 2.33E-07

    -3.4 -5.25E-08 0.9 5.19E-09

    -3.3 -5.96E-08 1 6.64E-09

    -3.2 -4.39E-08 1.1 7.98E-09

    -3.1 -4.62E-08 1.2 1.12E-08

    -3 -3.43E-08 1.3 1.30E-08

    -2.9 -3.16E-08 1.4 1.59E-08

    -2.8 -2.52E-08 1.5 1.99E-08

    -2.7 -2.45E-08 1.6 2.40E-08-2.6 -2.22E-08 1.7 2.62E-08

    -2.5 -1.62E-08 1.8 3.28E-08

    -2.4 -1.41E-08 1.9 3.91E-08

    -2.3 -1.06E-08 2 3.78E-08

    -2.2 -9.97E-09 2.1 4.55E-08

    -2.1 -8.89E-09 2.2 5.03E-08

    -2 -7.57E-09 2.3 5.63E-08

    -1.9 -6.82E-09 2.4 5.87E-08

    -1.8 -5.30E-09 2.5 6.65E-08

    -1.7 -5.10E-09 2.6 7.30E-08

    -1.6 -4.39E-09 2.7 9.28E-08-1.5 -4.15E-09 2.8 9.17E-08

    -1.4 -3.61E-09 2.9 1.16E-07

    -1.3 -3.82E-09 3 1.17E-07

    -1.2 -2.99E-09 3.1 1.55E-07

    -1.1 -3.06E-09 3.2 1.61E-07

    -1 -2.50E-09 3.3 1.65E-07

    -0.9 -2.23E-09 3.4 1.45E-07

    -0.8 -1.68E-09 3.5 1.40E-07

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    30/38

    21

    Terang

    Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A)

