EPROM dan IPROM

Nama : Vicky Setya HermawanNIM : 1310501012Dosen Pembimbing : R. Suryoto Edy Raharjo, S.T., M.Eng

Jurusan Teknik ElektroFakultas Teknik

Universitas Tidar2016

OutlineEPROMIPROM

EPROMEPROM (Erasable Programmable Read-Only-Memory) Memori jenis ini memberi kesempatan kepada para pemakai untuk melakukan pemrograman ulang secara total. Pemrograman di lakukan dengan Eprom Writer, dalam keadaan memori kosong ( isinya telah dihapus terlebih dahulu ). EPROM menghilangkan / menghapus isi program dengan cara menyinari cendela yang ada padanya dengan sinar Ultra Violet ( UV ).

EPROM (lanjutan)

Gambar 1 konektor pin EPROM 2764

Sel memori pada EPROM dibangun dari dua Transistor MOS. Salah satu dari Transistor disambung langsung dengan jalur alamat x, sedangkan pada D dan S disambung dengan jalur alamat y.

Gambar 2 prinsip sel EPROM

EPROM (lanjutan)

Bentuk penyambungan yang seperti pada Gambar 2 dibalik disebut FAMOS - Transistor ( FAMOS = Floating gate Avalanche injection Metal Oxide Semiconductor ≈ memori MOS dengan Gerbang Mengambang ).

EPROM (lanjutan)

PROM yang terbuat dari dioda matrik dan belum diprogram setiap persilangan antara kolom dan baris terisi dioda. PROM yang belum diprogram pada outputnya hanya berlogika 1 atau 0. Pada penghantar setiap dioda dipasang secara seri sebuah tahanan terbuat dari NiCr ( Nickel Chrom ) yang mudah terbakar jika dialiri arus lebih.

IPROM

IPROM (lanjutan)

Pemrograman PROM dilakukan dengan cara memberikan pulsa arus lebih pada dioda yang dikehendali sehingga tahanan yang terpasang terbakar (terputus) dan dengan demikian dioda yang bersangkutan tidak berfungsi. Proses pemrograman seperti ini disebut proses “ FUSE - LINK “.

Gambar 3 konektor pin PROM PC44

IPROM (lanjutan)

Daftar Pustakawww.slideshare.net/Alfadhlyyohanda/buku-pegangankuliahdasarmikroprosesorlengkaphttp://smkn2balikpapan.sch.id/download/al10.pdf

Terima Kasih