    -5 -5.73E-07 -0.7 -1.09E-09 3.6 2.93E-07

    -4.9 -4.14E-07 -0.6 -9.13E-10 3.7 2.90E-07

    -4.8 -3.49E-07 -0.5 -6.79E-10 3.8 2.47E-07-4.7 -2.25E-07 -0.4 -4.14E-10 3.9 2.58E-07

    -4.6 -1.96E-07 -0.3 -3.40E-10 4 4.24E-07

    -4.5 -2.02E-07 -0.2 -3.65E-10 4.1 5.07E-07

    -4.4 -2.00E-07 -0.1 -2.29E-10 4.2 4.24E-07

    -4.3 -1.60E-07 -1.03E-15 -1.53E-10 4.3 5.00E-07

    -4.2 -1.58E-07 0.1 -1.05E-11 4.4 4.79E-07

    -4.1 -1.21E-07 0.2 1.54E-10 4.5 5.63E-07

    -4 -1.03E-07 0.3 3.76E-10 4.6 5.99E-07

    -3.9 -9.16E-08 0.4 4.22E-10 4.7 5.32E-07

    -3.8 -8.77E-08 0.5 6.39E-10 4.8 5.19E-07

    -3.7 -7.98E-08 0.6 9.91E-10 4.9 5.36E-07

    -3.6 -7.31E-08 0.7 2.12E-09 5 4.99E-07

    -3.5 -6.40E-08 0.8 2.84E-09 5.1 4.48E-07

    -3.4 -5.76E-08 0.9 4.02E-09

    -3.3 -5.69E-08 1 5.17E-09

    -3.2 -4.31E-08 1.1 7.04E-09

    -3.1 -3.99E-08 1.2 9.66E-09

    -3 -3.33E-08 1.3 1.21E-08

    -2.9 -3.12E-08 1.4 1.69E-08

    -2.8 -2.69E-08 1.5 1.76E-08

    -2.7 -2.20E-08 1.6 2.34E-08

    -2.6 -1.93E-08 1.7 2.86E-08

    -2.5 -1.81E-08 1.8 3.02E-08

    -2.4 -1.48E-08 1.9 3.36E-08

    -2.3 -1.45E-08 2 3.85E-08

    -2.2 -1.11E-08 2.1 5.66E-08

    -2.1 -9.20E-09 2.2 6.30E-08

    -2 -7.98E-09 2.3 7.88E-08

    -1.9 -7.59E-09 2.4 8.12E-08

    -1.8 -6.45E-09 2.5 9.63E-08

    -1.7 -5.30E-09 2.6 8.72E-08

    -1.6 -4.52E-09 2.7 1.12E-07

    -1.5 -3.65E-09 2.8 1.20E-07

    -1.4 -3.26E-09 2.9 1.30E-07-1.3 -3.25E-09 3 1.08E-07

    -1.2 -2.78E-09 3.1 1.37E-07

    -1.1 -2.31E-09 3.2 1.64E-07

    -1 -2.02E-09 3.3 1.80E-07

    -0.9 -1.48E-09 3.4 2.33E-07

    -0.8 -1.19E-09 3.5 2.56E-07

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    31/38

    22

    3. Suhu annealing 900oC dan tanpa pendadah

    Gelap

    Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A)

    -5 -6.6E-07 -0.7 -1.15E-08 3.6 2.949E-07

    -4.9 -6.39E-07 -0.6 -8.72E-09 3.7 3.401E-07

    -4.8 -6.27E-07 -0.5 -7.42E-09 3.8 3.512E-07

    -4.7 -5.17E-07 -0.4 -5.31E-09 3.9 4.02E-07

    -4.6 -5.09E-07 -0.3 -4.16E-09 4.0 4.888E-07

    -4.5 -4.82E-07 -0.2 -2.73E-09 4.1 5.212E-07

    -4.4 -4.25E-07 -0.1 -1.67E-09 4.2 6.36E-07

    -4.3 -4.16E-07 -1.03E-15 -6.98E-10 4.3 6.879E-07

    -4.2 -4.15E-07 0.1 4.205E-11 4.4 7.58E-07

    -4.1 -3.4E-07 0.2 8.615E-10 4.5 7.821E-07

    -4.0 -3.28E-07 0.3 1.742E-09 4.6 7.985E-07

    -3.9 -3E-07 0.4 2.318E-09 4.7 8.317E-07

    -3.8 -2.78E-07 0.5 3.493E-09 4.8 8.622E-07

    -3.7 -2.73E-07 0.6 4.143E-09 4.9 9.305E-07

    -3.6 -2.24E-07 0.7 5.094E-09 5 1.309E-06

    -3.5 -2.16E-07 0.8 7.002E-09 5.1 1.454E-06

    -3.4 -2.06E-07 0.9 9.248E-09

    -3.3 -1.9E-07 1.0 1.206E-08

    -3.2 -1.84E-07 1.1 1.306E-08

    -3.1 -1.69E-07 1.2 1.561E-08

    -3.0 -1.66E-07 1.3 2.032E-08

    -2.9 -1.57E-07 1.4 2.393E-08

    -2.8 -1.36E-07 1.5 2.829E-08

    -2.7 -1.16E-07 1.6 3.195E-08-2.6 -9.84E-08 1.7 3.874E-08

    -2.5 -9.05E-08 1.8 4.001E-08

    -2.4 -8.33E-08 1.9 5.905E-08

    -2.3 -8.32E-08 2 6.36E-08

    -2.2 -7.8E-08 2.1 6.657E-08

    -2.1 -7.47E-08 2.2 8.937E-08

    -2.0 -7.17E-08 2.3 9.174E-08

    -1.9 -6.52E-08 2.4 1.087E-07

    -1.8 -5.59E-08 2.5 1.148E-07

    -1.7 -5.25E-08 2.6 1.296E-07

    -1.6 -4.41E-08 2.7 1.348E-07-1.5 -4.14E-08 2.8 1.519E-07

    -1.4 -3.89E-08 2.9 1.625E-07

    -1.3 -3.3E-08 3.0 1.76E-07

    -1.2 -2.73E-08 3.1 1.899E-07

    -1.1 -2.33E-08 3.2 2.124E-07

    -1.0 -1.94E-08 3.3 2.316E-07

    -0.9 -1.65E-08 3.4 2.388E-07

    -0.8 -1.34E-08 3.5 2.864E-07

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    32/38

    23

    Terang

    Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A)

    -5 -6.16E-07 -0.7 -8.65E-09 3.6 3.31E-07

    -4.9 -5.8E-07 -0.6 -7.1E-09 3.7 3.381E-07

    -4.8 -5.49E-07 -0.5 -5.04E-09 3.8 3.91E-07-4.7 -5.08E-07 -0.4 -3.79E-09 3.9 4.404E-07

    -4.6 -4.88E-07 -0.3 -3.12E-09 4 4.493E-07

    -4.5 -4.42E-07 -0.2 -1.76E-09 4.1 4.594E-07

    -4.4 -4.24E-07 -0.1 -1.25E-09 4.2 5.818E-07

    -4.3 -3.66E-07 -1.03E-15 -4.68E-10 4.3 6.018E-07

    -4.2 -3.59E-07 0.1 2.61E-11 4.4 6.842E-07

    -4.1 -3.57E-07 0.2 7.206E-10 4.5 7.086E-07

    -4 -3.47E-07 0.3 9.724E-10 4.6 7.385E-07

    -3.9 -3.22E-07 0.4 1.522E-09 4.7 8.284E-07

    -3.8 -2.88E-07 0.5 2.855E-09 4.8 9.095E-07

    -3.7 -2.73E-07 0.6 2.984E-09 4.9 9.898E-07

    -3.6 -2.69E-07 0.7 3.91E-09 5 1.214E-06

    -3.5 -2.54E-07 0.8 4.808E-09 5.1 1.599E-06

    -3.4 -2.49E-07 0.9 6.268E-09

    -3.3 -2.17E-07 1 8.24E-09

    -3.2 -2.13E-07 1.1 9.536E-09

    -3.1 -1.93E-07 1.2 1.344E-08

    -3 -1.91E-07 1.3 1.488E-08

    -2.9 -1.81E-07 1.4 2.007E-08

    -2.8 -1.63E-07 1.5 2.452E-08

    -2.7 -1.46E-07 1.6 3.037E-08

    -2.6 -1.4E-07 1.7 3.2E-08

    -2.5 -1.24E-07 1.8 4.146E-08

    -2.4 -1.21E-07 1.9 5.183E-08

    -2.3 -1.04E-07 2 5.831E-08

    -2.2 -9.8E-08 2.1 6.766E-08

    -2.1 -9.34E-08 2.2 7.909E-08

    -2 -7.99E-08 2.3 8.943E-08

    -1.9 -6.85E-08 2.4 9.413E-08

    -1.8 -6.49E-08 2.5 9.618E-08

    -1.7 -5.43E-08 2.6 1.093E-07

    -1.6 -4.88E-08 2.7 1.419E-07

    -1.5 -4.34E-08 2.8 1.488E-07

    -1.4 -3.68E-08 2.9 1.607E-07-1.3 -3E-08 3 1.609E-07

    -1.2 -2.43E-08 3.1 1.903E-07

    -1.1 -2.06E-08 3.2 2.173E-07

    -1 -1.72E-08 3.3 2.219E-07

    -0.9 -1.39E-08 3.4 2.658E-07

    -0.8 -1.1E-08 3.5 2.981E-07

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    33/38

    24

    4. Suhu annealing 900oC dengan pendadah galium 5%

    Gelap

    Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A)

    -5 -2.75E-07 -0.7 -2.48E-09 3.6 7.46E-08

    -4.9 -1.80E-07 -0.6 -1.69E-09 3.7 7.57E-08

    -4.8 -2.12E-07 -0.5 -1.30E-09 3.8 7.94E-08

    -4.7 -1.82E-07 -0.4 -1.39E-09 3.9 1.26E-07

    -4.6 -1.64E-07 -0.3 -1.45E-09 4 1.23E-07

    -4.5 -1.16E-07 -0.2 -1.12E-09 4.1 2.23E-07

    -4.4 -1.14E-07 -0.1 -5.50E-10 4.2 1.66E-07

    -4.3 -1.12E-07 -1.03E-15 -5.49E-11 4.3 2.50E-07

    -4.2 -1.07E-07 0.1 5.26E-10 4.4 2.08E-07

    -4.1 -8.73E-08 0.2 8.78E-10 4.5 3.78E-07

    -4 -7.10E-08 0.3 9.05E-10 4.6 4.44E-07

    -3.9 -6.51E-08 0.4 1.67E-09 4.7 6.00E-07

    -3.8 -5.19E-08 0.5 1.82E-09 4.8 6.63E-07

    -3.7 -4.64E-08 0.6 1.97E-09 4.9 7.55E-07

    -3.6 -4.39E-08 0.7 2.50E-09 5 8.58E-07

    -3.5 -3.70E-08 0.8 2.82E-09 5.1 1.21E-06

    -3.4 -3.14E-08 0.9 3.14E-09

    -3.3 -2.56E-08 1 3.37E-09

    -3.2 -2.32E-08 1.1 4.78E-09

    -3.1 -2.16E-08 1.2 4.40E-09

    -3 -1.78E-08 1.3 3.46E-09

    -2.9 -1.73E-08 1.4 4.49E-09

    -2.8 -1.48E-08 1.5 5.48E-09

    -2.7 -1.53E-08 1.6 7.08E-09-2.6 -1.42E-08 1.7 8.46E-09

    -2.5 -1.29E-08 1.8 9.28E-09

    -2.4 -1.13E-08 1.9 1.01E-08

    -2.3 -1.03E-08 2 1.10E-08

    -2.2 -8.92E-09 2.1 1.02E-08

    -2.1 -7.36E-09 2.2 1.49E-08

    -2 -7.64E-09 2.3 1.48E-08

    -1.9 -6.82E-09 2.4 1.58E-08

    -1.8 -6.06E-09 2.5 1.85E-08

    -1.7 -5.04E-09 2.6 2.00E-08

    -1.6 -4.56E-09 2.7 2.61E-08-1.5 -4.93E-09 2.8 2.79E-08

    -1.4 -3.84E-09 2.9 3.50E-08

    -1.3 -4.91E-09 3 4.27E-08

    -1.2 -3.35E-09 3.1 4.68E-08

    -1.1 -3.62E-09 3.2 5.89E-08

    -1 -3.30E-09 3.3 8.17E-08

    -0.9 -2.75E-09 3.4 7.21E-08

    -0.8 -2.51E-09 3.5 6.21E-08

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    34/38

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    35/38

    26

    5. Suhu annealing 950oC dan tanpa pendadah

    Gelap

    Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A)

    -5 -2.13E-07 -0.7 -1.20E-09 3.6 1.34E-07

    -4.9 -2.08E-07 -0.6 -1.01E-09 3.7 1.50E-07

    -4.8 -2.16E-07 -0.5 -8.40E-10 3.8 1.41E-07

    -4.7 -1.96E-07 -0.4 -6.48E-10 3.9 1.51E-07

    -4.6 -1.85E-07 -0.3 -4.79E-10 4 1.51E-07

    -4.5 -1.89E-07 -0.2 -3.54E-10 4.1 1.61E-07

    -4.4 -1.66E-07 -0.1 -2.09E-10 4.2 1.56E-07

    -4.3 -1.76E-07 -1.03E-15 -9.36E-11 4.3 1.81E-07

    -4.2 -1.56E-07 0.1 2.94E-11 4.4 1.79E-07

    -4.1 -1.46E-07 0.2 2.13E-10 4.5 1.93E-07

    -4 -1.67E-07 0.3 3.40E-10 4.6 1.79E-07

    -3.9 -1.67E-07 0.4 4.96E-10 4.7 1.86E-07

    -3.8 -1.54E-07 0.5 6.74E-10 4.8 2.20E-07

    -3.7 -1.41E-07 0.6 9.32E-10 4.9 1.88E-07

    -3.6 -1.36E-07 0.7 1.12E-09 5 2.09E-07

    -3.5 -1.19E-07 0.8 1.35E-09 5.1 2.26E-07

    -3.4 -1.10E-07 0.9 1.89E-09

    -3.3 -1.17E-07 1 2.28E-09

    -3.2 -1.07E-07 1.1 3.49E-09

    -3.1 -1.10E-07 1.2 5.05E-09

    -3 -8.82E-08 1.3 6.16E-09

    -2.9 -7.58E-08 1.4 6.40E-09

    -2.8 -6.64E-08 1.5 1.62E-08

    -2.7 -7.49E-08 1.6 1.36E-08-2.6 -6.72E-08 1.7 1.61E-08

    -2.5 -6.20E-08 1.8 3.26E-08

    -2.4 -3.53E-08 1.9 2.06E-08

    -2.3 -3.49E-08 2 2.41E-08

    -2.2 -2.38E-08 2.1 2.90E-08

    -2.1 -2.11E-08 2.2 4.02E-08

    -2 -2.26E-08 2.3 6.22E-08

    -1.9 -1.74E-08 2.4 4.77E-08

    -1.8 -1.03E-08 2.5 4.49E-08

    -1.7 -1.04E-08 2.6 6.16E-08

    -1.6 -7.42E-09 2.7 7.20E-08-1.5 -5.27E-09 2.8 8.41E-08

    -1.4 -5.19E-09 2.9 9.12E-08

    -1.3 -2.73E-09 3 8.43E-08

    -1.2 -2.61E-09 3.1 7.98E-08

    -1.1 -2.23E-09 3.2 1.03E-07

    -1 -2.00E-09 3.3 1.20E-07

    -0.9 -1.82E-09 3.4 1.14E-07

    -0.8 -1.44E-09 3.5 1.23E-07

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    36/38

    27

    Terang

    Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A)

    -5 -1.84E-07 -0.7 -1.97E-09 3.6 9.62E-08

    -4.9 -1.64E-07 -0.6 -9.87E-10 3.7 1.48E-07

    -4.8 -1.76E-07 -0.5 -8.74E-10 3.8 1.15E-07-4.7 -1.73E-07 -0.4 -6.92E-10 3.9 1.24E-07

    -4.6 -1.58E-07 -0.3 -5.49E-10 4 1.52E-07

    -4.5 -1.24E-07 -0.2 -3.83E-10 4.1 1.64E-07

    -4.4 -1.60E-07 -0.1 -2.31E-10 4.2 1.48E-07

    -4.3 -1.69E-07 -1.03E-15 -8.47E-11 4.3 1.75E-07

    -4.2 -1.54E-07 0.1 -8.94E-12 4.4 1.63E-07

    -4.1 -1.41E-07 0.2 3.10E-10 4.5 1.77E-07

    -4 -1.36E-07 0.3 3.44E-10 4.6 1.94E-07

    -3.9 -1.21E-07 0.4 4.43E-10 4.7 1.85E-07

    -3.8 -1.11E-07 0.5 7.17E-10 4.8 1.99E-07

    -3.7 -1.02E-07 0.6 9.26E-10 4.9 1.92E-07

    -3.6 -9.77E-08 0.7 1.11E-09 5 2.03E-07

    -3.5 -9.15E-08 0.8 1.28E-09 5.1 2.21E-07

    -3.4 -9.03E-08 0.9 1.47E-09

    -3.3 -8.98E-08 1 1.66E-09

    -3.2 -7.79E-08 1.1 2.06E-09

    -3.1 -7.90E-08 1.2 2.36E-09

    -3 -5.52E-08 1.3 3.76E-09

    -2.9 -4.43E-08 1.4 4.71E-09

    -2.8 -4.84E-08 1.5 7.00E-09

    -2.7 -3.89E-08 1.6 1.03E-08

    -2.6 -2.05E-08 1.7 8.43E-09

    -2.5 -3.12E-08 1.8 1.63E-08

    -2.4 -3.33E-08 1.9 1.51E-08

    -2.3 -1.95E-08 2 1.99E-08

    -2.2 -1.71E-08 2.1 2.26E-08

    -2.1 -1.39E-08 2.2 2.21E-08

    -2 -9.97E-09 2.3 3.04E-08

    -1.9 -8.18E-09 2.4 2.96E-08

    -1.8 -8.95E-09 2.5 4.91E-08

    -1.7 -4.38E-09 2.6 5.17E-08

    -1.6 -4.49E-09 2.7 4.73E-08

    -1.5 -4.15E-09 2.8 6.25E-08

    -1.4 -3.38E-09 2.9 6.68E-08-1.3 -3.07E-09 3 5.88E-08

    -1.2 -1.94E-09 3.1 6.85E-08

    -1.1 -1.86E-09 3.2 7.15E-08

    -1 -2.36E-09 3.3 7.06E-08

    -0.9 -1.32E-09 3.4 7.20E-08

    -0.8 -1.14E-09 3.5 8.40E-08

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    37/38

    28

    6. Suhu annealing 950oC dengan pendadah galium 5%

    Gelap

    Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A)

    -5 -1.59E-07 -0.7 -1.7E-09 3.6 6.494E-08

    -4.9 -1.59E-07 -0.6 -1.16E-09 3.7 6.986E-08

    -4.8 -1.52E-07 -0.5 -1.1E-09 3.8 7.272E-08

    -4.7 -1.51E-07 -0.4 -7.97E-10 3.9 7.639E-08

    -4.6 -1.43E-07 -0.3 -5.71E-10 4 8.876E-08

    -4.5 -1.32E-07 -0.2 -3.63E-10 4.1 9.143E-08

    -4.4 -1.22E-07 -0.1 -2.26E-10 4.2 1.06E-07

    -4.3 -1.1E-07 -1.03E-15 -3.05E-11 4.3 1.072E-07

    -4.2 -1.02E-07 0.1 9.643E-11 4.4 1.163E-07

    -4.1 -9.66E-08 0.2 2.213E-10 4.5 1.177E-07

    -4 -9.23E-08 0.3 2.756E-10 4.6 1.221E-07

    -3.9 -8.43E-08 0.4 4.333E-10 4.7 1.222E-07

    -3.8 -8.01E-08 0.5 6.428E-10 4.8 1.301E-07

    -3.7 -7.05E-08 0.6 8.464E-10 4.9 1.318E-07

    -3.6 -6.98E-08 0.7 1.113E-09 5 1.416E-07

    -3.5 -6.61E-08 0.8 1.388E-09 5.1 1.464E-07

    -3.4 -6.44E-08 0.9 1.536E-09

    -3.3 -6.16E-08 1 2.076E-09

    -3.2 -5.08E-08 1.1 2.225E-09

    -3.1 -4.86E-08 1.2 3.002E-09

    -3 -4.83E-08 1.3 3.464E-09

    -2.9 -4.38E-08 1.4 4.095E-09

    -2.8 -3.76E-08 1.5 4.711E-09

    -2.7 -3.14E-08 1.6 7.04E-09-2.6 -3.09E-08 1.7 8.124E-09

    -2.5 -3.09E-08 1.8 8.91E-09

    -2.4 -3E-08 1.9 9.088E-09

    -2.3 -2.9E-08 2 1.052E-08

    -2.2 -1.93E-08 2.1 1.47E-08

    -2.1 -1.74E-08 2.2 1.594E-08

    -2 -1.49E-08 2.3 1.938E-08

    -1.9 -1.41E-08 2.4 2.27E-08

    -1.8 -1.2E-08 2.5 2.449E-08

    -1.7 -1.03E-08 2.6 3.166E-08

    -1.6 -8.81E-09 2.7 3.614E-08-1.5 -8.78E-09 2.8 3.636E-08

    -1.4 -5.5E-09 2.9 4.16E-08

    -1.3 -4.73E-09 3 4.177E-08

    -1.2 -4.4E-09 3.1 4.954E-08

    -1.1 -3.71E-09 3.2 5.419E-08

    -1 -2.71E-09 3.3 5.48E-08

    -0.9 -2.59E-09 3.4 5.78E-08

    -0.8 -1.74E-09 3.5 6.177E-08

  • 8/9/2019 Fotodioda Berbasis Film Tipis BST

    38/38

    29

    Terang

    Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A) Voltage (V) Current (A)

    -5 -1.47E-07 -0.7 -1.47E-09 3.6 5.921E-08

    -4.9 -1.41E-07 -0.6 -1.35E-09 3.7 6.402E-08

    -4.8 -1.3E-07 -0.5 -1.16E-09 3.8 6.519E-08-4.7 -1.3E-07 -0.4 -7.88E-10 3.9 6.649E-08

    -4.6 -1.21E-07 -0.3 -4.29E-10 4 7.06E-08

    -4.5 -1.18E-07 -0.2 -2.96E-10 4.1 7.525E-08

    -4.4 -1.14E-07 -0.1 -2.07E-10 4.2 7.821E-08

    -4.3 -1.13E-07 -1.03E-15 1.637E-11 4.3 8.299E-08

    -4.2 -1.07E-07 0.1 1.2E-10 4.4 8.477E-08

    -4.1 -1.04E-07 0.2 2.135E-10 4.5 9.617E-08

    -4 -8.85E-08 0.3 3.359E-10 4.6 1.013E-07

    -3.9 -8.32E-08 0.4 5.615E-10 4.7 1.105E-07

    -3.8 -8.3E-08 0.5 6.495E-10 4.8 1.11E-07

    -3.7 -7.22E-08 0.6 9.153E-10 4.9 1.286E-07

    -3.6 -7.01E-08 0.7 1.099E-09 5 1.384E-07

    -3.5 -6.59E-08 0.8 1.406E-09 5.1 1.43E-07

    -3.4 -6.48E-08 0.9 1.513E-09

    -3.3 -6E-08 1 2.171E-09

    -3.2 -5.15E-08 1.1 2.42E-09

    -3.1 -4.63E-08 1.2 2.765E-09

    -3 -4.51E-08 1.3 3.812E-09

    -2.9 -4.06E-08 1.4 3.889E-09

    -2.8 -3.98E-08 1.5 4.293E-09

    -2.7 -3.69E-08 1.6 6.019E-09

    -2.6 -3.19E-08 1.7 6.181E-09

    -2.5 -3.02E-08 1.8 7.326E-09

    -2.4 -3.02E-08 1.9 7.677E-09

    -2.3 -2.69E-08 2 1.012E-08

    -2.2 -2.21E-08 2.1 1.306E-08

    -2.1 -2.12E-08 2.2 1.438E-08

    -2 -1.48E-08 2.3 1.444E-08

    -1.9 -1.25E-08 2.4 1.729E-08

    -1.8 -1.03E-08 2.5 1.954E-08

    -1.7 -8.97E-09 2.6 2.183E-08

    -1.6 -8.44E-09 2.7 2.814E-08

    -1.5 -8.01E-09 2.8 2.868E-08

    -1.4 -6.77E-09 2.9 3.164E-08-1.3 -6.18E-09 3 3.184E-08

    -1.2 -4.26E-09 3.1 3.574E-08

    -1.1 -3.29E-09 3.2 3.859E-08

    -1 -2.74E-09 3.3 4.225E-08

    -0.9 -2.69E-09 3.4 5.003E-08

    -0.8 -2.1E-09 3.5 5.334E-08